最新存储器及其接口
XINTFnbspZone访问的建立、激活和跟踪时序(TMS320F28335)041019155954
XINTF Zone访问的建立、激活和跟踪时序（TMS320F28335）XINTF是直接访问外部接口的存储器映射区域。
任何对XINTF空间的读或写操作的时序都可以分为三个阶段：建立、激活和跟踪。
在寄存器XTIMING中可以设置每个XINTF空间访问各阶段时等待的XTIMCLK周期数。
读写访问操作的时序可以独立进行配置。
除此之外，为了能够与慢速外设接口，还可以使用X2TIMING位使访问特定空间的建立、激活和跟踪等待状态延长1倍。
在建立阶段，访问空间的片选信号变为低电平，产生的地址放在地址总线上(XA)。
建立的周期可以通过XTIMING寄存器进行配置。
默认情况下，建立周期设置为最大，读写访问都是6个XTIMCLK周期。
在激活阶段访问外部设备，如果是读访问，读选通信号(XRD)变为低电平，数据锁存到DSP：如果进行的是写访问，写使能(XWE)选通信号变为低电平，数据放到数据总线(XD)上。
如果访问的空间配置为判断XREADY信号操作方式，外设可以控制XREADY信号扩展激活状态周期，使激活状态周期超过寄存器设置的等待周期。
如果不使用XREADY信号，总的激活周期就等于一个XTIMCLK加上XTIMING寄存器中设置的等待周期数。
默认情况下，读写访问的激活等待周期都是14个XTIMCLK周期。
跟踪周期是指读写选择信号变为高电平后，保持片选信号低电平的一段时间。
在XTIMING 寄存器中可以设置跟踪周期的XTIMCLK的个数。
默认情况下，跟踪周期设置为最大，读写访问都是6个XTIMCLK周期。
根据系统设计的要求，可以配置空间的建立、激活和跟踪周期长度，以适合具体外设接口的访问。
在配置过程中，需要考虑以下几个问题：1.最小等待状态的需要；2.XINTF的时序特性，参考相应的数据手册；3.外部器件的时序特性；4.C28x芯片和外设间的附加延时。
在配置的过程中，一定要配合外部器件的时序进行配置，不然会造成读取写入的数据错误。
DM6437介绍整理7-21
TMS320DM6437 DMP介绍TMS320DM6437 Digital Media Processor—一种高性能数字媒体处理器：VelociTI.2结构DSP内核，先进超长指令字（VLIW）C64x+指令集特性C64x+ L1/L2存储器结构口仅支持小端模式视频处理子系统（VPSS）外部存储器接口（EMIF）增强型直接存储器访问控制器（EDMA）：64个独立通道1个64位看门狗定时器2个UART（带RTS和CTS流控信号）主/从I2C总线控制器两个多通道缓冲串行接口（McBSP）多通道音频串行接口（McASP0）高端CAN控制器（HECC）16位主机接口（HPI）32位、33MHz、3.3V PCI主从接口10/100Mb/s以太网MAC（EMAC）VL YNQ接口（FPGA 接口）VL YNQTM接口（FPGA 接口）片上ROM Bootloader独特的节电模式灵活的PLL时钟产生器IEEE-1149.1（JTAG）多达111个GPIO（与其他功能复用）引脚及封装3.3V/1.8V I/O；1.2V/1.05V内部一、DaVinci DM6437 概述TMS320C64x DSP内核：TMS320DM6437是专门为高性能、低成本视频应用开发的、32位定点DSP达芬奇(DaVinci(TM)) 技术的处理器。
该器件采用TI第2代超长指令字（VLIW）结构(VelociTI.2)的TMS320C64x+ DSP内核，主频可达700MHz，支持8个8位或4个16位并行MAC （multiply-accumulates）运算，峰值处理能力高达5600MIPS。
> C64x片内有2个数据通道、8个功能单元和2个通用寄存器文件（A和B）。
8个功能单元（2个乘法器和6个算术逻辑单元）用于提高影像和图像应用的性能。
每个通用寄存器文件包含32个32-bit寄存器。
这些通用寄存器可以用做数据指针或者数据地址指针。
外存储器
基于DRAM的固态硬盘：采用DRAM作为存储介质，它仿效传统 硬盘的设计，它是一种高性能的存储器，而且使用寿命很长， 美中不足的是需要独立电源来保护数据安全。DRAM固态硬盘属 于比较非主流的设备，主要用于服务器中。
第五章 外存储器
5.1.5 固态硬盘（SSD）
