湘潭大学计算机原理实验二ROM存储器和RAM存储器实验报告
内存实验报告

一、实验目的1. 了解内存的基本概念和组成结构。
2. 掌握内存的读写操作过程。
3. 熟悉内存寻址方式及其应用。
4. 分析内存性能对系统运行的影响。
二、实验原理1. 内存基本概念:内存是计算机中用于存储数据和指令的设备,它是计算机系统中的核心组成部分。
内存按照存储单元的存储容量和速度分为多种类型,如RAM、ROM、ROM、Cache等。
2. 内存组成结构:内存主要由存储单元、地址译码器、数据总线、控制电路等组成。
存储单元是内存的基本存储单元,每个存储单元都有一个唯一的地址,通过地址译码器将地址转换为存储单元的物理位置。
数据总线用于传输数据,控制电路负责协调读写操作。
3. 内存读写操作过程:内存的读写操作主要包括以下步骤:(1)将需要访问的存储单元地址送入地址寄存器;(2)根据地址寄存器中的地址,通过地址译码器找到对应的存储单元;(3)控制电路根据读写信号,将数据从存储单元读入数据寄存器或从数据寄存器写入存储单元。
4. 内存寻址方式:内存寻址方式主要有以下几种:(1)直接寻址:直接将操作数地址送入指令地址寄存器;(2)间接寻址:将操作数地址存储在内存单元中,通过指令访问该内存单元获取操作数地址;(3)基址寻址:以基址寄存器中的值作为操作数地址的基准;(4)变址寻址:以变址寄存器中的值加上指令中的偏移量作为操作数地址。
三、实验内容1. 内存读写操作实验:通过编程实现内存的读写操作,包括读取内存单元数据、写入内存单元数据等。
2. 内存寻址方式实验:分别使用直接寻址、间接寻址、基址寻址、变址寻址等寻址方式实现数据访问。
3. 内存性能分析实验:分析不同内存类型、容量、速度对系统运行的影响。
四、实验步骤1. 内存读写操作实验:(1)编写程序,实现将数据从内存单元读取到寄存器;(2)编写程序,实现将数据从寄存器写入内存单元。
2. 内存寻址方式实验:(1)使用直接寻址方式,实现数据访问;(2)使用间接寻址方式,实现数据访问;(3)使用基址寻址方式,实现数据访问;(4)使用变址寻址方式,实现数据访问。
湘潭大学 计算机组成与原理 多周期CPU与存储器实验 实验报告

湘 潭 大 学 实 验 报 告 课程名称 计算机原理与设计 实验名称 多周期CPU与存储器实验 页数 专业 班级 姓名 同组者姓名 无 实验日期 组别 学号
output [31:0] a,b,alu,adr,tom,fromm,pc,ir;
output [2:0] wire
q; wmem;
mccpu mc_cpu (clock,resetn,fromm,pc,ir,a,b,alu,wmem,adr,tom,q); mcmem memory (clock,fromm,tom,adr,wmem,mem_clk,mem_clk); endmodule module mccpu (clock,resetn,frommem,pc,inst,alua,alub,alu,wmem,madr,tomem,state); input input output output output wire wire wire z,wpc,wir,wmem,wreg,iord,regrt,m2reg,shift,selpc,jal,sext; wire [31:0] [3:0] [4:0] [31:0] frommem; clock,resetn; [31:0] pc,inst,alua,alub,alu,madr,tomem; [2:0] state; wmem; aluc; reg_dest;
parameter [2:0]
// EXE state // MEM state
计算机网络体系结构实验报告-存储器实验

