多晶硅片-国家级标准
多晶硅片命名规则m-概述说明以及解释
多晶硅片命名规则m-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述多晶硅片是一种常见的半导体材料，具有广泛的应用领域。
它由具有多个晶体结构的硅原子组成，其晶界处存在许多晶界、格界等缺陷。
然而，这些缺陷也给多晶硅片的命名带来了一定的挑战。
为了方便标识和管理多晶硅片，制定了一系列的多晶硅片命名规则。
多晶硅片命名规则是一个系统化的命名方式，旨在提供一个清晰、统一的命名标准，以便于多晶硅片的识别和交流。
这些规则通常包括对多晶硅片的生产厂家、生产日期、尺寸规格、质量级别等信息的命名约定。
多晶硅片的命名规则对于半导体行业的各个环节都具有重要意义。
首先，对于生产厂家和供应商来说，规范的命名规则能够提高多晶硅片产品的可追溯性和质量管理，有助于确保产品符合标准要求。
其次，对于研究和开发人员来说，清晰的命名规则能够准确地描述多晶硅片的特性，方便进行实验设计和参数分析。
最后，对于使用者和应用领域来说，统一的命名规则可以简化多晶硅片的选择和购买流程，降低了使用成本和风险。
本文将对多晶硅片的命名规则进行详细介绍和解析，并讨论其在半导体行业中的重要性和应用。
我们将首先介绍多晶硅片的定义和制备方法，然后重点关注多晶硅片命名规则的各个方面，包括命名约定和规范。
最后，我们将总结多晶硅片命名规则的要点，并展望其未来的发展方向。
通过阅读本文，读者将能够全面了解多晶硅片命名规则的重要性和运用，以及对于半导体行业的贡献和影响。
同时，本文也将为相关领域的研究和实践提供参考和指导，推动多晶硅片命名规则的进一步完善和发展。
1.2 文章结构本文将从以下几个方面来探讨多晶硅片命名规则。
首先，我们将提供对多晶硅片的定义，以确保读者对多晶硅片的概念有清晰的理解。
接着，我们将介绍多晶硅片的制备方法，包括目前常用的技术和工艺。
然后，我们将进一步深入研究多晶硅片的命名规则，详细讨论各种命名规则的应用和标准化情况。
在文章的结论部分，我们将对多晶硅片命名规则进行总结，概括各个命名规则的特点和适用范围。
多晶硅行业准入条件
多晶硅行业准入条件1. 引言多晶硅，又称多晶硅片，是一种关键的半导体材料，广泛应用于太阳能光伏、半导体器件等领域。
多晶硅行业的发展对于能源产业和电子信息技术的发展具有重要意义。
为了确保行业的可持续发展和产品质量的稳定，需要制定一套严格的准入条件，以确保企业达到一定的技术和环保标准。
本文将介绍多晶硅行业的准入条件。
2. 技术条件为了确保多晶硅产品的质量和性能，多晶硅行业需要满足一定的技术条件。
主要包括： - 生产设备：企业需要配备先进的多晶硅生产设备，包括石英炉和多晶硅晶棒拉制设备等。
这些设备应具备高效、稳定的生产能力，能够满足市场需求。
- 技术水平：企业需要具备一定的技术研发能力，能够持续改进和创新多晶硅生产技术，提高产品的质量和产量。
- 工艺流程：企业需要建立科学、规范的生产工艺流程，包括原料选用、生产操作、品质控制等方面，以确保产品的一致性和稳定性。
- 质量控制：企业需要建立完善的质量管理体系，包括质量检测和品质控制等方面，确保产品符合相关的标准和技术要求。
3. 环保条件多晶硅行业需要重视环保问题，加强对环境的保护和治理。
准入条件中应包括以下方面： - 废气治理：企业需要采取有效措施，对生产过程产生的废气进行处理和净化，以减少对大气的污染。
- 废水处理：企业需要建立废水处理系统，对生产过程产生的废水进行处理和回收利用，以减少对水资源的消耗和水体的污染。
- 固体废弃物处理：企业需要妥善处理生产过程中产生的固体废弃物，采用资源化、减量化的方式，以最大限度地减少对环境的影响。
- 环保监测：企业需要建立环保监测系统，定期监测和报告生产过程中的环境影响，确保环境指标符合相关标准和要求。
4. 安全条件多晶硅行业需要确保生产过程的安全性，准入条件中应包括以下方面： - 安全设施：企业需要建立完善的安全设施，包括消防设备、事故应急处理设备等，以应对可能发生的事故和突发事件。
- 员工培训：企业需要对生产人员进行必要的安全培训，提高其安全责任意识和应急处理能力。
太阳能多晶硅片质量等级分类方法
