陶瓷震荡电容的选择原则
【转】为什么有的LDO的输出输入必须用陶瓷电容,而有的却规定必须用钽电容？
【转】为什么有的LDO的输出输入必须用陶瓷电容,而有的却规定必须用钽电容？freshair_cn's Blog【转】为什么有的LDO的输出输入必须用陶瓷电容 ,而有的却规定必须用钽电容？原因大致如下：1、稳压器的稳定性取决于回路增益和回路相移，LDO也不例外。
2、通常所有的LDO都会要求其输出电容的ESR值在某一特定范围内，以保证输出的稳定性。
LDO制造商会提供一系列由输出电容ESR和负载电流组成的定义稳定范围的曲线，作为选择电容时的参考。
这些推荐值可以从相关的Datasheet上看到。
3、输出电容是用来补偿LDO稳压器的相位裕度，不合适的ESR 会引起回路振荡。
基本上所有的LDO应用中引起的振荡都是由于输出电容的ESR过高或过低。
4、LDO的输出电容，一般地，钽电容是最好的选择。
另一点非常重要，优质电容的ESR在－40℃到＋125℃温度范围内的变化小于2:1。
然而，铝电解电容在低温时的ESR会变大很多，所以不适合作LDO的输出电容，应排除在外。
5、应该注意，大的陶瓷电容（≥1uF）通常会用很低的ESR（＜20mΩ），这几乎会使所有的LDO稳压器产生振荡。
如果使用陶瓷电容就要串联电阻以增加ESR。
而且大的陶瓷电容的温度特性较差（例如Z5U型），也就是说在工作范围内的温度的上升和下降会使容值成倍的变化，所以它不推荐使用。
6、可能你已注意到，某些LDO专门设计使用陶瓷电容，似乎与上面矛盾。
已知有两款LDO，LP2985和LP2989，要求输出电容贴装超低ESR的陶瓷电容。
这种电容的ESR可以低到5～10mΩ。
也就是说，在如此低ESR的电容下，LP2985仍能够稳定工作。
这是由于，在IC内部已经放置了钽输出电容来补偿零点，此LDO的零点已被集成在IC内部。
这一做法是为了将可稳定的ESR的上限范围下降。
可以查到，LP2985的ESR稳定范围是3Ω-500MΩ，因此它可以使用陶瓷电容。
然而这样小的ESR却会使绝大多数的LDO稳压器引起振荡。
电容替代原则
电容替代原则一、电容替代的基本原则1. 容量相近原则- 在一般电路中，如果原电容的容量为C1，替代电容的容量C2应尽量满足C1×0.9≤ C2≤ C1×1.1。
例如，原电路中使用的是10μF的电容，那么替代电容的容量最好在9μF到11μF之间。
这是因为电容容量在一定范围内变化时，对电路的基本功能（如滤波、耦合等）影响较小。
- 对于一些对电容容量精度要求不高的电路，如简单的电源滤波电路，这个范围可以适当放宽。
但对于像定时电路等对电容容量较为敏感的电路，应尽可能选择容量接近原电容的替代品。
2. 耐压值不低于原电容原则- 电容的耐压值表示电容能够承受的最大电压。
如果原电容的耐压值为U1，替代电容的耐压值U2必须满足U2≥ U1。
例如，原电路中电容耐压值为25V，那么替代电容的耐压值应选择25V或更高，如35V、50V等。
- 这是为了确保电容在电路工作时不会因为电压过高而被击穿损坏。
如果替代电容耐压值低于原电容，在电路电压波动较大时，电容可能会被损坏，进而影响整个电路的正常工作。
3. 类型相同或相似原则- 电解电容替代- 对于电解电容，在替代时应尽量选择同类型的电解电容。
如果是铝电解电容，最好用铝电解电容替代；如果是钽电解电容，也应优先使用钽电解电容替代。
因为不同类型的电解电容在性能上有较大差异，如钽电解电容的ESR（等效串联电阻）比铝电解电容低，在一些对ESR要求较高的电路（如高频滤波电路）中，用铝电解电容替代钽电解电容可能会影响滤波效果。
- 陶瓷电容替代- 陶瓷电容有不同的材质，如X7R、NPO等。
如果原电路使用的是NPO陶瓷电容，由于其温度稳定性好，在替代时也应尽量选择NPO陶瓷电容，尤其是在对温度稳定性要求较高的电路（如精密振荡器电路）中。
如果用温度稳定性较差的X7R陶瓷电容替代NPO陶瓷电容，可能会导致振荡器频率随温度变化较大，影响电路性能。
- 薄膜电容替代- 薄膜电容也有多种类型，如聚酯薄膜电容、聚丙烯薄膜电容等。
陶瓷谐振器基本参数
陶瓷谐振器的工作原理
陶瓷谐振器等效电路如下图所示。
虚线框内为两端型谐振器的等效电路。
在fr＜f＜fa频率范围内呈感性，加上内
