VASP基本参数设置

SYSTERM=hafnium oxide

ISTART=0

ICHARG=2

NWRITE=2

LWAVE=.False.

PREC=high???? 默认值Medium在4版本，在5版本normal

specify high --mannual 46

#LVTOT=.True.

#IDIPOL=4

ALGO=Fast

LREAL=Auto

#LELF=.TRUE.

LCHARG=.FALSE.

################electronic relaxation############

NELM=80

ENCUT=500?????

EDIFF=1E-05

#ISPIN=2

###################ion relaxtion################

NSW=

IBRION=2

ISIF=2

EDIFFG=-0.005

####################################################

ISMEAR=0

SIGMA=0.05

#LORBIT=11

#NEDOS=

#NBANDS =

ISYM=0

#NELECT

###################bader charge analysis#################### #LAECHG=.Ture.

#NGXF

#NGYF

#NGZF

###################NEB######################################## #ICHAIN=

#IMAGES=

#SPRING=

#LCLIMB=

#POTIM=

#IOPT=

vasp incar 主要参数设置

SYSTEM=B N －－－－－－作业说明语句,即任务的名字

IALGO=38 －－－－－－指定电子自洽计算的算法 38 Davidson 48 RMM-DIIS 算法

NELM=200 －－－－－－自洽迭代次数，一般默认40次

NELMIN=4 －－－－－－最小迭代次数，表面或动力学计算是应增大默认为2次

#NELMDL=-12 －－－－－－开始几步不自洽处理，默认IALGO=8时为－5，IALGO=48时为－12，其他0 #ISTART=0 －－－－－－是否使用已有波函数。有WAVECAR是默认为1使用，否则为0 新的作业

#ALGO=very_fast －－－－同IALGO

EDIFF=1E-05 －－－－总能计算允许误差，默认1E-04

ISMEAR=0 －－－－－－确定电子的部分占据数，半导体一般取小于0，金属大于1

LREAL=Auto －－－－－－投影操作是在实空间还是在倒空间，.FALSE.倒，.TRUE.实。AUTO实优化ISYM=0 －－－－－－是否具有对称性，默认1，具有，0 不具有。

#ICHARG=11 －－－－－－如何产生初始电荷密度，默认ISTART＝0时取2，LCAO。否则0，从初始波函

#LDIAG = .FALSE. －－－－－是否执行子空间对角化。IALGO=8时为.TRUE.

NELECT －－－－－－总电子数，如果系统不是电中性的就必须设置，所带电荷作为均一的背景电子气考虑。

# ! plot charge density

#LPARD = .TRUE. --------是否计算部分电荷。

#IBAND = 176 177 －－－－指定要计算的带

#KPUSE = 1 7 －－－－－要考虑的K点

#LSEPB = .TRUE.

#LSEPK = .TRUE.

# ! change configuration

#FERWE = 159*1.0 1.0 0.0 80*0.0－－电子占据数从INCAR中读入并在计算中不变

#FERDO = 159*1.0 0.0 1.0 80*0.0－－电子自旋极化计算（按每个K点每个能带排列）

#SIGMA=0.2 －－－－－－－－－－－展开宽度，默认ISMEAR=1 SIGMA=0.2

#ISPIN=2 －－－－－－－－－－－－指定电子体系的总自旋。

# ! optimize

IBRION=2 －－－－－－离子是否运动，－1不运动但做NSW外循环。0动力学模拟，1准牛顿法离子弛豫－－－－－－2 CG法离子弛豫，3 采用衰减二阶运动方程离子弛豫，

ISIF=2 －－－－－是否离子弛豫及是否改变原胞。

NSW=200 －－－－－离子运动的步数，默认0

POTIM=0.2 －－－－IBRION＝0时时间步长，＝123作用在力上的比例系数，默认0.5

#NSW=0

#IBRION=-1

EDIFFG=-1E-02 －－－离子弛豫运动的结束条件，默认为EDIFF*10

#PREC=HIGH ------控制ENCUT,FFT格子和实空间投影时RPOT的默认值。

# ! parallel calculation

#LPLANE = .TRUE. －－－对带和平面波系数并行

#NPAR = 1 －－－－ 1 只对平面波系数并行。并行计算band的节点数，每一个节点计算一个

band当然可以提高并行效率，减少通讯量，不过貌似现在硬件的主要限制

还是内存，而这个选项的使用可能会大幅增加内存的需求。

#LSCALU = .FALSE. －－－

#NSIM = 4 －－－－有N条带一起优化。

PREC=normal ------控制ENCUT,FFT格子和实空间投影时RPOT的默认值

VOSKOWN = 1 －－－对交换关联泛函是否采用VWM的形式，默认0不用而用标准泛函，1采用对磁性有用

AMIX = 0.2 －－－线性混合参数

BMIX = 0.00001 －－－Kerker混合方法的截断波失

AMIX_MAG = 0.8 －－－磁的线性混合参数

BMIX_MAG = 0.00001－－磁的Kerker混合方法的截断波失

#ADDGRID = .TRUE.

LORBIT=11 －－－是否输出投影波函数到PROCAR和PROOUT中

#LVTOT=.TRUE. －－－是否输出总局域势。

LWAVE=.FALSE. －－－是否输出波函数（WAVECAR）

LCHARG=.FALSE. －－－是否输出电荷密度（CHGCAR和CHG）

#NBANDS= 130 －－－指定计算的总能带数。计算需要大量的能带(空带)，至少要1个空带

(否则VASP会给出警告)。一般NBANDS=NELECT/2+NIONS/2以上可得到较

精确的结果，如果内存不够就只好减少NBANDS，在牺牲精度和体系大小之

间平衡了。

# ! electric field

EFIELD=0.3

LDIPOL=.TRUE.

IDIPOL=1 －－－－－－－－ calculate monopole/dipole and quadrupole corrections

1-3 只计算第一/二/三晶矢方向适于slab的计算

4 全部计算尤其适于就算孤立分子

DIPOL=0.5 0.5 0.5 －－－－原胞中心坐标。