第十章--半导体探测器
第10章 光电探测器和太阳能电池
半导体器件
太阳能电池
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
半导体器件
图(a)和(b)分别为太阳辐射下的p-n结能带图及其等效电路。 其中有一恒定电流源与结并联。此电流源IL是由于太阳辐射产生的多 余 载流子的激发所造成的，IS是二极管饱和电流，而R是负载电阻。
半导体器件
q(n n p p)
半导体器件
2. 光电二极管 光电二极管基本上是一个工作于反向偏压的p-n结或金属半导体接触。由光产生的电子 - 空穴对在耗尽区内建电场的作 用下分离，因此有电流流至外部电路。 为了能在高频下工作，耗尽区必须尽可能地变薄以减少渡 越时间。另一方面，为了增加量子效率，耗尽层必须足够厚， 以使大部分入射光都被吸收，因此在响应速度与量子效率之间 必须有所取舍。
h
1. 光敏电阻
光敏电阻包含一个简单的半导体平板， 而在平板两端则具有欧姆接触，如图。当入 射光照到光敏电阻表面时，会发生从能带到 能带(本征)或包含禁带能级的跃迁(非本征)， 从而产生电子-空穴对，导致电导率增加。
L
W
D
半导体 欧姆接触
欧姆接触
Байду номын сангаас
图 8.30
由一半导体平板与两端的接触所构成的光敏电阻的示意图
半导体器件pin光电二极管半导体器件10203040506070809010020004000600080001000012000f23ilbicmax296k123k半导体器件金属半导体光电二极管半导体器件太阳能电池半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件图a和b分别为太阳辐射下的pn结能带图及其等效电路
半导体光探测原理
半导体光探测原理
半导体光探测原理是指利用半导体材料的光电效应来实现光信号的检测和转换的原理。
半导体光探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件，广泛应用于通信、光电子、医疗、安防等领域。
半导体光探测器的基本结构是由PN结构组成的。
PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构，其中P型半导体中的电子浓度较低，空穴浓度较高，而N型半导体中的电子浓度较高，空穴浓度较低。
当PN结受到光照射时，光子会激发PN结中的电子和空穴，使其发生电离，形成电子空穴对。
电子空穴对在PN结中运动时，会产生电流，从而实现光信号的转换。
半导体光探测器的工作原理是基于PN结的光电效应。
当光子进入PN结时，会激发PN结中的电子和空穴，使其发生电离，形成电子空穴对。
电子空穴对在PN结中运动时，会产生电流，从而实现光信号的转换。
光子的能量越高，激发出的电子空穴对就越多，产生的电流也就越大。
因此，半导体光探测器的灵敏度和响应速度都与光子的能量有关。
半导体光探测器的优点是灵敏度高、响应速度快、体积小、功耗低、可靠性高等。
在通信领域，半导体光探测器被广泛应用于光纤通信、无线通信、卫星通信等领域。
在光电子领域，半导体光探测器被应用于光电转换、光电传感、光电显示等领域。
在医疗领域，半导体光探测器被应用于医学成像、光疗等领域。
在安防领域，半导体光
探测器被应用于红外夜视、监控等领域。
半导体光探测原理是一种基于PN结的光电效应，能够将光信号转换为电信号的原理。
半导体光探测器具有灵敏度高、响应速度快、体积小、功耗低、可靠性高等优点，在通信、光电子、医疗、安防等领域得到广泛应用。
半导体光电探测器的发展与应用
半导体光电探测器的发展与应用半导体光电探测器是一种基于半导体材料和光电效应原理构造而成的器件，可以将光信号转化成电信号。
由于其高灵敏度、高速响应和稳定性等优良特性，被广泛应用于光通信、光学成像、环境监测、医学诊断等领域。
本文将围绕半导体光电探测器的发展历程、结构及原理、现状和应用等方面展开论述。