藏电容CL
1、CL
2
本谐振器可作为LC网络使用，在LC正反馈
振荡电路中使用一个Q
1=180°为反相器，加上LC反馈电路
又倒相Q
2
=180 °而形成振荡电路。
陶瓷谐振器的振荡条件
振荡条件：回路增益G=10log(α*β)≥0相移Q=Q 1+Q 2=360°×n (n=1、2、3……)
基本振荡电路回路增益测量电路
V10.01μF
R 1=50ΩT.G
Output=-20dBm
2PF 10MΩ
Rf=1MΩ
Ceramic
Resonator OUT
V 0IC:TC74HCU04
Vcc=5.0V
G=10Log(V 0/V 1)≥0~
陶瓷谐振器基本参数▪我司陶瓷谐振器分为ZTA型（不带内置电容）和ZTT型（带内置
电容），相应等效电路和阻抗和
相位特性图如：
▪（ZTA型）
▪（ZTT型）
陶瓷谐振器基本参数
▪C0：静电容；C1：动态电容；L1动态电感；
R1：动态电阻；CL1、CL2内置负载电容。
▪Zr：谐振电阻，近似于R1；
▪Fr：谐振频率，Fr=1/2π√L1C1；
▪Fa：反谐振频率，Fa=1/2π√L1C1C0/(C1+C0)
=Fr√1+C1/C0；
▪FOSC：振荡频率，FOSC=Fr√1+C1/(C0+CL)；。
选用电容一般原则
电容从电路来说,总就是存在驱动得源与被驱动得负载。
如果负载电容比较大,驱动电路要把电容充电、放电,才能完成信号得跳变,在上升沿比较陡峭得时候,电流比较大,这样驱动得电流就会吸收很大得电源电流,由于电路中得电感,电阻(特别就是芯片管脚上得电感,会产生反弹),这种电流相对于正常情况来说实际上就就是一种噪声,会影响前级得正常工作。
这就就是耦合。
去藕电容就就是起到一个电池得作用,满足驱动电路电流得变化,避免相互间得耦合干扰。
旁路电容实际也就是去藕合得,只就是旁路电容一般就是指高频旁路,也就就是给高频得开关噪声提高一条低阻抗泄防途径、高频旁路电容一般比较小,根据谐振频率一般就是0.１u,0.01u等,而去耦合电容一般比较大,就是10u或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流得变化大小来确定。
ﻫ旁路就是把输入信号中得干扰作为滤除对象,而去耦就是把输出信号得干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。
这应该就是她们得本质区别。
去耦电容在集成电路电源与地之间得有两个作用:一方面就是本集成电路得蓄能电容,另一方面旁路掉该器件得高频噪声。
数字电路中典型得去耦电容值就是0。
1μＦ。
这个电容得分布电感得典型值就是５μH。
0.1μF得去耦电容有5μH得分布电感,它得并行共振频率大约在７ＭＨｚ左右,也就就是说,对于10 MHｚ以下得噪声有较好得去耦效果,对40ＭHz以上得噪声几乎不起作用。
1μF、10μＦ得电容,并行共振频率在2０MHz以上,去除高频噪声得效果要好一些、每10片左右集成电路要加一片充放电电容,或1个蓄能电容,可选10μF左右。
最好不用电解电容,电解电容就是两层薄膜卷起来得,这种卷起来得结构在高频时表现为电感、要使用钽电容或聚碳酸酯电容。
去耦电容得选用并不严格,可按C＝１/Ｆ,即１0MHz取0。
１μＦ,100MHｚ取0.01μF。
分布电容就是指由非形态电容形成得一种分布参数。
一般就是指在印制板或其她形态得电路形式,在线与线之间、印制板得上下层之间形成得电容。
32768晶振电容大小选取规则
32768晶振电容大小选取规则晶振是电子设备中常用的振荡器，用于提供稳定的时钟信号。
在电路设计中，晶振的电容大小是一个重要的参数。
本文将介绍关于32768晶振电容大小选取的规则。
1. 理解晶振电容的作用晶振电容主要用于调节晶振的工作频率和稳定性。
通常情况下，晶振电容越大，晶振的频率越稳定。
因此，正确选择晶振电容大小对于确保设备正常运行非常重要。
2. 考虑晶振的工作频率32768晶振是指振荡频率为32768赫兹的晶振。
在选取晶振电容大小时，需要考虑晶振的工作频率。
一般来说，晶振电容的值应该在晶振频率的1/10至1/100之间。
3. 参考晶振厂家的推荐值不同的晶振厂家可能会有不同的推荐值。
在选取晶振电容大小时，可以参考晶振厂家提供的数据手册或技术规格，查找推荐的电容值。
