电力电子技术试题及答案(B)
. 精品 电力电子技术答案 2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？
答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？ 答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。 2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。 要使晶闸管由导通变为关断， 可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降 到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。 2-4图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
0022244254a)b)c)图1-430 图2-27 晶闸管导电波形 解：a) Id1=π214)(sinttdIm=π2mI(12
2
)0.2717 Im
I1=42)()sin(21tdtIm=2mI21430.4767 Im
b) Id2 =π14)(sinttdIm=πmI(12
2
)0.5434 Im
I2 =42)()sin(1tdtIm=
2
2mI
214
30.6741Im
c) Id3=π2120)(tdIm=41 Im I3 =202)(21tdIm=21 Im
2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少? 解：额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知
a) Im14767.0I329.35， Id10.2717 Im1
89.48
b) Im26741.0I232.90, Id20.5434 Im2
126.56
c) Im3=2 I = 314, Id3=41 Im3=78.5
2-6 GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答：GTO和普通晶阐管同为PNPN结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1和2，由普通晶阐管的分析可得，121是器件临界导通的条件。121＞两个等效晶体管过饱和而导通；. 精品 121＜不能维持饱和导通而关断。GTO之所以能够自行关断，而普通晶闸管不能，是因为GTO与普通晶闸管在设计和
工艺方面有以下几点不同：.
精品 l)GTO在设计时2较大，这样晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断； 2)GTO导通时21的更接近于l，普通晶闸管5.121，而GTO则为05.121，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制关断提供了有利条件； 3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得P2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。 2-7 与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得它具有耐受高电压电流的能力？ 答1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。 2.P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。 2-8 试分析IGBT和电力MOSFET在内部结构和开关特性上的相似与不同之处. IGBT比电力MOSFET在背面多一个P型层，IGBT开关速度小，开关损耗少具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小。开关速度低于电力MOSFET。电力MOSFET开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好。所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题。 IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻，ⅠGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。 电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。 2-11目前常用的全控型电力电子器件有哪些？ 答：门极可关断晶闸管, 电力晶闸管，电力场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管。 3-1. 单相半波可控整流电路对电感负载供电，L＝20mH，U2＝100V，求当α＝0和60时的负载电流Id，并画出ud与id波形。 解：α＝0时，在电源电压u2的正半周期晶闸管导通时，负载电感L储能，在晶闸管开始导通时刻，负载电流为零。在电源电压u2的负半周期，负载电感L释放能量，晶闸管继续导通。因此，在电源电压u2的一个周期里，以下方程均成立：
tUtiLsin2dd2d
考虑到初始条件：当t＝0时id＝0可解方程得：)cos1(22dtLUi
202d)(d)cos1(221ttLUI
=
L
U22=22.51(A)
ud与id的波形如下图：
02
t
u2
02
t
ud
02
t
id
当α＝60°时，在u2正半周期60~180期间晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的能量在u2负半周期180~300期间释放，因此在u2一个周期中60~300期间以下微分方程成立：
tUtiLsin2dd2d. 精品 考虑初始条件：当t＝60时id＝0可解方程得：)cos21(22dtL
U
i.
