电路与电子技术复习题

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第4章

一、填空题

1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3、在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。

4、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。

5、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。

6、在半导体中,温度变化时少数载流子的数量变化较大,而多数载流子的数量变化较小。

7、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小;外部条件是:发射结要正向偏置、集电结要反向偏置。

8、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。

9、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

10、双极型三极管是指它内部的参与导电载流子有两种。

11、三极管工作在放大区时,它的发射结保持正向偏置,集电结保持反向偏置。

12、某三极管处于放大状态,三个电极A、B、C的电位分别为-9V、-6V和-6.2V,则三极管的集电极是 A ,基极是 C ,发射极是 B 。该三极管属于PNP 型,由锗半

导体材料制成。

二、判断题

1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。(×)

2、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。(×)

3、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。(×)

4、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。( × )

5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。(× )

三、选择题

1、二极管加正向电压时,其正向电流是由( a )。

a. 多数载流子扩散形成

b. 多数载流子漂移形成

c. 少数载流子漂移形成

d. 少数载流子扩散形成 2、PN 结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,( c )。 a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. 其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN 结的( d )。

a. 单向导电性

b. 反偏截止特性

c. 电容特性

d. 反向击穿特性 4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA ,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,

当温度为40℃时,反向饱和电流值为( c )。

a. 10μA

b. 15μA

c. 20μA

d. 40μA

5、在单管固定偏置共射极放大电路中,若测得三极管的静态管压降U CE 近似等于电源电压U CC 时,则该管工作状态为:( B )。

A .饱和

B .截止

C .放大

D .不能确定

四、分析计算题

1、写出题图4.1所示各电路的输出电压值,设二极管均为理想二极管。

解:V O1≈2V (二极管正向导通),V O2=0(二极管反向截止),V O3≈-2V (二极管正向导通),V O4≈2V (二极管反向截止),V O5≈2V (二极管正向导通),V O6≈-2V (二极管反向截止)。

2、 设题图4.2中的二极管均为理想的(正向可视为短路,反向可视为开路),试判断其中的二极管是导通还是截止,并求出A 、Q 两端电压AO U 。

题图 4.1

(a)

(c)

(b)

题图4.2

解:题图4.2所示的电路图中,图(a )所示电路,二极管D 导通,V AO =-6V , 图(b )所示电路,二极管D 1导通,D 2截止,V AO =-0V , 图(c )所示电路,二极管D 1导通,D 2截止,V AO =-0V 。

3、电路如题图4.3所示,已知v i =6sinωt(v),试画出v i 与v o 的波形,并标出幅值。设二极管为理想的。

5、判断三极管的工作状态和三极管的类型。

1管:;4,7.2,2V V V V V V C E B =-=-= 答:NPN 管,工作在放大状态。 2管:;5.5,3.5,6V V V V V V C E B === 答:NPN 管,工作在饱和状态。 3管:;V V ,V .V ,V V C E B 7301=-=-=

答:NPN 管,工作在截止状态。

6、题图4.4所列三极管中哪些一定处在放大区?

答:题图4.4

题图4.3

第5章

一、填空题

1、 某放大电路在负载开路时的输出电压为5V ,接入12k Ω的负载电阻后,输出电压降为

2.5V ,这说明放大电路的输出电阻为 12 k Ω。

2、题图5.1所示的图解,画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。由此可以得出:

(1)电源电压CC V = 6V ;

(2)静态集电极电流CQ I = 1mA ;集电极电压CEQ U = 3V ; (3)集电极电阻C R = 3kΩ ;负载电阻L R = 3kΩ ;

(4)晶体管的电流放大系数β= 50 ,进一步计算可得电压放大倍数v A = -50 ;('bb r 取200Ω);

3、 有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A 放大器的输出电压小,这说明A 的输入电阻 小 。

4、共集电极放大电路的输入电阻很 大 ,输出电阻很 小 。

5、放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。

6、 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用;

7、 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用; 8、 射极输出器的输入电阻较 大 ,输出电阻较 小 。

9、 射极输出器的三个主要特点是 输出电压与输入电压近似相同 、 输入电阻大 、 输

出电阻小 。

10、放大器的静态工作点由它的 直流通路 决定,而放大器的增益、输入电阻、输出电阻等由它的 交流通路 决定。

11、 放大器的放大倍数反映放大器 放大信号的 能力;输入电阻反映放大器 索取信号源信号大小的能力 ;而输出电阻则反映出放大器 带负载 能力。

12、 对放大器的分析存在 静态 和 动态 两种状态,静态值在特性曲线上所对应

题图5.1

的点称为 Q 点 。

13、 在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察V O 和V I 的波形,则V O

和V I 的相位关系为 反相 ;当为共集电极电路时,则V O 和V I 的相位关系为 同相 。 14、 BJT 三极管放大电路有 共发射极 、 共集电极 、 共基极 三种组态。

15、不论何种组态的放大电路,作放大用的三极管都工作于其输出特性曲线的放大区。因此,这种BJT 接入电路时,总要使它的发射结保持 正向 偏置,它的集电结保持 反向 偏置。 16、电压跟随器指共 集电 极电路,其 电压 的放大倍数为1; 电流跟随器指共 基 极电路,指 电流 的放大倍数为1。

17、 温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时,CBO I 增加 ,β 增加 ,正向发

射结电压BE U 减小 。

二、计算题

1、放大电路如题图5.2所示,已知ΩΩk R ,k R ,V V b b CC 641021===,Ωk .R e 33=,

Ωk R R L c 2==,晶体管V .V ,r ,BE 'bb 7010050==Ωβ为,各电容的容抗均很小。

(1)求放大器的静态工作点?)V ?,I (Q CEQ CQ ==; (2)求L R 未接入时的电压放大倍数v A ; (3)求L R 接入后的电压放大倍数v A ; (4)若信号源有内阻s R ,当s R 为多少 时才能使此时的源电压放大倍数vs A 降为v A 的一半?

解:[解题分析] 本题(1)、(2)、(3)小题是比较容易计算的,这是我们分析分压式电流负反馈偏置电路必须具备的基本知识。对于第(4)小题,我们在分析时,必须要搞清放大器的电压增益与放大器源电压增益之间的关系,这种关系为:

i

vs v i s

R A A R R =?

+

(1)CC b BQ b b V R V V R R ??=

==++112104

446

题图5.2

BQ BE

EQ CQ e

CEQ CC CQ e c V V .I I mA R .V V I (R R )..V

--≈=

=

==-+=-?=407

133

1015347

(2)Ω≈+=β++=k 4.11326100I 26

)

1(r r EQ

0'bb be C

L V be

be

R R '

A .r r .ββ?=-

=-

=-

=-502

71414

(3)当接入L R :

L V be

R '

A .r .β?=-

=-

=-501

35714 (4)

i

vs v i s

R A A ,R R =?