这些推荐值是基于厂家的实际测试和经验总结，可以提供较好的参考。
4. 考虑电路布局和干扰在选取晶振电容大小时，还需要考虑电路布局和干扰的因素。
晶振电容的大小可能会对电路的稳定性和抗干扰能力产生影响。
因此，在设计电路时，需要综合考虑晶振电容的大小和其他因素。
5. 实际测试和优化选取晶振电容大小的最佳方法是进行实际测试和优化。
可以根据实际的电路设计和要求，在不同的电容值下进行测试，评估晶振的稳定性和性能。
通过实际测试，可以找到最合适的晶振电容大小。
总结起来，选取32768晶振电容大小的规则包括理解晶振电容的作用、考虑晶振的工作频率、参考晶振厂家的推荐值、考虑电路布局和干扰因素，以及进行实际测试和优化。
正确选择晶振电容大小可以提高电路的稳定性和性能，确保设备正常运行。
MLCC选型要素解析
电子知识MLCC的选型过程中：首先MLCC参数要满足电路要求，其次就是参数与介质是否能让系统工作在最佳状态；再次，来料MLCC是否存在不良品，可靠性如何；最后，价格是否有优势，供应商配合是否及时。
许多设计工程师不重视无源元件，以为仅靠理论计算出参数就行，其实，MLCC的选型是个复杂的过程，并不是简单的满足参数就可以的。
选型要素参数：电容值、容差、耐压、使用温度、尺寸材质直流偏臵效应失效价格与供货不同介质性能决定了MLCC不同的应用C0G电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用Z5U电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路Y5V电容器温度特性最差，但容量大，可取代低容铝电解电容MLCC常用的有C0G（NP0）、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格，不同的规格有不同的特点和用途。
C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
C0G（NP0）电容器C0G是一种最常用的具有温度补偿特性的MLCC。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
C0G电容量和介质损耗最稳定，使用温度范围也最宽，在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
C0G电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
C0G电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
电容选择应遵循的原则
电容选择应遵循的原则[导读]通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容，如何在电路中更有效地选择使用各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。
1.滤波电容整流后由于滤波用的电容器容量较大，故必须使用电解电容。
滤波通常音频电路中包括滤波、耦合、旁路、分频等电容，如何在电路中更有效地选择使用各种不同类型的电容器对音响音质的改善具有较大的影响。
1.滤波电容整流后由于滤波用的电容器容量较大，故必须使用电解电容。
滤波电容用于功率放大器时，其值应为10000μF 以上，用于前置放大器时，容量为1000μF 左右即可。
当电源滤波电路直接供给放大器工作时，其容量越大音质越好。
但大容量的电容将使阻抗从 10KHz 附近开始上升。
这时应采取几个稍小电容并联成大电容同时也应并联几个薄膜电容，在大电容旁以抑制高频阻抗的上升，如下图所示。
图 1 滤波电路的并联2.耦合电容耦合电容的容量一般在0.1μF~ 1μF 之间，以使用云母、丙烯、陶瓷等损耗较小的电容音质效果较好。
3.前置放大器、分频器等前置放大器、音频控制器、分频器上使用的电容，其容量在100pF~0.1μF 之间，而扬声器分频LC 网络一般采用1μF~ 数10μF 之间容量较大的电容，目前高档分频器中采用 CBB 电容居多。
小容量时宜采用云母，苯乙烯电容。
