7寸CELL后段制程简介
CELL制程简介ppt课件

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☆ Rinsing(潤濕) or Shower 原理:
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Cavitations Jet 洗淨原理
上下沖洗基板,水壓越 大則洗淨能力越好。而 氣泡則可以緩衝強大的 水流,避免造成基板的 損傷
水壓:10 ~ 20Kg/cm2
氣泡
Air
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PI轉寫機
★轉寫機 : 基板進入後, 經過對位, 真空吸著, A輪與P輪(凸版) 展色, 便開始印刷,將PI液均勻的印在基板上為面板最複雜的製程。 ★預烤爐
ITO (0.15μ SiO2 CF (1.30μ
SiO2 Glass (0.7mm)
3
LCD 面 板 構 造 圖
彩色濾光板
上偏光板
液晶層
ITO 電極
上玻璃基板
下玻璃基板 下偏光板 配向膜 間隔劑 液晶分子 框膠
4
LCD 模組分解示意圖
間隔橡膠-X 螺絲
Y-TAB
Y-PCB
AAA AAA
AAA AAAAA
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刮刀的清潔
用無塵紙沾NMP 擦拭直到刮刀上無殘留PI為止,再用無塵紙沾 酒精擦拭,注意要點是擦拭時須小心不能傷到刀刃部。
PI供給管路的清潔
將NMP裝入鋼瓶中 ,沖洗管路中的PI液然後再將管路中的NMP 噴乾淨,拆下濾心( 此時須注意濾心內的細部零件)泡入NMP溶 劑中。
挑點
目前轉寫工程最棘手的作業,原因是必須靠作業者經驗的累 積才能作好的工作,以目前生產的經驗挑點往往影響不少生產 時間,也會降低良率,提生作業者能力是很重要的。
物的污染源…….等等。 2. 無機污染: 人體的汗、顏料、塵埃、金屬屑……等等。 3. 工程污染: 搬運、裝置運轉、包裝紙材、其他製程殘留
TFT--cell制程简介

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Cell TEST-2 CELLtest-1
WO/SB TEST Waveform
data c b scan 63.5us 16.7ms a
com
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CELL TEST-2
WO/SB TEST 的 作 用 (一)
• 有些產品 shorting bar 受傷使信號無法傳 遞 , 故借由導電橡皮將線路short .
metal film
O-ring
flat heater
4-6a.Scribe & Break
【製程目的】將組合熱壓完成之大片基板組,切裂成最終尺寸之cell。
4-6b.切割方式
切割是以硬度比玻璃高的工具,在玻璃表面施加壓力行走,使玻璃產生線狀 crack;基本上cell與單板的切割方法相同。 1、diamond scriber(point tool):其median crack深度會有各種變化,因 diamond尖端會磨耗,故難以得到穩定的銳利度。 2、超硬/diamond wheel chip:現行LCD之切割皆採用此方式。 3、Laser criber:尚在基礎實驗中。
Scan driver(Gate-line)
CF ITO電極 Source Gate 液晶分子 Pixel電極 Drain
2-4.TFT-LCD剖面圖
3-2.LCD流程-Overall
TFT基板
PI塗布
PI配向
框膠/銀點
TFT/CF 組合/ 熱壓/切裂
CF基板 PI塗布 PI配向 Spacer撒布
4-6c.裂片方式
Cell的裂片方法,是在產生引張應力的地方,施加局部壓縮應力進行裂片。Cell進行裂 片時,切割面接觸裂片檯面,上方以樹脂製成之加壓片施加壓縮荷重;此時因Glass與 檯面的縱向彈性係數不同,會沿著切割線形成引張應力及彎曲應力。
《CELL制程简介》课件

未来Cell制程的发展将更加注重环保、高效、智能化。随着技术的不断进步和应用领域的拓展,Cell制程将不断向更高效、更环保、更智能化的方向发展。
随着Cell制程技术的不断发展,也面临着诸多挑战,如技术瓶颈、成本问题、伦理问题等。解决这些挑战需要不断探索和创新,同时也需要政府、企业和社会各界的共同努力。
流体力学
细胞培养
细胞培养是Cell制程中的重要技术之一,通过模拟细胞生长的环境条件,促进细胞的增殖和代谢。
酶促反应
酶促反应在Cell制程中起到重要作用,酶能够加速生物体内的代谢过程,从而影响细胞生长和产物生成。
基因工程
基因工程在Cell制程中用于对细胞进行遗传改造,以实现高产、高表达或具有特殊功能的细胞系建立。
总结词
05
CHAPTER
Cell制程的实验操作与注意事项
