B.电流密度
电镀考试题

选择题
在电镀过程中,下列哪项因素对镀层质量影响最大?
A. 电流密度
B. 镀液温度
C. 镀件表面清洁度(正确答案)
D. 搅拌速度
电镀液中,主盐的主要作用是?
A. 提供镀层金属离子(正确答案)
B. 调节镀液pH值
C. 增加镀液导电性
D. 抑制镀液杂质
下列哪种添加剂能显著改善镀层的均匀性和光亮度?
A. 缓冲剂
B. 光亮剂(正确答案)
C. 抑制剂
D. 导电盐
电镀前处理中,除油的目的主要是为了?
A. 增加镀层厚度
B. 提高镀层附着力(正确答案)
C. 改变镀件颜色
D. 减少镀液消耗
在电镀铜的过程中,若镀液中出现铜粉,可能的原因是?
A. 电流过大(正确答案)
B. 镀液温度过低
C. pH值过高
D. 搅拌不足
下列哪种方法可以有效防止电镀过程中的氢脆现象?
A. 降低电流密度
B. 提高镀液温度
C. 加入去应力剂(正确答案)
D. 延长电镀时间
电镀后处理中,钝化的主要目的是?
A. 增加镀层硬度
B. 提高镀层耐腐蚀性(正确答案)
C. 改变镀层颜色
D. 减少镀层厚度
在电镀镍的过程中,若镀层出现麻点,可能的原因是?
A. 镀液中有杂质(正确答案)
B. 电流密度过小
C. 镀液温度过高
D. 搅拌过度
下列哪种设备是电镀生产中用于控制镀层厚度的关键设备?
A. 整流器
B. 镀液过滤器
C. 厚度测量仪(正确答案)
D. 搅拌装置。
电磁场选择题

一、单项选择题1、一个标量场中某个曲面上梯度为常数时 CA. 其旋度必不为零B. 其散度为零C.该面为等值面D. 其梯度也为零2、一个矢量场的散度为零时 BA. 沿任一闭合曲线的线积分不为零B.沿任一闭合曲面的通量为零C. 其旋度必不为零D. 其梯度必为零3、直角坐标系中的单位向量ex 与ey的矢量积是 DA. 1B. exC. eyD. ez4、已知 ,矢量A=2x-3yex+3x-zey+y-xez,矢量A 的散度为 BA. 1B. 2C. 3D. 45、已知 ,矢量A=2x-3yex+3x-zey+y-xez,矢量A 的旋度为 AA. 2ey+3ezB. 2xex-zeyC. 3x-zD. yey-2xez6、一个矢量场的旋度为零时表示该矢量 DA. 在闭合曲线上的线积分不为零B. 沿任一闭合曲面的通量为零C. 其梯度必为零D. 在一个闭合曲线上的环量等于零7、一个标量场中某个曲面上梯度为零时 DA. 其旋度也等于零B. 其散度为零C. 其散度不为零D. 该面为等值面1、电位等于零处 BA. 电场强度也一定等于零B. 电场强度不一定等于零C. 电场强度是否等于零与电位的参考点的选择有关D. 电场强度的散度也一定为零2、电场强度的大小 BA. 与电荷的分布无关B. 与电位的变化率有关C. 与电位参考点的选择有关D. 与电位参考点的选择无关3、通过一个闭合曲面的电场强度的通量为零 BA. 该闭合曲面内的电荷总和也为零B. 该闭合曲面内的电荷总和不一定为零C. 该闭合曲面上任意点处的电场强度也必为零D. 闭合曲面内任意点处电场强度的散度总是零4、静电场中的导体 AA. 内部电荷必等于零B. 内部电荷不一定等于零C. 其表面电位不相等D. 其表面不一定是等位面5、在介质分界面上 DA. D 的法向分量总是不连续的B. 电位的导数是连续的C. E 的切向分量不连续D. 电位是连续的6、满足给定边界条件的电位微分方程泊松方程或拉普拉斯方程的解是唯一的 CA. 不一定B. 与电荷的存在与否有关C. 是的D. 与电位的参考点的选择有关7、用镜像法求解静电场边值问题时,判断镜像电荷的选取是否正确的根据是 CA. 镜像电荷是否对称B. 镜像电荷q’与电荷q符号相反C. 边界条件是否保持不变D. 镜像电荷q”与电荷q符号相反8、电容器的电容大小与 CA. 电容器的电压有关B. 电容器所带的电量有关C. 电容器的形状及介质有关D. 电容器的内部场强有关9、静电场的能量 AA. 来自于建立电场的过程中外力所做的功B. 来自于电压C. 来自于电流D. 