PLD

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接近开关符合标准pld,cat 3

接近开关符合标准pld,cat 3

接近开关符合标准pld,cat 3接近开关是一种用于检测物体接近或离开的装置,通常用于自动控制系统中。

PLD和CAT 3是两种不同的标准,分别用于描述接近开关的性能和安全等级。

1. PLD(Performance Level D)是指接近开关的性能等级。

它是根据ISO 13849-1标准定义的,用于评估安全相关部件的可靠性。

PLD有五个等级,从A到E,其中D级是最低的等级。

2. CAT 3(Category 3)是指接近开关的安全等级。

它是根据EN 954-1标准定义的,用于评估安全控制系统的可靠性。

CAT 3表示接近开关具有较高的安全性能,能够提供一定的故障检测和故障恢复能力。

要使接近开关符合PLD和CAT 3标准,需要满足以下要求:- PLD要求:接近开关必须具有足够的可靠性,以满足所需的性能等级。

这可以通过使用高质量的传感器和电子元件,以及采用可靠的故障检测和故障恢复机制来实现。

此外,还需要进行详细的风险评估和验证,以确保接近开关的性能符合PLD标准。

- CAT 3要求:接近开关必须具有足够的安全性能,以满足所需的安全等级。

这可以通过采用双重或三重冗余设计,使用可靠的故障检测和故障恢复机制,以及进行详细的安全分析和验证来实现。

此外,还需要满足特定的安全要求,如安全距离和安全时间等。

总结起来,要使接近开关符合PLD和CAT 3标准,需要采用高质量的传感器和电子元件,设计可靠的故障检测和故障恢复机制,进行详细的风险评估和安全分析,以及满足特定的安全要求。

这样可以确保接近开关在性能和安全方面都符合相关的标准。

可编程逻辑器件(PLD)

可编程逻辑器件(PLD)
详细描述
PLD开发工具提供了完整的解决方案,包括设计输入、综合、布局布线、仿真和调试等功能。这些工 具支持多种PLD器件和编程语言,使得设计师能够高效地实现数字电路设计和PLD编程。
05
PLD的未来发展与挑战
PLD的未来发展趋势
更高的集成度
随着半导体工艺的进步,PLD将实现更高的集成度,具备更强大 的计算和数据处理能力。
现代阶段
随着技术不断发展,PLD 的集成度更高,功能更强 大,应用领域更广泛。
PLD的应用领域
通信领域
用于实现通信协议的转换、信号处理和调制 解调等功能。
工业控制
用于实现自动化控制、电机驱动和传感器数 据处理等功能。
数字信号处理(DSP)
用于实现图像处理、语音识别和数字信号处 理算法。
计算机硬件设计
安全与可靠性问题
随着PLD在关键领域的应用增加, 安全和可靠性问题成为关注的焦 点,需要加强安全机制和可靠性 设计。
知识产权保护
随着PLD技术的不断进步和应用 领域的拓展,知识产权保护成为 重要问题,需要加强知识产权保 护措施。
PLD的发展前景与展望
拓展应用领域
随着PLD技术的不断成 熟,其应用领域将进一 步拓展,尤其是在人工 智能、物联网、5G等领 域。
布线策略
选择合适的布线策略,确 保信号传输的可靠性和效 率。
物理验证
检查布局和布线后的设计 是否满足时序和功耗要求。
配置与下载
生成配置文件
根据设计结果,生成用于配置PLD的二进制 文件。
下载与配置
将配置文件下载到PLD中,完成硬件电路的 配置。
测试与验证
在实际硬件环境中测试设计的正确性和性能。
04
复杂可编程逻辑器件(CPLD)

