TFT Cell制程原理
Cell制程原理介绍
主要用途 玻璃基板清洗(PI 印刷前) PI 印刷(for LC 排列) PI 配向(for LC 排列) 配向后玻璃基板清洗 间隙子洒布(cell gap 控制) 框胶塗布供基板组合黏著 组合TFT & CF 将玻璃基板切割成cell 液晶注入(cell 內) 封闭液晶注入口 Cell 表面清洗与液晶重排列 偏光板贴附 强化偏光板与玻璃表面黏著&气泡去除
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9.Injection
抽真空
高真空
破真空 至常压
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10.End-seal
液晶挤出擦拭
封口胶塗布
封口胶渗入
封口胶硬化
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11.磨边道角
【制程目的】藉磨轮的旋转将玻璃的尖锐边磨成钝角，以避免锐角碰撞 缺角或锐角将FPC割断；并将Cell-tester所使用之Shorting-Bar磨除。
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加压
UV燈 上压版
对位CCD
UV胶
下压版
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Press Unit
Kevlar
Cushion
Heater
上定盘 Cushion
Belt 下定盘
Heater
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6.Hot-Press
【制程目的】利用气囊、压板或抽真空等方式加压，使cell之框胶部 份形成所须之gap值，并加热使框胶硬化以维持框胶之固 定gap值。
课程介绍
一、Panel的基本结构 二、LCD制造流程与制程目的 三、区间的制程差异 四、名词解释
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一、Panel的基本结构
（3）
（4）
（1）
（2）
（7）
（5）
（6）
（9）（8）
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1. Introduction of LCD
Cell工程工艺简介
投入洗净
配向膜印刷
配向膜印刷
配向膜烧成
配向膜烧成
摩擦
摩擦
摩擦后洗净
Seal涂布 及Ag涂布
Spacer散布
CF基板
TFT基板
Spacer固着
真空贴合
液晶滴下
UV硬化
本硬化
个片切断
屏洗净
研磨、洗净
偏光板贴付
自动除泡
屏检
前工程
中工程
后工程
Cell Shop布局
2. Cell前工程简介
Cell前工程目的： 在TFT和CF基板表面均匀的印刷一层配向膜并固化,通过摩擦处理,使其对液晶分子具有配向控制力,使液晶分子具有正确、稳定的取向,并形成一定的预倾角。
配向膜形成的一般过程
印刷时
烧成后
S1采用混合型配向材
印刷时
其他类型配向材：
烧成设备构成：
冷却部 （6段 空冷）
基板流向
ＩＲ Ｈｅａｔｅｒ （２０段）
烧成炉
搬送Robot
IR Heater
D/A
Heater
流量、温度控制
导流板
基板
石英管
烧成工艺管理项目：
管理项目
确认方法
可能造成的不良
对策
烧成温度稳定性
2.4 摩擦取向
摩擦处理的目的： 1.通过布摩擦配向膜,使配向膜具有配向液晶的能力 2.使液晶排列具有预期的预倾角
玻璃基板
摩擦基台
摩擦布
摩擦处理过程：
US Cleaner
US Cleaner
摩擦取向原理：
Rubbing Roll
配向材分子
PI
摩擦前
摩擦后
摩擦方向
tft制造原理与简单制造流程
tft制造原理与简单制造流程
何谓TFT-LCD？TFT-LCD 即是Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display 的缩写（薄膜电晶体液晶显示器）TFT-LCD 如何点亮？简单说，TFT-LCD 面板可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是与彩色滤光片（Color Filter）结合，而下层的玻璃则有电晶体镶嵌于上。
当电流通过电晶体产生电场变化，造成液晶分子偏转，借以改变光线的偏极性，再利用偏光片决定画素（Pixel）的明暗状态。
此外，上层玻璃因与彩色滤光片贴合，形成每个画素（Pixel）各包含红蓝绿三颜色，这些发出红蓝绿色彩的画素便构成了面板上的影像画面。
TFT-LCD 的三段主要的制程：的三段主要的制程：前段Array 前段的Array 制程与半导体制程相似，但不同的是将薄膜电晶体制作于玻璃上，而非硅晶圆上。
中段Cell 中段的Cell ，是以前段Array 的玻璃为基板，与彩色滤光片的玻璃基板结合，并在两片玻璃基板间灌入液晶（LC）。
模组组装）后段Module Assembly （模组组装模组组装后段模组组装制程是将Cell 制程后的玻璃与其他如背光板、电路、外框等多种零组件组装的生产作业。