与介质的性质无关10、电场强度线与等电位线总是AA. 正交B. 平行C. 重合D. 成右手螺旋关系11、在各向同性的线性均匀介质中,电位移矢量D与电场强度矢量E的方向 BA. 总是相同的B.是否相同与介质有关C. 不一定相同D. 是否相同与介质无关12、在分界面两侧,电场强度的切线分量 AA. 总是相等的B. 总是不相等的C. 不一定相等D. 是否相等与电位有关13、镜象电荷q'与电荷q的符号 BA. 总是相反B. 是否相同与介质有关C. 总是相同D. 是否相同与介质无关14、镜象电荷q”与电荷q的符号BA. 总是相反B.是否相同与介质有关C. 总是相同D. 是否相同与介质分布情况有关15、静电场中静电平衡时有关导体的不正确叙述是 DA. 表面电位相等B. 内部电场强度为零C. 电场强度线垂直于表面D. 内部电荷不为零16、在介质的分界面两侧,电场强度E CA. 法线方向的导数相等B. 切线分量是否相等与面电荷有关C. 切线分量总是相等D. 切线分量是否相等与介质有关17、电场强度E通过一个闭合曲面的通量等于零,意味着 CA. 该闭合曲面内正电荷多于负电荷B. 该闭合曲面内负电荷多于正电荷C. 该闭合曲面内正电荷等于负电荷D. 该闭合曲面内极化电荷等于零18、静电场中电场强度的旋度为零,意味着电场强度线 AA.有头有尾B. 有头无尾C. 无头有尾D. 无头无尾19、无穷大带电平面上带有电荷面密度s,空间的电场强度大小为BA. s/e0B. s/2e0C. sD. s/220、电介质的极化时 AA. 分子的电偶极矩转向外电场的方向B. 分子的电偶极矩转向与外电场相反的方向C. 分子的电偶极矩转方向不变D. 分子的电偶极矩转变大21、电场强度E的方向 CA. 与电荷在电场中所受到的力方向相反B. 与电荷在电场中所受到的力方向垂直C. 与电荷在电场中所受到的力方向一致D. 与电荷在电场中所受到的力成右手螺旋关系22、极化电荷 DA. 是外电场移动过来的B. 不能产生电场C. 产生的电场与外电场方向一致D. 产生的电场与外电场方向相反23、静电能量 AA. 是在电场的建立过程中,由外力做功转化而来的B. 是原来就有的C. 是极化电荷建立的D. 是静电荷所固有的1、局外场强 CA. 是由静电荷建立的B. 是由极化电荷建立的C. 是由非静电力建立的D. 存在于整个电路中2、导体的电阻大小 DA. 与导体两端所加的电压有关B. 与导体中的电流有关C. 与导体的形状有关D. 与导体的形状及电导率有关3、恒定电场中介质分界面两侧CA. 电场强度的法线分量相等B. 电流密度的切线分量相等C. 电流密度的法线分量相等D. 电位的法线方向的导数相等4、恒定电场中镜象电流I’与实际电流I的方向 BA. 总是相反B. 是否相同与介质的电导率有关C. 总是相同D. 是否相同与介质的电导率无关5、恒定电场中镜象电流I”与实际电流I的方向 CA. 总是相反B. 是否相同与介质的电导率有关C. 总是相同D. 是否相同与介质的电导率分布有关6、恒定电场 AA. 是无源无旋场B. 是有源无旋场C. 是无源有旋场D. 是有源有旋场1、磁介质内部的磁场 AA. 由传导电流和极化电流共同产生B. 由传导电流单独产生C. 由极化电流单独产生D. 与磁导率无关2、磁感应强度的方向 DA. 平行于电流和导体所受力所在的平面B. 与产生磁场的电流大小无关C. 与介质的磁导率无关D. 垂直于电流和导体所受力所在的平面3、磁感应强度沿闭合路径的曲线积分 BA. 等于该回路所包围的电流的代数和B. 正比于该回路所包围的电流的代数和C. 恒等于零D. 恒不等于零4、两种导磁媒质分界面上没有电流分布时恒定磁场满足的衔接条件是 CA. 磁场强度的切向分量总是相等B. 磁感应强度的切向分量相等C. 分界面两侧磁场强度切向分量的差值等于面电流密度D. 分界面两侧磁感应强度切向分量的差值等于面电流密度5、磁矢位A BA. 其旋度恒等于零B.其方向与电流的方向相同C. 在分界面两侧是否相等决于分界面上的电流D. 其散度恒不等于零6、电感的数值大小 DA. 