三极管练习题

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放大电路练习题及标准答案

放大电路练习题及标准答案

一、填空题1.射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1,输入电阻高、输出电阻低。

2.三极管的偏置情况为发射结正向偏置,集电结反向偏置时,三极管处于饱和状态。

3.射极输出器可以用作多级放大器的输入级,是因为射极输出器的输入电阻高。

4.射极输出器可以用作多级放大器的输出级,是因为射极输出器的输出电阻低。

5.常用的静态工作点稳定的电路为分压式偏置放大电路。

6.为使电压放大电路中的三极管能正常工作,必须选择合适的静态工作点。

7.三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点,即计算I B 、I C 、U CE三个值。

8.共集放大电路(射极输出器)的集电极极是输入、输出回路公共端。

9.共集放大电路(射极输出器)是因为信号从发射极极输出而得名。

()10.射极输出器又称为电压跟随器,是因为其电压放大倍数电压放大倍数接近于1 。

11.画放大电路的直流通路时,电路中的电容应断开。

12.画放大电路的交流通路时,电路中的电容应短路。

13.若静态工作点选得过高,容易产生饱和失真。

14.若静态工作点选得过低,容易产生截止失真。

15.放大电路有交流信号时的状态称为动态。

16.当输入信号为零时,放大电路的工作状态称为静态。

17.当输入信号不为零时,放大电路的工作状态称为动态。

18.放大电路的静态分析方法有估算法、图解法。

19.放大电路的动态分析方法有微变等效电路法、图解法。

20.放大电路输出信号的能量来自直流电源。

二、选择题1、在图示电路中,已知U C C=12V,晶体管的=100,'R=100kΩ。

当i U=0V时,b测得U B E=,若要基极电流I B=20μA,则R W为kΩ。

AA. 465B. 5652.在图示电路中,已知U C C=12V,晶体管的=100,若测得I B=20μA,U C E=6V,则R c=kΩ。

A3、在图示电路中, 已知U C C =12V ,晶体管的=100,'B R =100k Ω。

电子技术半导体器件2 内容及习题

电子技术半导体器件2 内容及习题

电子技术网络授课半导体器件2内容及习题6.2 三极管学习要求:理解掌握三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数,会用万用表判断三极管的管型和管脚极性6.2.1 三极管的基本构造和符号6.2.2 三极管的工作状态1、三极管的工作电压和基本连接方式(观看视频)共射极接法E1为基极电源,又称偏置电源 Rb为基极电阻 VT三极管 Rc集电极电阻 E2集电极电源另外还有共基极和共集电极接法,如下图所示。

最常用的是共发射极接法。

三极管的基本作用是放大电信号。

三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。

2、三极管的电流放大作用(观看视频)1)三极管的电流放大作用——基极电流 IB 微小的变化,引起集电极电流 IC 较大变化。

2)交流电流放大系数β——表示三极管放大交流电流的能力ββ=ΔΔII CCΔΔII BB3)直流电流分配关系II EE=II CC+II BB(观看视频)4)直流电流放大系数ββ̄ —— 表示三极管放大直流电流的能力ββ̄=II CC II BB5)通常ββ=ββ̄,II CC=ββ̄II BB,所以可表示为II CC=ββII BB3、三极管的伏安特性(视频:三极管的输出特性)1)伏安特性的概念:2)输入特性曲线是指三极管集电极-发射极电压UU BBEE为某一定值时,输入回路中基极电流II BB和发射结偏压UU BBEE之间的关系曲线。

由于发射结正向偏置,所以等效成一个二极管,因此三极管的输入特性就是二极管的伏安特性。

当UU BBEE很小时,II BB =0,三极管截止,只有UU BBEE大于死区电压(硅管0.5V/锗管0.2V)时,三极管导通。

导通后UU BBEE几乎不变,硅管约0.7V,锗管约0.3V2)输出特性曲线是指三极管基极电流II BB为某一定值时,输出端集电极电流II CC与集电极-发射极间的电压UU CCEE的关系曲线,不同的II BB会得到不同的曲线,故三极管的输出特性曲线是一个曲线族(1)截止区:在II BB=0这条曲线以下的区域。

13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-1-参考答案2015-10-7

13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-1-参考答案2015-10-7

113级《计算机电路基础》习题二-1答案§2.3 双极性晶体三极管一、 填空题1、晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件,具有电流放大和开关作用。

