靶材介绍
To equip the coater for both configurations (Sn-Config and Si-Config) the following targets are needed:
为使镀膜线达到两种配置（Sn配置和Si配置），需要以下靶材
For save operation and later production we recommend to double the amount of targets!
我们建议每种靶材采购2套
Tube Targets:管型靶材
TiOx (ceramic material):氧化钛(陶瓷靶) 6 single Tubes for 3 MF-Dual Rotary Cathodes 6根靶管(靶材)供3套中频双旋转阴极用
ZAO (ceramic material) 氧化锌(陶瓷靶) 2 single Tubes for 2 DC-Single Rotary Cathodes 2根靶管(靶材)供2套直流单旋转阴极用
Zn:Al (metal material) 锌铝(金属靶) 4 single Tubes for 2 MF-Dual Rotary Cathodes 4根靶管(靶材)供2套中频双旋转阴极用
Sn (metal) 锡 6 single Tubes for 3 MF-Dual Rotary Cathodes 6根靶管(靶材)供3套中频双旋转阴极用
Si:Al 硅铝8 single Tubes for 4 MF-Dual Rotary Cathodes 8根靶管(靶材)供4套中频双旋转阴极用
Planar Targets:平靶
Ag 银 2 Targets (typically full plate) 2套（一般为一体式的）for 2 Single DC Planar Cathodes 供2套直流单平靶阴极用
NiCr 镍镉 2 Targets (full or segmented) 2套（一体式或分片式的）for 2 Single DC Planar Cathodes 供2套直流单平靶阴极用
Cr 镉 2 Targets (full or segmented) 2套（一体式或分片式的）for 1 Dual DC Planar Cathodes 供1套直流双平靶阴极用
In principal all target types fit to our cathode body, only the clamping parts may differ.
原则上上边图纸中的靶材类型都能装到我们的阴极上，只是夹具可能会不同。
ito靶材的制备
ITO靶材 ITO靶材简介 ITO靶材是三氧化二铟和二氧化锡的混合物，是ITO薄膜制备的重要原料。ITO靶主要用于ITO膜透明导电玻璃的制作，后者是制造平面液晶显示的主要材料，在电子工业、信息产业方面有着广阔而重要的应用。ITO靶的理论密度为7115g/ cm3。优质的成品IT O靶应具有≥99%的相对密度。这样的靶材具有较低电阻率、较高导热率及较高的机械强度。高密度靶可以在温度较低条件下在玻璃基片上溅射，获得较低电阻率和较高透光率的导电薄膜，甚至可以在有机材料上溅射ITO导电膜。目前质量最好的ITO溅射靶，具有≥99%相对密度。 靶材制备技术 日本新金属学会在二十世纪九十年代初期就把ITO靶材列为高科技金属材料的第一位。我国在“九五”期间也曾将它作为国家“九五”攻关重点项目进行立项研究，尝试了热压、烧结以及热等静压几种制备方法，但是未能形成大规模的工业化生产。国外生产的ITO 靶材早已投放市场，主要产家有德国Leybold （莱博德）公司、日本Tosoh（东曹）公司、日本Energy（能源公司）、日本SamITO（住友）公司以及韩国Samsung（三星）公司。国内生产靶材的公司主要有：株洲冶炼集团有限责任公司、宁夏九0五集团、威海市蓝狐特种材料开发有限公司、韶关西格玛技术有限公司和柳州华锡有限责任公司等。 ITO靶材的制造技术 高性能的ITO靶材必须具备以下的性能：高密度，ITO靶材的理论密度为7.15g/cm3，商业产品相对密度至少要达98%以上，目前高端用途的产品密度在99。5%左右；高耐热冲击性；组织均一无偏析现象；微细均匀的晶粒大小；纯度达到99。99%。 目前ITO靶材的生产工艺和技术设备已较为成熟和稳定，其主要制备方法有热等静压法、真空热压法、常温烧结法、冷等静压法。 真空热压法