存储器实验报告一、实验箱实验部分1.实验目的:(1)理解随机静态存储的原理(2)熟悉实验箱的静态存储操作以及电路的搭建方式2.实验设备:TD-CMA实验箱3.实验过程(1)按照电路图连接好电路(2)进行实验操作:预备操作①时序与操作台单元的KK1、KK3置“运行”档,KK2置为“单步”档;②将CON单元的IOR开关置1(IN单元无输出,避免总线竞争),然后再打开电源开关,如果听到有长鸣的“嘀”声,说明总线竞争,需要立即关闭电源,检查连线;③按动CON单元CLR按钮,将运算器当前数据(例如:寄存器A、B及FC、FZ)清零;设置存储地址①关闭存储器读写数据信号:WR、RD;②设置数据送到存储器地址线:IOR置0;③IN单元D7…D0形成一个8位二进制数地址,设置地址输入控制信号LDAR,将选取一个指定的地址单元,按动ST产生T3脉冲,指定地址被放入地址寄存器(AR)中;向(从)指定的地址单元存(取)数据①存即写数据:IN单元D7…D0形成一个数据,设置数据写入控制信号IOR=1、WR=1、RD=0,按动ST产生T3脉冲,数据存入指定的存储单元中;②取即读数据:设置数据写入控制信号IOR=1、WR=0、RD=1,数据总线上的数据即为从指定的存储单元中取出的数据。
4.结果描述:(1)将8位数据存入指定的地址后,将WR置零,RD置1,可以看到数据显示。
(2)地址和数据的区别:地址和数据都为二进制数据,地址是了数据放置的位置,根据选择不同的地址可以看到存储在不同地址的不同数据。
(3)读写逻辑的转换过程:先选取地址,设定数据存入该地址,再选取地址读取数据、(4)位扩展和字扩展原理图如下:二、存储器仿真实验部分1.实验目的:(1) 理解存储器的功能。
(2) 掌握运用Proteus 软件设计ROM 和RAM 的方法。
(3) 基于Proteus 仿真工具掌握存储器与总线的连接及存储器地址空间映射的原理。
(4) 通过8 位字长的存储器电路,实现对ROM 和RAM 存储器的数据读写操作。
实验二 RAM扩展实验

实验二RAM扩展实验(请在实验课前写好预习报告,预习报告日期必在做实验课之前,预习报告中应该出现跟实验1内容相关的原理,电路图(可简画),流程图(或是程序,有程序就必带注释))实验仪器:pc机,8086k微机原理实验箱实验目的:1.掌握存储器芯片的特性及与CPU的连接方法。
2.掌握访问连续存储空间的方法。
实验内容:(1必须在实验课前通过仿真实验完成,电路为EX2_1.DSN,程序为EX2_1.ASM)1.利用62256(32K×8bit)的静态SRAM芯片进行扩展,要求扩展的存储器容量为64KB,且要求和8086CPU相连接。
扩展后,利用此扩展的存储体进行读写访问,将内存0000H:4000H 地址开始的位置至0000H:4063H位置处依次写上0-99。
实验连线:提示:应该有哪三类线?实验流程图参考实验程序:assume cs:codecode segmentstart:mov ax,0000h ;设置DS的段地址值为0mov ds,axmov bx,4000H ;利用BX存放存储单元的偏移地址,从200H开始mov al,0 ;AL中为要写到存储单元中的数据。
初始值为1mov ds:[bx],al ;将1写入内存0000H:4000H地址处mov cx,100 ;设置循环次数为100次l1:mov ds:[bx],al ;循环体目的将AL中的值填入存储器inc bx ;偏移地址指针下移一个字节inc al ;待填充到存储单元的数据也自增1loop l1 ;根据CX的次数执行上面的循环体int 3 ;断点中断,目的是为了观察内存结果,用实验箱做实验时,不用这步code endsend start提示:如果仿真过程中把内存窗口关掉,可以按图中所示选择调试菜单中:即可出现思考问题:1)通过EX2_1.DSN仿真运行结果观察两块62256芯片写入的内容各有什么特点?为什么会产生这样的结果?2)停止运行,观察EX2_1.DSN仿真图,U7:62256芯片的片选段CE由那两个信号进行或运算获得?这两个信号都为哪种电平时才能选中这块U7:62256芯片。
静态随机存储器实验报告

一、实验目的1. 理解静态随机存储器(RAM)的基本原理和组成结构。
2. 掌握静态随机存储器的读写操作方法。
3. 熟悉静态随机存储器在实际应用中的功能。
二、实验原理静态随机存储器(RAM)是一种易失性存储器,它可以在正常电源供电的情况下保持数据。
RAM具有读、写速度快,功耗低,体积小等优点,广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统等领域。
