模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术基础课后答案(共10篇)

模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B;C;F;2、C;D;3、B、E4、B、E;5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解:1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明:Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问:如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2.3.13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2.3.7a/b的解释.我们可以知道1/h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib=0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1/h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic=h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问:没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问:rce1与1/h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4.2.10b中,或公式4.2.15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4.2.10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2.3.13d一致〔2.3.13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4.2.15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A.(A) 电压串联B.(B) 电压并联C.(C) 电流串联D.(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.处于平衡态的PN结,其费米能级EF()。
答案:处处相等2.由PN结能带图可见,电子从N区到P区,需要克服一个高度为()的势垒。
答案:3.不考虑势垒区的产生-复合电流,Jdn和Jdp在PN结的势垒区()。
答案:均为常数4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现()过程占优。
答案:复合5.对突变PN结,反向电压很大时,可以略去,这时势垒电容与()成反比。
答案:6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。
也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法,其目的是()。
答案:引入复合中心降低少子寿命7.双极晶体管效应是通过改变()。
答案:正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流8.在缓变基区晶体管中,由于基区中存在内建电场,基区渡越时间变为()。
9.在测量ICBO时,双极型晶体管的发射结和集电结分别处于()。
答案:反偏和反偏10.为了降低基极电阻,通常采用对非工作基区进行()的掺杂。
答案:高浓度、深结深11.ICBO代表( ) 时的集电极电流,称为共基极反向截止电流。
答案:发射极开路、集电结反偏12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流:()。
减小栅氧化层厚度13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅:()。
答案:降低衬底掺杂浓度14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通:()。
答案:增加衬底掺杂浓度15.当MOSFET的栅极电压较大时,随着温度的温度升高,漏极电流将()。
答案:减小16.MOSFET的()是输出特性曲线的斜率,()是转移特性曲线的斜率。
漏源电导,跨导17.以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应:()。
答案:减小氧化层厚度18.PN结的空间电荷区的电荷有()。
答案:施主离子受主离子19.PN结的内建电势Vbi与()有关。
答案:温度材料种类掺杂浓度20.反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的()。
生理学_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

生理学_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.促进红细胞叠连的因素是()参考答案:血浆球蛋白含量升高2.影响能量代谢的因素有()参考答案:肌肉活动_环境温度_精神活动_食物特殊动力作用3.神经细胞动作电位的下降支与()有关。
参考答案:钾离子外流4.单个细胞的动作电位的最基本特征是()参考答案:全或无现象5.发绀是一氧化碳中毒的重要表现,提示机体严重缺氧。
参考答案:错误6.钠泵的活动具有生电性。
参考答案:正确7.正常心电图中T波代表心房肌复极过程。
参考答案:错误8.动物实验中,向2kg重的家兔静脉注射5ml的20%葡萄糖溶液后,可观察到家兔尿量增多。