一、发展历程半导体光电探测器的发展可以追溯到20世纪20年代，当时光电效应和半导体性质的研究取得了突破性进展。
到了20世纪50年代，半导体光电探测器开始得到广泛的关注和研究。
1960年代出现的PN结光电二极管，成为第一代光电探测器。
1980年代中期，出现了速度较快、灵敏度更高的探测器，如PIN结光电二极管、Avalanche光电探测器等。
1990年代中期以后，半导体光电探测器的研究重点开始向复杂结构和新型材料的探索转移。
目前，半导体光电探测器已经成为了光电信息处理、物理学研究和制造业等领域的重要技术。
二、结构及原理半导体光电探测器的结构基本上都是由多层P型半导体、N型半导体和Intrinsic半导体组成。
其中，P型半导体和N型半导体通过PN结连接。
当光子入射到PN结上时，会激发出电子，从而改变了PN结的电流和电压差。
Intrinsic半导体通常会被用作增加载流子储存的区域。
半导体光电探测器的工作原理是通过光电效应将光子转化成电子，从而改变器件的电学性质。
光电效应是指当光子入射到半导体材料上时，会激发出电子，从而产生电位能差。
当光照射到器件上时，产生的载流子将被探测电路收集。
三、现状目前，半导体光电探测器的技术发展已经较为成熟。
在高速通信领域，APD、PIN-TIA等探测器被广泛应用于数字光纤通信和模拟光纤通信等领域。
在太空探测领域，半导体光电探测器被用于搜集天体的光与辐射等信息。
此外，半导体光电探测器还应用于光学成像、环境监测、医学诊断等领域。
随着科技的不断进步，半导体光电探测器的应用前景将更广阔。
四、应用半导体光电探测器的广泛应用主要体现在以下几个方面：1.光通信半导体光电探测器在光通信中起着至关重要的作用。
半导体探测器分类
锂的电离能很小，而且它的离子半径较硅、锗晶格常数小很多，所以在P型硅的表面涂一层锂时，在一定温度下(350-450 ℃)，锂离子很容易扩散到硅晶体内部去。
硅片表面附近，由于Li+浓度高，使P型硅转化为N型硅，而在深处仍为P型硅，从而在界面处形成P－N结。
在几百伏反向偏压作用下，并控制温度在100-200 ℃，则Li+继续向P型硅深处漂移。
漂移过程中，由于静电作用，Li+可能与受主
离子结合成中性离子对，该过
程叫做“补偿效应”。
在锂离子
漂移到的区域，通过补偿效应
就形成了较大的、电阻率很高
的本征区，此本征区即对应探
测器灵敏体积。
（1）扩散结半导体探测器
在电阻率较高的P型硅片上扩散进
一层施主杂质，例如磷，从而在表面
形成很高浓度的N层，在P型硅与
N型硅交界处形成P-N结，然后在
硅片上加上两个适当的连接电极，即
制成扩散结半导体探测器。
比较典型的扩散结半导体探测
器为砷化镓探测器，主要用于低能γ
和X射线测量，可以在室温下保存和使用。
（2）面垒型半导体探测器
应用较多的是金硅面垒型
探测器。
在经过适当处理
的N型单晶片表面蒸发上
一层薄金，接近金层的那
一层硅就具有P型硅的特
性，因而在硅片表面附近
形成一个P－N 结，即耗
尽层，又叫势垒区。
将金膜接电源负极，N型硅基片的另一面被蒸发上一薄层铝或镍作为电极接触引线与电源正极相连
金硅面垒型半导体探测器广泛用于α、β射线的计数测量和能谱测量，具有较高的能量分辩率，而且结构简单、应用方便，其缺点是它的金层很薄容易损坏，使用时必须特别细心。
半导体光电探测器的原理及其应用
半导体光电探测器之阳早格格创做纲要：本文介绍了光电与系统的组成、一些半导体光电探测器的处事本理及其个性，末尾叙述了光电导探测器与光伏探测器的辨别.闭键词汇：半导体光电探测器，光电系统，光电导探测器，光伏探测器弁止光电探测器是一种受光器件,具备光电变更功能.光敏器件的种类繁琐,有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN 结型、PIN结型及同量结型的等.