电力电子考试题库(含答案)
新《电力电子技术及应用》考试题库及答案(含各题型)
新《电力电子技术及应用》考试题库及答案（含各题型）一、单选题1.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、晶闸管参考答案：D2.GTO的（）结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
A、多元集成B、封闭C、集成D、回路参考答案：A3.带电感性负载的单相桥式全控整流电路中，电感中电流不能突变，电感愈大则电流愈(____)。
A、小B、大C、平稳D、忽高忽低参考答案：C4.晶闸管型号KP200-8B中的200指的什么？(____)。
A、峰值电压B、额定电流C、维持电流D、额定电压参考答案：B5.带电感性负载的单相桥式全控整流电路中，续流二极管VDR的作用是以下哪些？①去掉输出电压的负值②扩大移相范围③变换电压④隔离一、二次侧。
(____)。
A、①②B、③④C、①②③④D、②③④参考答案：A6.下列属于集成触发电路优点的是（）。
A、体积大B、温漂大C、性能稳定可靠?D、功耗高?参考答案：C7.三相全控桥可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为（）HZ。
A、60B、300C、150D、180参考答案：B8.无源逆变指的是把直流能量转变成交流能量后送给（）装置。
A、负载B、停电C、运行D、电网参考答案：A9.阻感负载的特点是()。
A、流过电感的电流不能突变B、电压不能突变C、功率不能突变D、能量守恒参考答案：A10.带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（A）负载。
A、大电流B、高电压C、电动机D、电感性参考答案：A11.电力电子技术是(____)三大电气工程技术之间的交叉学科。
A、电力、电子与技术B、电力、电子与控制C、电力、电子与生产D、电力、电子与应用参考答案：B12.双向晶闸管的四种触发方式中，灵敏度最低的是（）。
A、Ⅰ+B、Ⅰ-C、Ⅲ+D、Ⅲ-参考答案：C13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的饱和区对应后者的（）A、放大区B、饱和区C、截止区D、闭合参考答案：A14.可以在晶闸管两端并联RC阻容吸收电路，对晶闸管进行(____)保护。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术期末考试试题及答案第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT的开关速度__小于__电力MOSFET16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT_；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。
(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子复习姓名：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子考试题库(附含答案解析)
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
电力电子复习题含答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和_____电流型___两类。
2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术 期末考试试题及答案.
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _大于__Ubo 。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET 的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术考试题+参考答案
电力电子技术考试题+参考答案一、单选题（共49题，每题1分，共49分）1.把交流电变为直流电的电路称为（）。
A、斩波电路B、逆变电路C、变频电路D、整流电路正确答案：D2.电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个（）为标志的。
A、晶闸管B、GTRC、汞弧整流器D、二极管正确答案：A3.电感耦合式强迫换流是使晶闸管的电流减为零而实现换流的，因此又叫（）。
A、负载换流B、器件换流C、电流换流D、电压换流正确答案：C4.晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A、4～5倍B、3～4倍C、1～2倍D、2～3倍正确答案：D5.与单相全波可控整流电路功能相同的电路是（）。
A、单相桥式整流电路B、单相半波可控整流电路C、三相桥式整流电路D、斩波电路正确答案：A6.电流型逆变电路输出的电压波形为（）。
A、锯齿波B、因负载不同而不同C、矩形波D、正弦波正确答案：B7.PWM控制技术的重要理论基础是（）。
A、能量守恒原理B、面积等效原理C、异步调制原理D、同步调制原理正确答案：B8.绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A9.单相半波可控整流电路( )起电压隔离和变化作用。
A、晶闸管B、电阻C、变压器D、电感正确答案：C10.外部换流是因为借助于外部手段而实现换流的，属于这类换流方式的是（）。
A、器件换流和负载换流B、器件换流和强迫换流C、电网换流和强迫换流D、负载换流和电网换流正确答案：D11.三相桥式全控整流电路，共阳极组的晶闸管是（）。
A、VT1，VT3，VT5B、VT2，VT4，VT6C、VT1，VT2，VT5D、VT1，VT3，VT4正确答案：B12.单相全桥电压型逆变电路，输出电压幅值是半桥逆变电压幅值的（）倍A、2B、3C、1D、4正确答案：C13.单相半波可控制整流电路阻感负载需要（）续流。
电力电子考试题库 (含答案)
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关 、 控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ＋、 Ⅲ- 四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正 电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正 电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
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一、填空〔每空1分〕1、请在正确的空格标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT；图形符号为；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进展；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进展的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
〔写出四种即可〕10、双向晶闸管的触发方式有 Ⅰ+、 Ⅰ-、 Ⅲ＋、 Ⅲ- 四种 。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T 2接 负 电压；门极G 接正电压，T2接 负 电压。
I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G 接 负 电压，T2接 正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G 接正电压，T2接 负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G 接 负电压，T2接 正 电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载换流和 强迫〔脉冲〕换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管； 200表示表示 200A ，9表示900V 。
15、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。
16、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V ，流过晶闸管的大电流有效值为15A ，那么这个电路中晶闸管的额定电压可选为V 2202)25.1(倍-；晶闸管的额定电流可选为A 57.115)35.1(倍- 17，三个电极分别是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 阳极加正电压， 阴极接负电压，门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通；关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时，导通的晶闸管关断。
18、单相交流调压在电阻性负载电路的移相围在0º—180º变化，在阻感性负载时移相围在φ—180º变化。
19、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。
20、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α、变压器漏抗X B、平均电流I d、电源相电压U2等到参数有关。