BA1A2B1、B2、B3…B91导电类型P P硅片分选设备抽检2隐裂、针孔无隐裂、无针孔无隐裂、无针孔硅片分选设备抽检3崩边长度≤1 mm，深度≤0.5 mm，每片崩边总数≤2 处；长度≤1 mm，深度≤0.5mm，每片崩边总数≤2 处；B1— 1mm＜崩边长度≤5mm，1mm＜深度≤2mm，1＜崩边总数≤3目测全检4TTV ≤30 μm ≤30 μm B2— 30μm＜TTV≤50μm；硅片分选设备抽检5厚度200±20 μm 200±20 μm B3— 厚度偏差超过±20μm但小于±40μm硅片分选设备抽检6尺寸156±0.5 mm 156±0.5 mm B4— 硅片尺寸偏差超过±0.5mm但小于±1.0mm 硅片分选设备抽检7倒角1±0.5 mm、45°±10º1±0.5 mm、45°±10ºB5— 倒角尺寸偏差超过±0.5mm但小于±0.8mm 硅片分选设备抽检8线痕深度≤8 μm 深度≤15 μmB6— 15μm＜深度≤30μm目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检9电阻率0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cm0.5-3Ω•cm；3-6Ω•cmB7— 电阻率＜0.5Ω.cm硅片分选设备抽检10少子寿命≥2μs≥2μsB8— 0.5μs≤少子寿命＜2μs少子寿命测试仪按硅块检验规程进行抽检11表面质量状况硅片表面及侧面无凹坑，无沾污，无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；硅片表面及侧面无凹坑，无明显沾污（表面沾污总面积小于3mm 2，每一百片单边侧面沾污总面积小于20mm 2）（判断时参照沾污样本片进行判定），无氧化，无穿孔，无裂纹，无划伤；B9— 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑；油点或其他赃物不得有3处，每处沾污或其他赃物面积≤1mm2目测全检12弯曲度≤80 μm ≤80 μm ≤80 μm塞尺抽检13氧碳含量氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm3氧含量≤8x1017atoms/cm 3；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧含量≤8x1017atoms/cm 3 ；碳含量≤6.0x1017atoms/cm 3氧碳含量测试仪客户要求时才抽检检测方法检验方式可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级可划片（不合格产品），但在划为小规格尺寸（125×125）硅片后，其他性能符合A 级硅片标准不合格产品，即不满足A、B、C级要求的硅片均归为D级表1 太阳能多晶硅片质量等级分类方法序号检验项目A CD。
国家标准《硅片表面薄膜厚度的测试 光学反射法》编制说明(送审稿)
国家标准《硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法》编制说明（送审稿）一、工作简况1、标准立项目的和意义集成电路产业是信息技术产业的核心，是国家重要的基础性、先导性和战略性产业，是推动国民经济和信息化发展的主要高新技术。
近10年来，我国的集成电路产业发展迅猛，随着高端集成电路市场在国内的兴起，对硅抛光衬底片中金属的要求越来越高。
为了取得更洁净的表面，引入了背面长多晶的吸杂工艺；同时对外延用重掺硅抛光片，为了防止在外延过程中的自掺杂和缩短外延工艺时间，通常会在硅片背表面生产一层氧化膜作为背封膜。
这两种工艺要求已经成为硅抛光片重掺产品中非常常见的要求，因此规范这类背封膜和多晶层的厚度测试及质量评估变得尤为重要，背封膜厚和多晶层的厚度及均匀性会直接影响器件后续工艺的成品率。
本标准描述的测试方法是目前广泛应用于硅片行业内对背封膜和背面多晶（本方法中将这两类统称为硅片表面薄膜）的测试方法。
2、任务来源根据《国家标准化管理委员会关于下达第一批推荐性国家标准计划的通知》（国标委发[2019]11号）的要求，由有研半导体材料有限公司负责国家标准《硅片薄膜厚度的测试光学反射法》的制定工作，计划编号为20190796-T-469。
3、主要工作过程3.1、起草阶段本项目在下达计划后，组织了专门的标准编制小组，进行了设备、用户要求、相关标准应用等方面的调研和收集；与同行、设备商进行了充分的沟通；结合多年来国内外用户对硅片薄膜厚度的要求和多年的测试实践，按照国家标准的格式要求起草了本标准，并于2019年5月形成了标准讨论稿。
2019年5月16日，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会组织，在浙江省宁波市召开了《硅片表面薄膜厚度的测试光学反射法》标准第一次工作会议（讨论会），共有南京国盛电子有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司等28个单位36位专家参加了本次会议。