在模拟电子电路中,它起放大作用;在脉3.、PN 结是许多半导体元器件的最重要和最基本的单元。

如果我们把两个PN 结做得相距很近,结合在一起就构成一个新的器件,即半导体三极管,又称为晶体三极管。

双极型晶体管外形如图:4、晶体三极管两个PN 结将整个半导体基片分成三个区域:发射区、基区和集电区,其中基区较薄。

由这三个区各引出一个电极,分别称为发射极、基极和集电极,分别用字母E、B 、C 表示。

将发射极与基极之间的PN 结称为发射结;集电极与基极之间的PN 结称为集电结。

如下图所示:在图中填出三个区域,两个结,画出三极管符号。

5、晶体三极管按导电类型的不同,三极管可分为PNP 型和NPN 型两大类。

由图可见,有箭头的电极是发射极,箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向,箭头方向向外是 NPN 型,箭头方向向内是 PNP 型,两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同,实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。

6、三极管种类很多:按功率分有小功率管、中功率管和大功率管 ;按工作频率分有低频管、高频管 ; 按管芯所用半导体制造材料分有硅管与锗管。

7、本标准适用于无线电电子设备所用半导体器件的型号命名。

【了解】 示例要求:查2.2表写出型号硅整流二极管 硅NPN 型高频小功率管8、型号组成部分的符号及意义表7.5.1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。

表2.2 型号组成部分的符号及意义8. 三极管各电极上的电流分配NPN 型三极管为例搭成的实验电路如图7.3.2所示,图中V BB 为基极电源,V cc 为集电极电源,V cc 电压应高于V BB 电压。

即发射结正偏,集电结反偏。

电路接通后,在电路中就有三支电流通过三极管,即基极电流I B 、集电极电流I C 和发射极电流I E ,这三路电流方向如图中所示。

模电练习题

模电练习题

2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是(),该管是()型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)4、放大器的输入电阻高,表明其放大微弱信号能力()。

A、强B、弱C、一般为了使放大器带负载能力强,一般引入()负反馈。

A、电压B、电流C、串联振荡器的输出信号最初是由()而来的。

A基本放大器 B 选频网络C干扰或噪声引入并联负反馈,可使放大器的()。

A、输出电压稳定B、反馈环内输入电阻增加C、反馈环内输入电阻减小8、工作在线性区的运算放大器应置于()状态。

B、A、深度反馈B、开环C、闭环单相桥式整流电容波电路输出电压平均在Uo=( )U2。

A 0.45B 0.9C 1.2P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于( )状态下,可以稳定电压。

A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件( )。

A、正偏导通,反偏截止B、正偏截止,反偏导通C、正偏导通,反偏导通D、正偏截止,反偏截止4、既能放大电压,也能放大电流的电路( )。

A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能5、共模抑制比越大,表明电路()。

A、放大倍数越稳定;B、交流放大倍数越大;C、抑制温漂能力越强;D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入()反馈,为减小输出电阻,应引入()反馈。

A、电压B、电流C、串联D、并联7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是()。

A、RC振荡电路B、LC振荡电路C、石英晶体振荡电路2 差模信号是指两个输入信号的()A、幅值相同相位相同B、幅值不同相位不同C、幅值相同相位相反D、幅值不同相位相反3 要使放大器向信号源索取电流小,同时带负载能力强,应引入________负反馈,射极跟随器是________负反馈。

电工学练习题

电工学练习题

电工学练习题一.填空题1. 晶体三极管的输出特性曲线可分为 饱和 区、 放大 区和 截止 区等三个工作区。

2.理想运算放大电路工作在线性区时,有 虚断 和 虚短 两个重要概念。

3.工作在乙类状态的功率放大电路,在理想工作状态下,其效率最高可达78.5%。

4.放大电路中,若想要增加输入电阻,应引入串联负反馈;若想要减小输出电阻,应引入电压负反馈。

5.理想运算放大电路的开环电压放大倍数V A = ∞ ,输入电阻i r = ∞ 。

6.已知变压器二次侧电压值为10V ,若采用单相半波整流电路,则输出电压平均值O U = 4.5V ;若采用单相桥式整流电路,则输出电压平均值O U = 9 V 。