pld名词解释

pld名词解释

pld名词解释
PLD,全称为可编程序逻辑器件(Programmable Logic Device),
是一种可以根据用户需求进行逻辑功能定制的集成电路。

它是一种非
常常见的数字电路设计器件,常用于数字电路设计中。

PLD主要有两种:可编程逻辑阵列(PAL)和可编程数组逻辑器件(PLA)。

可编程逻辑阵列(PAL)是一种基于石英门阵列的PLD。

它采用布尔逻辑和存储单元来构建逻辑门,并可以通过编程关闭或打开某些逻
辑门,以达到不同的逻辑功能。

PAL在设计时需要根据应用需求进行定制,可以达到相对较高的性能和速度。

可编程数组逻辑器件(PLA)也是一种常用的PLD。

它由多个可编程门阵列(PGA)和输出逻辑阵列(OLA)组成。

PGA主要用于组合逻辑功能的实现,而OLA用于时序逻辑的实现。

PLA的优点在于可以实现复杂的逻辑功能,并可以在运行时修改逻辑功能,同时具有较高的灵活
性和易设计性。

PLD的优点在于可以提高数字电路的可重复用性、可维护性和可
扩展性。

它们比较便宜,同时也比较简单,可以轻松地在现有的电路
板上添加或调整逻辑功能。

由于PLD的配置和设计可以在软件中完成,可以方便地集成到大型系统和嵌入式系统中。

PLD已经成为了设计数字逻辑的有力工具,广泛应用于数字通信、计算机硬件、工业自动化、
汽车电子等领域。

PLC和PLD区别

PLC和PLD区别

PLD与PLC有什么区别PLD(programmable logic device)一、概述PLD 可编程逻辑器件:PLD是做为一种通用集成电路生产的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来搞定。

一般的PLD的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。

这样就可以由设计人员自行编程而把一个数字系统“集成”在一片PLD上,而不必去请芯片制造厂商设计和制作专用的集成电路芯片了。

二、分类目前和平和使用的PLD产品主要有:1、现场可编程逻辑阵列FPLA(field programmable logic array);2、可编程阵列逻辑PAL(programmable array logic);3、通用阵列逻辑GAL(generic array logic);4、可擦除的可编程逻辑器件EPLD(erasable programmable logic device);5、现场可编程门阵列FPGA(field programmable gate array)。

其中EPLD和FPGA的集成度比较高。

有时又把这两种器件称为高密度PLD。

三、发展历程早期的可编程逻辑器件只有可编程只读存贮器(PROM)、紫外线可按除只读存贮器(EPROM)和电可擦除只读存贮器(EEPROM)三种。

由于结构的限制,它们只能完成简单的数字逻辑功能。

其后,出现了一类结构上稍复杂的可编程芯片,即可编程逻辑器件,它能够完成各种数字逻辑功能。

典型的PLD由一个“与”门和一个“或”门阵列组成,而任意一个组合逻辑都可以用“与一或”表达式来描述,所以, PLD能以乘积和的形式完成大量的组合逻辑功能。

这一阶段的产品主要有PAL和GAL。

PAL由一个可编程的“与”平面和一个固定的“或”平面构成,或门的输出可以通过触发器有选择地被置为寄存状态。

PAL器件是现场可编程的,它的实现工艺有反熔丝技术、EPROM技术和EEPROM技术。

还有一类结构更为灵活的逻辑器件是可编程逻辑阵列(PLA),它也由一个“与”平面和一个“或”平面构成,但是这两个平面的连接关系是可编程的。

可编程逻辑器件-PLD

可编程逻辑器件-PLD

可编程逻辑器件可编程逻辑器件(Programmable Logic Device,PLD)是一种电子零件、电子组件,更简单即是颗集成电路、芯片,这种PLD芯片属于数字型态的电路芯片,而非模拟或混讯(同时具有数字电路与模拟电路)芯片。

第一个在商业化市场运用的PLD,是由Monolithic存储器公司(Monolithic Memories, Inc.,简称:MMI)所推出的可编程化数组逻辑(Programmable Array Logic,简称:PAL),虽然IBM公司在1970年代中也有研制类似的设备(器件),但仅在该公司内部使用。

MMI公司在20-pin(20支接脚、引脚、脚位)的PAL方面相当成功,之后超微(AMD)公司也推出了22V10,22V10也是颗PAL,具有原先PAL所有的特性特点,但接脚数增至24-pin。

更之后AMD公司收并了MMI公司(约1987年,待查证),并将其纳入自身的PLD部门,数年后AMD以百分之百转投资的方式将PLD部门分立成独立的威特信(Vantis)公司,到了1999年则由莱迪思半导体(Lattice Semiconductor)公司收购AMD公司手中的Vantis公司股份,自此收并Vantis公司。