由于光电探测器的赞同速度快,体积小,暗电流小,使之正在光纤通讯系统、光纤尝试系统、光纤传感器、光断绝器、彩电光纤传输、电视图象传输、赶快光源的光探测器、微小光旗号的探测、激光测距仪的接支器件、下压电路中的光电丈量及光电互感器、估计机数据传输、光电自动统造及光丈量等圆里得到了广大应用.半导体光电探测器是用半导体资料创造的能接支战探测光辐射的器件.光映照到器件的光敏区时，它便能将光旗号转形成电旗号，是一种光电变更功能的测光元件.它正在国防战工农业死产中有着要害战广大的应用.半导体光电探测器可分为光电导型战光伏型二种.光电导型是指百般半导体光电导管，即光敏电阻；光伏型包罗光电池、P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等.本文最先介绍了光电系统的组成，而后分别介绍其处事本理及其个性，末尾将那二类探测器举止比较.一、光电子系统的组成系统又称为收射天线，果为光波是一种电磁波，收射光教系统所起的效率战无线电收射天线所起的效率真足相共.收支进去的光旗号通过传输介量，如大气等，到达接支端.由接支光教系统或者接支天线将光散焦到光电探测器上，光电过少距离传输后会衰减，使接支到的旗号普遍很强，果此需要用前置搁大器将其搁大，而后举止解码，还本成收支端本初的待传递旗号，末尾由末端隐现器隐现出去.图1-1光电子系统图二、半导体探测器的本理1、光电导探测器光电导探测器主假如通过电阳值的变更去检测，以下尔将以光敏电阻为例介绍其处事本理.光敏电阻又称光导管, 它不极性, 杂粹是一个电阻器件, 使用时既可加曲流电压, 也不妨加接流电压.无光照时, 光敏电阻值（暗电阻）很大, 电路中电流（暗电流）很小. 当光敏电阻受到一定波少范畴的光照时, 它的阻值（明电阻）慢遽缩小, 电路中电流赶快删大. 普遍期视暗电阻越大越佳, 明电阻越小越佳,此时光敏电阻的敏捷度下. 本量光敏电阻的暗电阻值普遍正在兆欧级, 明电阻正在几千欧以下.它的处事本理图如2-1图当不光照时，Rd=10断路当有光照时，Rd= 导通2、光伏探测器光伏探测器鉴于光照爆收电势好，用测电势好的本理.它分为光电池与光电二极管二种典型，光电池主假如把光能变更为电能的器件，暂时有硒光电池、硅光电池、砷化镓及锗光电池等，但是暂时使用最广的是硅光电池.光电二级管分为P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等.以下尔将分别介绍其处事本理及其个性. 1）P-N结光电二级管2）PIN光电二级管PIN光电二极管又称赶快光电二极管，与普遍的光电二极管相比，它具备不的时间常量，并使光谱赞同范转背少波目标移动，其峰值波少可移至1.04~1.06um而与YAG激光器的收射波少相对于应.它具备敏捷度下的便宜，所以通时常使用于强光检测（线性）.它的结构图如2-3所示，它是由P型半导体战N型半导体之间夹了一层本征半导体形成的.果为本征半导体近似于介量，那便相称于删大了P-N结结电容二个电极之间的距离，使结电容变得很小.其次，P型半导体战N型半导体中耗尽层的宽度是随反背电压减少而加宽的，随着反偏偏压的删大，结电容也要变得很小.由于I层的存留，而P区普遍干得很薄，进射光子只可正在I层内被吸支，而反背偏偏压主要集结正在I区，产死下电场区，I区的光死载流子正在强电场效率下加速疏通，所以载流子渡越时间常量（）减小，进而革新了光电二极管的频次赞同.共时I层的引进加大了耗尽区，展宽了光电变更的灵验处事地区，进而使敏捷度得以普及.3）雪崩光电二级管雪崩光电二级管（APD）是得用光死载流子正在下电场区内的雪崩效力而赢得光电流删益，具备敏捷度下、赞同快等便宜，通时常使用于激光测距、激光雷达、强光检测（非线性）.APD雪崩倍删的历程是：当光电二极管的p-n结加相称大的反背偏偏压时，正在耗尽层内将爆收一个很下的电场，它脚以使正在强电场区漂移的光死载流子赢得充分的动能，通过与晶格本子碰碰将爆收新的电子-空穴对于.新的电子-空穴对于正在强电场效率下，分别背好同的目标疏通，正在疏通历程中又大概与本子碰碰再一次爆收新的电子-空穴对于.如许反复，产死雪崩式的载流子倍减少.