此时尿量增多的主要原因是()。
参考答案:肾小管液溶质浓度升高9.在肾髓质高渗形成的过程中,()处的小管液NaCl被浓缩。
参考答案:髓袢降支细段10.肾脏的生理功能包括()。
参考答案:生成和排出尿液_分泌肾素_参与调节内环境稳态11.肾脏的血供丰富,大部分血液供给肾髓质。
参考答案:错误12.正常机体血压的稳定主要依赖窦-弓反射的调节。
参考答案:正确13.运动状态下,机体最主要的产热器官是()。
参考答案:骨骼肌14.离子通道的电导是描述通道对离子通透性高低的指标。
参考答案:正确15.短时间内大量饮清水,造成尿量明显增加主要是由晶体渗透压下降使得ADH释放减少。
参考答案:正确16.肾脏对钾离子的分泌主要发生在近端小管,并接受醛固酮的调节。
参考答案:错误17.()时,可升高血浆中醛固酮水平。
参考答案:血钾浓度升高_大失血18.属于离子通道特点的是()参考答案:可有门控性_具有离子选择性19.在甲状腺激素合成过程中起关键作用的酶是过氧化物酶。
参考答案:正确20.能结合于N2型受体,从而影响神经肌接头兴奋传递的物质是()。
参考答案:碳酰胆碱21.以下对近端小管重吸收特点的描述中正确的是()。
参考答案:等比等渗重吸收22.外髓渗透压梯度的形成是由于髓袢升支粗段主动重吸收()。
电路与电子技术:电子技术基础_中国石油大学(华东)中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

电路与电子技术:电子技术基础_中国石油大学(华东)中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.普通二极管禁止工作在()。
答案:反向击穿区2.若二极管为理想二极管,则该二极管导通时等效为开路。
()答案:错误3.若二极管的导通电压为0.3V,当阳极与阴极之间的电压大于()V时,二极管导通。
答案:0.34.图示二极管的工作状态是()。
【图片】答案:导通5.稳压管的稳压性能是利用PN结的()。
答案:反向击穿特性6.将光信号转化为电信号的是()二极管。
答案:光电7.要使三极管具有放大作用,发射结加()偏置电压,集电结加()偏置电压。
答案:正向反向8.要使三极管具有开关作用,发射结加()偏置电压,集电结加()偏置电压。
答案:正向正向_反向反向9.三极管的两个PN结均反偏时,所对应的状态是()答案:截止10.如图所示的放大电路中,集电极电阻RC的作用是()。
【图片】答案:防止输出信号交流对地短路,把放大了的电流转换成电压11.当输入电压为正弦信号时,如果NPN管共发射极放大电路发生饱和失真,则集电极电流iC的波形将()。
答案:正半波削波12.电路如图所示,该电路的电压放大倍数为()。
【图片】答案:13.图示电路有正常电压放大的能力。
()【图片】答案:错误14.如图所示的放大电路中,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能时因为()。
【图片】答案:RB开路15.已知基本R-S触发器输入端SD、RD的波形,画出的输出Q波形是正确的。
【图片】答案:正确16.固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如右图所示,当温度升高时工作点Q将( )。
【图片】答案:向Q1移动17.在图示射极偏置电路中,若上偏置电阻RB1短路,则该电路中的三极管处于()。
【图片】答案:饱和状态18.放大电路如右图所示,由于Rb1和 Rb2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。
【图片】答案:适当增加Rb1,减小Rb219.射极输出器的主要特点是电压放大倍数接近于1,输入电阻_____,输出电阻____。
模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术_南京信息工程大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得I=1μA 。
当R从10kΩ减小至5kΩ时,I将____。
【图片】参考答案:变化不大2.随着温度的升高,在杂质半导体中,多数载流子的浓度____。
参考答案:变化较小3.随着温度的升高,在杂质半导体中,少数载流子的浓度____。
参考答案:明显增大4.某硅二极管在正向电压UD=0.6V时,正向电流ID=10mA。
当UD增加10%(即增大到0.66V)时,则ID约为____。
参考答案:100mA5.当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流。
参考答案:小于6.当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流。
参考答案:大于7.PN结加正向电压时,空间电荷区将。
参考答案:变窄8.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于____。
参考答案:杂质浓度9.稳压管的稳压区是其工作在。
参考答案:反向击穿10.硅二极管的正向电压从0.65V增大10%,则流过的正向电流增大____。
参考答案:大于10%11.电路如图所示,ui=0.1sinωt(V),当直流电源电压V增大时,二极管VD的动态电阻rd将____。
【图片】参考答案:减小12.在如图所示的电路中,当V=3V时,测得I=1mA,UD=0.7V。
当V调到6V,则I将为____。
【图片】参考答案:大于2mA13.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是。
参考答案:ISe(U/UT-1)14.已知图中二极管的反向击穿电压为100V,在V=10V时,测得I=1μA 。
当V增加到20V时,I将____。
【图片】参考答案:变化不大15.由理想二极管组成的电路如下图所示,其A,B两端的电压Uab应为。