7.(61.25)10=( 111101.01 )2=( 3D.4 )16。

8. 三极管有__NPN 型和_PNP___型两种组合形式,其正常的电流放大条件是:发电结___正偏、集电结__反_偏。

9. 在直接耦合的多级放大电路中,由于温度的影响将产生____零点漂移_____现象,可采用_____差分放大____电路来克服这种现象。

10.N 型半导体中 自由电子 是多数载流子, 空穴 是少数载流子。

11.二极管最重要的特性是 单向导电性 。

12.给半导体PN 结加正向电压时,电源的正极应接半导体的__ P__区,电源的负极通过电阻接半导体的 N 区。

13.半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结 正 向偏置,集电结 反 向偏置。

14.半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压 要大(或高) 。

15.若给三极管发射结施加反向电压,可使三极管可靠的 截止 。

16.造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是 温度变化 。

17.某放大电路在负载开路时,输出4V 电压;接入1k Ω负载后,其输出电压降为2V ,则放大电路的输出电阻为 1k Ω 。

18.电压并联负反馈使放大电路的输入电阻 减小 ,输出电阻 减小 。

放大电路练习题和答案解析

放大电路练习题和答案解析

一、填空题1.射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1,输入电阻高、输出电阻低。

2.三极管的偏置情况为发射结正向偏置,集电结反向偏置时,三极管处于饱和状态。

3.射极输出器可以用作多级放大器的输入级,是因为射极输出器的输入电阻高。

4.射极输出器可以用作多级放大器的输出级,是因为射极输出器的输出电阻低。

5.常用的静态工作点稳定的电路为分压式偏置放大电路。

6.为使电压放大电路中的三极管能正常工作,必须选择合适的静态工作点。

7.三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点,即计算、、三个值。

8.共集放大电路(射极输出器)的集电极极是输入、输出回路公共端。

:9.共集放大电路(射极输出器)是因为信号从发射极极输出而得名。

()10.射极输出器又称为电压跟随器,是因为其电压放大倍数电压放大倍数接近于1 。

11.画放大电路的直流通路时,电路中的电容应断开。

12.画放大电路的交流通路时,电路中的电容应短路。

13.若静态工作点选得过高,容易产生饱和失真。

14.若静态工作点选得过低,容易产生截止失真。

15.放大电路有交流信号时的状态称为动态。

16.当输入信号为零时,放大电路的工作状态称为静态。

17.当输入信号不为零时,放大电路的工作状态称为动态。

18.放大电路的静态分析方法有估算法、图解法。

(19.放大电路的动态分析方法有微变等效电路法、图解法。

20.放大电路输出信号的能量来自直流电源。

二、选择题1、在图示电路中,已知=12V,晶体管的=100,'R=100kbΩ。

当U=0V时,测得=,若要基极电流=20μA,则为kΩ。

iAA. 465B. 5652.在图示电路中,已知=12V,晶体管的=100,若测得=20μA,=6V,则=kΩ。

A~3、在图示电路中,已知=12V,晶体管的=100,'R=B100kΩ。

当U=0V时,测得=,基极电流=20μA,当测得输入i电压有效值U=5时,输出电压有效值'o U=,则电压放大倍数u A i=。

ELECTRONICS WORKBENCH练习题

ELECTRONICS  WORKBENCH练习题

ELECTRONICS WORKBENCH练习题练习题1:单极三极管分压式偏置放大电路的分析:图1(1)用“ANALYSIS”菜单的“DC OPERATING POINT“选项计算静态工作点(DC BIAS);(2)瞬态分析:用“ANALYSIS”菜单的“TRANSIENT”。

改变有关元件参数,从示波器上观察输入输出波形的大小和相位关系,用万用表测量输入输出电压。

(3)频率分析:用“ANALYSIS”菜单的“AC FREQUERCY“。

图1练习题2:反相比例运算放大器(图2) :图2改变有关元件参数,从示波器上观察输入输出波形的大小和相位关系,用万用表测量输入输出电压。

练习题3:同相比例运算放大器(图3):模拟方法同练习题2。

图 3练习题4:微分运算电路(图4):模拟方法同练习题2。

图4练习题5:积分运算电路(图5):模拟方法同练习题2。

图5练习题6:RC振荡器(图6):改变有关元件参数,测量输出波形。

练习题7: 过零比较器(图7):分别改变参考电压力V2的大小和稳压管的参数,测量输入输出波形。

练习题8: SCHMITT触发器(图8):改变V2的大小,测量输出波形。

图6图 7图 8练习题9: 矩形波----三角波发生器(图9):输出信号的幅值、频率与哪些元件的参考有关?图 9练习题10:74LS162与74LS47组成的十进制计数器(图10):加入与非门组成一个八进制计数器;74LS162和74LS47各两片及与非门组成一个六十进制计数器。