优点： 读写速度快：采用闪存作为存储介质，读取速度相对机械硬 盘更快。固态硬盘不用磁头，寻道时间几乎为0。固态硬盘的快 绝不仅仅体现在持续读写上，随机读写速度快才是固态硬盘的 终极特色，这最直接体现在绝大部分的日常操作中。最常见的 7200转机械硬盘的寻道时间一般为12-14毫秒，而SSD可达到0.1 毫秒甚至更低。
第五章 外存储器
5.2.4
1．保持光驱、光盘清洁；
2．定期清洁保养激光头； 3．保持光驱水平放置；
光驱的维护
4．养成关机前及时取盘的习惯； 5．减少光驱的工作时间； 6．少用盗版光盘，多用正版光盘； 7．正确开关盘盒； 8．利用程序进行开关盘盒；
9．谨慎小心维修；
10．尽量少放影碟；
第五章 外存储器
固态硬盘的存储介质分为两种，一种是采用闪存 （FLASH芯片）作为存储介质，另外一种是采用DRAM 作为存储介质。
第五章 外存储器
5.1.5 固态硬盘（SSD）
基于闪存类 基于闪存的固态硬盘：采用FLASH芯片作为存储介质，这也是 通常所说的SSD。它的外观可以被制作成多种模样，例如：笔记 本硬盘、微硬盘、存储卡、U盘等样式。这种SSD固态硬盘最大 的优点就是可以移动，而且数据保护不受电源控制，能适应于 各种环境，但是使用年限不高，适合于个人用户使用。 基于DRAM类
第五章 外存储器
5.4.2 软盘驱动器
1976年世界上第一台5.25英寸软盘驱动器由Shugart Assaciates公司为IBM的大型机研发成功，1980年索尼公司推出 了3.5英寸软驱，1.44MB、125KB/s传输速度、300rpm转速、 容易损坏。
微机原理与接口技术：8088CPU的存储器组织
1.8088CPU的存储器组织
8088有20根地址线，可寻址的最大内存空间为220=1MB，地址范围为00000H~FFFFFH。
每个存储单元对应一个20位的地址，这个地址称为存储单元的物理地址。
每个存储单元都有唯一的一个物理地址。
8088将可直接寻址的1MB的内存空间划分成一些连续的区域，称为段。
每段的长度最大为64KB，并要求段的起始地址必须能被16整除，形式如XXXX0H。
8088将XXXXH称为段基址，存储在段寄存器CS、DS、SS、ES中。
段基址决定了该段在1MB内存空间中的位置。
段内各存储单元地址相对于该段起始单元地址的位移量称为段内偏移量。
段内偏移量从0开始，取值范围0000H~FFFFH。
分段管理要求每个段都由连续的存储单元构成，并且能够独立寻址，而且段和段之间允许重叠。
根据8088CPU分段的原则，1MB的存储空间中有216=64K个地址符合要求，这使得理论上程序可以位于存储空间的任何位置。
程序中使用的存储器地址是由段基址和段内偏移地址组成，这种在程序中使用的地址称为逻辑地址。
逻辑地址通常写成XXXXH:YYYYH的形式，其中XXXXH为段基址，YYYYH为段内偏移地址。
段基址和偏移地址与物理地址之间的关系如下：
物理地址＝段基址×10H＋段内偏移
段基址乘以10H相当于把16位的段基址左移4位，然后再与段内偏移地址相加就得到物理地址。
例如，逻辑地址A562H:9236H对应的物理地址是AE856H。
A562H×10H=A5620H
A5620H+9236H=AE856H。
第2章 TMS320C55X系列DSP
14
(3) 外设和片上存储器阵列的自动低功率机制。C55X的核 处理器会自动地管理片上外设和存储器阵列的功耗。这种资源 的管理完全是自动的，对用户透明。而且，这种功耗的降低， 并不影响处理器的性能。当某个片上的存储器阵列没有被使用 时，它们就自动地切换到低功率模式。当一个访问的要求到达 时，该阵列就恢复到正常的工作状态，完成存储器的访问，无 须应用程序的干预。如果没有进一步的访问，该阵列又回到低 功率状态。该处理器对片上外设也提供类似的控制。当外设没 有激活，以及CPU不需要其关注时，就进入低功率状态。外设 响应处理器的要求，退出低功率状态，也不需要程序的干预。 这种功率管理也可以在软件的外设IDLE(闲置)域控制下进行。
13
(2) 将存储器的访问减到最少。存储器的访问，无论是片 内的还是片外的，都是功率消耗的主要部分。将存储器的访问 减到最少，无疑是降低每个任务功耗所必需的。在C55X里， 指令的提取是32 bit(C54X里是16 bit)。此外，可变长度指令集 意味着，每个32 bit指令的提取可以提出一个以上的长度可变 的指令，按照所需要的信息来决定指令的长度，从而改善代码 的密度。这种指令集的设计和处理器结构的结合，就可以保证 在达到最高性能的同时，使功耗降到最小。