与其两端所加电压有关B. 与其中所通过的电流有关C. 与其中所通过的磁通的变化率有关D. 由线圈本身的参数和其内部的介质决定7、磁场的能量 AA. 来自于建立磁场的过程中电源所做的功B. 与电流无关C. 与介质无关D. 与电流成正比8、磁路的磁阻 DA. 与介质无关B. 与磁路的的长度成反比C. 与磁路的的横截面积成正比D. 与磁路的的横截面积成反比9、恒定磁场中镜象电流I’与实际电流I的方向 BA. 总是相反B.是否相同与介质的磁导率有关C. 总是相同D. 是否相同与介质的磁导率无关10、恒定磁场中镜象电流I”与实际电流I的方向 BA. 总是相反B. 是否相同与介质的磁导率有关C. 总是相同D. 是否相同与磁场强度有关11、已知磁感应强度为:B=3xex+y-2zey-y-mzez ,则 m的值应为 DA. 1B. 2C. 3D. 412、两种导磁媒质分界面上没有电流分布时恒定磁场满足的衔接条件是: AA. H1t=H2tB. B1n=B2nC. H1t-H2t=KD. B1t-B2t=K13、在介质的分界面两侧,磁感应强度B AA. 法线分量相等B. 法线方向的导数相等C. 切线分量相等D. 法线分量是否相等与面电流有关14、磁场强度H绕某一闭合回路的环路积分等于零,是指 BA. 磁力线是有头有尾的B.该回路所包围的电流的代数和等于零C. H绕该回路的环量不等于零D. H的散度等于零15、在介质的分界面两侧,磁场强度H BA. 法线分量相等B. 切线分量是否相等与面电流有关C. 法线方向的导数相等D. 切线分量是否相等与介质有关16、恒定磁场中某点磁场强度的旋度为零,意味着该点 BA. 磁场强度为零B. 电流密度为零C. 磁位为零D. 磁感应强度为零17、介质磁化时,内部的分子磁矩BA. 方向不变B. 转向外磁场的方向C. 大小发生改变D. 转向与外磁场相反的方向18、磁感应强度B的散度等于零表明 DA. 恒定磁场是保守场B. 恒定磁场是有源场C. 恒定磁场是无旋场D.恒定磁场是无源场1、全电流定律 BA. 指出在时变电磁场中只有传导电流可以产生磁场B. 指出在时变电磁场中传导电流和变化的电场都可以产生磁场C. 指出变化的磁场可以产生电场D. 指出在时变电磁场中只有位移电流可以产生磁场2、时变电磁场中的分界面两侧CA. 磁场强度的切向分量相等B. 磁感应强度的切向分量相等C. 电场强度的切向分量相等D. 电位移矢量的切向分量相等3、坡印亭矢量 BA. 表示流过与电磁波传播方向相垂直单位面积上的电磁能量B. 表示单位时间内流过与电磁波传播方向相垂直单位面积上的电磁能量C. 方向与磁场强度的方向相同D. 方向与电场强度的方向相同4、坡印亭矢量S的方向 CA. 与磁场强度的方向相同B. 与电场强度的方向相同C. 垂直于磁场强度和电场强度所在的平面D. 平行于磁场强度和电场强度所在的平面5、正弦电磁场 CA. 是指电场按正弦规律变化的电磁场B. 是指磁场按正弦规律变化的电磁场C. 是指电场和磁场都按正弦规律变化的电磁场D. 是指电场和磁场都不按正弦规律变化的电磁场6、电磁辐射 BA. 其场源不一定随时间变化B. 是指电磁波从波源出发,以有限速度在媒质中向外传播,一部分电磁能量不再返回的现象C. 其变化的频率可以非常小D. 没有能量的输出7、天线的辐射 AA. 具备方向性和能量的流动B. 不具备方向性和能量的流动C. 不具备方向性D. 不具备能量的流动8、感应电动势 AA. 其存在与否与导体回路无关B. 其存在与否与导体回路有关C. 所对应的感应电场的旋度等于零D. 所对应的感应电场的力线是不闭合的器线9、Br<<1称为 DA. 透入深度B. 滞后因子C. 平均功率D. 似稳条件10、电磁波在真空中的波速与光速 AA.相等B. 不相等C. 相等与否与频率有关D. 相等与否与波长有关11、磁通连续性原理表示 DA. 磁场强度在任意一个闭合曲线上的环量等于零B. 磁力线是不闭合的C. 磁场强度在任意一个闭合曲面上的通量不等于零D. 磁力线是闭合的12、磁通连续性原理表示 AA. 