图10练习题11:74LS163与74LS47组成的二进制计数器(图10):加入与非门组成一个十二进制计数器;74LS162和74LS47各两片及与非门组成一个二十四进制计数器。

图11练习题12:74LS161组成的二进制加法计数器(图10):另外构成一个二进制减法计数器。

图12练习题13:移位从控制器(图13):移位寄存器74LS194、非门74LS04,控制移位方向为Qd QdQCc QdQcQb QdQcQbQaQa QbQa改变接线使移位方向为Qa QaQb QaQbQc QaQbQcQdQd QcQd QbQcQd QaQbQcQd图13练习题14:移位从控制器(图14):图14练习题15:555组成的多谐振荡器(图15):图15。

电工三级模拟练习题与参考答案

电工三级模拟练习题与参考答案

电工三级模拟练习题与参考答案一、单选题(共80题,每题1分,共80分)1、三相桥式半控整流电路中,每只晶闸管流过的平均电流是负载电流的( )。

A、1/3 倍B、1/2 倍C、1/6 倍D、1 倍正确答案:A2、三极管的功率大于等于()为大功率管。

A、2WB、0.5 WC、1.5WD、1W正确答案:D3、导线截面的选择通常是由发热条件、机械强度、( )、电压损失和安全载流量等因素决定的。

A、电压高低B、电流密度C、绝艳强度D、磁通密度正确答案:B4、测量电压时,应将电压表()电路。

A、并联接入B、并联接人或串联接入C、混联接入D、串联接入正确答案:A5、用万用表测量电阻值时,应使指针指示在()。

A、欧姆刻度中心附近B、欧姆刻度最左C、欧姆刻度最右D、欧姆刻度 1/3 处正确答案:A6、三相桥式可控整流电路电阻性负载的输出电流波形,在控制角 a>( )时出现断续。

A、30°B、90°C、60°D、45°正确答案:C7、测绘 T68 镗床电器位置图时,重点要画出两台电动机、电源总开关、( )、行程开关以及电气箱的具体位置。

A、热继电器B、按钮C、熔断器D、接触器正确答案:B8、在硅稳压管稳压电路中,限流电阻R 的作用是()。

A、既调压又调流B、既限流又调压C、既降压又调压D、既限流又降压正确答案:B9、如在集中控制室和机旁两处起停电动机,则应将两处的起动按钮(),两处的停止按钮()。

A、并联/串联B、串联/并联C、串联/串联D、并联/并联正确答案:A10、交流电磁铁通电后,若其衔铁由于某种原因吸合不上时,其线圈中的电流应比正常吸合时()。

A、相同B、不一定C、小D、大正确答案:D11、变频器与电动机之间一般( )接入接触器。

A、允许B、不需要C、需要D、不允许正确答案:D12、在转速负反馈调速系统中,当负载变化时,电动机的转速也跟着变化,其原因是( )A、控制角的变化B、电枢回路电压降的变化C、整流电压的变化D、温度的变化正确答案:B13、一对称三相负载,三角形联结时的有功功率等于星形联结时的()倍。

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晶体三极管
一、填空题(40分)
1、半导体三极管按结构分为型和型,前者的图形符号是,
后者的图形符号是。

2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。

3、三极管的三个管脚电流关系是,直流电流放大系数β的定义式是。

4、三极管处于正常放大状态,硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。

5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。

6、三极管的微小变化,将会引起的较大变化,这说明三极
管具有放大作用。

7、当U CE不变时,和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线;当I B一定
时,和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。

8、硅三极管发射结的死区电压约V,锗三极管死区电压约V。

晶体三极管处在正常
放大状态时,硅管的导通电压约为V,锗管约为V。

9、当三极管的发射结、集电结时,工作在放大区;发射结、集电结
或时工作在饱和区;发射结或、集电结时,工作在截止区。

10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管。

11、三极管的极限参数分别是、和。

12、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为
器件。

二、判断题(5分)
1、三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。

()
2、为使晶体三极管处于放大工作状态,其发射结应加反向电压,集电结应加正向电压。

()
3、无论是哪种晶体三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于e极电位,c极电位也
总是高于b极电位。