静态随机存储器主要由存储单元、地址译码器、读/写控制逻辑、数据输入/输出电路等部分组成。
存储单元是RAM的基本存储单元,通常由一个触发器组成,用于存储一个二进制位的数据。
地址译码器将地址信号转换为对应的存储单元地址,读/写控制逻辑根据控制信号完成数据的读写操作。
三、实验器材1. 静态随机存储器(RAM)芯片:6116(2Kx8bit)2. 逻辑分析仪3. 信号发生器4. 信号源5. 接线板6. 电路测试仪器四、实验内容1. 静态随机存储器芯片的引脚功能说明6116芯片的引脚功能如下:(1)A0-A10:地址线,用于选择存储单元;(2)D0-D7:数据线,用于数据的输入/输出;(3)CS:片选线,低电平有效;(4)OE:输出使能,低电平有效;(5)WE:写使能,低电平有效。
2. 静态随机存储器的读写操作(1)写操作:首先将地址信号输入到地址线A0-A10,然后将要写入的数据通过数据线D0-D7输入,将CS、OE、WE线置为低电平,即可完成写操作。
(2)读操作:首先将地址信号输入到地址线A0-A10,然后将CS、OE、WE线置为低电平,即可完成读操作。
3. 实验步骤(1)搭建实验电路:根据实验原理图,将6116芯片、逻辑分析仪、信号发生器等设备连接到实验板上。
(2)设置地址信号:通过信号发生器生成地址信号,并将其输入到6116芯片的地址线A0-A10。
(3)设置读写控制信号:将CS、OE、WE线置为低电平,表示进行读写操作。
(4)观察逻辑分析仪的波形:在逻辑分析仪上观察数据线的波形,分析读写操作的正确性。
存储器实验

一.实验设备和运行环境在教学计算机中,选用静态存储器芯片实现内存储器,包括唯读存储区(ROM,存放监控程序等)和随读写存储区(RAM)两部分,每个存储器芯片提供8位数据,用2个芯片组成16位长度的内存字。
6个芯片被分成3组,其地址空间分配关系是:0-1777h用于第一组ROM,固化监控程序;2000-2777h 用于RAM,保存用户程序和用户数据,其高端的一些单元作为监控程序的数据区;第二组ROM的地址范围可以由用户选择,主要用于完成扩展内存容量(存储器的字、位扩展)的教学实验。
内存储器和串行接口线路的组成如下图所示。
地址总线的低13位送到ROM芯片的地址线引脚(RAM芯片只用低11位),用于选择芯片内的一个存储字,地址总线的高3位通过译码器产生8个片选信号。
存储器16位的数据线连接到数据总线,并通过双向三态门电路74LS245与CPU 一侧的内部总线IB相连接。
这里用到3个译码器电路,其中一片74LS138译码器芯片接收地址总线最高3位地址信息,以产生内存芯片的8个片选信号,用于确定哪一个空间范围的内存区可以读写。
另外一片74LS138译码器芯片接收地址总线低位字节的最高4位地址信息(最高一位恒定为1),以产生接口芯片的8个片选信号用于选择哪一个接口电路可以读写。
一片74LS139双二-四译码器芯片接收控制器送来的3位控制信号MIO、REQ、WE,当这3位信号组合为000、001、010、011、1××时,译码器将产生写内存操作、读内存操作、写接口操作、读接口操作、内存和接口芯片都无读写操作的控制命令。
可以选用2片58C65 ROM(电可擦出的EPROM器件)芯片扩展8K字的存储空间,既可以通过专用的编程设备向芯片写入相应的数据,也可以通过写内存的指令向芯片的指定单元写入16位的数据,只是每一次的写操作需要占用几百个微秒的时间才能完成。
串行接口芯片的8位数据线引脚连接到数据总线DB的低位字节,它与CPU 之间每次交换8位信息,属于并行操作关系。
实验RAM的扩展实验报告
实验RAM的扩展实验报告实验RAM的扩展实验报告一、引言随着计算机技术的不断发展,人们对于计算机存储器的需求也越来越高。
为了满足这一需求,研究人员不断努力开发新的存储器技术。
在本次实验中,我们将探究实验RAM的扩展实验,以探索如何提高计算机的存储器性能。
二、实验目的本次实验的主要目的是通过扩展实验RAM来提高计算机的存储器性能。
我们将通过增加RAM的容量,以及优化数据访问方式来实现这一目标。
三、实验步骤1. 扩展RAM容量:我们首先将原有的RAM容量扩大两倍,以增加计算机的存储空间。
通过增加RAM的容量,可以提高计算机处理大量数据的能力。