那个历程便是APD的处事前提.APD普遍正在略矮于反背北脱电压值的反偏偏压下处事.正在无光照时，p-n结不会爆收雪崩倍删效力.但是结区一朝有光映照，激励出的光死载流子便被临界强电场加速而引导雪崩倍删.若反背偏偏压大于反背打脱电压时，光电流的删益可达（十的六次圆）即爆收“自持雪崩倍删”.由于那时出现的集粒噪声可删大到搁大器的噪声火仄，以以致器件无法使用.4）光电三级管光电三级管与光电二极管比较，光电三级管输出电流较大，普遍正在毫安级，但是光照个性较好，多用于央供输出电流较大的场合.光电三极管有pnp战npn型二种结构，时常使用资料有硅战锗.比圆用硅资料创造的npn型结有3DU型，pnp型有3CU型.采与硅npn型光电三极管，其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变更效率小，所以得到位广大应用.底下以3DU型光电三极管为例证明它的结构、处事本理与主要个性.3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管，如图2-4（a）所示.由图可知，3DU管的结媾战一般晶体管类似，不过正在资料的掺杂情况、结里积的大小战基极引线的树立上战一般晶体管分歧.果为光电三极管要赞同光辐射，受光里即集电结（bc结）里积比普遍晶体管大.其余，它是利用光统造集电极电流的，所以正在基极上既可树立引线举止电统造，也不妨不设，真足共光一统造.它的处事本理是处事时各电极所加的电压与一般晶体管相共，即要包管集电结反偏偏置，收射正偏偏听偏偏置.由于集电结是反偏偏压，正在结区有很强的内修电场，对于3DU管去道，内修电场目标是由c到b的.战光电二极管处事本理相共，如果有光照到集电结上，激励电子-空穴对于，接着那些载流子被内修电场分散，电子流背集电极，空穴流背基极，相称于中界背基极注进一个统造电流Ib=Ip.果为收射打队结是正偏偏置的，空穴则留正在基区，使基极电位降下，收射极便有洪量电子经基极流背集电极，总的集电极电流为Ic=Ip+βIp=(1+β)Ip，式中β为电流删益系数.由此可睹，光电三极管的集电结是光电变更部分.共时集电极、基极、收射极形成一个有搁大效率的晶体管.所以正在本理上不妨把它瞅万里一个由光电二极管与一般晶体管分散而成的拉拢件，如图2-4(b)所示.光电三级管另一个个性是它的明暗电流比要比光电二极管、光电池、光电导探测器大，所以光电三极管是用去做光启闭的理念元件.3．光电导探测器与电伏探测器的辨别1）光电导探测器是均值的，而光伏探测器是结型的.2）光。
半导体物理第十章半导体的光学性质
吸收 自发吸收
受激辐射：
当处于激发态(E2)的原子收到另一个能量为(E2-E1)的光子 作用时，受激原子立刻跃迁到基态E1,并发射一个能量也 为(E2-E1)的光子。这种在光辐射的刺激下，受激原子从激 发态向基态跃迁的辐射过程，成为受激辐射。 受激辐射光子的全部特性（频率，位相，方向和偏振态等 与入射光子完全相同。 受激辐射过程中，一个入射光子能产生两个相位，同频率 的光子
透过一定厚度d的媒质(两个界面）：
T = (1− R)2 e−αd
如：玻璃，消光系数k=0 T=(1-R)2=0.962~92%
10.2 半导体的光吸收
本征吸收 直接跃迁，间接跃迁 其他吸收过程
10.2.1 本征吸收
本征吸收： 电子吸收光子由价带激发到导带的过程
条件：
hω ≥ hω0 = Eg
反射系数
R = ( n1 − n2 )2 n1 + n2
= ( n −1− ik )2 n +1− ik
=
(n −1)2 + k 2 (n +1)2 + k 2
玻璃折射率为 n~1.5，k~0, 反射率R~4% 如某一材料 n~4, k~0, 反射率为 R~36%
透射系数，透过某一界面的光的能流密度比值： T=1-R
把处于激发态E2的原子数大于处于基态E1的原子数的这种 反常情况，成为“分布反转”或“粒子数反转”。
要产生激光，必须在系统中造成粒子数反转。