TFT-LCD主要的三段制程：。
CELL制程简介ppt课件
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☆ Rinsing(潤濕) or Shower 原理:
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Cavitations Jet 洗淨原理
上下沖洗基板，水壓越 大則洗淨能力越好。而 氣泡則可以緩衝強大的 水流，避免造成基板的 損傷
水壓:10 ~ 20Kg/cm2
氣泡
Air
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PI轉寫機
★轉寫機 : 基板進入後, 經過對位, 真空吸著, A輪與P輪(凸版) 展色, 便開始印刷,將PI液均勻的印在基板上為面板最複雜的製程。 ★預烤爐
ITO (0.15μ SiO2 CF (1.30μ
SiO2 Glass (0.7mm)
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LCD 面 板 構 造 圖
彩色濾光板
上偏光板
液晶層
ITO 電極
上玻璃基板
下玻璃基板 下偏光板 配向膜 間隔劑 液晶分子 框膠
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LCD 模組分解示意圖
間隔橡膠-X 螺絲
Y-TAB
Y-PCB
AAA AAA
AAA AAAAA
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刮刀的清潔
用無塵紙沾NMP 擦拭直到刮刀上無殘留PI為止,再用無塵紙沾 酒精擦拭,注意要點是擦拭時須小心不能傷到刀刃部。
PI供給管路的清潔
將NMP裝入鋼瓶中 ,沖洗管路中的PI液然後再將管路中的NMP 噴乾淨,拆下濾心( 此時須注意濾心內的細部零件)泡入NMP溶 劑中。
挑點
目前轉寫工程最棘手的作業，原因是必須靠作業者經驗的累 積才能作好的工作，以目前生產的經驗挑點往往影響不少生產 時間，也會降低良率，提生作業者能力是很重要的。
物的污染源…….等等。 2. 無機污染: 人體的汗、顏料、塵埃、金屬屑……等等。 3. 工程污染: 搬運、裝置運轉、包裝紙材、其他製程殘留
TFT--cell制程简介
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Cell TEST-2 CELLtest-1
WO/SB TEST Waveform
data c b scan 63.5us 16.7ms a
com
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CELL TEST-2
WO/SB TEST 的 作 用 (一)
• 有些產品 shorting bar 受傷使信號無法傳 遞 , 故借由導電橡皮將線路short .
metal film
O-ring
flat heater
4-6a.Scribe & Break
【製程目的】將組合熱壓完成之大片基板組，切裂成最終尺寸之cell。
4-6b.切割方式
切割是以硬度比玻璃高的工具，在玻璃表面施加壓力行走，使玻璃產生線狀 crack；基本上cell與單板的切割方法相同。 1、diamond scriber(point tool)：其median crack深度會有各種變化，因 diamond尖端會磨耗，故難以得到穩定的銳利度。 2、超硬/diamond wheel chip：現行LCD之切割皆採用此方式。 3、Laser criber：尚在基礎實驗中。
Scan driver(Gate-line)
CF ITO電極 Source Gate 液晶分子 Pixel電極 Drain
2-4.TFT-LCD剖面圖
3-2.LCD流程-Overall
TFT基板
PI塗布
PI配向
框膠/銀點
TFT/CF 組合/ 熱壓/切裂
CF基板 PI塗布 PI配向 Spacer撒布
4-6c.裂片方式
Cell的裂片方法，是在產生引張應力的地方，施加局部壓縮應力進行裂片。Cell進行裂 片時，切割面接觸裂片檯面，上方以樹脂製成之加壓片施加壓縮荷重；此時因Glass與 檯面的縱向彈性係數不同，會沿著切割線形成引張應力及彎曲應力。
了解整个TFT-LCD open cell的制程
了解整个TFT-LCD open cell的制程文章主要介绍TFT-LCD open cell制程，TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合；后段制程指驱动IC、印刷电路板和液晶板的压合。
笔者认为，只有了解整个TFT-LCD open cell的制程才能更好的进行TV背光系统、主板甚至整个TV的设计。
一、TFT-LCD open cell 制程简述TFT-LCD open cell制程一般分为前段、中段和后段制程，前段制程主要是进行TFT玻璃的制作，这与半导体制程非常相似；中段制程主要指将TFT玻璃与彩色滤光片贴合，并加上上下偏光板；后段制程指将驱动IC和印刷电路板压合至TFT玻璃，并完成我们所熟知的open cell。