磁感应强度B的散度为零B. 磁感应强度B的梯度为零C. 磁感应强度B的旋度为零D. 磁感应强度B随时间的变化率为零13、滞后因子 BA. 表示电磁波进入到介质内部的深度B. 表示范表演场中某点的场量在时间上滞后于场源的数量C. 表示集肤效应的程度D. 表示涡流的大小1、电准静态场 AA. 是指忽略磁场的变化后的电磁场B. 是指忽略电场的变化后的电磁场C. 不再满足泊松方程D. 与静电场所满足的方程不一样2、磁准静态场 AA. 是指忽略磁场的变化后的电磁场B. 是指忽略电场的变化后的电磁场C. 不再满足泊松方程D. 与恒定磁场所满足的方程不一样3、涡流 CA. 不具有热效应B. 不具有磁效应C. 具有热效应和磁效应D. 总是有害的4、涡流 BA. 是由变化的电场产生的B. 是由变化的磁场产生的C. 是由于电流分布不均匀引起的D. 是由于集肤效应引起的5、导体的交流内阻抗 AA. 与频率有关B. 交流电阻 R 和自感随频率的增加而减小C. 与电流在交流情况下分布不均匀无关D. 与频率无关6、变压器和交流电机的铁芯用相互绝缘的薄硅钢片迭成,是为了CA. 进行电磁屏蔽B. 降低集肤效应C. 减少涡流损耗D. 防止漏电7、透入深度 AA. 与频率有关B. 与频率无关C. 与电导率无关D. 与磁导率无关8、集肤效应 CA. 与高频情况下电流分布不均匀无关B. 与磁场随时间的变化无关C. 与高频情况下电流分布不均匀有关D. 与电场随时间的变化无关。
大学物理知识点归纳

大学物理第十一章:真空中的静电场一、电场强度:数值上等于单位正电荷在该点受到的电场力的大小,也等于单位面积电通量的大小(即电场线密度);方向与该点的受力方向(或者说电场线方向)一致。
二、电场强度的计算:a)点电荷的电场强度:b)电偶极子中垂线上任意一点的电场强度:(表示点到电偶极子连线的距离)c)均匀带电直棒:无限长(=0)无限ii.非均匀电场E穿过曲面S的电通量:四、高斯定理a)b)表述:真空中任何静电场中,穿过任一闭合曲面的电通量,在数值上等于该闭合曲面内包围的电荷的代数和除以;c)理解:1.高斯定理表达式左边的E是闭合面上处的电场强度,他是由闭合面内外全部电荷共同产生的,即闭合曲面外的电荷对空间各点的E有贡献,要影响闭合面上的各面元的同量。
2.通过闭合曲面的总电量只决定于闭合面内包围的电荷,闭合曲面外部的电荷对闭合面的总电通量无贡献。
d)应用:1.均匀带电球面外一点的场强相当于全部电荷集中于球心的点电荷在该点的电场强度。
2.均匀带电球面内部的电场强度处处为零。
五、电势a)静电场环路定理:在静电场中,电场强度沿任意闭合路径的线积分等于零。
b)电场中a点的电势:1.无穷远为电势零点:2.任意b点为电势零点:电场中任意一点的电场强度等于该点点势梯度的负值。
第十二章a)导体内部,电场强度处处为零;导体表明的电场强度方向垂直该处导体表面;电场线不进入导体内部,b)c)d)e)a)i.b)导体空腔内有带电体(电量为q)的情况i.空腔导体原来不带电,空腔外表面感应电荷为q,空腔内表面感应电荷为-q。
如果空腔导体原来带电量Q,则内外表面电荷量分别加上Q。
三、A、B为两个任意带电平面:,四、静电场中的电介质:a)电介质中的电场强度:i.ii.电介质极化后,介质内部任意一处,合电场强度,但不等于0,这是电场中的电介质与电场中的导体静电平衡后的重要区别。
五、电介质中的高斯定理:a)其中六、有电介质存在时静电场的分析计算:i.由介质中的高斯定理先计算空间的分布,再由求得空间电场的分布。
LED芯片结构与制备技术考核试卷

3.以下哪些技术可以用于LED芯片的制备?()
A. MOCVD
B.磨抛
C.光刻
D.电镀
4.以下哪些材料可以作为LED芯片的发光层材料?()
A.铝镓铟磷
B.硅
C.砷化镓
D.镓氮
5.以下哪些因素会影响LED芯片的寿命?()
A.电流大小
B.材料退化
C.热管理
D.环境湿度
6.以下哪些方法可以改善LED芯片的热导性能?()
B.环氧树脂
C.铝
D.砷化镓