2. 优化数据访问方式:我们将尝试使用不同的数据访问方式,以提高计算机的存储器性能。
例如,我们可以使用缓存技术来减少数据访问的延迟时间。
此外,我们还可以尝试使用预取技术,提前将可能需要的数据加载到RAM中,以减少数据访问的等待时间。
3. 实验数据收集:在实验过程中,我们将记录不同数据访问方式下的存储器性能指标,如访问延迟时间、数据吞吐量等。
通过对比不同数据访问方式下的性能指标,我们可以评估扩展RAM对计算机性能的影响。
四、实验结果与分析根据我们的实验数据,我们发现扩展RAM的容量可以显著提高计算机的存储器性能。
当RAM容量增加时,计算机可以存储更多的数据,从而减少了数据的交换和加载时间,提高了计算机的运行速度。
此外,通过优化数据访问方式,我们也取得了一定的性能提升。
使用缓存技术可以减少数据访问的延迟时间,提高数据的读取速度。
使用预取技术可以提前将可能需要的数据加载到RAM中,减少了数据访问的等待时间。
这些优化措施都对计算机的存储器性能产生了积极的影响。
然而,我们也发现在实验过程中存在一些挑战。
扩展RAM的容量需要更高的成本投入,而且对于某些应用场景来说,并不一定能够带来明显的性能提升。
此外,优化数据访问方式也需要考虑到不同的应用需求,选择合适的优化策略。
五、结论通过本次实验,我们深入探究了实验RAM的扩展实验。
实验3 存储器 实验报告
实验3 存储器实验报告一、实验目的本次实验的主要目的是深入了解存储器的工作原理和性能特点,通过实际操作和观察,掌握存储器的读写操作、存储容量计算以及不同类型存储器的区别和应用。
二、实验设备1、计算机一台2、存储器实验装置一套3、相关测试软件三、实验原理存储器是计算机系统中用于存储数据和程序的重要部件。
按照存储介质和工作方式的不同,存储器可以分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)。
RAM 可以随机地进行读写操作,但断电后数据会丢失。
ROM 在正常工作时只能读取数据,且断电后数据不会丢失。
存储器的存储容量通常以字节(Byte)为单位,常见的存储容量有1GB、2GB、4GB 等。
存储容量的计算方法是:存储容量=存储单元个数 ×每个存储单元的位数。
四、实验内容与步骤1、熟悉实验设备首先,仔细观察存储器实验装置的结构和接口,了解各个部分的功能和作用。
2、连接实验设备将计算机与存储器实验装置通过数据线正确连接,并确保连接稳定。
3、启动测试软件打开相关的测试软件,进行初始化设置,选择合适的实验模式和参数。
4、进行存储器读写操作(1)随机写入数据:在测试软件中指定存储单元地址,输入要写入的数据,并确认写入操作。
(2)随机读取数据:指定已写入数据的存储单元地址,进行读取操作,将读取到的数据与之前写入的数据进行对比,验证读写的准确性。
5、计算存储容量通过读取存储器的相关参数和标识,结合存储单元的个数和每个存储单元的位数,计算出存储器的实际存储容量。
6、比较不同类型存储器的性能(1)分别对 RAM 和 ROM 进行读写操作,记录操作的时间和速度。
(2)观察在断电和重新上电后,RAM 和ROM 中数据的变化情况。
五、实验结果与分析1、读写操作结果经过多次的读写操作验证,存储器的读写功能正常,读取到的数据与写入的数据一致,表明存储器的读写操作准确无误。
2、存储容量计算结果根据实验中获取的存储器参数,计算得出的存储容量与标称容量相符,验证了存储容量计算方法的正确性。
实验3 存储器 实验报告
实验3 存储器实验报告一、实验目的:1、了解RAM、ROM存储器的基本原理和工作特点;3、锻炼学生实验动手操作能力;4、培养学生动手实践能力和综合实践能力。
二、实验器材:1、实验箱一台2、万用表一只3、示波器一台4、电源一台5、电缆若干。
三、实验步骤:1、RAM存储器的读写实验(1) 在实验箱面板上取下RAM存储器的锁孔垫片。
(2) 把读输出线、写输出线、地址线和读写控制信号线依次通过实验箱面板相应的接口引出。
(3) 接通电源,调整数据总线和地址总线的电位为0。
(4) 将读写控制信号线设置为0,地址信号线设置为读取需要存储的地址,读输出线高电平表示RAM存储器中对应地址的数据。
(3) 输入ROM存储器的地址信号线。