【图片】参考答案:-6V16.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
参考答案:增大17.P型半导体是在纯净半导体中掺入____。
参考答案:三价元素,如硼等18.已知图中二极管的反向击穿电压为100V,测得I=1μA 。
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.线性缓变结的耗尽层宽度正比于【图片】。
参考答案:正确2.反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
参考答案:正确3.减薄p+n突变结的轻掺杂区厚度,不但能减少存储电荷,还能降低反向抽取电流。
参考答案:错误4.在异质结双极型晶体管中,通常用()。
参考答案:宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区5.( )的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为BVCBO。
参考答案:发射极开路时,使6.【图片】对高频小信号注入效率的影响的物理意义是,【图片】的存在意味着【图片】必须先付出对势垒区充放电的多子电流【图片】后,才能建立起一定的【图片】。
这一过程需要的时间是()。
参考答案:发射结势垒电容充放电时间常数7.某长方形扩散区的方块电阻为200Ω,长度和宽度分别为100μm和20μm,则其长度方向的电阻为()。
参考答案:1KW8.要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法()。
参考答案:减小基区掺杂浓度_减小基区宽度9.防止基区穿通的措施是提高()。
参考答案:增大基区宽度_增大基区掺杂浓度10.从发射结注入基区的少子,由于渡越基区需要时间tb ,将对输运过程产生三方面的影响( )。
参考答案:时间延迟使相位滞后_渡越时间的分散使减小_复合损失使小于111.晶体管的共发射极输出特性是指以输入端电流【图片】作参量,输出端电流【图片】与输出端电压【图片】之间的关系。
参考答案:正确12.电流放大系数与频率成反比,频率每提高一倍,电流放大系数下降一半,功率增益降为四分之一。
参考答案:正确13.特征频率【图片】代表的是共发射极接法的晶体管有电流放大能力的频率极限,而最高振荡频率【图片】则代表晶体管有功率放大能力的频率极限。
参考答案:正确14.模拟电路中的晶体管主要工作在()区。
参考答案:放大15.共发射极电路中,基极电流IB是输入电流,集电极电流IC是输出电流。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。
电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。
通信原理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

通信原理_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.基带4PAM的信号空间是几维的?()。
答案:一维2.MSK信号是一种调制指数为()的连续相位BFSK信号。
答案:0.53.在相同AWGN信道上,当E b相等时,QPSK系统的误码性能与()系统相同。
答案:BPSK4.模拟信号下限频率为1000 Hz,上限频率为3000 Hz,则该信号无频谱重叠的最低采样频率为()。
答案:6000 Hz5.信号传输带宽会随M值的增大而增加的调制方式是()。
答案:MFSK6.()信号的功率谱密度很低,可以隐藏在噪声信号之中,很难让不知情者发现和截获。
答案:直接序列扩频7.m序列又被称为()。
答案:最长线性反馈移位器序列8.单路标准PCM电话系统的数据传输速率为()。
答案:64 kbps9.某数字基带系统的传输速率为1200 Baud,则以八进制码元传输时该系统的比特率为()。
答案:3600 bit/s10.采用双极性NRZ脉冲传输的二元数字基带系统,传输速率为12 kb/s,则该信号第一零点带宽为()。
答案:12 kHz11.下列哪种复用技术常用于模拟通信系统?()。
答案:FDMA12.采用滚降升余弦技术的主要目的是()。
答案:解决码间干扰问题13.下列哪种技术在同等带宽下所传输的数据量最少?()。
答案:二元直接序列扩频14.下面哪种模拟技术在同样频带信道带宽下,所传送的消息信号带宽最大?()。
答案:SSB15.下列哪种技术是实现OFDM的核心技术之一?()答案:FFT16.以下模拟通信系统中,有效性最好的是()。
答案:SSB17.以下说法错误的是()。
答案:DSB-SC系统的解调增益为118.某PM系统中,调制信号m(t)=10cos(2000πt) (V),相偏常数为10 rad/V,则该信号的最大相移为()。
答案:100 rad19.在通信系统中,PCM的中文全称是()。
答案:脉冲编码调制20.对最高频率为f的低通信号进行采样时,最低采样频率为()。
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模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ,输入电阻ri = ,输出电阻ro = 。
参考答案:∞,∞,02.放大电路中,运算放大器的反相输入端为虚地,而放大电路中,运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
参考答案:反相,同相3.欲将方波电压转换为三角波电压,应选用。
参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压,应选用。
参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍,应选用。