精品 其平均值为)(d)cos21(2213532dttLUI=LU222=11.25(A) 此时ud与id的波形如下图：
t
ud
id
++
t
t
u2
0
++
3-2．图3-10为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明：①晶闸管承受的最大反向电压为22
2U
；②当负载是电阻或电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控桥时相同。
答：具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，该变压器没有直流磁化的问题。 因为单相全波可控整流电路变压器二次测绕组中，正负半周内上下绕组内电流的方向相反，波形对称，其一个周期内的平均电流为零，故不会有直流磁化的问题。 以下分析晶闸管承受最大反向电压及输出电压和电流波形的情况。 ① 以晶闸管VT2为例。当VT1导通时，晶闸管VT2通过VT1与2个变压器二次绕组并联，所以VT2
承受的最大电压为
22
2U
。
② 当单相全波整流电路与单相全控桥式整流电路的触发角 相同时，对于电阻负载：（0~α）期间无晶闸管导通，输出电压为0；（α~π）期间，单相全波电路中VT1导通，单相全控桥电路中VT1、VT4导通，输出电压均与电源电压u2相等；(π~π＋α)期间，均无晶闸管导通，输出电压为0；(π＋α ~ 2π)期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出电压等于u2。 对于电感负载：（α ~ π＋α）期间，单相全波电路中VT1导通，单相全控桥电路中VT1、VT4导通，输出电压均与电源电压u2相等；（π＋α ~ 2π＋α）期间，单相全波电路中VT2导通，单相全控桥电路中VT2、VT3导通，输出波形等于u2。
可见，两者的输出电压相同，加到同样的负载上时，则输出电流也相同。 3-3．单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当α＝30°时，要求： ① 作 出ud、id、和i2的波形； ②求整流输出平均电压Ud、电流Id，变压器二次电流有效值I2； ③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。 解：①ud、id、和i2的波形如下图：
u2
Ot
Ot
Ot
ud
id
i2
Ot
Id
Id
电力电子技术试题及答案
《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBT B、MOSFET C、GTR D、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子考试及答案
电力电子考试及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术中，用于将交流电能转换为直流电能的设备是（）。
A. 变频器B. 整流器C. 逆变器D. 变流器答案：B2. 以下哪种器件不属于电力电子器件（）。
A. 晶闸管B. 晶体管C. 继电器D. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）答案：C3. 电力电子技术中，以下哪种控制方式不属于脉宽调制（PWM）控制（）。
A. SPWMB. PWMC. 相位控制D. 频率调制答案：D4. 电力电子变换器中，以下哪种器件主要用于实现交流电能的控制（）。
A. 晶闸管B. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）C. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 以上都是答案：D5. 电力电子技术中，以下哪种器件具有自关断能力（）。
A. 晶闸管B. 晶体管C. 继电器D. 以上都不是答案：B6. 以下哪种电力电子变换器主要用于电压调节（）。
A. 整流器B. 逆变器C. 变频器D. 以上都是答案：C7. 电力电子技术中，以下哪种控制方式可以实现输出电压和频率的独立控制（）。
A. SPWMB. V/F控制C. 相位控制D. 以上都不是答案：A8. 电力电子变换器中，以下哪种器件主要用于实现直流电能的控制（）。
A. 晶闸管B. 晶体管C. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 以上都是答案：D9. 电力电子技术中，以下哪种器件主要用于实现高频开关（）。
A. 晶闸管B. 晶体管C. 继电器D. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）答案：B10. 以下哪种电力电子变换器主要用于实现交流电能的转换（）。
A. 整流器B. 逆变器C. 变频器D. 以上都是答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术中，以下哪些器件属于全控型器件（）。
A. 晶闸管B. 晶体管C. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）答案：BCD2. 电力电子技术中，以下哪些控制方式可以实现输出电压的调节（）。
《电力电子技术》测试题及答案
《电力电子技术》测试题及其答案一、判断题1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。
（错）2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
（对）3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。
（错）4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。
（错）5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。
（错）6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
（错）7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
（对）8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
（错）9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
（对）10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
（对）11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。
（对）12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。
（错）13、晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
（对）14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
（对）15、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变载波信号的频率，就可以改变逆变器输出交流电压的频率16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大，就可能造成晶闸管误导通。