+

vs v A A =

12

i s i i s R ,:R R R R ∴

==+1

2

Ω=ΩΩΩ==k 88.0k 4.1//k 6//k 4r //R //R R be 2b 1b i

即:当Ω=k R s 88.0时,放大器源电压增益为放大器电压增益的一半(按Ω=k r be 4.1计算)。

第6章

一、填空题

1. 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时,输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大 交流功率 。(交流功率 直流功率 平均功率)

2. 与甲类功率放大器相比较,乙类互补推挽功放的主要优点是 能量效率高 。(无输出变压器 能量效率高 无交越失真)

3. 为了消除交越失真,应当使功率放大电路工作在 甲乙类 状态。

4. 差动放大电路采用了 对称 的三极管来实现参数补偿,其目的是为了克

服 零点漂移 。 5. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是集成工艺难于制造大容量电

容 ,选用差分放大电路作为输入级的原因是 利用其对称性减小电路的温漂 。 6. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 差 ,共模信号是两个输

入端信号的 算术平均值 。 7. 用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e ,将提高电路的

共模抑制比。

8. 为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入直流负反馈;

9. 在放大电路中引入串联负反馈后,电路的输入电阻增加。

10. 欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入引入负反馈的类型是电压串联负反馈;

11. 欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入引入负反馈的类型是电流并联负反馈。

12.根据滤波器输出信号中所保留的频段不同,可将滤波器分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器四大类。

二、选择题

1. 通用型集成运放的输出级大多采用 D 。

A共射极放大电路,B射极输出器,C差分放大电路,D互补推挽电路。2. 差分放大电路能够 C 。

A提高输入电阻,B降低输出电阻,C克服温漂,D提高电压放大倍数。

3. 典型的差分放大电路是利用 C 来克服温漂。

A直接耦合,B电源,C电路的对称性和发射极公共电阻,D调整元件参数。

4. 差分放大电路的差模信号是两个输入信号的 B 。

A和,B差,C乘积,D平均值。

5. 差分放大电路的共模信号是两个输入信号的D 。

A和,B差,C乘积,D平均值。

6. 共摸抑制比K CMR越大,表明电路 C 。

A放大倍数越稳定,B 交流放大倍数越低,C抑制零漂的能力越强,D输入电阻越高。

7. 差分放大电路由双端输出变为单端输出,则差模电压增益 B 。

A增加,B减小,C不变。

8. 放大电路中有反馈的含义是 B 。

A、输出与输入之间有信号通路

B、电路中存在反向传输的信号通路

C、除放大电路以外还有信号通道

9. 根据反馈的极性,反馈可分为 C 反馈

A直流和交流B电压和电流C正和负 D 串联和并联

10. 根据反馈信号的频率,反馈可分为 A 反馈

A直流和交流B电压和电流C正和负 D 串联和并联

11. 根据取样方式,反馈可分为 B 反馈

A直流和交流B电压和电流C正和负 D 串联和并联

12. 根据比较的方式,反馈可分为 D 反馈

A直流和交流B电压和电流C正和负 D 串联和并联

13 负反馈多用于 A 。

A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压D提高电压增益14. 正反馈多用于 B 。

A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压D提高电压增益15. 交流负反馈是指 B 。

A只存在于阻容耦合电路中的负反馈

B交流通路中的负反馈

C 变压器耦合电路中的负反馈

D 直流通路中的负反馈

16. 若反馈信号正比于输出电压,该反馈为 C 反馈。

A 串联

B 电流

C 电压

D 并联

17. 若反馈信号正比于输出电流,该反馈为 B 反馈

A 串联

B 电流

C 电压

D 并联

18. 当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为 A 反馈。

A 串联

B 电流

C 电压

D 并联

19. 当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为 D 反馈。

A 串联

B 电流

C 电压

D 并联 20. 电压负反馈可以 A 。

A 稳定输出电压

B 稳定输出电流

C 增大输出功率 21. 串联负反馈 A 。

A 提高电路的输入电阻

B 降低电路的输入电阻

C 提高电路的输出电压

D 提高电路的输出电流 22. 电压并联负反馈 B 。

A 提高电路的输入电阻

B 降低电路的输入电阻

C 提高电路的输出电压

D 提高电路的输出电流 23. 负反馈放大电路是以降低电路的 C 来提高电路的其它性能指标。

A 通频带宽

B 稳定性

C 增益

三、分析计算题

1、试判断题图6.1各电路的反馈类型和极性。

解:对应题图6.1所示的各个电路,图(a )所示电路引入交流、直流电压串联负反馈,图(b )所示电路引入交流、直流电流串联负反馈,图(c )所示电路引入交流、直流电压并联负反馈,图(d )所示电路引入交流级间正反馈, 图(e )所示电路引入交流电流并联负反馈。

o V i V V L i V

2、电路如题图6.2示,设运算放大器的最大输出电压12opp V V =±,21f R R R =。试求下

列各种情况下的输出电压。(1)正常工作;(2)1R 开路;(3)1R 短路;(4)f R 开路;(5)f R 短路。

解:(1)题图7.5.5所示电路正常工作时:f o f

R V V R R =

?+1

1,

i f o f R V V V R R ==?+11,f o i R R V V .V R ++=?=?=1110390

02810

(2) 当1R 开路时:1R →∞,f

o i R R V V ..V R +∞+=

?=

?=∞

11

390

0202 (3) 当1R 短路时:10R =,0N V =,负反馈消失,成为过零比较器,

0.20i P N V V V V V ==>=, o o V V V +==+12

(4) 当f R 开路时:0N V =,负反馈消失,成为过零比较器,0.20i P N V V V V V ==>=, o o V V V +==+12

(5) 当f R 短路:0f R =,f

o i R R V V ..V R ++=?=

?=11

100

020210

,电路成为电压跟随器。

3、电路6.3所示,设运放是理想的,求输出电压o V

解:对于1A 为反相比例运算电路

对于2A 为差动比例运算电路 对于1A 构成的比例运算电路

2

1

1121R v v R v v i i o N N i -=

-?

= 0==∴P N V V V v R R v R v R v i o o i 2.16.026.050

100

11212111-=?-=?-=-=?-=∴

对于2A 为差动比例运算电路 对于反相输入端,由叠加原理,o o N v R R R v R R R V 4

331434

+++=

=

o v 50100100

)2.1(5010050++-+

=o v 3

2

)2.1(31+-?-

2i P v V = P N V V =

o v V 3

2

)2.1(3112+-=∴

代入数据o v 22.134.2+-=?