(5) 将读输出线接入示波器,观察输出波形,并记录读取数据的值。
四、实验原理在RAM存储器中,每个存储单元都有独立的地址(A)和数据(D)输入输出端,以及读/写控制端(R/W)。
地址(A)对应每个存储单元的物理位置,是用来选中存储单元的。
地址线上的二进制状态就表示选中哪个存储单元。
数据线输入/输出的数据信号(D)就是存储在RAM单元中的数据。
读/写控制信号(R/W)控制读/写操作进行的时刻。
当R/W为高(写状态)时,数据D将被装入被选择的RAM单元;当R/W为低(读状态)时,被选RAM单元中的数据将被送到数据输出线上。
RAM存储器仅有一组共用地址线和数据线,但相邻地址所在RAM单元不仅具有物理上的相邻,相邻单元的地址与其中一个单元的地址只有最后一位不同,故相邻单元的装入和取出数据时间相等。
ROM存储器是一种只读存储器。
在ROM芯片中,存储的数据是在生产过程中被制成常数并固定在芯片中的。
一般情况下,ROM内单元的存储内容不能被修改。
ROM存储器主要的工作就是读取存储在ROM内的信息内容。
ROM存储器的读取输入信息只有地址信号,它的电信号SON每个ROM单元接受地址信号时(即选中时),ROM单元需要将存储在其中的信息送到ROM芯片上的输出线上。
存储器读写实验报告
存储器读写实验报告一、实验目的本次实验的主要目的是深入了解存储器的读写原理和操作过程,通过实际操作掌握存储器的读写方法,以及观察和分析存储器读写过程中的数据变化和相关特性。
二、实验原理存储器是计算机系统中用于存储数据和程序的重要组件。
在本次实验中,我们所涉及的存储器类型为随机存取存储器(RAM)。
RAM 具有可读可写的特性,其存储单元的地址和存储的数据之间存在着一一对应的关系。
当进行写操作时,将数据通过数据总线发送到指定的存储单元地址,并通过控制信号将数据写入该地址的存储单元中。
而在进行读操作时,根据给定的地址,通过控制信号从相应的存储单元中读取数据,并将其通过数据总线传输到外部设备。
三、实验设备与环境1、实验设备计算机一台存储器读写实验箱一套2、实验环境操作系统:Windows 10相关实验软件四、实验步骤1、连接实验设备将存储器读写实验箱与计算机正确连接,确保电源接通,各接口连接稳定。
2、打开实验软件在计算机上启动专门用于存储器读写实验的软件,进入实验操作界面。
3、设置存储器地址在软件界面中输入要进行读写操作的存储器地址。
4、进行写操作输入要写入的数据。
点击“写”按钮,将数据写入指定的存储器地址。
5、进行读操作输入之前写入数据的存储器地址。
点击“读”按钮,从该地址读取数据,并在软件界面中显示读取到的数据。
6、重复上述步骤,对不同的存储器地址进行读写操作,观察和记录数据的变化。
五、实验结果与分析1、实验结果记录在实验过程中,详细记录每次读写操作的存储器地址、写入的数据和读取到的数据。
|存储器地址|写入数据|读取数据||||||0x0000|0x55|0x55||0x0001|0xAA|0xAA||0x0002|0x12|0x12|||||2、结果分析通过对实验结果的分析,我们可以得出以下结论:(1)写入的数据能够准确无误地被存储在指定的存储器地址中,并且在进行读操作时能够正确地读取出来,这表明存储器的读写功能正常。
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1 / 8 计算机原理与设计 实验报告
实验二存储器实验
某: XXX 学号: 2013551728 班级: 13级软件工程2班 实验日期: 2014年 10 月29 日 2 / 8
实验地点 信息楼605
硬件环境 Intel(R) Core™ i3-3240 ,1.91GB
系统环境 Windows XP SP3
设计软件 Quartus II 13.0
器件型号 EP1C12QC240C8
1.FPGA中ROM定制与读出实验 一.实验目的 1、掌握FPGA中ROM的设置,作为只读存储器ROM的工作特性和配置方法。 2、用文本编辑器编辑mif文件配置ROM,学习将程序代码以mif格式文件加载于ROM中; 3、在初始化存储器编辑窗口编辑mif文件配置ROM; 4、验证FPGA中ROM的功能。