C55X继承了C54X的发展趋势，低功耗、低成本，在有限 的功率条件下，保持最好的性能。其工作在0.9 V下，待机功 耗低至0.12 mW，性能高达600 MIPS，并且具有业界目前最低 的待机功耗，极大地延长了电池的寿命，对数字通信等便携式 应用所提出的挑战，提供了有效的解决方案。其软件也与所有 C5000 DSP兼容。与120 MHz的C54X相比，300 MHz的C55X性 能大约提高了5倍，而功耗则降为C54X的1/6。
存储器的分类和主要性能指标微机原理详解
例如：
用4K×4位的SRAM芯片构成4K×8位的存储器。
西南大学电子信息工程学院
21 目前二十一页\总数七十一页\编于二十二点
⑵字扩展 当单片存储器的字长满足要求，而存储单元的
个数不能够时，就需要进行字扩展。
字扩展方法：
将每个芯片的地址线、数据线和读/写控制线等 按信号名称并连在一起，只将选片端分别引到地址
内存储器使用。
西南大学电子信息工程学院
3 目前三页\总数七十一页\编于二十二点
半导体存储器的分类：
按工作方式分
按制造工艺分
双极型RAM
随机存取存储器
（RAM）
金属氧化物型
（MOS）RAM
按存储机理分 静态读写存储器(SRAM) 动态读写存储器（DRAM）
只读存储器 （R0M）
ROM
PROM EPROM E2PROM
1K位/片， 如：Intel 2115A (1K×1);
16K位/片，如：MCM2167H35L(16K×1); 64K位/片，如： MCM62L67-35L(64K×1); 256K位/片，如： MCM6205NJ17(32K×8);
西南大学电子信息工程学院
8
目前八页\总数七十一页\编于二十二点
§ 6 . 2 半导体存储器件
所以该6264芯片的地址范围为3E000H～3FFFFH
西南大学电子信息工程学院
19 目前十九页\总数七十一页\编于二十二点
§6.3 SRAM、ROM与CPU的连接方法
⒈要解决的技术问题
⑴ SRAM、ROM的速度要满足CPU的读/写要求； ⑵ SRAM、ROM的字数和字长要与系统要求一致；
微机原理和接口技术-5-2 存储系统
20
Zuo 华中科技大学计算机学院
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
例3 （1）解：如果ROM和RAM存储器芯片都采用 8K×1的芯片，试画出存储器与CPU的连接图。
MREQ# A15-0 R/W#
CPU
D7~D0
OE#
例2解
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
MREQ# A20-0 R/W#
CPU
D7~D0
OE#
A20-18
000
3-8译码器
001
010
A17-0
WE A CS
256K ×8
D
WE A CS
256K ×8
D
WE A CS
256K ×8
D
D7~D0
D7~D0
D7~D0
…
111
WE A CS
如果采用的字节编址方式，则需要20条地址线，因为220=1024K byte。
注：字编址方式时，每个32位字地址能够访问4个字节； 如果按照字节编址方式，则每个地址只对应一个字节， 因此所需的地址数是前者的4倍， 218* 4=220 ，即需要20条地址线）
13
Zuo 华中科技大学计算机学院
微机原理与接口技术---Chapter5 存储器
解：256K*8位SRAM芯片包含18根地址线 (1) 该存储器需要2048K/256K = 8片SRAM芯片； (2) 需要21条地址线， 因为221=2048K， 其中高3位经过译码器输出后用于芯片选择， 低18位作为每个存储器芯片的地址输入。 (3) 该存储器与CPU连接的结构图如下。
5、F28335存储器以及地址分配分析
BROM 向量表-ROM（32 X 32）
片外扩展存储器 保留
外部区域0扩展 4K X16 CS0
保留
外部区域6扩展 1M X16 CS6 外部区域7扩展 1M X16 CS7
保留
0x00 4000 0x00 5000
F28335对数据空间和程序空间进行了统 一编址，图5.1的映射表就像是各个空间的地 图一样，有些空间既可以作为数据空间也可 以作为程序空间，有些空间只能作为数据空 间，有些空间是受到密码模块保护，有些空 间地址是作为保留的，具体内容就要仔细对 照这个地图来进行查阅了。