V V o 2.4=∴

4、如图6.4示,集成运放输出电压的最大幅值为V 14±,1V 为2V 的直流信号,分别求出下列各种情况下的输出电压

1)2R 短路 2)3R 短路 3)4R 短路 4)4R 断路 解:1)2R 短路

当2R 短路时

由于0==P N V V 故0=M V ,4R 相当于开路(04=i ) 这样,电路如图所示

V V R R V i N 62100

30013-=?-=-

= 2)3R 短路

当2)3R 短路时,电路如图所示

V V R R V i o 62100

30012-=?-=-

= 3)4R 短路

当4R 短路时,0=M V 而0==P N V V

02=∴i ,2R 相当于开路

此时,运放为电压比较器

当V V i 2=,V V V V V o P N 14-==?>- 4)4R 断路

V V R R R V i o 102100

300

200)(

132-=?+-=+-= 5、理想运放组成的电路如图 6.5示,已知Ω=k 501R ,Ω=k 802R ,Ω=k 603R ,

Ω=k 404R ,Ω=k 1005R ,试求u A 的值。

图6.5

解:

A 2I 1

1.6v R

v R =-=-

o 5A 4 2.5v R

v R =-=- o

I

4V V = 6、图6.6是用两个运算放大器组成的具有较高输入电阻的放大电路。试求出o v 与1i v 、2i v 的运算关系式。

R

/K

R u O

KR u

图6.6

高频电子技术试题库第三章

一、选择题(每题2分) 1在调谐功率放大器中,晶体管工作延伸到非线性区域包括。() A.截止和饱和区 B.线性和截止区 C.线性和饱和区 答案:A 2下列各参数不能够用于调节基本高频调谐功率放大器导通角的参数是。() A. U B.b E C.L R j 答案:C 3调谐功率放大器工作状态的判定是根据 u与的比较判定。 ce min () A. U B.bm U C.cm U ces 答案:A 4 一般不用作调谐功率放大器中自给偏压环节的是。() A.射极电流 B.基极电流 C.集电极电流

答案:C 5 高频调谐功率放大器一般工作在。() A.甲类 B.乙类 C.丙类答案:C 6 窄带高频功率放大器又被称为。() A.调谐功率放大器 B.非调谐功率放大器 C.传输线放大器 答案:A 7 高频调谐功率放大器分析方法。() A.近似法 B.折线法 C.等效分析法 答案:B 8 高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结。() A.正偏 B.反偏 C.0偏置 答案:B

9 高频调谐功率放大器一般工作时的导通角为。() A.180o B.90o C.小于90o 答案:C 10 高频调谐功率放大器在静态时,晶体管处于区。() A.截止 B.饱和 C.线性放大 答案:A 11 高频调谐功率放大器无发射结偏置时,硅管的导通角为。() A.20o~ 40o B.40o ~ 60o C.60o~ 80o 答案:B 12 高频调谐功率放大器无发射结偏置时,锗管的导通角为。() A.20o~ 40o B.40o ~ 60o C.60o~ 80o

答案:C 13高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中,对应任意导通角,展开系数最大的是 。( ) A .0α B .1α C .2α 答案:B 14高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中,对应任意导通角,10αα最大值为 。( ) A .3 B .2 C .1 答案:B 15高频调谐功率放大器集电极电流脉冲展开系数中,对应任意导通角,10αα最小值为 。( ) A .3 B .2 C .1 答案:C 16 某晶体管的转移特性,其转移导纳j b 10mA/V,U 0.6V,E 1V g ===-,激励信号 电压幅值bm U =3.2V ,则导通角为 。( ) A .90o B .60o C .30o 答案:B

(完整版)电子技术复习题(答案)

电子技术复习题 一、填空 1.二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2.当电源电压升高时,电抗原件将能量存储起来,而当电源电压降低时,又将能量释放出来,从而使输出电压比较平滑,这就是滤波 3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。 4.晶体管是有三个电极的电流放大器,任选其中一个电极为公共电极时,可组成三种不同的四端网络,分别成为共基极、共发射极、共集电极。 5.构成放大电路的条件有两个:一是发射结正偏,集电结反偏;二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。 6、当温度升高时,会引起放大电路的静态工作点向上偏移,造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。 8.半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。 9.硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V 10.二极管的反向电压在一定范围时,电流基本上是 恒定(或不变) 的。 11.稳压管工作在 反向击穿 区。 12.NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。 13.PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。 14.非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。 15.为不产生非线性失真,放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ,输入信号的幅值不能太大。 16.在外部因素(如温度变化、三极管老化、电源电压波动等)的影响下,会引起放大电路 静态工作点 的偏移。 17.外部因素中,对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。 18.三极管级间耦合的方式主要有:阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。 19.三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。 20.三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。 21.三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。 22.场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。 23.场效应管有两种类型:结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。 24.最常用的绝缘栅场效应管为 金属—氧化物—半导体(或MOS ) 场效应管 25.绝缘栅场效应管按工作状态可分为增强型和 耗尽 型两类。 26.在多级直接耦合放大电路中,即使把输入端短路,在输出端也会出现电压波动,使输出电压偏离零值,这种现象称为 零点漂移(或零漂) 。 27. 温度 对晶体管参数的影响是产生零漂的主要因素。 28.差动放大电路有两个输入端,在有信号输入时,其输入类型有:共模输入、差模输入和 两个任意信号 的输入。 29.通常采用 共模抑制 比来描述差动放大电路放大差模信号和抑制共模信号的能力。 30.集成运算放大电路通常由输入级、中间级和 输出级 三部分组成。 31.理想运放的两个重要特性为: 输入电流为零 和两个输入端子间的电压为零。 32.带负反馈的放大电路的输入电阻取决于反馈网络与基本放大电路输入端的 连接方式 ,与取样对象无关。 33.自激振荡的起振时应满足 AF>1 33.交流电源变换成直流电源的电路一般由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路等四部分组成。 34.晶体管作为开关使用,是指它的工作状态处于饱和导通状态和截止状态。 35.TTL 逻辑门电路的典型高电平值是3.6V ,典型低电平值是0.3V 。 36.逻辑代数中的基本运算关系是与、或、非 37.十进制数513对应的二进制数1000000001,对应的十六进制数是201。 38.CMOS 门电路的闲置输入端不能悬空,对于与门应当接到高电平,对于或门应当接到低电平。 39.JK 触发器的特性方程为n n n Q K Q J Q +=+1 40.根据用途分,存储器分为两大类。一类是RAM 另一类是ROM 。