粒子数反转条件
为了提高注入效率 异质结发光： PN结两边禁带宽度不等，势垒不对称。 空穴能注入N区，而电子不能注入P区。 P区为注入区，N区为发光区。
第10章 光电探测器和太阳能电池
半导体器件
q(n n p p)
半导体器件
2. 光电二极管 光电二极管基本上是一个工作于反向偏压的p-n结或金属半导体接触。由光产生的电子 - 空穴对在耗尽区内建电场的作 用下分离，因此有电流流至外部电路。 为了能在高频下工作，耗尽区必须尽可能地变薄以减少渡 越时间。另一方面，为了增加量子效率，耗尽层必须足够厚， 以使大部分入射光都被吸收，因此在响应速度与量子效率之间 必须有所取舍。
h
1. 光敏电阻
光敏电阻包含一个简单的半导体平板， 而在平板两端则具有欧姆接触，如图。当入 射光照到光敏电阻表面时，会发生从能带到 能带(本征)或包含禁带能级的跃迁(非本征)， 从而产生电子-空穴对，导致电导率增加。
L
W
D
半导体 欧姆接触
欧姆接触
图 8.30
由一半导体平板与两端的接触所构成的光敏电阻的示意图
半导体器件
半导体器件
邓洪海
denghonghai@ 电子信息学院-电子工程系
第10章 光电探测器和太阳能电池
光电探测器 太阳能电池
半导体器件
光电探测器
光探测器是一种能够将光的信号转换为电的信号的半导体器件。光探 测器的工作包括三个步骤：①由入射光产生载流子；②通过任何可行的电 流增益机制，使载流子传导及倍增；③电流与外部电路相互作用，以提供 输出信号。 光探测器广泛应用于包括光隔离器的红外传感器以及光纤通信的探测 器。在这些应用中，光探测器必须在所工作的波长中具有高灵敏度、高响 应速度及低噪声。另外，光探测器必须轻薄短小、使用低电压或低电流， 并具有高可靠度。
根据上述模型，其I-V特性可表示为
qV I I s exp 1 I L kT
半导体探测器的设计与应用研究
半导体探测器的设计与应用研究半导体探测器是一种利用半导体材料制成的探测器，用于探测辐射、粒子等物理量。
其广泛应用于核物理、天文学、医学等领域，并在探测技术的发展中起到重要的作用。
本文将着重讲述半导体探测器的设计与应用研究。
一、半导体探测器的基本原理半导体探测器主要由探测器体、电极和放大器组成。
在工作时，粒子在探测器体内产生电离电子对，通过电极引导到放大器进行测量，进而实现对辐射或粒子的探测。
半导体探测器的探测效率和分辨率都非常高，具有快速响应、高精度和良好稳定性等特点，很多其他探测器无法比拟。
二、半导体探测器的设计半导体探测器的设计是一项重要的工作，需要综合考虑探测器体的制作方法、电极的设计、放大器的参数等多个因素。
以下是一些常见的探测器设计方法：1. PN结探测器在硅片上形成P型和N型区域，形成PN结。
在PN结处，电阻率较高，能够收集电子和空穴，并可以输出信号。
因其制作简单，因此被广泛应用于实际生产中。
2. PIN探测器PIN探测器与PN结探测器的区别在于，其中间一段是I型（无夹杂杂质），电压降低，探测效率和时间分辨率都得到了提升。
缺点是造价高，应用范围更为有限。
3. 堆积探测器通过将多个PN或PIN结叠加在一起，形成一种能够优化效率、减小体积的探测器。
堆积探测器的制作难度较高，但可以在核仪器、粒子物理等领域中发挥关键作用。
三、半导体探测器的应用研究半导体探测器在科学研究和应用开发中都具有非常广泛的应用。
几乎所有与辐射和粒子有关的学科都可以使用半导体探测器进行测量。
以下是一些常见的应用领域：1. 核物理半导体探测器可以用于辐射测量，尤其可以测定中子、质子、α等粒子的能量。
因此在核物理实验中有着广泛的应用，例如沉积能量测量、核轰炸轻元素发射等实验。
2. 天文学半导体探测器可以用于天文学中，例如探测X射线、γ射线等能量高的辐射源，可以进行行星和恒星辐射测量，以及探测星际等离子体等。
3. 医学半导体探测器可以用于医学成像，例如PET和SPECT探测器用于红外荧光成像，CT扫描等。
第十章-半导体的光学性质和光电_.....