如果密码保护区中的128位数都是同一个数，这个器件不受保护，全是同一个数有两种可能， 一种全为0，另一种全为1，一个新的FLASH或FLASH被擦除后，就变为全1了，这样只要读一下密码区， 就能破解了，还一种情况，就是全为0，这时候器件是被加密了，但是不管密钥寄存器的内容是什么， 器件都处在加密状态，即该器件无法解锁了，这时候芯片就被完全锁住了。因此不要用全0作为密码。 如果在擦除FLASH的期间，芯片复位了，那这个芯片的密码就不确定了，也不能解锁。
保留
FLASH(256K X16)
128位 密码
保留
TI OTP(1k X 16) 用户 OTP(1k X 16)
保留 L0 SARAM(4k X 16) L1 SARAM(4k X 16) L2 SARAM(4k X 16) L3 SARAM(4k X 16)
保留 Boot ROM(8k x 16)
0x30 0000 0x33 FFF8 0x34 0000 0x38 0000 0x38 0400 0x38 0800 0x3F 8000 0x3F 9000 0x3F A000 0x3F B000 0x3F C000 0x3F E000 0x3F FFFC
MCU控制存储器的USB接口技术
USB I nterface T echnology for Memory Controlled By MCUWANG Gang1 LI Weihua1 LI Bing21.Southeast Univer sity Electronics Department,Nanjing210018,P.R.China;2.Southeast Univer sity Electronics Department,Wuxi Branch o f Southeast Univer sity,Nanjing210096,P.R.China.Abstract: There exists a contradiction between trans fer speed and system res ources possessed by interface when using traditional serial interface(RS232、RS485)or parallel interface as the interface between mem ory and PC controlled by MC U.The system always trans fers data via MC U and occupies lots of CPU’s time.The trans fer is very inefficient.Uni2 versal Serial Bus(US B)provides a new method for data trans fer that is different from traditional MC U ing US B and DM A m ode,the data trans fer is m ore effective,economic,faster and convenient than traditional method.In this pa2 per,we have a statement about the method that uses US B and DM A m ode for fully autonom ous data trans fer between mem ory and PC.K ey w ords: US B;DM A;Data;trans ferEEACC: 1265MCU控制存储器的US B接口技术王 刚1 李伟华1 李 冰21.东南大学电子工程系,南京 210018;2.东南大学电子工程系,东南大学无锡分校,南京 210096摘要:采用传统串口(RS232、RS485)或者并口作为MC U控制的存储器的接口,存在传输速度与占用系统资源之间的矛盾。
Flash存储器及其在MCS_51系统中的应用
Flash 存储器及其在MCS-51系统中的应用收稿日期:2004-10-11作者简介:刘文洲(1967,2-),男(汉),吉林,高级工程师主要研究微型计算机控制技术及风力发电。