与会专家对标准讨论稿进行了逐条讨论，并对规范性引用文件、测试环境、仪器设备等提出了修改意见。
硅片知识——精选推荐
硅⽚知识硅⽚等级标准⼀、优等品1：硅⽚表⾯光滑洁净。
2：TV：220±20µm。
3：⼏何尺⼨：边长125±ffice:smarttags" />同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。
垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.3。
⼆、合格品⼀级品：1：表⾯有少许污渍、轻微线痕。
2：220±20µm ≤TV≤220±30µm。
3：⼏何尺⼨：边长125±0.5mm；对⾓150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对⾓135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对⾓203±0.5mm、200±0.5mm。
同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。
垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.5。
⼆级品：1：表⾯有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。
2：220±30µm ≤TV≤220±40µm。
3：凹痕：硅⽚表⾯凹痕之和≤30µm。
4：崩边范围：崩边⼝不是三⾓形状，崩边⼝长度≤1mm，深度≤0.5mm5：⼏何尺⼨：边长125±0.52mm；对⾓150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对⾓135±0.52mm；边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对⾓203±0.52mm、200±0.52mm。
同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。
垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.8。
三级品：1：表⾯有油污但硅⽚颜⾊不发⿊，有线痕和硅落现象。
多晶硅标准
多晶硅标准
多晶硅（Polycrystalline silicon）是一种晶体结构不完整的硅材料，由多个小晶体（晶粒）组成。
多晶硅是太阳能电池、集成电路等高技术领域的关键材料之一。
为了保证多晶硅材料的质量和性能，制定了一系列的标准和规范。
1. 多晶硅质量标准（GB/T 5420-2010）：该标准规定了多晶硅的分类、包装、标志、试样制备和性能测试等要求，对多晶硅的质检提供了参考依据。
2. 多晶硅材料及其中晶粒度测定方法（GB/T 6699-2017）：该标准规定了多晶硅材料的晶粒度测试方法，包括显微镜观察法和X射线衍射法等方法。
3. 太阳能电池用多晶硅片（GB/T 16532-2017）：该标准规定了太阳能电池用多晶硅片的分类、要求、检验方法等内容，包括外观、尺寸、电气性能等方面的要求。
4. 半导体级多晶硅材料（GB/T 16534-2017）：该标准规定了半导体级多晶硅材料的分类、要求、检验方法等内容，主要涉及杂质含量、电阻率、位错密度等方面的要求。
这些标准和规范旨在保证多晶硅材料的质量和稳定性，为相关行业的产品生产和质检提供统一的技术要求，促进多晶硅技术的发展和应用。
同时，这些标准也为消费者选择和购买多晶硅产品提供了参考依据。
多晶硅片质量标准
（Sort）
规格 尺寸
（Dimen sion）
电学 性能 参数
（perfo rmance paramet er）
外观 质量 指标
（Surfa cequali
ty）
项目（Item）
宽度（Width） 对角线
（Wafer Diagonal） 倒角
（Bevel angle）
厚度（Thickness）
生长方法 （Growth method）
多晶硅片指标/参数/要求 （Index/Parameter/Request）
A 类成品硅片 156±0.5mm 219.2±0.5mm 1.5±0.5mm 角度:45°±10° 200±20um （五点平均值） 定向生长