PLD是做为一种通用集成电路产生的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。

一般的PLD的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。

这样就可以由设计人员自行编程而把一个数字系统“集成”在一片PLD上,而不必去请芯片制造厂商设计和制作专用的集成电路芯片了。

PLD与一般数字芯片不同的是:PLD内部的数字电路可以在出厂后才规划决定,而一般数字芯片在出厂前就已经决定其内部电路,无法在出厂后再次改变。

在PLD还未被发明前,已有人将只读存储器(ROM)芯片以PLD的概念来运用,用ROM芯片来充当一些输入性的组合逻辑(combinatorial logic)函数。

首先一颗ROM芯片有m 个输入(地址线,或称:地址总线、寻址线)以及n 个输出(数据线,也称:数据总线,在此也可称:数据输出线),当ROM被当成存储器使用时,它就有2m 个n bits 的记忆存储空间。

PLD概述

PLD概述

第二部分作业1、什么是PLD ?PLD (可编程逻辑器件)是这样一些器件,其制作工艺采用的是CMOS 工艺,在这些器件的内部,集成了大量功能独立的分立元件,它们可以是基本逻辑门、由基本逻辑门构成的宏单元,以及与阵列、或阵列等。

依据不同需求,芯片内元件的种类、数量可以有不同的设置。

此外,芯片内还有大量可配置的连线,在器件出厂时,芯片内的各个元件、单元相互间没有连接,芯片暂不具有任何逻辑功能。

芯片内的各个元件、单元如何连接,由用户根据自身的设计的电路功能要求通过计算机编程决定。

这种通过编程手段使芯片产生一定逻辑功能的器件称为PLD 。

2、简述PLD 分类(1)按集成度分类(2)按编程特点分类●按编程次数分类: a 、一次性编程器件(One Time Programmable , OTP);b 、可多次编程器件;●按不同的编程元件和编程工艺划分:PLD简单PLDPROM (可编程只读存储器,70年代初)PLA (可编程逻辑阵列,70年代中) PAL (可编程阵列逻辑,70年代末) GAL (通用阵列逻辑,80年代中) 复杂PLDCPLD FPGAa、采用熔丝(Fuse)编程元件的器件,如PROM;b、采用反熔丝(Antifuse)编程元件的器件;c、采用紫外线擦除、电编程方式的器件,如EPROM;d、采用电擦除、电编程方式的器件,一般采用EEPROM和快闪存储器(Flash Memory)两种工艺实现这种编程方式,大多数CPLD采用此类方式;e、采用静态存储器(SRAM)结构的器件,大多数的FPGA采用此类结构;(3)按结构特点分类a、阵列型的PLD器件:基本结构为与或阵列,如:SPLD和绝大多数的CPLD;b、单元型的PLD器件:基本结构为逻辑单元,如:FPGA;3、FPGA和CPLD的相同点和差别在哪?(1)CPLD与FPGA的相同点:a、都具有输入/输出单元;b、逻辑块阵列,是PLD器件的逻辑组成的核心;c、用于连接逻辑块的互连资源,其中可以是各种长度的连线线段,也可以是一些可编程的连接开关,通常用来连接逻辑块之间、逻辑块与输入/输出块之间的连线;(2)CPLD与FPGA的不同点:a、CPLD可以看成是由多个可编程阵列逻辑(GAL)器件集成到一个芯片,具有类似GAL的结构,而FPGA则基于查找表结构;b、CPLD器件的关键技术是E2COMS工艺,而FPGA通常采用CMOS SRAM工艺,FPGA器件体积小,集成化程度更高;c、CPLD拥有上电即可工作的特性,而FPGA需要一个加载过程;d、CPLD的内连续性的布线结构使其时序延迟具有均匀性和可预测性,而 FPGA具有的分段式布线结构使其时序延迟具有不可预测性;e、CPLD 比较适合于实现各种组合逻辑,而FPGA比较适合于含有时序逻辑较多的电路。