金属靶材生产加工项目立项报告
金属靶材生产加工项目 立项报告 规划设计/投资分析/实施方案
金属靶材生产加工项目立项报告 高纯溅射靶材行业是典型的技术密集型行业，要求业内厂商具有较强的技术研发实力和先进的生产工艺，具有完善的品质控制能力。其主要技术门槛表现在以下几个方面。纯度和杂质含量控制是靶材质量最重要的指标。靶材的纯度对溅射薄膜的性能有很大影响。若靶材中夹杂物的数量过高，在溅射过程中，易在晶圆上形成微粒，导致互连线短路或断路。靶材的成分与结构均匀性也是考察靶材质量的关键。对于复相结构的合金靶材和复合靶材，不仅要求成分的均匀性，还要求组织结构的均匀性。晶粒晶向控制是产品研发主要攻克的方向。溅射镀膜的过程中，致密度较小的溅射靶材受轰击时，由于靶材内部孔隙内存在的气体突然释放，造成大尺行业深度研究寸的靶材颗粒或微粒飞溅，或成膜之后膜材受二次电子轰击造成微粒飞溅，这些微粒的出现会降低薄膜品质。例如在极大规模集成电路制作工艺过程中，每150mm直径硅片所能允许的微粒数必须小于30个。怎样控制溅射靶材的晶粒，并提高其致密度以解决溅射过程中的微粒飞溅问题是溅射靶材的研发的关键。靶材溅射时，靶材中的原子最容易沿着密排面方向优先溅射出来，材料的结晶方向对溅射速率和溅射膜层的厚度均匀性影响较大，最终影响下游产品的品质和性能。需根据靶材的组织结构特点，采用不同的成型方法，进行反复的塑性变形、热处理工艺加以控制。
该金属靶材项目计划总投资7444.10万元，其中：固定资产投资 5178.95万元，占项目总投资的69.57%；流动资金2265.15万元，占项目 总投资的30.43%。 达产年营业收入18041.00万元，总成本费用14083.11万元，税金及 附加150.99万元，利润总额3957.89万元，利税总额4654.80万元，税后 净利润2968.42万元，达产年纳税总额1686.38万元；达产年投资利润率53.17%，投资利税率62.53%，投资回报率39.88%，全部投资回收期4.01年，提供就业职位314个。 报告根据项目产品市场分析并结合项目承办单位资金、技术和经济实 力确定项目的生产纲领和建设规模；分析选择项目的技术工艺并配置生产 设备，同时，分析原辅材料消耗及供应情况是否合理。 ...... 靶材是溅射薄膜制备的源头材料，又称溅射靶材。是制备晶圆、面板、太阳能电池等表面电子薄膜的关键材料。
ITO靶材制备
ITO靶材的制备及其性能研究 培养单位：材料复合新技术国家重点实验室 学科专业：复合材料学 研 究 生：郭 伟 指导老师：王为民 教 授 2009年5月
分类号 学校代码 10497 UDC 学号 104972060235 学 位 论 文 题 目 ITO 靶材的制备及其性能研究 英 文 题 目 Study on Fabrication of ITO Targets and Its properties 研究生姓名 郭 伟 姓 名 王为民 职称 教授 学位 博士 单位名称 材料复合新技术国家重点实验室 邮 编 430070 申请学位级别 硕 士 学科专业名称 复合材料学 论文提交日期 2009.5 论文答辩日期 2009.5 学位授予单位 武汉理工大学 学位授予日期 答辩委员会主席 评阅人 2009年5月 指导教师
独创性声明 本人声明，所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得武汉理工大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 签 名： 日 期： 学位论文使用授权书 本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权武汉理工大学可以将本学位论文的全部内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存或汇编本学位论文。同时授权经武汉理工大学认可的国家有关机构或论文数据库使用或收录本学位论文，并向社会公众提供信息服务。 (保密的论文在解密后应遵守此规定) 研究生（签名）：导师（签名）：日期：