而 LC 网络使用的电容，容量较大，应使用金属化塑料薄膜或无极性电解电容器，其中无机性电解电容如采用非蚀刻式，则更能获取极佳音质。
电容的基础知识——————————————一、电容的分类和作用电容(Electric capacity)，由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。
由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同：按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。
按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。
按极性分为：有极性电容和无极性电容。
电容替换原则及注意事项 -回复
电容替换原则及注意事项-回复[电容替换原则及注意事项]电容器作为电子元件中常见的一种，扮演着存储电荷、滤波、耦合等重要功能。
然而在实际电路设计过程中，有时需要进行电容器的替换，可能是因为要更换损坏的电容器，或者是为了改变电路性能。
本文将详细介绍电容替换的原则与注意事项。
一、电容替换原则1. 容值替换原则：电容器的容值是电路性能的关键因素之一。
在进行电容替换时，应选择与原电容器容值相同或接近的电容器。
当电容器容值相同或十分接近时，替换后的电路性能基本上保持不变。
2. 电压替换原则：电容器的工作电压是其能正常工作的关键参数。
在进行电容器替换时，替代电容器的额定电压应不小于原电容器的工作电压。
若替代电容器电压较原电容器小，则容易出现电容器短路、损坏等问题。
3. 尺寸替换原则：电容器的尺寸是受到物理限制的，根据实际装配空间的大小来选择合适尺寸的电容器。
替代电容器的尺寸应与原电容器尽量相似，以确保替换后电路的正常工作。
4. 稳定性替换原则：电容器的稳定性是指其在不同温度、电压等工作条件下电容值的稳定性。
在进行电容器替换时，应选择稳定性较好的电容器，以确保替换后电路的性能稳定。
二、电容替换注意事项1. 选择合适的电容器类型：根据不同电路的需求，选择合适的电容器类型，如陶瓷电容器、电解电容器、固态电容器等。
不同类型的电容器具有不同的特性，在替换时需要充分考虑。
2. 注意电容器极性：电解电容器具有极性，安装时需注意正负极的连接。
在进行电容器替换时，需要确保替代电容器的极性与原电容器一致，否则会影响电路的正常工作。
3. 考虑频率特性：不同类型的电容器对信号频率的响应有所不同。
在替换电容器时，需根据电路的需求，选择频率响应相适合的电容器，以避免影响信号的传输和处理。
4. 确保稳定性：电容器的稳定性对电路的性能至关重要。
在进行电容器替换时，应选择稳定性良好的电容器，特别是在长时间运行或工作温度较高的环境下要格外注意。
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陶瓷震荡电容的选择原则
陶瓷震荡电容是无源元器件中的一种，广泛应用于电子产品中的振荡电路。
震荡电路的频率稳定性和抗干扰性能直接影响整个电子系统的性能，因此在选择陶瓷震荡电容时需要考虑以下几个因素。
需要根据振荡电路的工作频率来选择合适的陶瓷震荡电容。
陶瓷震荡电容的频率系数是一个重要的参数，它是指在不同温度下电容值的变化率。
根据实际应用需求，选择频率系数小、稳定性好的陶瓷震荡电容。
需要根据电路的电压和电容值来选择合适的陶瓷震荡电容。
陶瓷震荡电容的额定电压是指电容器能承受的最大电压，如果电压超过额定电压，会导致电容器失效。
因此，在选择陶瓷震荡电容时需要根据电路的电压来确定陶瓷震荡电容的额定电压，以保证电容器的正常工作。
需要考虑陶瓷震荡电容的精度和稳定性。
陶瓷震荡电容的精度是指电容器的额定值和实际值之间的偏差，通常用百分比表示。
选择精度高、稳定性好的陶瓷震荡电容，可以保证电路的稳定性和精确性。
需要考虑陶瓷震荡电容的尺寸和形状。
陶瓷震荡电容的尺寸和形状不同，适用于不同的电路设计。
在选择陶瓷震荡电容时，需要根据电路的设计要求，选择符合要求的尺寸和形状的陶瓷震荡电容。
选择合适的陶瓷震荡电容对电路的性能和可靠性有着重要的影响。
因此，在选择陶瓷震荡电容时需要考虑以上几个因素，以保证电路的稳定性和精确性。