Memory知识简介-A01

内存的容量和带宽
内存的容量计算： 1.内存容量以MB为单位.内存的容量一般都是2的整次方倍. 2.系统对内存的识别是以Byte（字节）为单位，每个字节由8位二进制数组成，即8bit（ 比特,也称“位”）.按照计算机的二进制方式： 1Byte=8bit; 1KB=1024Byte; 1MB=1024KB; 1GB=1024MB; 1TB=1024GB. 如32bit系统支持的最大内存是4GB. 可以理解成CPU一次能处理的数据的长度是32位，32位的地址总线能够索引2^32这么多个 的存储单元的个数.一个存储单元一般也是32位，也就是4Byte, 2^32次方的存储单元，就 是4GB内存了，
Buffer和Unbuffer的介绍
Buffer即缓冲器，也可理解成高速缓存，在服务器及图形工作站内存有较多应 用，容量多为64K，但随着内存容量的不断增大，其容量也不断增加，具有Buffer的内存 将对内存的读写速度有较大提高. Unbuffer表示不具有高速缓冲，有Buffer的内存几乎都带ECC功能，Unbuffer内 存只要少数带ECC功能. 缓冲（buffers）是根据内存的读写设计的，把分散的写操作集中进行，减少存取单元的 反复寻址，从而提高系统性能。 缓存（cached）是把读取过的数据保存起来，重新读取时若命中（找到需要的数据）就不 要去读存取单元了.
工作原理-内存的传输
内存传输： 为了储存资料，或者是从内存内部读取资料，CPU都会为这些读取或写入的资料 编上地址（也就是我们所说的十字寻址方式），这个时候，CPU会通过地址总线（Address Bus）将地址送到内存，然后数据总线（Data Bus）就会把对应的正确数据送往微处理器 ，传回去给CPU使用.
DDR/DDR2/DDR3预取技术
预读取技术参数： DDR的预取位是2bit DDR2的预取位是4bit DDR3的预取位是8bit DDR4的预取位是16bit
内存的预读取
预读取技术： 4-bit prefetch DDR2提高带宽的关键技术 理解预读取，如，看一个人跑的快或不快有两个方面，一个是步伐的频率，比如每秒钟跑 两步；另一个是步伐的距离，比如每一步跑1米.第一个人（DDR）它每秒钟跑两步，每步 是1米，所以它的速度是2米/秒；而第二个人（DDR2）它每秒钟跑两步，（因为DDR2和DDR 内存颗粒的工作频率一致），每步是两米，所以它的速度是4米/秒.第二个人的速度是第 一个人的两倍. 内存也是如此，DDR，DDR2，DDR3内存颗粒工作频率一致，所以速度的快慢就取决于DDR的 步伐（预读取）.
标准
PC-133 PC-2100 PC-2700 PC-3200 PC-4200 PC-5300 PC-6400 PC-8500 PC-10600 PC-12800 PC-17060 PC-19200 PC-21300 PC-25600
核心Βιβλιοθήκη Baidu率MHz
133 133 166 200 133 166 200 133 166 200 1066 1200 1333 1600
工作频率MHz
133 133 166 200 266 333 400 533 667 800 8500 9600 10600 12800
等效频率 MHz
133 266 333 400 533 667 800 1066 1333 1600 2133 2400 2666 3200
带宽
1.06GB/s 2.1GB/s 2.7GB/s 3.2GB/s 4.2GB/s 5.3GB/s 6.4GB/s 8.5GB/s 10.6GB/s 12.8GB/s 17.064GB/s 19.200GB/s 21.328GB/s 25.600GB/s
2. 内存颗粒厂商： 金士顿（ Kingston ），Micron镁光（迈克龙），现代（Hynix），三星（SAMSUNG ），NANYA（南亚），Infineon(英飞凌)，钰创(EtronTech)，勤茂(TwinMOS)、华邦 (Winbond)、茂矽(MOSEL)、ELPIDA等
DRAM---（Dynamic Random Access Memory ）
128Mb-512Mb
1GB-2GB
2GB-4GB
4GB-8GB
8GB32GB
32GB-128GB
SDRAM----->DDR1--- -->DDR2----->DDR3----->DDR4----->DDR5----->
内存的容量和带宽
内存的带宽计算： 单条DDR3内存和DDR4内存都是64bit位宽的，双通道就是128bit位宽。 带宽=等效频率*位宽/8 1.DDR3 1600带宽的计算： 内存带宽=1600*64bit/8=12800MB/s 2.DDR4 2400带宽的计算： 内存带宽=2400*64bit/8=19200MB/s
工作原理-内存的存取时间
内存存取时间： 所谓存取时间，指的是CPU读或写内存内资料的过程时间，也称为总线循环（bus cycle）.以读取为例，从CPU发出指令给内存时，便会要求内存取用特定地址的特定资料 ，内存响应CPU后便会将CPU所需要的资料送给CPU，一直CPU收到数据为止，便成为一个读 取的流程. 这整个过程简单的说便是CPU给出读取指令，内存回复指令，并丢出资料给CPU的 过程.我们常说的6ns（纳秒）就是指上述的过程所花费的时间，而ns便是计算运算过程的 时间单位.我们平时习惯用存取时间的倒数来表示速度，比如6ns的内存实际频率为 1/6ns=166MHz（如果是DDR就标DDR333，DDR2就标DDR2 667，DDR3就标DDR3 1333,DDR4就 标DDR4 2400）
工作原理-内存的延时
内存延时： 内存的延迟时间，芯片组同DRAM之间的延迟时间（+_1个时钟周期），RAS到CAS 延迟时间：RAS（2-3时钟周期，用于决定正确的列地址），另外还需要1个时钟周期来传 送数据，数据从DRAM输出缓存通过芯片组到CPU的延迟时间（+-2个时钟周期） 一般的说明内存延迟涉及四个参数CAS（Column Address Strobe行地址控制器） 延迟，RAS（Row Address Strobe列地址控制器）一to一CAS延迟，RAS Recharge (RAS预 冲电压)延迟，Act-to-Recharge （相对于时钟下沿的数据读取时间）延迟.其中CAS延迟 比较重要，它反映了内存从接受指令到完成传输结果的过程中的延迟. 延迟越小速度越快 .