参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
参考答案:正确7.在线性运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。
参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1,所以其对信号放大没有贡献。
参考答案:错误9.在选择整流元件时,只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。
参考答案:错误10.图示电路中,图中A点对地的电压为_____,B点对地的电压为_____。
【图片】参考答案:+15V,-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中,输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。
参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。
【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件,且【图片】,就能产生自激振荡。
参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时,输出电压为高电平;而在输入电压大于+3V时,输出电压为低电平。
可采用________电压比较器。
参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值,而迟滞比较器则有______个门限电压值。
参考答案:1,216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路,则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。
参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率,对功率放大电路的基本要求是。
参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频,那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时,都不会产生自激振荡。
参考答案:正确19.无论在什么情况下,分析运算放大器组成的电路时,都可以运用虚短和虚断的概念。
参考答案:错误20.图示电路中级间的交流反馈的作用是_________。
【图片】参考答案:减小输出电阻_增大输入电阻21.设图示电路满足深度负反馈条件,则它的反馈系数为________,闭环增益约为________,闭环电压增益约为________。
【图片】参考答案:,,22.图示电路级间引入了反馈,该反馈属于反馈。
【图片】参考答案:负,直交流23.为了增大放大电路的输出电阻,应引入负反馈。
参考答案:电流取样24.运放的开环差模电压增益下降3分贝所对应的频率fH是较低的,一般通用型运放的fH约为几赫兹至几十赫兹。
参考答案:正确25.N型半导体中的多数载流子是,而P型半导体中的多数载流子是。
参考答案:自由电子,空穴26.PN结内电场方向是由。
参考答案:N区指向P区27.PN结正偏是指。
参考答案:P区电位高于N区28.齐纳二极管正常稳压时,工作在状态。
参考答案:反向击穿29.点亮发光二极管应加,光电二极管正常工作时应加,变容二极管正常工作时应加。
参考答案:正偏电压,反偏电压,反偏电压30.已知某二极管处于正向导通状态,其导通电流为0.5 mA,那么,此时二极管在室温(300K)下的小信号模型参数rd = 。
参考答案:52 Ω31.在差分式放大电路中,源极或发射极公共支路上采用电流源进行直流偏置,带来的好处是。
参考答案:提高共模抑制比32.设简单硅二极管基本电路如图所示,已知R = 1kW。
当VDD =10V时,分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为和;当VDD =1V时,再分别应用理想模型和恒压降模型,求得的电流ID分别为和。
【图片】参考答案:10mA,9.3mA; 1mA,0.3mA33.二极管电路如图所示。
输入电压只有0V或5V两个取值。
利用二极管理想模型分析,在vI1和vI2电压的不同组合情况下,输出电压vO的值是。
【图片】【图片】参考答案:vO的b列34.电路如图所示,D为硅二极管,若VDD = 2 V,R = 1 kW,正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。
则静态(即vs= 0)时,二极管中的静态电流为,vO的静态电压;动态时,vO的交流电压振幅为。
【图片】参考答案:1.3mA,1.3V;0.049V35.可以通过降低放大电路的增益来增大带宽。
参考答案:正确36.无旁路电容的直接耦合放大电路区别于阻容耦合放大电路的特点是,它在低频区的增益不会衰减。
参考答案:正确37.电路如图示,已知该电路在室温(300K)下运行,且BJT的VBEQ=0.6V,rbb¢=100W,b0=100,Cb¢c=0.5pF,fT =400MHz;VCC=12V,Rb1=100kW,Rb2=16kW,Re=1kW,Rc=RL=5.1kW,Rs=1kW,那么该电路的上限截止频率约为。
【图片】参考答案:3.45MHz38.电路如图所示,其中+VDD=5V,Rsi = 1kW,Rg1= 30kW,Rg2 = 20kW,Rd= 4kW,gm= 0.8mS,l = 0,Cgs=1pF,Cgd=0.5pF。
那么该电路源电压增益的上限截止频率约为。
【图片】参考答案:55.7MHz39.稳压电路如图所示。
若VI =10V,R =100W,齐纳二极管的VZ =5V,IZ(min)=5mA,IZ(max)=50mA,那么负载RL的变化范围是。