确保实验环境整洁、安全,准备好所需的实验器材和试剂。
实验准备
实验操作
实验结束
按照规定的步骤进行实验,注意观察实验现象,记录实验数据。
清理实验现场,确保实验室安全。
03
02
01
穿戴好实验服、护目镜等防护装备,避免皮肤直接接触化学试剂。
注意个人防护
总结词
常见的分离设备包括离心机、过滤器、萃取塔、蒸馏塔等。这些设备通过物理或化学的方法,将反应产物和副产物从反应液中分离出来,并进行纯化处理,以获得高纯度的产品。分离设备的效率和效果直接影响到产品的质量和产量。
详细描述
总结词
检测仪器用于检测和监测Cell制程中的各项参数,如温度、压力、浓度、流速等。
详细描述
检测仪器包括温度计、压力计、流量计、浓度计等。这些仪器通过测量和监测Cell制程中的各项参数,帮助操作人员了解反应过程和产品情况,及时发现和解决问题,确保制程的稳定性和安全性。
了解整个TFT-LCD open cell的制程

了解整个TFT-LCD open cell的制程文章主要介绍TFT-LCD open cell制程,TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程,前段制程主要是进行TFT玻璃的制作;中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合;后段制程指驱动IC、印刷电路板和液晶板的压合。
笔者认为,只有了解整个TFT-LCD open cell的制程才能更好的进行TV背光系统、主板甚至整个TV的设计。
一、TFT-LCD open cell 制程简述TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程,前段制程主要是进行TFT玻璃的制作,这与半导体制程非常相似;中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合,并加上上下偏光板;后段制程指将驱动IC和印刷电路板压合至TFT玻璃,并完成我们所熟知的open cell。
二、TFT-LCD open cell前段制程TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似,主要分成四个步骤:1.利用沉淀形成gate metal。
首先在玻璃基板上涂布一层金属,然后涂上光阻胶,最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。
涂布的金属材料主要成分为:钛(TI)、铝(AL)、钼(MO)和铬(CR)以及其混合物。
2.沉淀SI3N4(氮化硅)、a-SI(非晶硅)和N+a-si(N型硅)。
首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si,然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶,通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。
PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法,原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉淀出所期望的薄膜。
SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为:gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。
7寸CELL后段制程简介

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液晶注入-1
• ANELVA • 1-2-3个Chamber • 3个Chamber 排气室/脱泡室/注入室 • 卡匣In-line式注入创举
80px3Cassette/Batch
液晶注入-2
• 利用毛细管现像及LCD面板内外之压 力差使液晶注入空面板中
Voltage
VHR : TFT-LCD的液晶为何需高电阻 ?
E
V V 0 RT
1012 cm VHR96% 1010 cm VHR68%
Time
R-DC: 因有内电压的存在 ,来源为面板内的Ion
PI Alignment Voltage
PI Alignment
Transmission(%)
使液晶分子依照配向方向规则排列
残留液晶
CF基板 TFT基板
Panel洗净及ISO处理-1
• SPC(岛田理化)统计制程管理六槽 式的设计
• In-line式稼动 • 洗的乾乾净净
Panel洗净及ISO处理-2
• 超声波加温纯水洗净注入口封止后 的面板/端子部/两基板间所沾附之 液晶材料或污染
• 混乱液晶分子排列或配向膜经ISO再 配向均匀化
液晶注入-3