21、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60º小于120º的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差60º的双窄脉冲触发。
22、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达240º度；实际移相才能达0º-180º度。
23、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有恒压频比控制、转差劲频率控制、矢量控制、直接转矩控制。
24、软开关电路种类很多，大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。
25、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
26，它的三个极分是第一阳极T1、第二阳极T2、和门极G。
27、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√2U2。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√6 U2。
〔电源电压为U2〕28、从晶闸管开场承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。
29、正弦波触发电路的理想移相围可达180º、度，实际移相围只有150º。
30、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。
31、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。
32、逆变器环流指的是只流经逆变电源、逆变桥晶闸管而不流经负载的电流，环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用α大于β工作方式。
33、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
34、大功率晶体管简称GTR，通常指耗散功率1W以上的晶体管。
35、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是电流不够大和耐压不够高。
36、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过程。
37、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π－β。
38、逆变角β的起算点为对应相邻相负半周的交点往左度量。
39、当电源电压发生瞬时与直流侧电源顺极性串联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为逆变失败或逆变颠覆。
40、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为30°～35°。
41、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是待整流状态、整流状态、待逆变状态和逆变状态。
42、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为斩波器。
43、反并联可逆电路常用的工作方式为逻辑无环流，有环流以及错位无环流三种。
在工业上得到广泛应用的是逻辑无环流方式。
44、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高、容量不大的场合。
45、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
46、晶闸管装置的容量愈大，那么高次谐波愈大，对电网的影响愈大。
47、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。
48、变频电路从变频过程可分为交流—交流变频和交流—直流—交流变频两大类。
49、脉宽调制变频电路的根本原理是：控制逆变器开关元件的导通和关断时间比，即调节脉冲宽度来控制逆变电压的大小和频率。
50.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于(或≈(2～4))_I H。
51.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是__智能功率集成电路__。
52.晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM_小于(或<)_U BO。
53.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_ U Fm=U2__，设U2为相电压有效值。
54.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120°__。
55.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值__下降__。
56.晶闸管串联时，给每只管子并联一样阻值的电阻R是_静态均压_措施。
57.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有Y形和△形二种方式。
58.抑制过电压的方法之一是用_储能元件_吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
59.改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_输出电压基波__的幅值。
60.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是_(一个)较大的负电流_。
61.恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是___减小存储时间_____。
62.功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用__快速恢复______型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
二、判断题,〔每题1分,对√、错×〕1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
〔√〕2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
〔×〕3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
〔×〕4、逆变角太大会造成逆变失败。
〔×〕5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
〔√〕6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
〔×〕7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
〔×〕8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
〔×〕9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
〔×〕10、变频调速实际上是改变电动机旋转磁场的速度到达改变输出转速的目的。
〔√〕11、两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
〔√〕12、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丧失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
〔√〕13、变流装置其功率因数的上下与电路负载阻抗的性质，无直接关系。
〔√〕14、并联与串联谐振式逆变器属于负载换流方式，无需专门换流关断电路。
〔√〕15、触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。
〔×〕16、三相半波可控整流电路，不需要用大于60º小于120º的宽脉冲触发，也不需要相隔60º的双脉冲触发，只用符合要求的相隔120º的三组脉冲触发就能正常工作。
〔√〕17、变频调速装置是属于无源逆变的畴。
〔√〕18、有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
〔√〕19、双向晶闸管额定电流的定义，与普通晶闸管的定义一样。
〔√〕20、用稳压管削波的梯形波给单结晶体管自激振荡电路供电，目的是为了使触发脉冲与晶闸管主电路实现同步。
〔×〕21、半控桥整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。
(√)22、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。
〔×〕23、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
〔×〕24、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用〔×〕25、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。
〔×〕26、在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。