P B 1-3Ω.cm ≥2us ≤10 Pcs/cm2 ≤7× 1017atoms/cm3
≤9×1017atoms/cm3 ≤30um ≥3 mm2
≤15um
900±0.30 ≤50um 不允许
长度≤硅片边长的 1/3，宽度≤片厚的 1/3
单面崩边宽度≤0.5 mm；延伸≤0.2mm；每片总数量≤2 个， 间隔≥30mm（不允许穿透）
摇动无“吧啦”声响
硅片表面不允许有明显线痕,手感不明显,凹坑,无硅胶残 留，表面无沾污和异常斑点
线痕（Saw marks）
边缘角度 （Rectangular angle）
翘曲度（Warpage） 裂痕、缺口、穿孔 （Crack、Gap、Hole）
小亮边 （Tiny Luminance Edge）
崩边、缺角 （Edge chips）
应力（Stress）
表面质量 （Surface quality）
Байду номын сангаас
多晶硅片检测标准
多晶硅片技术标准1范围1.1 本要求规定了多晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等1.2 本要求适用于多晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件2.1 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法2.2 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法2.3 ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的试验方法3 术语和定义3.1 TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；3.2 TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5 点厚度：边缘上下左右4点和中心点）；3.4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；3.5 裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；3.6 垂直度：硅片相邻两边与标准90°相比较的差值。
3.7 密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类多晶硅片的等级有A级品和B级品，规格有：125⨯125；156⨯156；210⨯210。
5 技术要求5.1 外观5.1.1无孪晶、隐裂、裂痕、裂纹、孔洞、缺角、V形（锐形）缺口，崩边、缺口长度≤0.5mm，深度≤0.3mm，且每片不得超出2个；5.1.2表面需清洗干净，无可见斑点、玷污及化学残留物；5.1.3硅片表面局部凹凸不平深度（如表面划痕、凹坑、台阶等）≤20μm，切割线痕深度≤20μm；当在硅片正反两面的同一个位置出现线痕加和小于20um。
无密集型线痕。
5.1.4 弯曲度≤30μm，，翘曲度≤30μm；5.1.5切片前的棒/锭要经化学腐蚀或机械抛光去除损伤层，即切完的硅片边沿是光亮的。
5.2外形尺寸5.2.1 标称厚度系列为200±20μm；220±20μm；240±20μm；对于每单合同需要明确规定标称厚度。
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ICS 29.045
H 80
太阳能级多晶硅块
（讨论稿）
太阳能级多晶硅块
1 范围
本标准规定了太阳能级多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于利用定向熔铸技术所生产切割而形成的，用于切割制备多晶硅片的多晶硅块。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB 191 包装储运图示标志
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 测定硅单晶体中代位碳含量的红外吸收方法
GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法
GB/T 14264 半导体材料术语
SEMI MF1389-0704 Ⅲ－Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法
3 术语定义、符号及缩略语