电子技术基础期末复习资料(含答案)。

11级电子技术基础期末复习资料 一.概念填空: 1.电路由电源负载中间环节三部分组成。 2.电路中电流数值的正或负与参考方向有关,参考方向设的不同,计算结果也不同。 3.理想电压源的端电压与流过它s的电流的方向和大小无关,流过它的电流由端电压与外电路所共同决定。 4.由电路中某点“走”至另一点,沿途各元件上电压代数和就是这两点之间的电压。5.相互等效的两部分电路具有相同的伏安特性。 6.电阻并联分流与分流电阻值成反比,即电阻值大者分得的电流小,且消耗的功率也小。 7.串联电阻具有分压作用,大电阻分得的电压大,小电阻分得的电压小功率也小。 8.实际电压源与实际电流源的相互等效是对外电路而言。 9.在电路分析中,应用戴维南或诺顿定理求解,其等效是对外电路而言。 11 .常用的线性元件有电阻、电容、电感,常用的非线性元件有二极管和三极管。 12.二极管正向偏置,是指外接电源正极接二极管的阳(或正)极,外接电源负极接二极管 的阴(或负)极。 13.P型半导体是在本征半导体中掺杂 3 价元素,其多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。

40. N 型半导体是在本征半导体中掺杂 5 价元素,其多数载流子是 自由电 子 ,少数载流子是 空穴 。 14.若三极管工作在放大区,其发射结必须 正偏 、集电结必须 反偏 ;三极管最重要的特性是具有 电流放大 作用。 15.根据换路定则,如果电路在t=0时刻发生换路,则电容的电压u c(0+)= uc(0-) , 电感电流i l (0+)= i l (0-) 。 16.三极管工作时,有三种可能的工作状态,它们分别是__放大状态_、___饱和状态、___ 截止状态_____。 38.3个输入的译码器,最多可译出 __8____(2×2×2)____ 路的输出。 17.4个输入的译码器,最多可译出 __16___(2×2×2×2)______ 路的输出。 18.根据逻辑功能的不同,可将数字电路分为___组合______逻辑电路和 时序________逻辑电路两大类。 19.F=A —— (B+C) +AB C —— 的最小项表达式是 m1+m2+m3+m6 。 20.两个电压值不同的理想电压源并联,在实际电路中将 不允许(或不存在) 。 33.两个电流值不同的理想电流源串联,在实际电路中将 不允许(或不存 在) 。 21.基本数字逻辑关系有 与 、 或 、 非 三种。

最新高频电子期末考试试题及答案

《高频电子技术》科期考试题 考试类型:理论考试时间:90分钟出题老师:韦艳云 考试班级:考生姓名:考生学号:卷面成绩: 一、填空题(每空一分,共 35分)。 1、通信系统的组成:、、、、。 (答案:信号源、发送设备、传输信道、接收设备、终端) 2、无线电波传播速度固定不变,频率越高,波长;频率;波长越长。(答案:越短;越低) 3、LC串联谐振电路Q值下降,单位谐振曲线,回路选择性。 (答案:平坦;差) 4、LC串联谐振回路Q值下降,频带,选择性。 (答案:增宽;变差) 5、理想谐振回路K r 0.1,实际回路中K r 0.1,其值越越好。 (答案:等于1;大于1;小) 6、LC并联谐振回路,当f=f0即谐振时回路阻抗最且为,失谐时阻抗变 ,当ff0是呈。 (答案:大;纯电阻;小;感性;容性) 7、高频放大器按照输入信号的大小可分为放大器和放大器。 (答案:小信号;大信号) 8、实际谐振曲线偏离理想谐振曲线的程度,用表示。 (答案:距形系数) 9、小信号调谐放大器当工作频率等于回路的谐振频率时,电压增益,当工作频率偏离谐振频率时,电压增益。 (答案:最大;减小) 10、调谐放大器主要由和组成。 (答案:晶体管;调谐回路) 11、双调谐回路放大器,谐振曲线在η>1时,会出现现象。

(答案:谐振曲线顶部凹陷) 12、高频功率放大器中谐振电路的作用是、、。 (答案:传输;滤波;匹配) 13、设一放大器工作状态有下述几种:甲类,乙类,丙类。效率最高。(答案:丙类) 14、反馈式振荡器的自激条件是。 (答案:正反馈) 15、正弦波振荡器由、、组成。 (答案:放大器;反馈网络;选频网络) 二、选择题(每题2分,共20分)。 1、下列表达式正确的是( B )。 A)低频信号可直接从天线有效地辐射。 B)低频信号必须转载到高频信号上才能从天线有效地辐射。 C)高频信号及低频信号都不能从天线上有效地辐射。 D)高频信号及低频信号都能从天线上有效地辐射。 2、为了有效地发射电磁波,天线尺寸必须与(A )相比拟。 A)辐射信号的波长。B)辐射信号的频率。 C)辐射信号的振幅。D)辐射信号的相位。 3、电视、调频广播和移动通信均属(A )通信。 A)超短波B)短波C)中波D)微波 4、串联谐振曲线是( B )之间的关系。 A)回路电流I与谐振时回路电流I0 B)回路电流幅值与信号电压频率 C)回路电压幅值与信号电流频率D)谐振时回路电流I0与信号电压频率 5、强耦合时,耦合回路η越大,谐振曲线在谐振频率处的凹陷(A )。 A) 越大B)越小C) 不出现

(完整版)电子技术基础复习题及答案

电子技术基础 一、选择题: 1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5.差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6.若A+B=A+C,则() (A) B=C; (B) B=C;(C)在A=0的条件下,B=C 7.同步计数器中的同步是指() (A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变; (C)各触发器受同一时钟脉冲的控制 8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失真是() (A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真 9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是() (A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子 10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() (A)增加(B)减少(C)不变 11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的() A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12.对于桥式整流电路,正确的接法是( ) 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13.将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为( ) A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14.N 个变量的逻辑函数应该有最小项( ) A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15.函数F=B A +AB 转换成或非-或非式为( ) A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16.图示触发器电路的特征方程Qn+1 =( ) A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17.多谐振荡器有( ) A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态,一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18.本征半导体电子浓度______空穴浓度,N 型半导体的电子浓度______空穴浓度,P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度 ( ) A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19.稳压管构成的稳压电路,其接法是( )