18.下列哪种制备技术可以减小LED芯片的尺寸?()
A.光刻
B. MOCVD
C.蒸镀
D.电镀
19.以下哪个因素会影响LED芯片的亮度?()
A.电流大小
B.工作温度
C.封装方式
D.所有上述因素
20.下列哪种结构类型的LED芯片具有更高的电压耐受能力?()
A.垂直结构
B.水平结构
A.磨抛
B.蒸镀
C.光刻
D.化学气相沉积
12.以下哪个因素会影响LED芯片的寿命?()
A.电流大小
B.工作温度
C.材料缺陷
D.所有上述因素
13.下列哪种结构类型的LED芯片具有更好的热导性能?()
A.垂直结构
B.水平结构
C.表面贴装
D.高压LED
14.在LED芯片制备过程中,以下哪个步骤主要用于制作电极?()
A.优化芯片结构
B.表面粗化
C.使用反射镜
D.透明封装
10.以下哪些材料可用于LED芯片的衬底?()
A.硅
B.砷化镓
C.蓝宝石
D.铟镓锌氧化物
11.以下哪些因素可能导致LED芯片的性能退化?()
电流密度计算公式

电流密度计算公式现在,由于不断发展的科技,电流密度的计算技术可以被应用于各种领域,甚至可以用来研究物理现象。
电流密度可以用来研究电荷的运动和受力量的影响,甚至可以帮助人们分析电流的流动方式以及电流的发生的原因。
本文将重点介绍电流密度计算的基本公式及其应用,以帮助大家对电流密度有一个更全面的了解。
电流密度的计算公式是由电磁力学的基本方程。
简单来说,这个公式表示的是电流密度在特定的时间和空间点上的强度。
当电流在一个时间点空间内流动时,它会在该空间点产生电磁场。
电流密度公式可以用来表示在一定时间点和空间点上电流的大小和方向。
其公式为:j=(I/At)在这个公式中,j是电流密度,I是电流强度,At是时间间隔(即从前一个时间点到当前时间点的时间间隔)。
从这个公式中可以看出,电流密度随着时间的变化而变化。
这个公式的意义在于,我们可以根据它来计算出某个时间点和空间点上的电流密度。
电流密度可以用来计算电荷密度,从而可以研究电荷的运动,以及电荷受的力的大小。
此外,电流密度还可以用来研究电流的流动方向,电流的发生原因和受力量的影响等物理现象。
电流密度的计算公式在电磁学、物理和其他相关学科中都有应用。
它可以帮助我们解决许多关于电流密度的科学问题。
例如,电流密度可以用来计算动感电流的特性,甚至可以用来计算电流的流动速度。
此外,电流密度计算公式还可以用来计算电磁场的强度,以及电磁场的方向。
通过这个公式,我们可以确定某一空间点上的磁场强度,并且可以预测在其他时空位置上磁场强度的变化趋势。
电流密度计算公式在工程领域也有很多应用。
它能够有效地帮助工程师设计电路,分析元器件的性能,并且可以根据电路来预测电流的大小和方向。
此外,电流密度计算公式还可以用来研究磁场的影响,以及检测信号的传输方式。
由于电流密度计算公式有如此多的应用,所以在各种领域都能发挥作用。
通过电流密度计算公式,我们可以准确地分析磁场和电荷的运动状态,进而可以更好地掌握物理现象。
2024年注册电气工程师-专业基础考试历年真题摘选附带答案

2024年注册电气工程师-专业基础考试历年真题摘选附带答案第1卷一.全考点押密题库(共100题)1.(单项选择题)(每题2.00 分) 改变变压器变比,实质上()A. 改变了电压损耗的数值B. 改变了负荷变化时二次电压的变化幅度C. 改变了电力网的无功功率分布D. 增加了整个电力系统的无功功率容量2.(单项选择题)(每题 2.00 分) 如果一个半导体存储器中有m位地址线,则应有______个存储单元,若输出位数为n位,则其存储容量为______位。
()A. m;m×nB. 2m;2nC. 2m;2nD. 2m;2m×n3.(单项选择题)(每题 1.00 分)某厂有功计算负荷为5500kW,功率因数为0.9,该厂10kV配电所进线上拟装一高压断路器,其主保护动作时间为1.5s,断路器断路时间为0.2s,10kV母线上短路电流有效值为25kA,则该高压断路器进行热稳定校验的热效应数值为()。