工作原理-内存的寻址
内存寻址： 内存从CPU获得查找某个数据的指令，然后再找出存取资料的位置时（这个动作 称为“寻址”），它先定出横坐标（也就是“列地址”）再定出纵坐标（也就是“行地址 ”），这就好像在地图上画个十字标记一样，非常准确地定出这个地方. 对于电脑系统而言，找出这个地方时还必须确定是否位置正确，因此电脑还必须 判读该地址的信号，横坐标有横坐标的信号（也就是RAS信号，Row Address Strobe）纵 坐标有纵坐标的信号（也就是CAS信号，Column Address Strobe），最后再进行读或写的 动作.因此，内存在读写时至少必须有五个步骤：分别是画个十字（内有定地址两个操作 以及判读地址两个信号，共四个操作）以及或读或写的操作，才能完成内存的存取操作.
SIMM
DRAM
SDRAM
RDRAM
DDR SDRAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
内存编号
Memory 的编号识别 16GB 2Rx8 PC4-2400T-SE1-11 HMA82GS6AFR8N-UH N0 AC 1724
16GB--容量大小 2Rx8—双面8芯片颗粒 PC4-2400T—DDR4,2400频率 SE1-11—笔记本内存 HMA82GS6AFR8N-UH N0 AC—生产厂家及类型 1724—生产周期
预读取bit
1 2 2 2 4 4 4 8 8 8 16 16 16 16
内存的频率
内存的频率实际分为三种 一，内存核心频率--（内部电容的刷新频率） 内存核心频率是内存的真实运行频率，一般为100MHz；133MHz；166MHz；200MHz； 1066MHz-1600MHz; 二，时钟频率--（I/O Bbuffer 输入输出缓冲的传输频率） 在DDR2/3产品均是提高时钟频率，而memory的核心频率没有提高，一般为266MHz； 533MHz；667MHz；800MHz;8500-12800MHz; 三，有效数据传输频率--（等效频率） 在核心频率不提高的情况下结合时钟频率的提高和预取技术（Prefetch）的翻倍从而 达到有效数据传输频率的提高 以DDR3为例一般为：800MHz；1066MHz；1333MHz;1600-3200MHz.
SDRAM DRAM RAM SRAM Memory MASK ROM ROM PROM EPROM EEPROM FLASH DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM
内存厂商
内存主要分生产厂商和颗粒厂商 1. 内存生产厂商： Micron（镁光）Corsair（海盗船），Kingston(金士顿)、Apacer(宇瞻)、 金邦（GELL），Transcend(创建)，胜创KINGMAX，AADATA（威刚），Kingtiger金泰 克，King MAX（胜创），G. Skill（芝奇），Team（十铨科技），尔必达（ELPIDA） SMART世迈等
Memory知识介绍
DIMM: Dual In-line memory module
KS.Compal PE-EE:Gh_WU
Ver:A01
目录
•内存及组成部分 ……………….….…………………………………………………………..3 •内存厂家 ….…………………………..………………………………………………..………..4 •内存--DRAM………………………………………………………………………………… …..5 •内存的编号识别 ………………………………………………………………………….…….6 •内存的引脚（金手指）和电压 ……………………………………………..………….7 •内存的规格发展历程 …………………………………………………………………..……8 •内存的频率 ……………………………………………………………………………………….9 •内存的容量和带宽 …………………………………………………………..……………….11 •内存的预取技术 ………………………………………………………………….…………..13
内存的引脚（金手指）和电压
DDR系列内存为： 标准针脚 标准电压 低电压
类型 针脚(pin) 电压(V)
DDR 184 2.5
DDR2 240 1.8
DDR3 240 1.5/1.35
DDR4 284 1.2
DDR5
DDR4
DDR3
内存的规格
内存规格
SDR-133 DDR-266 DDR-333 DDR-400 DDR2-533 DDR2-667 DDR2-800 DDR3-1066 DDR3-1333 DDR3-1600 DDR4-2133 DDR4-2400 DDR4-2666 DDR4-3200
内存---（Memory）
内存是计算机中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行 都是在内存中进行的，因此内存的性能对计算机的影响非常大。内存(Memory)也被称为内 存储器，其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数 据。只要计算机在运行中，CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算，当运算完成 后CPU再将结果传送出来，内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、 电路板、金手指等部分组成的。
DRAM-动态随机存取记忆体 由0、1二进制单元，最小单位：bit，每一个bit需要一个晶体管和一个电容，但是电 容存在漏电现象，所以需要在一定的周期内刷新（预充电）才能保持数据不丢失. SDRAM（Synchronous DRAM）同步动态随机存取记忆体 SDRAM在同一时钟周期内只能读取/写入一次，只在时钟上升的时候读取/写入，如果 是同时请求，只能先等其中一个处理动作完成 DDR（Double Date Rate SDRAM）双倍速率同步动态随机春去记忆体 双倍是指在一个时钟周期内传输两次数据，在时钟上升和下降时各传输一次数据（通 过差分时钟技术实现），在存取阵列频率边的情况下达到了SDR的两倍.也就是在时钟周期 的上升和下降都能传输