GB/T 14264确立的术语和定义适用于本标准。
微晶：产品表面小范围内密集型的晶格排布。
4 分类
4.1 外形尺寸分类
产品按外形尺寸（长×宽）分为125mm×125mm和156mm×156mm或由供需双方商定规格。
5 要求
5.1 外观要求
太阳能级多晶硅块外观要求无可视裂纹、崩边、崩块、缺口；
5.2 性能
太阳能级多晶硅块性能要求具体见表1，在表1中未列出的规格要求由供需双方商定；
5.3 结构及表面质量
5.3.1太阳能级多晶硅块中不允许出现氧化夹层；
5.3.2 太阳能级多晶硅块IR检测结果不可出现阴影、杂质、裂纹、微晶；
5.3.3 太阳能级多晶硅块表面粗糙度Ra≤0.2μm；
5.3.4 太阳能级多晶硅块几何尺寸偏差不超过±0.5mm。
6 试验方法
6.1 太阳能级多晶硅块的外观检验用目测检查；
6.2 太阳能级多晶硅块电阻率检验按GB/T 1552或GB/T 6616进行；
6.3 太阳能级多晶硅块导电类型检验按GB/T 1550进行；
6.4 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命检验按GB/T 1553进行；
6.5 太阳能级多晶硅块的氧含量检验按GB/T 1557进行；
6.6 太阳能级多晶硅块的碳含量检验按GB/T 1558进行；
6.7 太阳能级多晶硅块基体金属杂质按照SEMI MF1389-0704测试；
6.8 太阳能级多晶硅块断面夹层检验按GB/T 4061测试；
6.9 太阳能级多晶硅块IR检测方法：将太阳能级多晶硅块至于850μm红外光源下，通过摄像机观察成像效果。
6.10 太阳能级多晶硅块表面粗糙度用表面粗糙度测试仪测得，测试点在所试表面随机获得。
测试要求测量硅块的相邻两侧面，两端面不用测量。
6.11 太阳能级多晶硅块几何尺寸采用通用量具测得，但最小精度应不小于0.02mm
7 检验规则
7.1 检验分类
检验分：出厂检验和型式试验。
7.2 出厂检验
7.2.1 每批产品应经供方技术（质量）监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并附有产品质量合格的技术文件，方可出厂；
7.2.2 出厂检验项目包括4.1、5.1、5.2中的电阻率、导电类型及少数载流子寿命和5.3.2、5.3.3、5.3.4项。
7.3 判定规则
7.3.1 每批产品的检验项目均采用全数检验，或由供需双方协商解决。
7.3.2 合格质量水平(AQL)规定为Ac=0，Re=1，或由供需双方协商解决。
7.4 型式试验
7.4.1 有下列情况之一，应进行型式试验：
A）新产品或老产品转厂生产的试制鉴定；
B）正式生产后，如结构、材料、工艺有较大改变可能影响产品性能时；
C）正常生产时，每隔一年进行一次；
D）产品长期停产后，又恢复生产时；
E）出厂检验结果与上次型式试验有较大差异时；
F）国家质量监督机构提出进行型式检验的要求时。
7.4.2 型式试验项目包括本标准所列全部要求的内容；
7.4.3 型式试验样品应从出厂检验合格的产品中随机抽取，试样为3PCS；
7.4.4 在型式试验中，如有1项不符合本标准要求时，则应从该批产品中，抽取加倍数量进行不合格项目试验，如仍不符合该项的要求时，则该项型式试验判为不合格，该批产品做不合格论。
8 标志、包装、运输和贮存
8.1 包装、标志
8.1.1 产品封装于相应规格木箱内，四周用不小于20mm的珍珠棉填充紧密，以防止损坏产品；
8.1.2 所有出厂产品包装箱应采取防破碎、防损伤、防脏污措施。
箱外应标有“小心轻放”、“防酸”、“防碱”和“防潮”警示标志且应符合GB 191的要求；
8.1.3 产品包装箱在显眼处应标注如下内容：
a) 客户名称；
b) 数量；
c) 产品规格；
d）产品重量；
e) 产品执行标准号；
f) 出厂编号；
g) 制造厂商；
h) 厂址、电话。
8.1.4 产品发运时，应附有成品出库单，应包含以下内容：
a) 客户名称；
b) 产品规格；
c) 数量；
d) 件数；
e）总重量
f) 出厂编号；
g) 出厂日期；
h) 发货单位、发货人；
i) 制造厂商。
8.1.5 每批产品应附有产品检验报告, 应包含以下内容：
a) 客户名称；
b) 产品规格；
c) 产品编号；
d) 检验日期；
e) 各项检验结果及检验部门印章。
8.2 运输、贮存
8.2.1 产品在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，并采取防震、防潮措施；
8.2.2 产品应贮存在洁净、干燥环境中。