脉冲激光沉积

脉冲激光沉积

发展前景
由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知,它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进 一步优化,将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用;并能加快薄膜生 长机理的研究和提高薄膜的应用水平,加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供 了一种行之有效的方法。
在第二阶段,根据气体动力学定律,发射出来的物质有移向基片的倾向,并出现向前散射峰化现象。空间厚 度随函数cosnθ而变化,而n>>1。激光光斑的面积与等离子的温度,对沉积膜是否均匀有重要的影响。
优点
1.易获得期望化学计量比的多组分薄膜,即具有良好的保成分性; 2.沉积速率高,试验周期短,衬底温度要求低,制备的薄膜均匀; 3.工艺参数任意调节,对靶材的种类没有限制; 4.发展潜力巨大,具有极大的兼容性; 5.便于清洁处理,可以制备多种薄膜材料。
2.熔化物质的动态
3.熔化物质在基片的沉积
4.薄膜在基片表面的成核(nucleation)与生成
在第一阶段,激光束聚焦在靶的表面。达到足够的高能量通量与短脉冲宽度时,靶表面的一切元素会快速受 热,到达蒸发温度。物质会从靶中分离出来,而蒸发出来的物质的成分与靶的化学计量相同。物质的瞬时熔化率 大大取决于激光照射到靶上的流量。熔化机制涉及许多复杂的物理现象,例如碰撞、热,与电子的激光沉积也存在以下有待解决的问题:(1 )对相当多材料,沉积的薄膜中有 熔融小颗粒或靶材碎片,这是在激光引起的爆炸过程中喷溅出来的,这些颗粒的存在大大降低了薄膜的质量,事 实上,这是PLD迫切需要解决的关键问题;(2 )限于目前商品激光器的输出能量,尚未有实验证明激光法用于 大面积沉积的可行性,但这在原理上是可能的;(3 )平均沉积速率较慢,随淀积材料不同,对1000平方毫米左 右沉积面积,每小时的沉积厚度约在几百纳米到1微米范围;(4 )鉴于激光薄膜制备设备的成本和沉积规模, 目前看来它只适用于微电子技术、传感器技术、光学技术等高技术领域及新材料薄膜开发研制。随着大功率激光 器技术的进展,其生产性的应用是完全可能的。

第一讲 PLD基础

第一讲 PLD基础

组合逻辑在SSI中和在PLD中的逻辑图
2.4
PLD的基本结构
一、简单PLD的基本结构 简单 的基本结构
1、可编程只读存储器(PROM) 、可编程只读存储器( )
可编程只读存储器(Programmable ReadOnly Memory, 简称PROM)是最早的PLD器件,它出现在20世纪70年代初。它包 含一个固定的“与”阵列和一个可编程的“或”阵列 固定的“ 阵列和一个可编程的“ 阵列,其基本结构 固定的 图如图所示。 由图可见,它的“与”阵列是一个“全译码阵列”,即对某一组 特定的输入i(i=0,1,2)只能产生一个惟一的乘积项。因为是全译码, 当输入变量为n个时,阵列的规模为2n,所以PROM的规模一般很大。 PROM存在的不足:PROM虽然也可以用来产生组合逻辑函 数,但因为往往只用到了与逻辑阵列输出的最小项的一部分,而 且有时这些最小项还可以合并,因此器件内部资源的利用率不高, 所以在绝大多数情况下,都把PROM作为存储器使用了。
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12~15 20~23 28~31 8~11 16~19 24~27
OE
11
GAL16V8的电路结构图 的电路结构图
GAL与PAL相比较 与 相比较: 相比较 1、有可编程的OLMC输出宏单元,因此器件的通用性和应用 灵活性较高,一般可用GAL代替PAL。 2、GAL采用高性能的E2COMS工艺。保证了GAL的高速度和 低功耗,存取速度为12~40ns,功耗仅为双极型PAL器件的 1/2或1/4,编程数据可保存20年以上。因此目前在一些小 GAL 规模的数字系统的设计过程当中,仍可使用GAL。
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PLD目录1计算机硬件简介1分类1发展历程1组成1制膜技术简介1优点1对激光器要求1相关产品PLDPLD(普兰迪营销策划有限公司)展开编辑本段计算机硬件简介可编程逻辑器件PLD(programmable logic device) :PLD是做为一种通用集成电路生产的,他的逻辑功能按照用户对器件编程来搞定。

一般的PLD的集成度很高,足以满足设计一般的数字系统的需要。

这样就可以由设计人员自行编程而把一个数字系统“集成”在一片PLD上,而不必去请芯片制造厂商设计和制作专用的集成电路芯片了。

分类目前使用的PLD产品主要有:1、现场可编程逻辑阵列FPLA(field programmable logic array);2、可编程阵列逻辑PAL(programmable array logic);3、通用阵列逻辑GAL(generic array logic);4、可擦除的可编程逻辑器件EPLD(erasable programmable logic device);5、现场可编程门阵列FPGA(field programmable gate array)。