刘文洲1,王贤勇2,任纪川2,孟祥萍3(11长春工程学院爱华公司;21东北电力学院,吉林132012;31电气工程系,长春130012)摘 要:介绍了Flash 存储器的特性和应用场合,在16位地址总线中扩展大容量存储的一般方法。
讨论了MCS-51系列单片机与Flash 存储器的硬件接口方式和软件编程过程,以及在应用中应该注意的问题,并以W29C040为例,给出了实际原理图和有关实现。
关键词:Flash 存储器;单片机;MCS-51;系统扩展中图分类号:TP36811文献标识码:A 文章编号:100928984(2005)01200552041 Flash 存储器的特性和应用场合Flash 存储器是在EPROM 和EEPROM 的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失性存储元件。
1983年Intel 公司提出EPROM 隧道氧化层E 2TOX (EPROMTunnelOxide )原理,1988年推出了可快速擦写的非易失性存储器FlashMemory,随后Toshi 2ba 公司又推出基于FowlerNordheim 的冷电子擦除原理和EEPROM 的NAND 体系结构的FlashMemory 。
根据采用的工艺不同,FlashMemory 至少有以下5种常用的体系结构:最初的2种占主流的是Intel的“或非”(NOR )型和Toshiba 的“与非”(NAND )型,后来Hitachi 和Mitsubishi 在NOR 型的基础上吸收NAND 型的优点分别开发出“与”(AND )型和采用划分位线技术的DiNOR (Dividedbit-lineNOR )型,另外美国Sundisk 则采用一种独特的Triple-Poly 结构来提高存储器的密度。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
存储器及其接口
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
存储器的种类、特性和结构
一、 分类
按元件组成：半导体M，磁性材料存储器（磁芯），
激光存储器
按工作性质：内存储器：速度快，容量小（64K〜8Gbyte）
外存储器：速度慢，容量大（20MB〜640GB）
二、半导体存储分类
RAM
SRAM 静态
DRAM 动态
IRAM 集成动态
ROM
掩膜ROM
PROM 可编程
EPROM 可改写
E PROM 可电擦除
三、内存储器性能指标
1. 容量 M可容纳的二进制信息量，总位数。
总位数=字数×字长 bit，byte，word
2. 存取速度
内存储器从接受地址码，寻找内存单元开始，到它
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
取出或存入数据为止所需的时间，T
A。
TA 越小，计算机内存工作速度愈高，半导体M存储
时间为 几十ns〜几百ns ns=mus
3.功耗
维持功耗 操作功耗
CMOS NMOS TTL ECL
（低功耗.集成度高） （高速.昂贵.功耗高）
4、可靠性
平均故障间隔时间
MTBF（Mean Time Between Failures）
越长，可靠性越高.跟抗电磁场和温度变化的能力有关.
5、集成度
位/片 1K位/片〜1M位/片
在一块芯片上能集成多少个基本存储电路
（即一个二进制位）
四、存储器的基本结构
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
随机存储器 RAM 或读写存储器
一、基本组成结构
存储矩阵
寄存二进制信息的基本存储单元的集合体，为便于读写，基本 存储单元都排
列成一定的阵列，且进行编址。
N×1—位结构：常用于较大容量的SRAM，DRAM
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
N×4
N×8 —字结构 常用于较小容量的静态SRAM
2、地址译码器
它接收来自CPU的地址信号，产生地址译码信号。选中
存储矩阵中某一个或几个基本存储单元进行读/写操作
两种编址方式：
单译码编址方式. 双译码编址方式
（字结构M） （复合译码）
存储容量
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10
精品好文档，推荐学习交流
仅供学习与交流，如有侵权请联系网站删除 谢谢
10