二、TFT-LCD open cell前段制程TFT-LCD open cell前段制程与半导体制程非常相似，主要分成四个步骤：1.利用沉淀形成gate metal。
首先在玻璃基板上涂布一层金属，然后涂上光阻胶，最后通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成gate metal。
涂布的金属材料主要成分为：钛（TI）、铝（AL）、钼（MO）和铬（CR）以及其混合物。
2.沉淀SI3N4（氮化硅）、a-SI（非晶硅）和N+a-si（N型硅）。
首先利用PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 技术分别涂布一层SI3N4、N+a-si和a-si，然后在N+a-si和a-si上涂布光阻胶，通过暴光、显影、蚀刻和除胶而形成所需形状。
PECVD指的是等离子体增强化学气相沉积法，原理是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉淀出所期望的薄膜。
SI3N4、N+a-si和a-si三种材料充当的角色分别为：gate端和液晶存储电容的电解质、N型半导体和P型半导体。
TFTCell制程原理
TFTCell制程原理引言TFTCell（薄膜晶体管电池）是一种非常重要的电子组件，广泛应用于液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等显示技术中。
本文将介绍TFTCell的制程原理，包括其结构、制造过程以及工作原理。
结构TFTCell的基本结构由三个主要元件组成：薄膜晶体管、电容和像素电极。
薄膜晶体管是TFTCell的核心部件，它负责控制电流流过电容和像素电极，从而达到控制像素点的亮度和颜色的目的。
电容存储电荷，而像素电极是通过对电容上的电荷进行驱动来控制每个像素点的亮度。
制造过程TFTCell的制造是一个复杂的过程，涉及到多个步骤。
下面将介绍TFTCell的制造过程的主要步骤。
1. 基板制备TFTCell的制造通常以玻璃作为基板，因为玻璃具有良好的透明性和平整度。
制造过程的第一步是在玻璃基板上涂覆一层透明导电薄膜，通常使用氧化锌（ZnO）或二氧化锡（SnO2）等材料的薄膜来实现。
2. 薄膜晶体管的形成在涂覆导电薄膜的基板上，通过光刻和蒸发等技术，制造薄膜晶体管。
薄膜晶体管通常由一层绝缘层、一层半导体层和一层金属电极组成。
绝缘层用于隔离半导体层和金属电极，确保电流只流过晶体管的通道部分。
3. 像素电极的制造在薄膜晶体管的制造完成后，需要制备像素电极。
像素电极通常是由透明导电材料制成的，例如氧化铟锡（ITO）等，可以通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出一个个微小的像素电极。
4. 电容的形成在像素电极的制造完成后，需要在像素电极和薄膜晶体管之间形成一个电容。
电容是由两个金属层之间的绝缘层组成，通过光刻和蒸发等工艺在晶体管上制造出。
工作原理TFTCell的工作原理是基于薄膜晶体管的开关特性。
当TFTCell中的薄膜晶体管通电时，电流流过绝缘层到达半导体层，通过控制垂直方向的电场的强度，可以调节半导体层的导电特性。
当半导体层导电时，电流可以流过像素电极和电容，从而改变像素点的亮度和颜色。
TFTCell的工作原理可以通过外部电源和信号控制电流的开闭，从而实现TFTCell的快速响应和高精度的亮度调节。
TFT制造原理和流程
目录
• TFT技术原理 • TFT制造流程 • TFT工艺技术 • TFT制造设备与材料 • TFT制造中的问题与对策 • TFT制造的应用与发展趋势
01
TFT技术原理
TFT定义与特性
01
TFT（Thin-Film Transistor）即薄 膜晶体管，是一种电子器件，具有 高响应速度、低功耗、高集成度等 特性。
金属诱导晶体技术
金属诱导晶体技术是一种利用金属原 子诱导非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜 的工艺技术。通过在非晶硅薄膜上沉 积金属原子，可以促进硅原子的重排 和结晶化，形成多晶硅薄膜。
VS
金属诱导晶体技术的优点在于其高结 晶速度和低成本，适用于大规模生产。 此外，金属诱导晶体技术还可以与其 他工艺技术相结合，如激光退火技术， 进一步提高TFT的性能。
其物理和化学性质。
TFT制造材料
金属材料
用于制造TFT的电极和引线，如铝、铜等。
光敏材料
用于光刻工艺，如光刻胶。
非金属材料
用于制造绝缘层和钝化层，如氧化硅、氮化 硅等。
其他辅助材料
如稀释剂、清洗剂等。
设备与材料的选取原则
01
02
03
兼容性
设备与材料应相互兼容， 以确保制造过程中不会发 生不良反应。
04
TFT制造设备与材料
TFT制造设备
溅射设备
用于制造TFT薄膜，通 过物理或化学方法将金 属或非金属元素溅射到
基材上。
光刻设备
用于将设计好的电路图 案转移到光敏材料上， 以便进行后续的刻蚀和
剥离。
刻蚀和剥离设备
用于将不需要设备
用于在制造过程中对薄 膜进行热处理，以改变