二.实验原理 ALTERA的FPGA中有许多可调用的模块库,可构成如rom、ram、fifo等存储器结构。CPU中的重要部件,如RAM、ROM可直接调用他们构成,因此在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB可以构成各种结构的存储器,ROM是其中的一种。ROM有5组信号:地址信号address[ ]、数据信号q[ ]、时钟信号inclock、outclock、允许信号memenable,其参数都是可以设定的。由于ROM是只读存储器,所以它的数据口是单向的输出端口,ROM中的数据是在对FPGA现场配置时,通过配置文件一起写入存储单元的。图2-1-1中的ROM有3组信号:inclk——输入时钟脉冲;instruction[31..0]——lpm_ROM的32位数据输出端;a[4..0]——lpm_ROM的5位读出地址。 实验中主要应掌握以下三方面的内容: (1)ROM的参数设置; (2)ROM中数据的写入,即FILE初始化文件的编写; (3)ROM的实际应用,在GW48_CP+实验台上的调试方法。
三.实验步骤 (1)新建工程。工程名是scinstmem.qpf。 (2)用初始化存储器编辑窗口编辑ROM配置文件(文件名.mif)。这里预先给出后面将要用到的指令存储器初始化文件:scinstmem.mif 。如下图,scinstmem.mif中的数据是机器指令代码。 3 / 8
scinstmem.mif中的数据 (3)模块设计。用图形编辑,使用工具Mega Wizard Plug-In Manager,定制指令存储器rom宏功能块。设置地址总线宽度address[]和数据总线宽度q[],分别为5位和32位,并添加输入输出引脚,如图设置和连接。
ROM的结构图 在设置rom数据参数选择项file的对应窗口中(下图),用键盘输入ROM配置文件的路径(scinstmem.mif),然后设置在系统ROM/RAM读写允许,以便能对FPGA中的ROM在系统读写。
设置在系统ROM/RAM读写允许 (4)全程编译。 (5)画波形文件并进行功能仿真。 4 / 8
波形如上图。 (6)引脚锁定。 引脚分配如下表: Node Name Location clk PIN_240 a[4] PIN_6 a[3] PIN_4 a[2] PIN_3 a[1] PIN_2 a[0] PIN_1 instruction[31] PIN_168 instruction[30] PIN_167 instruction[29] PIN_166 instruction[28] PIN_165 instruction[27] PIN_164 instruction[26] PIN_163 instruction[25] PIN_162 instruction[24] PIN_161 instruction[23] PIN_160 instruction[22] PIN_159 instruction[21] PIN_158 instruction[20] PIN_141 instruction[19] PIN_140 instruction[18] PIN_139 instruction[17] PIN_138 instruction[16] PIN_137 instruction[15] PIN_136 instruction[14] PIN_135 instruction[13] PIN_134 instruction[12] PIN_133 instruction[11] PIN_132 instruction[10] PIN_128 instruction[9] PIN_41 instruction[8] PIN_21 instruction[7] PIN_20 instruction[6] PIN_19 instruction[5] PIN_18 5 / 8