其中EPLD和FPGA的集成度比较高。

有时又把这两种器件称为高密度PLD。

发展历程早期的可编程逻辑器件只有可编程只读存贮器(PROM)、紫外线可按除只读存贮器(EPROM)和电可擦除只读存贮器(EEPROM)三种。

由于结构的限制,它们只能完成简单的数字逻辑功能。

其后,出现了一类结构上稍复杂的可编程芯片,即可编程逻辑器件,它能够完成各种数字逻辑功能。

典型的PLD由一个“与”门和一个“或”门阵列组成,而任意一个组合逻辑都可以用“与一或”表达式来描述,所以,PLD能以乘积和的形式完成大量的组合逻辑功能。

这一阶段的产品主要有PAL和GAL。

PAL 由一个可编程的“与”平面和一个固定的“或”平面构成,或门的输出可以通过触发器有选择地被置为寄存状态。

PAL器件是现场可编程的,它的实现工艺有反熔丝技术、EPROM技术和EEPROM技术。

还有一类结构更为灵活的逻辑器件是可编程逻辑阵列(PLA),它也由一个“与”平面和一个“或”平面构成,但是这两个平面的连接关系是可编程的。

PLA器件既有现场可编程的,也有掩膜可编程的。

在PAL的基础上,又发展了一种通用阵列逻辑GAL,如GAL16V8,GAL22V10 等。

它采用了EEPROM工艺,实现了电可按除、电可改写,其输出结构是可编程的逻辑宏单元,因而它的设计具有很强的灵活性,至今仍有许多人使用。

这些早期的PLD器件的一个共同特点是可以实现速度特性较好的逻辑功能,但其过于简单的结构也使它们只能实现规模较小的电路。

为了弥补这一缺陷,20世纪80年代中期Altera和Xilinx分别推出了类似于PAL结构的扩展型CPLD和与标准门阵列类似的FPGA,它们都具有体系结构和逻辑单元灵活、集成度高以及适用范围宽等特点。

这两种器件兼容了PLD和通用门阵列的优点,可实现较大规模的电路,编程也很灵活。

与门阵列等其它ASIC相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点,因此被广泛应用于产品的原型设计和产品生产(一般在10,000件以下)之中。

几乎所有应用门阵列、PLD和中小规模通用数字集成电路的场合均可应用FPGA和CPLD器件。

组成·一个二维的逻辑块阵列,构成了PLD器件的逻辑组成核心。

·输入/输出块:连接逻辑块的互连资源。

·连线资源:由各种长度的连线线段组成,其中也有一些可编程的连接开关,它们用于逻辑块之间、逻辑块与输入/输出块之间的连接。

编辑本段制膜技术简介脉冲激光沉积(PLD)Pulsed Laser Deposition是近年来发展起来的使用范围最广,最有希望的制膜技术。

简单来说,脉冲激光沉积PLD(Pulsed Laser Deposition)就是脉冲激光光束聚焦在固体靶面上,激光超强的功率使得靶物质快速等离子化,然后溅镀到目标物上。

优点1.由于激光光子能量很高,可溅射制备很多困难的镀层:如高温超导薄膜,陶瓷氧化物薄膜,多层金属薄膜等;PLD可以用来合成纳米管,纳米粉末等2.PLD 可以非常容易的连续融化多个材料,实现多层膜制备3.PLD可以通过控制激光能量和脉冲数,精密的控制膜厚。

对激光器要求1.尽可能避免热效应:激光波长越短,越容易实现“冷加工”所以193nm,248nm 的准分子激光器和266nm,355nm的高次谐波ND:YAG固态激光器为客户所常用2.大能量,短脉冲创造超过靶材的阈值的功率密度3.比较高的重复频率,提升溅射速度。

4.激光器使用简单,寿命长,易于维护(这一点Nd:YAG固态激光器要好于准分子激光器)相关产品激光光源部分:法国Quantel公司的脉冲Nd:YAG激光器,(链接) 推荐型号: 1.Brillant B 系列:即插即用型3倍频(355nm),4倍频(266nm)结构;用户使用方便,也是商用PLD系统OEM厂家的选择。

2.YG980系列:高能量输出,工作稳定,维护方便。

是科研用PLD系统的首选。

测试系统部分: 1.等离子体光谱测试系统:英国Andor公司, 2.真空腔残余气体分析仪:美国SRS公司RGA200等 3.红外热像仪:美国Electrophysics公司PV320等编辑本段PLDPLD(Pulsed Laser Deposition)脉冲激光沉积,也被称为脉冲激光烧蚀(pulsed laser ablation,PLA),是一种利用激光对物体进行轰击,然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上,得到沉淀或者薄膜的一种手段。