A. 63.75B. 1062.5C. 37.5D. 937.54.(单项选择题)(每题 1.00 分)有一台PN=72500kW,UN=10.5kV,Y接法,COSψN=0.8(滞后)的水轮发电机,同步电抗标Xd=1,Xq=0.554,忽略电枢电阻,额定运行时的每相空载电势E0为()。
A. 6062.18VB. 9176.69VC. 10500VD. 10735.1V5.(单项选择题)(每题 1.00 分)同步发电机的短路特性是()。
A. 正弦曲线B. 直线C. 抛物线D. 无规则曲线6.(单项选择题)(每题 2.00 分) 线路允许电压损失是用()来表示。
A. 额定电压的百分数B. 线路压降的百分数C. 线路压降比值的百分数D. 额定电压比值的百分数7.(单项选择题)(每题 2.00 分) 数字信号和模拟信号的不同之处是()A. 数字信号在大小上不连续,时间上连续,而模拟信号相反B. 数字信号在大小上连续,时间上不连续,而模拟信号相反C. 数字信号在大小和时间上均不连续,而模拟信号相反D. 数字信号在大小和时间上均连续,而模拟信号相反8.(单项选择题)(每题 2.00 分) 某晶体管的极限参数PCM = 150mW,ICM = 100mA,U(BP)CEO = 30V。
电磁场-选择题练习

1.在恒定电场中,分界面两边电流密度矢量的法向方向是A.不连续的B. 连续的C. 不确定的D. 等于零2.导电媒质中的功率损耗反映了电路中的A.电荷守恒定律B. 欧姆定律C. 基尔霍夫电压定律D. 焦耳定律3.恒定电场中,电流密度的散度在源外区域中等于A.电荷密度B. 零C. 电荷密度与介电常数之比D. 电位4.下面关于电流密度的描述正确的是A.电流密度的大小为单位时间垂直穿过单位面积的电荷量,方向为正电荷运动的方向。
B.电流密度的大小为单位时间穿过单位面积的电荷量,方向为正电荷运动的方向。
C.电流密度的大小为单位时间垂直穿过单位面积的电荷量,方向为负电荷运动的方向。
D.流密度的大小为单位时间通过任一横截面的电荷量。
5.在恒定电场中,分界面两边电场强度的法向方向是A.不连续的B. 连续的C. 不确定的D. 等于零6.恒定电场中的电流连续性方程反映了A.电荷守恒定律B. 欧姆定律C. 基尔霍夫电压定律D. 焦耳定律7.恒定电场的源是A.静止的电荷B. 恒定电流C. 时变的电荷D. 时变电流8.反映了电路中的A.基尔霍夫电流定律B. 欧姆定律C. 基尔霍夫电压定律D. 焦耳定律9.恒定电场是A.有旋度B. 时变场C. 非保守场D. 无旋场10.恒定电场中,流入或流出闭合面的总电流等于A.闭合面包围的总电荷量B.闭合面包围的总电荷量与介电常数之比C. 零D. 总电荷量随时间的变化率正确答案 B D B A A A B B D C1.虚位移法求解静电力的原理依据是A.高斯定律B. 库仑定律C. 能量守恒定律D. 静电场的边界条件2.下面关于电偶极子的描述不正确的是A. 电场强度具有轴对称性B. 电场强度与成反比C. 电力线与等位面平行D. 电力线与等位面垂直3. 电场强度和电位的关系是 ___。
A. 电场强度等于电位的梯度。
B. 电场强度等于电位的梯度。
C. 电场强度等于电位的梯度的负值。
D. 电场强度等于电位的散度。
电机组件的有限元分析考核试卷

B.力边界
C.位移边界
D.材料属性
7.在电磁场分析中,哪些物理量通常作为输入参数?()
A.磁势
B.电势
C.电流密度
D.材料电阻
8.哪些方法可以用来提高电机组件有限元分析的收敛性?()
A.优化网格划分
B.调整边界条件
C.选择合适的求解器
D.增加计算机硬件配置
9.以下哪些是电机组件动态分析的主要内容?()
A.检查网格质量
B.检查边界条件设置
C.对比理论值和计算结果
D.优化计算模型
19.以下哪种方法适用于电机组件的疲劳分析?()
A.静态分析
B.动态分析
C.稳态热分析
D.疲劳分析
20.在电机组件的有限元分析中,以下哪个参数代表材料的磁性能?()
A.磁导率
B.电导率
C.比热容