（对）17、晶闸管整流电路中的续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用，而不影响整流输出电压值及电流值。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，用于将交流电转换为直流电的设备是：A. 变压器B. 整流器C. 逆变器D. 稳压器答案：B2. 下列哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 继电器D. 功率MOSFET答案：C3. 电力电子技术中，PWM调制的全称是：A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲密度调制D. 脉冲相位调制答案：A4. 电力电子变换器中，升压变换器的输出电压与输入电压的关系是：A. 输出电压低于输入电压B. 输出电压等于输入电压C. 输出电压高于输入电压D. 输出电压与输入电压无关答案：C5. 在电力电子应用中，软开关技术的主要作用是：A. 提高系统的功率因数B. 减少开关损耗C. 提高系统的稳定性D. 降低系统的噪声答案：B二、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，_________器件是实现交流到直流转换的关键。
答案：整流器2. 电力电子变换器的效率可以通过_________来提高。
答案：软开关技术3. 电力电子技术在_________和_________领域有着广泛的应用。
答案：能源转换；电机控制4. 电力电子技术中，_________调制是一种常用的控制策略。
答案：PWM5. 电力电子变换器中的_________变换器可以将直流电转换为交流电。
答案：逆变器三、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的作用。
答案：电力电子技术在现代电力系统中起着至关重要的作用，包括提高电能的传输效率、实现电能的高效转换、优化电力系统的稳定性和可靠性、以及支持可再生能源的接入和利用。
2. 描述PWM调制在电力电子变换器中的应用。
答案：PWM调制在电力电子变换器中应用广泛，主要用于控制逆变器的输出电压和频率。
通过调整脉冲的宽度，可以控制输出电压的大小，同时通过改变脉冲的频率，可以控制输出电压的频率。
电力电子B试卷带答案
******************882014－2015 学年第一学期 出题教师：【电力电子技术】课程 试题 (B 卷) 【闭卷考试】姓名 学号 专业及班级本试卷共有4道大题一、填空题（共20分，每空1分，共11道小题）1. 电力变换通常可以分为四大类，即交流变直流（AC-AC 、整流）、直流变交流（DC-AC 、逆变）、交流变交流（AC-AC ）和直流变直流（DC-DC ）。
2.按照载流子参与导电的情况，电力电子器件分为单极型器件、双极型器件和复合型器件。
3.电力二极管的工作特性是由其主要构成PN 结的单向导电性质来决定的。
4. 晶闸管有阳极A 、阴极K 和门极（控制端）G 三个联接端。
5. 按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，阻感性负载和反电动势负载三大类。
6. 要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 双脉冲 触发；二是用 宽脉冲 触发。
7.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E 时（变压器二次侧电压有效值为U 2，忽略主电路各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。
停止导电(角) 8.在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
9.为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电 路种类很多，但归纳起来可分为零电压电路与零电流电路两大类。
10.逆变电路中，当交流侧接在电网上时称为有源逆变；当交流侧直接和负载连接时称为无源逆变。
11.逆变电路根据直流侧电源性质的不同分为两种：直流侧是电压源的称为电压型逆变电路；直流侧是电流源的称为电流型逆变电路。
二、选择题（满分20分，每小题2分，共10道小题）1.电力二极管属于 A 。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件2．电力电子器件不具有的特征有 B 。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在放大状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器3. 晶闸管内部有 C 个PN结。
电力电子试题及答案B
电⼒电⼦试题及答案B交通⼤学电⼒电⼦复习⼀、选择题1、晶闸管刚由断态转⼊通态并且去掉门级信号，仍能维持其导通所需的最⼩阳极电流称为（）A、维持电流B、擎住电流C、浪涌电流D、额定电流2、单相桥式全控整流电路带电阻性负载与阻感性负载（Rω）情况下，晶闸管触发⾓的移相范围分别为（C）L??A、900 ，900B、900 ，1800C、1800 ，900D、1800 ，18003、三相全控桥式整流电路在宽脉冲触发⽅式下⼀个周期内所需要的触发脉冲共有6个，它们在相位上依次相差（A）A、600B、900C、1200D、18004、在如下变流电路中，输出电压波形可能出现负值的是（）A、单相半波可控整流电路带续流⼆极管B、单相桥式半控整流电路带电阻性负载C、三相半波可控整流电路带阻感性负载D、三相半控桥式整流电路带续流⼆极管5、下列电路中具有两象限运⾏能⼒的是（B）A、单相半控桥式变流电路B、单相全控桥式变流电路C、带续流⼆极管的单相半波可控变流电路D、带续流⼆极管的单相半控桥式变流电路6、交—直—交电流型逆变器中间直流环节的储能元件是（B）A、⼤电容B、⼤电感C、蓄电池D、电动机7、⽆源逆变电路不能采⽤的换流⽅式是（A）A、电⽹换流B、负载换流C、强迫换流D、器件换流8、直流斩波电路完成的电⼒功能是（）A、DCDC→AC→B、ACAC→D、DCDC→C、AC9、改变载波频率可改变PWM逆变器的（A、D)A、开关频率B、输出信号波频率C、调制信号波频率D、⼀个周期内的PWM脉冲数10、下列电⼦器件中驱动功率较⼩的是（D）A、SCRB、GTOC、GTRD、IGBT⼆、填空题（每空1分共30分）1、晶闸管是⼀种由四层半导体材料构成的三端器件，它有3个PN节，阳极⽤字母A表⽰，阴极⽤字母K表⽰，门极⽤字母G 表⽰。
2、在规定条件下，晶闸管取正、反向重复峰值电压中较⼩的作为其额定电压。
3、晶闸管的维持电流I H是指晶闸管维持导通所需的最⼩电流。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案一、选择题1. 电力电子技术中的“电力”二字指的是：A. 电力系统B. 电力设备C. 电力变换D. 电力传输答案：C2. 以下哪个不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 继电器D. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）答案：C二、填空题1. 电力电子技术主要研究_______和_______的变换技术。
答案：电能；信息2. 电力电子装置中常用的PWM控制方式是指_______。
答案：脉冲宽度调制三、简答题1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的作用。
答案：电力电子技术在现代电力系统中主要起到电能的高效转换和控制作用，包括电能的生成、传输、分配和利用等各个环节，能够提高电能的使用效率，减少能源损耗，实现电能的智能化管理。
2. 列举至少三种常见的电力电子变换器，并简述其主要功能。
答案：常见的电力电子变换器包括：- AC/DC变换器：将交流电转换为直流电。
- DC/AC变换器：将直流电转换为交流电。
- DC/DC变换器：在直流电系统中实现不同电压等级的转换。
四、计算题1. 已知一个理想整流电路，输入电压为正弦波形，其峰值为100V，求整流后的直流电压有效值。