杂质吸收
杂质可以在半导体的禁带中引入杂质能级，例 如Ge和Si中的III族和V族杂质。占据杂质能级 的电子或空穴的跃迁可以引起光吸收，这种吸 收称为杂质吸收，可以分为下面三种类型： 吸收光子可以引起中性施主上的电子从基 态到激发态或导带的跃迁； 中性受主上的空穴从基态到激发态或价带 的跃迁； 电离受主到电离施主间的跃迁； 由于杂质能级是束缚态，因而动量没有确定的 值，所以不必 满足动量守恒的要求，因此跃迁 几率较大。
在半导体中。最主要的吸收过程是电子由价带 向导带的跃迁所引起的光吸收，称为本征吸收 或基本吸收．这种吸收伴随着电子-空穴对的产 生，使半导体的电导率增加，即产生光电导。 显然，引起本征吸收的光子能量必须等于或大 于禁带宽度，即
h h 0 = E g
对应的波长称为本征吸收限。根据上式，可得 出本征吸收长波限的公式为
I = I 0e
半导体的光吸收吸收
半导体材料中的电子吸收光子的能量，从能量较低 的状态跃迁到能量较高的状态。这种跃迁可以发生 在： 1、不同的能带之间； 2、同一能带的不同状态之间； 3、禁带中的分立能级之间； 4、禁带中的分立能级和能带之间。 以上各种吸收引起不同的吸收过程。
本征吸收
1.242 c = ( mm) Eg (eV )
Burstein-Moss effect
吸收谱与吸收边
吸收系数对光子能量（或波 长）的依赖关系称为吸收谱。 本征吸收限可在吸收谱中明 显地表现出来。吸收系数曲 线在短波端陡峭地上升，是 半导体吸收谱突出的一个特 点。它标志着本征吸收的开 始。 通常把吸收限附近的吸收谱 称为吸收边。它相应于电子 由价带顶附近到导带底附近 的跃迁。
E g E P w E g E p w < E g
锂漂移半导体探测器及高纯锗(HPGe)半导体探测器 - 10.4锂漂移半导体探测器及10.5高纯锗(HPGe)半导体探测器
10.6 锂漂移和HPGe半导体探测器的性 能与应用 10.7 其他半导体探测器（简介）
10.5 高纯锗(HPGe)半导体探测器
由耗尽层厚度的公式：
2V0 W eN i
1/ 2
降低杂质的浓度Ni可提高耗尽层的厚度。 高纯锗半导体探测器是由极高纯度的Ge 单晶制成的 P-N结 半导体探测器。杂质 浓度为~1010原子/cm3。
2) 空间电荷分布、电场分布及电位分布
电荷分布器的特点 1) P区存在空间电荷，HPGe半导体探测 器是PN结型探测器。
2) P区为非均匀电场。
3) P区为灵敏体积，其厚度与外加电压 有关，一般工作于全耗尽状态。
4) HPGe半导体探测器可在常温下保存， 但也需要在低温下工作。
外加电场，使Li+漂移。Li+与受主杂质(如Ga-) 中和，并可实现自动补偿形成 I 区。
(3) 形成P-I-N结，未漂移补偿区仍为P，引出电 极即可。
锂离子在外加电场作用下向 右漂移。
NLi较大处会引起电场变化， 加速多余的锂离子向右漂移。
b
N Li N A
a
锂离子漂移区域不存在空间 电荷，为均匀电场分布。
对Ge(Li)探测器，由于锂在锗中的迁移率较 高，须保存在低温下，以防止Li+Ga-离子对 离 解，使Li+沉积而破坏原来的补偿； 对Si(Li)探 测器，由于锂在硅中的迁移率较低，在常温下 保存而无永久性的损伤。
3) 由于PIN探测器能量分辨率的大大提高， 108m Ag 110m 开创了谱学的新阶段。 Ag
E
V /d 0 d
x
Front metallization
Ohmic back contact