instruction[4] PIN_17 instruction[3] PIN_16 instruction[2] PIN_15 instruction[1] PIN_14 instruction[0] PIN_13 (7)全程编译。 (8)编程下载。下载SOF文件至FPGA,改变ROM的地址a[4..0],外加读脉冲,通过实验台上的数码管比较读出的数据是否与初始化数据(scinstmem.mif中的数据)一致。 注,工程名是scinstmem.qpf,下载scinstmem.sof示例文件至实验台上的FPGA,选择实验电路模式仍为NO.0,32位数据输出由数码8至数码1显示,5位地址由键2、键1输入,键1负责低4位,地址锁存时钟CLK由键8控制,每一次上升沿,将地址锁入,数码管8/7/6/5/4/3/2/1将显示ROM中输出的数据。发光管8至1显示输入的5位地址值。 (9)在系统读写。打开QuartusII的在系统存储模块读写工具In-system Momery_Content Editor,了解FPGA中ROM中的数据,并对其进行在系统写操作(下图)。
在系统存储模块读写 (10)实验数据记录 实验数据如下表: a 2 4 5 7 17 instruction 20050004 AC82000 8C890000 20050003 8000017
2.FPGA中RAM读写实验 一.实验目的 1、了解FPGA中RAM模块ram的功能 2、掌握ram的参数设置和使用方法 3、掌握ram作为随机存储器RAM的工作特性和读写方法。
二.实验原理 在FPGA中利用嵌入式阵列块EAB可以构成存储器,ram的结构如下图。从DATAIN[7..0] 6 / 8
输入的低8位数据由ext8to32.v进行零扩展为32位输入数据后,送入ram的左边data[31..0]输入,从右边out[31..0]输出,wren——为读/写控制信号端。数据的写入:当输入数据和地址准备好以后,clk是地址锁存时钟,当信号上升沿到来时,地址被锁存,数据写入存储单元。 数据的读出:从address[4..0]输入存储单元地址,在clk信号上升沿到来时,该单元数据从out[31..0]输出。 wren——读/写控制端,低电平时进行读操作,高电平时进行写操作; clk——读/写时钟脉冲;DATAIN[7..0] ——低8位数据输入端; data[31..0]——RAM的32位数据输入端;address[4..0]——RAM的读出和写入地址; out[31..0]——RAM的32位数据输出端。
lpm_ram_dp实验电路图 三.实验步骤 (1)RAM定制与ROM基本相同,实验步骤也类似。按图输入电路图,同样使用工具Mega Wizard Plug-In Manager。设置地址总线宽度address[]和数据总线宽度q[],分别为5位和32位,并进行编译、仿真、引脚锁定、FPGA配置。 (2)注意,RAM也能加入初始化文件scdatamem.mif (数据存储器的初始化文件),注意此文件加入的路径表达和文件表达(下图): scdatamem.mif ,(后缀mif要小写);同时择在系统读写RAM功能,RAM的ID名取为:ram2。
RAM加入初始化文件和选择在系统读写RAM功能 (3)波形仿真 7 / 8
波形仿真结果如下: (4)引脚分配 引脚分配图下表: Node Name Location address[4] PIN_6 address[3] PIN_4 address[2] PIN_3 address[1] PIN_2 address[0] PIN_1 clk PIN_169 DATAIN[7] PIN_240 DATAIN[6] PIN_239 DATAIN[5] PIN_238 DATAIN[4] PIN_237 DATAIN[3] PIN_236 DATAIN[2] PIN_235 DATAIN[1] PIN_234 DATAIN[0] PIN_233 out[15] PIN_136 out[14] PIN_135 out[13] PIN_134 out[12] PIN_133 out[11] PIN_132 out[10] PIN_128 out[9] PIN_41 out[8] PIN_21 out[7] PIN_20 out[6] PIN_19 out[5] PIN_18 out[4] PIN_17 out[3] PIN_16 out[2] PIN_15 out[1] PIN_14 out[0] PIN_13 wren PIN_173