答案：理想整流电路的输出直流电压有效值V_DC = (2/π) *V_peak = (2/π) * 100V ≈ 63.66V2. 假设有一个PWM控制的DC/DC变换器，其开关频率为10kHz，占空比为0.5，求输出电压的平均值。
答案：对于PWM控制的DC/DC变换器，输出电压的平均值 V_out = D * V_in，其中D为占空比，V_in为输入电压。
假设输入电压为100V，则 V_out = 0.5 * 100V = 50V。
五、论述题1. 论述电力电子技术在新能源领域的应用及其发展趋势。
答案：电力电子技术在新能源领域的应用主要包括太阳能光伏发电、风力发电等可再生能源的电能转换与控制。
电力电子技术试题及标准答案王兆安九
试试卷九一、填空题（本题共7小题，每空1分，共20分）1、晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电压升高至相当高的数值造成效应；阳极电压过高；结温较高和光触发。
但只有是最精确、迅速而可靠的控制手段。
对于其它几种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。
2、在PWM控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为__________调制和_______调制，______调制方法克服了以上二者的缺点。
3、设DC/DC变换器的Boost电路中，E=10V，α=0.5，则U o=________。
4、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是________ 、______、_____ _、。
5、换流的方式有____________、_____________、____________、____________，全控型器件用_______________方式换流6、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有：、、。
7、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为（）A、157AB、100AC、80AD、246.5A2、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。
A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT3、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器4、在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波，使之成为鞍形波的目的在于（）A、消除谐波分量B、包含幅值更大的基波分量C、减少开关次数D、削弱直流分量5、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为（）A、U d=0B、U d=EC、U d=E/2D、U d= – E6、若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（）A、减小三角波频率B、减小三角波幅值C、减小输入正弦波控制电压幅值D、减小输入正弦波控制电压频率7、三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不可控整流电路的自然换相点超前30ºD、比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（）A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9、可实现有源逆变的电路为（）。
电力电子技术试题含答案
电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 、 触发脉冲前沿要陡幅值要高 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是 串专用均流电抗器。
。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦波 波，输出电流波形为 方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为 800V 伏、额定有效电流为 100A 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂 上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 增加、 、正反向漏电流会 下降、 ；当温度升高时，晶闸管的触发电流会 下降、 、正反向漏电流会 增加 。
8、 在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 两组变流器之间 而不流经 负载 的电流。
环流可在电路中加电抗器 来限制。
为了减小环流一般采用控制角α = β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有 快速熔断器 、 串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降 。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 电压型 型逆变器和 电流型 型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用 电容 器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的 本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是 180º 度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用 电感 滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在 异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是 120º度。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高、触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会 下降 ；当温度升高时，晶闸管的触发电流会 下降、正反向漏电流会 增加 。
8、 在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 两组变流器之间 而不流经 负载 的电流。
环流可在电路中加 电抗器 来限制。
为了减小环流一般采用控制角α = β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有 快速熔断器 、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为 电压型 型逆变器和 电流型 型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用 电容 器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间 元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是 180º 度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由c 电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是 120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压 斩波电路；升压斩波电路； 升降压斩波电路。