()
4、对于某晶体三极管的I B=10μA时,I C=0.44mA;当I B=20μA时,I C=0.89mA,则它的电流放
大系数为45。

()
5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA,集电极电流I C=1.33mA,则基极电流I B=30μA。

()
三、选择题(30分)
1、三极管是一种()的半导体器件。

A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制
2、三极管的()作用是三极管最基本和最重要的特性。

A、电流放大
B、电压放大
C、功率放大
D、电压放大和电流放大
3、三极管的伏安特性是指它的()。

A、输入特性
B、输出特性
C、输入特性和输出特性
D、正向特性
4、三极管输出特性曲线中,当I B=0时,I C等于()。

A、I CM
B、I CBO
C、I CEO
D、0
5、三极管的输出特性曲线是簇曲线,每一条曲线都与()对应。

A、I C
B、U CE
C、I B
D、I E
6、三极管的输出特性曲线中,当I B减小时,它对应的输出特性曲线()。

A、向下平移
B、向上平移
C、向左平移
D、向右平移
7、三极管放大的实质是()。

A、将小能量换成大能量
B、将低电压放大成高电压CD
C、将小电流放大成大电流
D、用较小的电流控制较大的电流
8、满足I C=βI B 的关系时,三极管工作在()。

A、饱和区
B、放大区
C、截止区
D、击穿区
9、在三极管放大器中,三极管各级电位最高的是()。

A、NPN管的集电极
B、PNP管的集电极
C、NPN管的发射极
D、PNP管的基极
10、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各级电位是U B=4.7V,U C=4.3V,U E=4V,则该晶
体三极管的工作状态是()。

A、截止状态
B、饱和状态
C、放大状态
D、击穿状态
11、用万用表测得电子线路中的晶体三极管U E=-3V,U CE=6V,U BC=-5.4V,则该晶体三极管是
()型,处于()状态。

A、PNP 放大
B、NPN 放大
C、PNP 截止
D、NPN 截止
12、晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将()。

A、随基极电流的增加而增加
B、随基极电流的增加而减小
C、与基极电流变化无关,只取决于U CC和R C
13、NPN型晶体三极管处于放大状态时,各级电压关系是()。

A、U C>U E>U B
B、U C>U B>U E
C、U C<U E<U B
D、U C<U B<U E
14、某晶体三极管的P CM=100mW,I CM=20mA,U BR(CEO)=30V,如果将它接在I C=15 mA,U CE=20V
的电路中,则该管()。

A、被击穿
B、工作正常
C、功耗太大过热甚至烧坏
D、截止
15、用万用表的电阻档测得三极管任意两脚间的电阻均很小,说明该管()。

A、两个PN结均击穿
B、两个PN结均开路
C、发射结击穿,集电结正常
D、发射结正常,集电结击穿
四、简答题(10分)
1、三极管电流放大作用的条件及实质。

(4分)
2、三极管的三种基本连接方式及其图示。

(6分)
五、综合题
1、已知三极管的I C =3 mA ,β=50,求I B 、I E 的值。

(4分)
2、设三极管是硅管,根据三极管的对地电位,试判断各三极管处于何种工作状态。

(8分)
3、三极管工作在放大状态,万用表测得三极管的三个管脚的对地电位如图所示,试判断各管子的管脚、管型和半导体材料。

(15分)
4、已知某三极管P CM =100mW,I CM =20mA ,V (BR )CEO =15V 。

试问下列几种情况下,哪种情况能
正常工作?哪种情况不能正常工作?为什么?(8分) (1)V CE =3V , I C =10 mA (2)V CE =2V , I C =40 mA (3)V CE =10V, I C =20 mA (4)V CE =15V, I C =10 mA
5、测得工作在放大状态的某三极管,其电流如下图所示,在图中标出各管脚的极性,并说明管型(10分)
2V
2.7V 9V (1) 2.6V 3V 2.3V (2) 5V 5V 0V (3) 4.7V 4.3V 5V (4) ② -9V -6V
-6.3V ③ ② 12V 6.6V 7.3V ③ ② 12V 4V ① 4.3V ③。

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