D.电阻率
二、多选题(本题共20小题,每小题1.5分,共30分,在每小题给出的四个选项中,至少有一项是符合题目要求的)
3.热传递机制包括传导、对流和辐射。优化包括改善材料布局、散热设计和边界条件设置。
4.耦合效应处理包括顺序耦合和同时耦合。解决方法有直接耦合法和间接耦合法。
1. ×
2. ×
3. √
4. ×
5. √
6. √
7. ×
8. √
9. ×
10. ×
五、主观题(参考)
1.基本流程包括建模、网格划分、材料属性定义、边界条件设定、加载求解和结果分析。挑战包括模型简化、网格质量、收敛性和计算资源需求。
2.选择求解器需考虑问题类型、求解精度和计算效率。策略包括预处理、迭代方法和后处理优化。
5.在有限元分析中,所有的边界条件都必须在加载步骤中定义。()
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(210cm镀槽)
90cm子槽電流密度分佈圖
ASD
40
電 30 流 密 20 度 10
0
0 3 5 7 10 12 14 32 34 36 54 56 58 60 81 83 85 87 90
子槽位置(cm)
(90cm镀槽)
我们很明显的看出,210cm镀槽的二端电流密度是槽中间的4~5倍,而90cm镀槽的二 端电流密度却不到是槽中间的2倍(约1.7倍)。由此可知镀槽越长是对电流密度的分 布是越不好,所以当您开的平均电流密度偏高时,在镀槽二端的镀层很有可能接近 烧焦区,此时镀层不是脱皮(因烧焦镀层被好的镀层覆盖),就是烧焦。而且上述的 理论还是当作镀槽二端传入电流是均匀的(电流各一半)。所以说,实际上电镀机台
二、电流密度与电镀面积的关系: 相同 ( 或同等份 ) 的电流下,电镀面积越小者,其所承受的电流密度越大。而电镀 面积越大者,其所承受的电流密度就越小。例如下图若开100安培电流,总面积为 15 dm2 ,则平均电流密度为6.7ASD。但若把它分为二区来计算,A区的面积为5 dm2、 B区为10 dm2,而二区所承受的电流各为50A,那么A区的局部电流密度为10ASD,B区 的局部电流密度为5ASD。由此例可见A区的电流密度为 B 区的二倍,因此就会有膜厚 分布不均的现象(黑区块代表膜厚)。
阳
阳
阳
极
阴极
极
极
阳 阴极
极
(端子在液面下)
(端子在槽底上)
七、综合关系: 就以上所述的【电镀面积】、【阴阳距离】、【子槽长度】、【槽中位置】
等四大因素, 如果当您在电镀时,这四大因素都处于在最差的状态,那再好的药
水,您可能都不 会满意的,不是吗?若您能好好利用这几项电流密度技术,相信不
管电镀任何端子对 您来说都是轻而易举的事。
阳极
阴极导电座
端子 高电流CCCCCCCCCCC低电流BBBBBBBBBBBB高电流
210cm子槽電流密度分佈圖
ASD 30
25
電 20 流
15
密 度 10
5
0
0 10 19 29 38 48 57 67 76 85 95 104 114 123 133 142 152 161 170 180 189 199 208
三、电流密度与阴阳极距离的关系: 由于端子外表结构不一定规则状,在共同的电流下,端子离阳极距离较近的部位称 为局部高电流区(a),离阳极距离较远的部位称为局部低电流区(b)。因此就会有 膜厚分布不均的现象(黑区块代表膜厚)。
b
远
(阴极)
a近 (阳极)
四、电流密度与哈式槽试验(Hull cell)的关系: 每种电镀药水都有一定的电流密度操 作范围,例如锡合金高速电镀药水,它的操作 电流密度范围大约在2~30ASD,电流 密度过高镀层会呈现粗糙,甚至烧焦。电流密度 过低镀层会呈现云状白雾或漏镀。 然而评价(或是观看)药水的操作电流密度的范 围,大致上可以从哈式槽试验结果 看出,因为哈式槽的阳极面与阴极面之间并非平 行面(如下图),离阳极面较近之 阴极端其电流密度比离阳极面远者大,因此可以比 较从高电流密度区到低电流密 度区之电镀状态。因此哈式试验是所有电镀厂及药水 商们的必备分析工具,它的 优点有:A.用化学分析求不出的成分B.用化学分析需费 时的成分C.非常微量就会 影响电镀的成分D.镀浴之现状及将来会发生不良的现象能 预先知道。