• 排气速度/真空度/Dip时间与Leak开 始之Timing/Leak速度与LCD的Cell gap或显示均一性之微妙关系
• 1个或2个或4个注入口 • 污染
液晶注入-4
• 不是大好就是大坏 • 一切都可以再补救
只除了最危险的Dip时间 • 设计的OEM • 注入未满/气泡/框胶剥离 • 注入口Gap/污染
(工艺流程)图文详解液晶面板制造工艺流程

图文详解液晶面板制造工艺流程时间:2009年11月02日来源:PCPOP作者:周冰【大中小】液晶显示器的核心:液晶面板曾经爆发过的面板门事件,足以解释用户对于液晶显示器所采用液晶面板类型的重视,不仅如此,液晶显示器重要的技术提升,如LED背光,超广视角,都与面板有着直接的关系。
而占一台液晶显示器80%成本的液晶面板,足以说明它才是整台显示器的核心部分,它的好坏,可以说直接决定了一台液晶显示器品质是否优秀。
如此来看,民用的液晶显示器的生产只是一个组装的过程,将液晶面板、主控电路、外壳等部分进行主装,基本上不会有太过于复杂的技术问题。
难道这是说,液晶显示器其实是技术含量不好的产品吗?其实不然,液晶面板的生产制造过程非常繁复,至少需要300道流程工艺,全程需在无尘的环境、精密的技术工艺下进行。
液晶面板的大体结构其实并不是很复杂,笔者将其分为液晶板与背光系统两部分。
液晶面板的LED背光系统背光系统包括背光板、背光源(CCFL或LED)、扩散板(用于将光线分布均匀)、扩散片等等。
由于液晶不会发光,因此需要借助其他光源来照亮,背光系统的作用就在于此,但目前所用的CCFL灯管或LED背光,都不具备面光源的特性,因此需要导光板、扩散片之类的组件,使线状或点状光源的光均匀到整个面,目的是为了让液晶面板整个面上不同点的发光强度相同,但实际要做到理想状态非常困难,只能是尽量减少亮度的不均匀性,这对背光系统的设计与做工有很大的考验。
液晶板在未通电情况下呈半透明状态可弯曲的柔性印刷板起到信号传输的作用,并且通过异向性导电胶与印刷电路板(蓝色PCB板的部分)压和,使两者连接想通液晶板从外到里分别是水平偏光片、彩色滤光片、液晶、TFT玻璃、垂直偏光片,此外在液晶面板边上还有驱动IC与印刷电路板,主要用于控制液晶板内的液晶分子转动与显示信号的传输。
液晶板很薄,不通电的情况下呈半透明状态,它的大体构造就像三明治,下层TFT玻璃与上层彩色滤光片中间夹着液晶。
Cell工程工艺简介

[Seal 直線部]
不均一 ⇒ 液晶泄漏
[Seal 終端部]
太宽 ⇒ 切断不良
Ag
太り ⇒ 切断不良
正确
表示部 配向膜 ITO膜 过细 ⇒ 液晶泄漏
Seal断裂 ⇒ 液晶泄漏
32
Cell工艺简介
3.3 Ag(银胶)涂布 银胶涂布目的:
在TFT基板的配线上涂布Ag胶,
使TFT基板与CF基板导通。
Ag涂布后形状 Ag涂布前 Pad状态 正常 常
扩大图
CELL
40μm
CELL个数 160,000个/平方inch
CELL深度 10μm
印刷版表面状态:
15
Cell工艺简介
配向膜印刷工艺管理项目:
目的
管理内容 配向材的滴下量 Anilox Roll的表面状态 电子天平测量
方法
用溶剂清洗Anilox Roll上的凹槽 纸压测定法测滚筒间的平行度; 幅宽法测版胴与基板间的平行度 测定照度;确认照射时间 实际测定及版的印刷位置有无偏差 可视化气流目测有无发尘
玻璃 透明电极 配向膜
液晶 配向膜 彩膜 玻璃 偏光板
2
Cell工艺简介
Cell工艺流程
前工程 CF基板 投入洗净 TFT基板 UV硬化 投入洗净 研磨、洗净 真空贴合 屏洗净 配向膜印刷 配向膜印刷 液晶滴下 配向膜烧成 Spacer固着 偏光板贴付 自动除泡 本硬化 个片切断
配向膜烧成
Seal涂布 及Ag涂布 TFT基板 摩擦后洗净
(計量部) (供給部)
Spacer在高压氮气的作用下 在SUS配管内与管壁摩擦碰撞 从而带上负静电,并分散开。
Spacer通过固定的NOZZLE 经过4次散布动作均匀的撒布 在整个CF基板上
Cell制程介绍

➢具重工加压脱泡制程功能 ➢具充足保养与破片清理空间 ➢符合 华星光电工安规定 ➢易人员维修、操作与更换耗材设计
基板切割
磨边导角
洗净
一次点灯
将大基板变成小 panel
修整锐角以 利IC bonding 及预防裂片
去除前制程 之碎屑
LCM
二次点灯
炉子 烘烤
贴附偏 光板
确认品质状 态
洗净
确认品质状 态
利用温度去除 偏光板贴附间 的bubble
将偏光板贴附 Panel 两侧
保持panel表面 洁净以利偏光 板贴附
2. PI制程简介
3. 6框胶固化
UV照射部相关参数: * UV波长cut (300nm以下cut(DUV filter),800nm以上cut(IR UV filter). * UV照射强度 (85~130mw/cm2). * UV照射能量 (照射强度*时间 mj/cm2). * UV照射均一度 (±20%以下). * Seal胶材使用UV波长 (365nm).