《高频电子技术》试卷及答案

试卷代号: ************************** 期末考试《高频电子技术》试卷(A) **级 电子信息 专业 200**年6月 一、填空题(每空1分,共30分) 1、调制的方式有 、 、 。它们分别由调制信号去控制高频载波的 、 、 。 2、高频放大器按负载形式可分为 放大器和 放大器。 3、单调谐放大器,多级级联增益 ,通频带 ,选择性 。 4、镜像干扰是指 ,抑制这种干扰的主要方法有 和 。 5、广播电台的载波是1500KHZ ,问接收机本振频率为 ,对接收机引起干扰的镜频为 。 6、有一调幅波表达式为u (t)=25(1+0.7cos 2π×5000t-0.3cos2π×1000t )cos2π×106t,此调幅波包含的频率分量有 ,各频率对应的幅度分量为 。 7、AM 信号幅度最大值为 ,最小值为 ,边频信号幅度为 ,载波信号幅度为 。 8、正弦波振荡器由 、 、 组成。 9、石英晶体与电感串联后,由于串联电感增加,串联谐振频率 ,而并联谐振频率 ,通频带向低频方向扩展 。 10、反馈式振荡器振荡条件是 和 。 二、选择题(每小题3分,共18分) )时的等效阻抗最小。 A 串联谐振频率 B 并联谐振频率 C 串联谐振频率与并联谐振频率之间 D 工作频率 2、某丙类高频功率放大器原工作在过压状态,现欲调整使它工作在临界状态,可采用( )方法。 A UCC 增加、Ub 减小、UB B 减小、Re 减小 B UC C 减小、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 C UCC 减小、Ub 减小、UBB 减小、Re 减小 D UCC 增加、Ub 增加、UBB 增加、Re 增加 3、通信系统中,信号需要调制的原因是( ) A 要发射的信号频率低 B 为了实现信道复用 C 减小发射天线尺寸 D A 和B 和C 4、低电平调幅器应用在( ),高电平调幅器应用在( ) A 发射机末级 B 发射机前级 C 发射机中间级 5、在调幅制发射机的频谱中,功率消耗最大的是( ) A 载波 B 上边带 C 下边带 D 上、下边带之和 6、若单频调幅波的载波功率Pc=1000W ,调幅系数M=0.3,载波与边频总功率为( ) C 1090W D 1180W 三、判断题(每小题1分,共10分) 1、混频可以用线性好的模拟乘法器来实现,这样,输出信号的失真可以减小。( ) 2、非线性器件有频率变换作用,而混频电路中也是频率变换电路的一种,所以说非线性器件有混频作用。( ) 3、调制信号和载波信号线性叠加也能得到调幅波。( ) 4、二极管大信号包络检波器原来无失真,但当输入已调波信号幅度增大时,则将可能产生负峰切割失真。( ) 5、同步检波,可以用来解调任何类型的调幅波。( ) 6、石英晶体两个谐振频率fs 和fp 很接近,通频带宽度很窄。( ) 7、谐振回路Q 值越高,谐振曲线就越尖锐,选择性就越好,而通频带就越宽。( ) 8、声表面波滤波器的最大缺点是需要调谐。( ) 9、为了是小信号调谐放大器工作稳定可采用中和法,但中和法较难调整。( ) 10、电容三点式振荡器适用于工作频率高的电路,但输出谐波成分将比电感三点式振荡器的大。( ) 四、画图题(10分) 已知调幅波表达式,画出他们的波形和频谱图。(c ω=5Ω) (1+0.5COS t t c ωsin )Ω

电工与电子技术考试题库含答案

电工与电子技术试题 一、填空题(每空1分) 1、若各门电路的输入均为A和B,且A=0,B=1;则与非门的输出为_________,或非门 的输出为_________。 2、一个数字信号只有________种取值,分别表示为________ 和________ 。 3、模拟信号是在时间与幅值上________ 的,数字信号在时间与幅值上是________的。 4、根据逻辑功能的不同特点,逻辑电路可分为两大类: ________ 和________。 5、二进制数A=1011010;B=10111,则A-B=____。 6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关,而与________ 无关。 7、将________变成________ 的过程叫整流。 8、在单相桥式整流电路中,如果负载平均电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是 ______A。 9、单相半波整流电路,已知变压器二次侧电压有效值为22V,负载电阻RL=10Ω,则整 流输出电压的平均值是______;流过二极管的平均电流是______;二极管承受的最高反向 电压是______。 10、三极管是________控制元件,场效应管是________控制元件。 11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A)的最简与或表达式为_______。 12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。 13、作放大作用时,场效应管应工作在区。 14、放大电路的静态工作点通常是指__、和_。 15、某三级放大电路中,测得Av1=10,Av2=10,Av3=100,总的放大倍数是_。

高频电子技术习题库

高频小信号调谐放大器 1.通频带为什么是小信号谐振放大器的一个重要指标?通频带不够会给信号带来什么影响?为什么? 答:小信号谐振放大器的基本功能是选择和放大信号,而被放大的信号一般都是已调信号,包含一定的边频,小信号谐振放大器的通频带的宽窄直接关系到信号通过放大器后是否产生失真,或产生的频率失真是否严重,因此,通频带是小信号谐振放大器的一个重要指标。通频带不够将使输入信号中处于通频带以外的分量衰减,使信号产生失真。 2.超外差接收机(远程接收机)高放管为什么要尽量选用低噪声管? 答:多级放大器的总噪声系数为 由于每级放大器的噪声系数总是大于1,上式中的各项都为正值,因此放大器级数越多,总的噪声系数也就越大。上式还表明,各级放大器对总噪声系数的影响是不同的,第一级的影响最大,越往后级,影响就越小。因此,要降低整个放大器的噪声系数,最主要的是降低第一级(有时还包括第二级)的噪声系数,并提高其功率增益。综上所述,超外差接收机(远程接收机)高放管要尽量选用低噪声管,以降低系统噪声系数,提高系统灵敏度。 3.在小信号谐振放大器中,三极管与回路之间常采用部分接入,回路与负载之间也采用部分接入,这是为什么? 解:这是因为外接负载阻抗会使回路的等效电阻减小,品质因数下降,导致增益下降,带宽展宽,谐振频率变化等,因此,采用部分接入,可以减小它们的接入对回路Q值和谐振频率的影响,从而提高了电路的稳定性,且使前后级的阻抗匹配。 4.影响谐振放大器稳定的因素是什么?反向传输导纳的物理意义是什么? 5.声表面波滤波器、晶体滤波器、陶瓷滤波器各有什么特点?各适用于什么场合? 6.为什么晶体管在高频工作时要考虑单向化,而在低频工作时可以不考虑? 7.在小信号调谐放大器中,三极管的集电极负载通常采用什么电路,其作用有哪些? 8.矩形系数是衡量放大器哪个参数的物理量? 9.小信号调谐放大电路直流通路和交流通路画法的要点是什么? 10.高频小信号调谐放大器一般工作在什么状态? 正弦波振荡 1.振荡器的振荡频率取决于什么电路? 2. 为提高振荡频率的稳定度,高频正弦波振荡器一般选用哪种类型? 3. 为什么晶体管LC振荡器总是采用固定偏置与自生偏置混合的偏置电路? 答:晶体管LC振荡器采用固定的正向偏置是为了使振荡器起振时为软激励状态,在无需外加激励信号时就能起振,也不致停振。而采用自生反向偏置则可以稳幅。若两者不结合,则两者优点不可兼而有之。 4.若反馈振荡器满足起振和平衡条件,则必须满足稳定条件,这种说法是否正确?为什么?答:否。因为满足起振与平衡条件后,振荡由小到大并达到平衡。但当外界因素(T、VCC)变化时,平衡条件受到破坏,若不满足稳定条件,振荡器不能回到平衡状态,导致停振。5.试问仅用一只三用表,如何判断电路是否振荡? 解:由上一题分析可知,通过测试三极管的偏置电压uBEQ即可判断电路是否起振。短路谐振电感,令电路停振,如果三极管的静态偏置电压uBEQ增大,说明电路已经振荡,否则电路未振荡。 6.一反馈振荡器,若将其静态偏置电压移至略小于导通电压处,试指出接通电源后应采取什么措施才能产生正弦波振荡,为什么?