【图片】参考答案:大于111W40.半导体二极管温度升高时,将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度,因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
参考答案:正确41.图示一阶RC高通电路,当输入信号的频率等于【图片】时,电路的【图片】_______。
【图片】参考答案:-20dB42.对于实际的二极管,只要正偏电压大于零,二极管就导通。
参考答案:错误43.直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。
参考答案:正确44.BJT放大电路在不失真地放大动态信号时,其三个电极的实际电流方向始终不变。
参考答案:正确45.NPN型BJT只能在正电源电压下工作,而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
参考答案:错误46.在使用齐纳二极管时,必须加限流电阻。
参考答案:正确47.用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是_______,该管是________型。
参考答案:e、c、b;NPN48.BJT放大电路共有三种组态的放大电路,它们分别是共射极、_______和_______放大电路。
参考答案:共集电极,共基极49.BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_______,集电结_______。
参考答案:正偏,反偏50.场效应管仅靠一种载流子导电。
参考答案:正确51.已知电路参数如图(a)所示,FET工作点上的互导gm=1mA/V,设rds>>Rd,则该电路的小信号等效电路是_______,电压增益为_______,输入电阻为_______。
【图片】参考答案:图(b),-3.3,2075 kW52.用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。
当输出端开路时,A和B的输出电压相等;当都接入负载电阻RL时,测得A的输出电压小于B的输出电压,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻________。
参考答案:大53.场效应管利用外加电压产生的_______来控制漏极电流的大小,因此它是_______控制器件。
参考答案:电场,电压54.N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。
参考答案:电子55.通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流,正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
参考答案:错误56.P沟道增强型MOS管的阈值电压是________。
参考答案:负值57.12V电池的充电电路如图所示,用二极管理想模型分析,若vs是振幅为24V的正弦波,则二极管流过的峰值电流为,二极管两端的最大反向电压为。
【图片】参考答案:120mA,36V58.一个MOS场效应管的转移特性如图所示(其中漏极电流iD的方向是它的实际方向),它是_______场效应管。
【图片】参考答案:P沟道增强型59.在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中,_______放大电路电压增益小于1但接近于1,输入输出电压同相,有电压跟随作用;_______放大电路电压增益较高,输入输出电压反相;________放大电路输入输出电压同相,有电流跟随作用;________放大电路输出电阻小;_______放大电路输入电阻小。
参考答案:共漏,共源,共栅,共漏,共栅60.放大电路中的运算放大器只要是理想的,就一定存在虚短和虚断。
参考答案:错误61.在图示电路中,已知各MOS管的阈值电压çVT ç=0.5V,MOS管处于截止状态的电路是_______。
【图片】参考答案:图(b)62.试分析图示各电路,能正常放大交流信号的电路是________(设各电容对交流信号的容抗可忽略)。
【图片】参考答案:图(b)63.设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路,则其小信号等效电路为_______。
【图片】参考答案:图(d)64.电路如图所示。
设电流源电流I=0.5mA、VDD=VSS=5V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路。
场效应管的VT=0.8V,Kn=1【图片】,l = 0。
则场效应管的gm » _______,电路的小信号电压增益约为 _______ 。
【图片】参考答案:1.42 mA/V,-12.7865.源极跟随器电路如图所示,场效应管参数为Kn=1【图片】,VTN=1.2/V,l=0。
电路参数为VDD=VSS=5V,Rg=500kΩ,RL=4kΩ。
若电流源I=1mA,则小信号电压增益约为________,输出电阻约为________。
【图片】参考答案:0.89,0.5kW66.图示电路参数为I=0.5mA,VDD=VSS=5V,Rg=100 kΩ,Rd=10kΩ, Rsi=1kΩ。
场效应管参数为VTN=1V,Kn=0.5【图片】,λ=0。
那么电路的输入电阻约为________,源电压增益Aυs=υo/υs =_________,输出电阻约为________。
【图片】参考答案:1 kW,5,10kW67.放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
参考答案:错误68.电路如图8所示,假设运算放大器是理想的,则图(a)Av = vO/vI = ,Ri= ;图(b)Av=vO/vI = ,Ri = 。