3.5贴合
在高真空状态下,利用机台对位系统读取Mark,将CF 和TFT 基板准确的压合在一起,要确保Stage 表面平行度和压合后组 立基板脱离状况良好,对位精度质量才会稳定。
①上下基板投入
②上下基板真空吸着
③基板位置贴合(非接触)
《画像处理:5μm程度》
④Chamber内抽真空 →实施对位
⑤大气开放(大气压力)
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PI塗佈
清洗基板 檢查
PI
進料檢驗
PI預烤
Inspection
硬烤
配向
TFT & CF 之配向共製程 CF 清 洗
分製程
TFT 清 洗
Cell 前制程
CF 框 胶 CF 烘烤 TFT 点 银 胶
Spacer 撒布 & 计 数 撒布
封胶
对准,定位
贴 合
组合
热 压 合
Cell 后制程
Dip method Yarn method
Touch method
Dispense method
Drop & Bond method
Injection type比较
Dispense Dip Þ N ø ö × §³ à § « G ¹ Ï Î Ä v ² ´ ¨¥ ® ² ¾ G ¹ à V Ê ¨² ´ ¦ ¬ § j Ø o ï ³ Ê ¤¤¤¹ À § q £ ] Æ o i ¶ ² ³ ³ µ ® û ×P Á « º » ¤´ î X º ¦ ö § t ® t ® i ¥ ¨ } ¨ } i ¥ Yarn ö § i ¥ i ¥ ¨ } ¨ } i ¥ i ¥ Touch ö § i ¥ i ¥ i ¥ ¨ } ¨ } ¨ } ø à ¨ } ¨ } ¨ } i ¥ ø à i ¥ Drop & Bond t ® ¨ } ¨ } ¨ } t ® t ® t ®
面板切裂
目的:将组立后基板分割成所需尺寸的面板
切割刀輪
玻璃基板
裂片棒
切割示意圖
裂片示意圖
配向组 (A unit) 投入工程
TFT一次切断面取
ち澄 近 吊
縤娩 à
縤娩 glass ホ
à
glass
ホ
面板切裂工程不良
1.裂伤 2.突出
3.破裂
4.碰伤 5.缺口(贝壳状) 6.刮伤 7.面板表面异物
液晶注入-4
• 不是大好就是大坏 • 一切都可以再补救 只除了最危险的Dip时间 • 设计的OEM • 注入未满/气泡/框胶剥离 • 注入口Gap/污染
End-seal
液晶擠出擦拭 封口膠塗佈
封口膠硬化 封口膠滲入
End-seal type
(1)接触式加压压合 (2)非接触式加压压合 (3)加热压合 (4)冷却压合
R Conveyor
R
R
CF
USC(CF) USC(TFT)
R R CPD36K CPD
Tso2
TFT
R
TFT
R USS R SPS USC SPS
R
R CPD
ISP/
ISC
CPD
NG品
Flow
LIFTER R R
HPS36K TSO/TSH R HPO R HPO R R R HPS AMO HPS R AMO
分断及磨边、导角
目的:将 shorting bar切除,并将玻璃边缘钝角化
分断
切割刀轮
砥石
R G
B
玻璃侧视图
玻璃上视图
磨边
导角
S/R面取-1
• 玻璃,切裂后的修饰
S/R面取-2
• 对面板Short-ring的磨边导角 • 砥石的管理 • 磨边/导角量的控制
S/R面取-3
• 模组的声音磨边导角端子部正反两 面要兼顾 • 面板外观贝壳状或破损 • 静电气相关的注意事项
表面洗净/BRUSH洗净-1
• • • • 表面清洁和Brush清洁装置 洗剂/刮刀/研磨 纯水/毛刷/风刀 偏贴前PANEL的最终洗净
偏光片贴附
上下偏光片滤光角度差90度
偏光板贴附
目的:将偏光板贴附在玻璃表面上
偏光板
偏光板贴付-1
• MEDEC • 难缠复杂的设备
偏光板贴付-2
• 以压力Roller贴付装置使面板和偏光 板/位相差板贴合 • 偏光板材料 • 面板显示
偏光板贴付-3
• • • • • • 偏贴小组群策群力从过年到暑假 偏贴Table和Roller之间的平行度 贴附Roller押入量 贴付Roller压力 偏光板材料 Tact time和带静电量的平衡点
偏光板贴付-4
• 无解的习题设备/材料/人 • 14.1“/15"保持一定比例不良的偏 贴异物 • 犬足乎Gap乎 吸着Pad真空压力或面板结构先天不 良 • 偏贴气泡 • 静电气
Transmission(%)
100 90
50
10 0
Applied Voltage