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件, V1工作在_导通__ 状态;V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力,对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时,发射结__正向__偏置,集电结__反向__偏置, 工作在饱和区时,发射结__正向_偏置,集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式,负反馈电路有4种组合形式,即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用,他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种:逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制(0BF)转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中,属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___,属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器,应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ;八进制数是 173 ;十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器,其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时,输出的数字量为00H 和FFH,可求得当输入2V电压时,电路输出的数字量为: 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位,则它应设置地址线 8 条,输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM,扩展容量为1024字×8位RAM,则需要 8 片 1、在常温下,锗二极管的门槛电压约为 0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置,集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路 和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向,移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平,输出低电平和输出高阻态。 6、(101111)(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间,具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。 二、选择题 1、离散的,不连续的信号,称为(B ) A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中,不属于组合逻辑部件的是( D )。 A.译码器B.编码器 C.全加器D.寄存器

高频电子技术试题库 第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时,回路电抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 2 LC串联谐振回路发生谐振时,回路总阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 3LC串联谐振回路发生谐振时,回路电流达到。()A.最大值B.最小值C.0 答案:A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。() A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率 答案:B 5LC串联谐振回路,谐振特性曲线越尖锐。()A.回路Q值大B.回路Q值大C.0 答案:A 6LC串联谐振回路Q值大,回路选择性。()A.差B.好C.不能确定 答案:B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。()A.正比B.反比C.无关 答案:B 8单回路通频带B与谐振频率f成。() A.正比B.反比C.无关 答案:A 9 并联谐振回路发生谐振时,回路电纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 10 并联谐振回路发生谐振时,回路总导纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 11 并联谐振回路发生谐振时,阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 12并联谐振回路发生谐振时,电压为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 13 LC串联谐振回路发生失谐时,阻抗为。() A.大B.小C.0 答案:A 14 LC串联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0

15 LC串联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 16 并联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 17 并联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,二次负载等效到一次边是阻抗。() A.越小B.0 C.越大 答案:C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,对回路的影响。() A.越小B.0 C.越大 答案:A 20 耦合回路临界耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:B 21 耦合回路强耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:A 22 耦合回路弱耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:C 23 强耦合时,耦合回路η越大,谐振曲线在谐振频率处的凹陷,。() A.越大B.越小C.不出现 答案:A 24LC组成一个串联谐振回路,谐振时串联阻抗。() A.最大B.最小C.无法估计 答案:B 25LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中作为一条并联支路,它滤除信号的频率为。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 26 LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,频率为的信号最易通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 27 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,就能阻止频率为的信号通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 28 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中,对于的频率,并联回路对它阻抗最大() A.f0B.大于f0C.小于f0

高频电子技术复习题

一、填空题 1.LC回路并联谐振时,回路_______最大,电压电流相位为_______; 2.为了提高放大器的稳定性,可以从电路上设法消除晶体管的内部反向作用, 具体方法有_______法和_______法。 3.与低频功放不同,高频功放选用谐振回路作负载,完成两个功能,即_______ 和_______。 4. 集中选频放大器由____________,___________两部分组成。 5.三点振荡器的类型有_____________反馈型和____________反馈型; 6.集电极调幅晶体管应工作于___________________状态; 7、双调谐回路的两种耦合形式为、。 8、普通调幅波的频带宽度为调制信号最大频率的,单边带调幅波的频带 宽度为调制信号最大频率的。 9、调频制比调幅制抗干扰能力强的两个主要原 因,。 10、设放大器有n级, 各级电压增益分别为Au1, Au2, …, Aun, 则总电压 增益是。 11、高频功放常采用效率较高的工作状态, 即晶体管集电极电流导通时间 输入信号半个周期的工作状态。为了滤除工作时产生的众多高次谐波分量, 常采用回路作为选频网络, 故称为功率放大电路。 12、高频输入回路常采用回路, 中频放大电路常用和两种选频 方式。 13、振荡器是一种能自动地将能量转换为一定波形的交变振荡信号能量的 转换电路。 14、单边带调幅波比普通调幅相比的优点是,缺点是。 二、单项选择题 1.丙类谐振功率放大器的集电板电流i c 的波形和集电极与发射极之间电压u ce 的 波形为( ) A. 均为正(余)弦波形 B. 均为周期性脉冲波形 C. ic为周期性脉冲波形、uce为正(余)弦波形 D ic为正(余)弦波形、uce为周期性脉冲波形