历史背景早于1916年,爱因斯坦(Albert Einstein)已提出受激发射作用的假设。

可是,首部以红宝石棒为产生激光媒介的激光器,却要到1960年,才由梅曼(Theodore H. Maiman)在休斯实验研究所建造出来。

总共相隔了44年。

使用激光来熔化物料的历史,要追溯到1962年,布里奇(Breech)与克罗斯(Cross)利用红宝石激光器,汽化与激发固体表面的原子。

三年后,史密斯(Smith)与特纳(Turner)利用红宝石激光器沉积薄膜,视为脉冲激光沉积技术发展的源头。

发展历程不过,脉冲激光沉积的发展与探究,处处受制。

事实上,当时的激光科技还未成熟,可以得到的激光种类有限;输出的激光既不稳定,重复频率亦太低,使任何实际的膜生成过程均不能付诸实行。

因此,PLD在薄膜制作的发展比其它技术落后。

以分子束外延(MBE)为例,制造出来的薄膜质素就优良得多。

往后十年,由于激光科技的急速发展,提升了PLD的竞争能力。

与早前的红宝石激光器相比,当时的激光有较高的重复频率,使薄膜制作得以实现。

随后,可靠的电子Q开关激光(electronic Q-switches lasers)面世,能够产生极短的激光脉冲。

因此,PLD能够用来做到将靶一致蒸发,并沉积出化学计量薄膜。

由于紫外线辐射,薄膜受吸收的深度较浅。

之后发展出来的高效谐波激光器(harmonic generator)与激基分子激光器(excimer)甚至可产生出强烈的紫外线辐射。

自此以后,以非热能激光熔化靶物质变得极为有效。

自1987年成功制作高温的Tc超导膜开始,用作膜制造技术的脉冲激光沉积获得普遍赞誉,并吸引了广泛的注意。

过去十年,脉冲激光沉积已用来制作具备外延特性的晶体薄膜。

陶瓷氧化物(ceramic oxide)、氮化物膜(nitride films)、金属多层膜(metallic multilayers),以及各种超晶格(superlattices)都可以用PLD来制作。

近来亦有报告指出,利用PLD可合成纳米管(nanotubes)、纳米粉末(nanopowders),以及量子点(quantum dots)。

关于复制能力、大面积递增及多级数的相关生产议题,亦已经有人开始讨论。

因此,薄膜制造在工业上可以说已迈入新纪元。

PLD的机制PLD的系统设备简单,相反,它的原理却是非常复杂的物理现象。

它涉及高能量脉冲辐射冲击固体靶时,激光与物质之间的所有物理相互作用,亦包括等离子羽状物的形成,其后已熔化的物质通过等离子羽状物到达已加热的基片表面的转移,及最后的膜生成过程。

所以,PLD一般可以分为以下四个阶段: 1. 激光辐射与靶的相互作用 2. 熔化物质的动态 3. 熔化物质在基片的沉积 4. 薄膜在基片表面的成核(nucleation)与生成PLD主要优点 1. 易获得期望化学计量比的多组分薄膜,即具有良好的保成分性; 2. 沉积速率高,试验周期短,衬底温度要求低,制备的薄膜均匀; 3. 工艺参数任意调节,对靶材的种类没有限制; 4. 发展潜力巨大,具有极大的兼容性; 5. 便于清洁处理,可以制备多种薄膜材料。

编辑本段PLD(普兰迪营销策划有限公司)深圳市普兰迪营销策划有限公司(以下简称普兰迪)是从事营销策划、公关传播的专业公司,现为中国国际公关协会会员、中国公关协会会员、广东省公关协会理事单位。

公司自2001年创立以来,立足于深圳,放眼全国,以领先的视野和专业的技能作为服务基础,致力于为客户提供更好、更多、更快的高效能公关服务解决方案,业务涉及地产、酒店、政府、汽车、企事业单位等行业。

在普兰迪公司发展过程中,不断强化内部与外部资源的整合能力,逐步形成“创意、执行、服务”的企业核心竞争力,为商家及其商品量身创意并执行特色活动,创造企业满意的额外价值,赢得合作客户、行业好评。

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