210cm鍍槽電流密度分佈圖
45 40 35 電 30 流 25 分 20 佈 15 10
5 0
0
16 33 49 65 81 97 113 129 145 161 177 194 210
子槽位置
210cm镀槽改善后
镀槽遮蔽机构
六、电流密度与端子在电镀槽中位置的关系: 由于在电镀子槽中之阳极是固定,且阳 极高度远大于端子高度,所以阴极 ( 端子 ) 在镀槽中经常会有局部位置承受高电流 群,如下图。因此单一个端子上,就有单边 或是二边承受较高的电流密度。
一、电流密度的计算:由于端子的形状是不规则的,所以我们一般只能计算,单一镀槽 中的【平均电流密度】,而无法算及局部电流密度 平均电流密度(ADS)= 电镀槽通电的安培数(Amp)/ 电镀面积(dm2) 在连续端 子电镀业,计算阴极电流密度时,必须先知道电镀槽长及单支端子电镀面 积,然 后再算出镀槽中之总电镀面积。 举例:有一连续端子电镀机,镍槽槽长 1.5 米,欲镀端子之间距为1.0mm,每支端 子电镀面积为 20mm2 ,今开电流 60Amp ,请问平均电流密度为多少? 1.电镀槽中端子数量 = 1.5*1000/1.0 = 1500支 2.电镀槽中电镀面积 = 1500*20 = 30000mm2 = 3.0dm2 3.平均电流密度 = 60Amp/3.0dm2 = 20 ADS
著作者:ALLAN CHIEN/版本: G 版/日期:2008年07月01日/页次: 2-4 ◎◎◎本教材之著作权乃属恒伸工作室所有,未经允许不得任意翻印◎◎◎
阳极板
阴极(哈式片) 近
远
高电流
低电流
哈式槽
哈式片
著作者:ALLAN CHIEN/版本: G 版/日期:2008年07月01日/页次: 2-2 ◎◎◎本教材之著作权乃属恒伸工作室所有,未经允许不得任意翻印◎◎◎
第二章、电流密度
五、电流密度与电镀子槽的关系: 端子在浸镀时,由于端子导电处是在电镀子槽两端外部,所以阴极 ( 端子 ) 电流是 从子槽两端往槽中传输,而造成在电镀子槽内两端之端子所承受的电流 ( 高电流 区 ) ,远大于子槽中间处端子所承受的电流 ( 低电流区 ) ,如下图。所以镀槽越长 是对电流密度的分布是越不利的(越不均匀)。我们可以从下面二个镀槽,一个为 210cm的镀槽,一个为90cm的镀槽,来实验就可以很明显的看出。
著作者:ALLAN CHIEN/版本: G 版/日期:2008年07月01日/页次: 2-3 ◎◎◎本教材之著作权乃属恒伸工作室所有,未经允许不得任意翻印◎◎◎
第二章、电流密度
若镀槽二端传入电流不均时,那电流密度的分布就更是离谱了。虽说如此,我们还 是有办法改善此问题,那就是使用遮蔽技术啰!就上图210cm镀槽,我们使用遮蔽之 后已经大大的改善了电流密度不均的问题,甚至比90cm镀槽还好,高低电流差约只 剩1.3倍,如下图。
第二章、电流密度
前言:在第一章电镀概论中有提到,若要电镀好的质量必须要有适当的电镀条件, 而以连续电镀(高速电镀)的首要电镀条件,便是电流密度。所谓的电流密度,就是电极 单位面积所通过的安培数,一般以 A/dm2 表示或简写ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱASD。电流密度在电镀操作上是很 重要的变数,诸如镀层的组织、膜厚的分布、电流效率等,皆有很大的关系。电流密度 有分为阳极电流密度和阴极电流密度,一般所称的的电流密度,指的就是阴极电流密度。
膜厚较厚
A区
6.7ASD ← 100A B区
5dm2 ÷ 50A = 10ASD 10dm2 ÷ 50A = 5ASD
膜厚较薄
著作者:ALLAN CHIEN/版本: G 版/日期:2008年07月01日/页次: 2-1 ◎◎◎本教材之著作权乃属恒伸工作室所有,未经允许不得任意翻印◎◎◎
第二章、电流密度