数字电子技术复习题及答案

数字电子技术复习题及答案 一、填空题 1、(238)10=( )2 =( EE )16。2=( )16=( )10。 2、德?摩根定理表示为 B A +=( B A ? ) , B A ?=( B A + )。 3、数字信号只有( 两 )种取值,分别表示为( 0 )和( 1 )。 4、异或门电路的表达式是( B A B A B A +=⊕ );同或门的表达式是( B A AB B A ?+=⊙ ) 。 5、组成逻辑函数的基本单元是( 最小项 )。 6、与最小项C AB 相邻的最小项有( C B A )、( C B A ? ) 和 ( ABC ) 。 7、基本逻辑门有( 与门 )、( 或门 )和( 非门 )三种。复合门有( 与非门 )、( 或非门 )、( 与或非门 ) 和( 异或门 )等。 8、 9、 10、最简与或式的定义是乘积项的( 个数最少 ),每个乘积项中相乘的( 变量个数也最少)的与或表达式。 11、在正逻辑的约定下,“1”表示( 高电平 ),“0”表示( 低电平 )。在负逻辑的约定下,“1”表示( 低电 平 ),“0”表示( 高电平 )。 12、一般TTL 门电路输出端( 不能 )直接相连,实现线与。(填写“能”或“不能”) 13、三态门的三种可能的输出状态是( 高电平 )、( 低电平 )和( 高阻态 )。 14、实现基本和常用逻辑运算的(电子电路),称为逻辑门电路,简称门电路。 15、在TTL 三态门、OC 门、与非门、异或门和或非门电路中,能实现“线与”逻辑功能的门为(OC 门),能实 现总线连接方式的的门为(三态门)。 16、T TL 与非门的多余输入端不能接( 低 )电平。 17、 18、真值表是将输入逻辑变量的( 所有可能取值 )与相应的( 输出变量函数值 )排列在一起而组成的表格。 19、组合逻辑电路是指任何时刻电路的稳定输出,仅仅只决定于(该时刻各个输入变量的取值)。 20、用文字、符号或者数码表示特定对象的过程叫做( 编码 )。把代码的特定含义翻译出来的过程叫( 译码 )。 在几个信号同时输入时,只对优先级别最高的进行编码叫做( 优先编码 )。 21、两个1位二进制数相加,叫做(半加器)。两个同位的加数和来自低位的进位三者相加,叫做(全加器)。 22、比较两个多位二进制数大小是否相等的逻辑电路,称为(数值比较器)。 23、半导体数码显示器的内部接法有两种形式:共(阳)极接法和共(阴)极接法。对于共阳接法的发光二极管数

高频电子技术试题库-第二章

高频电子技术试题库-第二章

1 LC串联谐振回路发生谐振时,回路电抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 2 LC串联谐振回路发生谐振时,回路总阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 3LC串联谐振回路发生谐振时,回路电流达到。()A.最大值B.最小值C.0 答案:A 4串联谐振曲线是之间的关系曲线。() A.回路电流与谐振回路电流 B.回路电流幅值与信号电压频率 C.回路电压幅值与信号电流频率 答案:B 5LC串联谐振回路,谐振特性曲线越尖锐。()A.回路Q值大B.回路Q值大C.0 答案:A 6LC串联谐振回路Q值大,回路选择性。()A.差B.好C.不能确定 答案:B 7单回路通频带B与谐振回路Q值成。()A.正比B.反比C.无关 答案:B 8单回路通频带B与谐振频率f成。() A.正比B.反比C.无关 答案:A 9 并联谐振回路发生谐振时,回路电纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:C 10 并联谐振回路发生谐振时,回路总导纳为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:B 11 并联谐振回路发生谐振时,阻抗为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 12并联谐振回路发生谐振时,电压为。() A.最大值B.最小值C.0 答案:A 13 LC串联谐振回路发生失谐时,阻抗为。() A.大B.小C.0 答案:A 14 LC串联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0

15 LC串联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 16 并联谐振回路发生失谐时,当f<f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:B 17 并联谐振回路发生失谐时,当f>f0时,阻抗呈。() A.容性B.感性C.0 答案:A 18 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,二次负载等效到一次边是阻抗。() A.越小B.0 C.越大 答案:C 19 负载回路采用部分接入方式接入电路时,接入系数n越小,对回路的影响。() A.越小B.0 C.越大 答案:A 20 耦合回路临界耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:B 21 耦合回路强耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:A 22 耦合回路弱耦合时,η。() A.大于1 B.等于1 C.小于1 答案:C 23 强耦合时,耦合回路η越大,谐振曲线在谐振频率处的凹陷,。() A.越大B.越小C.不出现 答案:A 24LC组成一个串联谐振回路,谐振时串联阻抗。() A.最大B.最小C.无法估计 答案:B 25LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中作为一条并联支路,它滤除信号的频率为。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 26 LC组成一个串联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,频率为的信号最易通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 27 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在串联电路中,就能阻止频率为的信号通过。() A.f0B.大于f0C.小于f0 答案:A 28 LC组成并联谐振回路,谐振频率f0,把它用在并联电路中,对于的频率,并联回路对它阻抗最大() A.f0B.大于f0C.小于f0

电路与电子技术复习试题部分答案

一.单项选择题 1. 图示电路中,电流I=(A )。 A.–3 A B. 2 A C. 3 A D. 5 A 2. 图示电路中, 电压U=(D )。 A. 2 V B. 4 V C. 6 V D. 8 V 3. 图示电路中, 电流I=(A )。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. 1/2 A 4. 图示电路中, 实际发出功率的元件是(D )。 A. U S 。 B. R C. U S和I S D. I S 5. 图示电路中, 电压U=(A )。 A. 8 V B. -8 V C. 16 V D. -16 V 6. 图示无源单口网络电路中, ab间等效电阻R ab =(B )。 A. R1//R2//R3 B. R1//R3 C. (R1+R2)//R3

D. (R1+R3)//R2 7. 图示电路中, 电流I=(B )。 A. 5 A B. -5 A C. 1 A D. 2 A 8 . 图示一阶电路中,开关在t=0时闭合,电容初始电压u C(0+)= ( C )。 A. -5 V B. 10 V C. 5 V D. 20 V 9. 图示电路中, 电压源单独作用时,电流I=(B )。 A. 0 A B. 1 A C. -1 A D. 1.5 A 10. 图示电路中, ab短路线中电流I ab = ( A )。 A. 1 A B. 2 A C. 3 A D. -1 A 11. 图示电路中, 电流I=(A )。 A. –4A B. 4A C. –2A D. –3A 12. 图示电路中, 电压U=(C )。 A. 3 V B. -3 V C. -6 V 。。

电子技术基础试题库完整

电子技术基础(模拟篇) 第一章半导体二极管 一、单选题 1.当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()。 A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移 2.在PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。 A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于 3.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为() A. U I e S B. T U U I e S C. )1 e( S - T U U I D. 1 e S - T U U I 4.下列符号中表示发光二极管的为()。 5.稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。 A. I D = 0 B. I D < I Z且I D > I ZM C. I Z > I D > I ZM D. I Z < I D < I ZM 6.杂质半导体中()的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7.从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于()。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后,空间电荷区由()构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10.硅管正偏导通时,其管压降约为()。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0.7V 11.用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不