液晶物理性质
Sample Data Sheet
Cleaning Point Specific Resistivity Optical Anisotropy TNI(C) TSN(C) n ne no Dielectric Anisotropy Steepness Pitch Elastic Constant V10/V90 (m) K 84 < -20 2.5*10 0.086 1.5721 1.4862 4.95 1.49 76
液晶材料的评价步骤
A. 符合光学特性 : V10 , V90 , Viewing Angle Contrast Ratio B. 高的电压保持率( VHR ) : 高阻值
C. 低的残留DC
D. 应答时间( Response Time ) : ON & OFF
E. 确认T-V Curve
F. 信赖性测试
Panel洗净及ISO处理-2
• 超声波加温纯水洗净注入口封止后 的面板/端子部/两基板间所沾附之 液晶材料或污染 • 混乱液晶分子排列或配向膜经ISO再 配向均匀化
Panel洗净及ISO处理-3
• 洗剂的选择 • 各槽设置时间,温度 • 洗净能力提高
Panel洗净及ISO处理-4
• 端子部残留液晶 • 浸泡过久对封止胶之恶劣影响 • ISO处理影响
未灌满
Corner bubble
封止-1
• ANELVA • 卡匣In-line式作业 • 加压封止或封止
封止-2
• UV胶以Dispenser涂布及UV硬化将注 入口封止 • UV胶涂布量/UV照射时间 • 完美的隔绝
封止-3
• 注入口框胶断面之状况 • 注入口之框胶设计 • 注入口Gap与注入口封止胶吸入量 及注入条件之影响
FLOW
TPI IMM R
LIFTER R
NG品
பைடு நூலகம்
R
DBF
IMP
IMP
FLOW
MFS
NG品 R ALM CSL R SSC CSS
CSS R CSL ALM NG品 R SSC
CSS
SSC
FLOW
36K
43K
LCI*12
LCI*4
PES
LCI
LCI
CRS
PES*6
CRS
PES*2
LCI PES
LCI
切 割 裂 片 切裂
檢 查
注入液晶
封 口 注入&封口
LC再配向
清洗,急冷
目檢電測
模組廠
1.8“
2.5"
4“
6.1"~6.8“
400mm
320mm
面板范围
裁余部份, 抛弃不用
第1代面板:长400mm,宽320mm
13.3“~14.1"
15“~17"
19“
22“~32"
720mm
600mm
面板范围
第3.5代面板:长720mm,宽610mm
VCO*6
36K加一台
FUV CRS PES*4 LCI*8
FLOW
CRS CRS CRS
CRS CRS
FLOW
MCC
VIS
VIS MCC
IPE
ICG
43K
MFA
VIS MCC MCC
Drafter R
WCO
CLO* 3
WES
R
R
WES
R
ISO
液晶评价项目
Cell段制程主要的控制项目
--PI Curing Condition Pretilt Angle --Rubbing Condition --Annealing Condition Cell Gap --Spacer Condition --Hot Press Condition --Injection / End-seal Condition
裁余部份, 抛弃不用
切割&裂片
14。1“
Scribe the CF Substrate
Break the CF Substrate
Scribe and Break the TFT Substrate
View Inspection
空面板分断: some points
• • • • • • • • • 三星DAIMOND Cluster和直线In-line 切割裂片/切割裂片与搬送机构 经分断使液晶注入口露出 经分断凸显电极部 由多面取的基板分割出各个独立之面板 切割刀轮/刀轮速度/刀轮压力 裂片压力 不同的CF/不同的玻璃与框胶设计
液晶各物理性质的关系
n n 1 Kij/K11 TN-I 1 Kij/K11 X TN-I X
加压脱泡-1
• • • • 偏贴后的补救 偏光板的付着性提高 藉由压力/温度消泡 能力有限 0.5mm以下
TFT
R
conveyor
TFT
暂放
R
conveyor
CF R Tso1 SPB
CF
R ISD CF ISM CF SDP SDP 36K R CF SDP