高频电子技术复习资料

一、填空题: 1. 按照测量方式来分,测量分为直接测量、____间接__测量和_组合_____测量三类。 2. 示波器属于____时__域测量仪器,而频谱仪属于___频___域测量仪器。 3. 用量程为 100mA 的电流表测量电流,若测量值为 95mA,实际值为,则绝对误差为,满度误差为%_____。 4. 仪表的等级分为____7__个等级,其中准确度最低的是。 5. 测量仪器准确度等级一般分为±级的 50V 电压表,其最大的满度误差为_2%_____,在量程范围里面,其最大的绝对误差为_1_____V。 6. 将数字和保留 3 位有效数字,其值为__105____和__104____。 7. 系统误差决定了测量的__正确____度;而随机误差决定了测量的_____精密_____度;而两者决定了系统的_精确____精确_______度。 8. 一色环电阻,四环的颜色顺序为红、紫、红、金,那么它的阻值为___2700Ω___。 9. 一般的高频信号发生器能够输出正弦信号、__脉冲信号____和__高频信号____。 10. 我们民用交流电的电压值是 220V,那么它的均值是_220V_______。 11. 用一个正弦有效刻度的峰值电压表测量一个三角波电压,示值为 10V,那么这个三 角波电压的有效值是。

12. 如果一个放大器的增益为 100 倍,用分贝来表示,为____40____dB,两个放大器串联,总增益为____80____ dB。 13. 用测频法测量频率时,被测信号的频率越低,测量准确度越__高____。 14. 放大—检波式灵敏度较__高____,工作频率较___低___,这种电压表也称作__低频____毫伏表。 15. 基本量程为 1V,最大显示为的 DVM,通常称为_4又1/2_____位 DVM,___没有___(有/没有)超量程能力。 16. 欲在 X=10div 长度对测量信号显示两个周期为 1mS 的完整波形,示波器应具有的扫描速度为div______。 17. 示波器中扫描发生器产生的是__锯齿波______波信号。 18. 测量的结果包括___数值___和__单位____两部分。 19. 扫频仪属于___频___域测量仪器,而逻辑分析仪属于__数据____域测量仪器。 20. 一个电压的真值而 100 伏,有电压表测量的示值为 105 伏,那么测量的绝对误差是___5V_________,实际相对误差是__5%_____。 21. 仪表的等级分为___7___个等级,其中准确度最高的是 22. 测量仪器准确度等级一般分为±级的 50V 电压表,其最大的满度误差为_1%_____,在

电子技术基础课程复习题及答案

电子技术基础(二)课程复习题及答案 一、填空 1、本征半导体中有空穴和两种载流子。自由电子 2、半导体有P型和两种类型。N型 3、PN结具有特性。单向导电 4、二极管按结构分有点接触型和接触型。面 5、差动放大电路的电路参数。对称 6、差动放大电路的目的是抑制。共模信号 7、反馈分有正反馈和反馈。负 8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。甲乙类 9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。第一只 10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。功率输出级 11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。模拟 12、过零电压比较器具有极高的。电压放大倍数 13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。选频网络 14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。正反馈量要足够大 15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。开关 16、逻辑代数又叫代数。二值布尔 17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。逻辑非 18、卡诺图所有的最小项之和为。1 19、数字集成器件民用品标为系列。74 20、集成逻辑门是最基本的。数字集成器件 21、反相器就是实现的器件。逻辑非 22、编码是的逆过程。译码 23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。当前输入 24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。集成寄存器 25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。N进制 26、一个触发器可以存放位二进制数。1 27、多谐振荡器又称。方波发生器 28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。单稳态触发器 29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。CMOS 30、读写存储简称。RAM 31、只读存储器简称。ROM 二、单选选择题 1、在本征半导体中掺入微量的()价元素,形成N型半导体。D A、二 B、三 C、四 D、五 2、在本征半导体中掺入微量的()价元素,形成P型半导体。B A、二 B、三 C、四 D、五 3、在P型半导体中,电子浓度()空穴浓度。C A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 4、在本征半导体中,电子浓度()空穴浓度。B A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 5、在N型半导体中,电子浓度()空穴浓度。A A、大于 B、等于 C、小于 D、与温度有关 6、锗二极管正向导通的条件是( )。B A、U b= B、U b = C、U b = D、 U b = 7、硅二极管正向导通的条件是( )。A A、 U b= B、U b = C、 U b = D、U b = 8、二极管正向导通时的电阻R D ( )。A A、很小 B、很大 C、等于1k D、无法确认 9、二极管反向导通时的电阻R D ( )。B A、很小 B、很大 C、等于1k D、无法确认 10、晶体二极管最显著的特性是( )。C A、开关特性 B、信号放大特性 C、单向导通特性 D、稳压特性 11、稳压管的稳压区是其工作在()。C A、正向导通 B、反向截止 C、反向击穿 D、反向截止或击穿 12、测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管,各电极对地的电位是:U1=2V,U2=6V,U3=,则该三极管各管脚的名称是( )。B A、1脚为c,2脚为b,3脚为e B、1脚为e,2脚为c,3脚为b C、1脚为b,2脚为e,3脚为c D、1脚为b,2脚为c,3脚为e 13、若晶体三极管工作在截止状态,则以下符合的条件为( )。C A、U CE < U BE B、U CE > U BE C、I B=0 D、I C=0 14、晶体三极管有( )种工作状态。C A、1种 B、2种 C、3种 D、4种 15、若测得U CE > U BE,则可以判断三极管处于()状态。A A、放大 B、饱和 C、截止 D、短路 16、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。B A、前者反偏、后者也反偏 B、前者正偏、后者反偏 C、前者正偏、后者也正偏 D、前者反偏、后者正偏 17、晶体三极管的重要特性是( )。A A、电流放大作用 B、电压放大作用 C、功率放大作用 D、电能流放大作用 18、晶体三极管由()构成。A A、三个半导体区和两个PN结 B、两个半导体区和三个PN结 C、四个半导体区和三个PN结 D、三个半导体区和三个PN结 19、在放大电路中,三极管静态工作点用()表示。 B A、I B、I C、V CE B、 I B、I C、U CE C、 i B、i C、V CE D、 i b、i c、u ce 20、晶体管三个电极的电流关系为()。B A、I C=I E+I B B、I E = I C +I B C、 I B =I E+ I C D、I E =I B 21、电力场效应晶体管中主要类型是()。B A、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型 22、场效应管三个电极中,用D表示的电极称为()。D A、栅极 B、源极 C、基极 D、漏极 23、在放大电路中,场效应晶体管应工作在漏极特性的()。C A、可变电阻区 B、截止区 C、饱和区 D、击穿区 24、集成放大器之间均采用()耦合。A A、直接 B、电容 C、电阻 D、变压器

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