年产200吨电子级多晶硅项目可行性研究报告

年产200吨电子级多晶硅项目可行性研究报告
年产200吨电子级多晶硅项目可行性研究报告

山东鼎昌硅业科技发展有限公司年产200吨电子级多晶硅项目节能评估报告

院长:周建华

副总工程师:陈景福

项目负责人:刘铮

山东省工程咨询院

二○○九年四月

参与编制人员

陈景福注册咨询师

林源研究员

刘铮注册咨询师

丁旭注册咨询师

史兆宪研究员

庄乾涛工程师

前言

山东鼎昌硅业科技发展有限公司是依托山东鼎昌铁塔制造有限公司承建新注册的独立法人公司,山东鼎昌铁塔制造有限公司其是日照市建兴铁塔有限公司的控股公司,日照建兴铁塔有限公司是1998年初由镇办集体企业—始建于1973年的城阳镇农修厂改制而成的民营企业。公司位于山东省日照市莒县工业开发区,与胶新铁路相伴、206国道为邻,交通便利,地理位置优越,现为国家中一型企业,国际质量体系认证企业,公司注册资本5000万元,公司经营范围为:输电线路铁塔制、广播、通信铁塔造、安装;建筑机械;农用机械;矿用仪器制造、销售等。公司现占地80亩,建筑面积38298 平方米,员工400人,其中各类工程技术人员108名。企业总资产3.66亿元,2008年全年总产值达到6.89亿元,销售收入5.89亿元,利税5421万元。主要产品有10~50OKV输电线路铁塔、广播、通信铁塔、系列塔式起重机、施工升降机,产品广泛用于电力、通信、建筑等行业,是山东省生产电力塔、通信塔、建筑机械、热浸镀锌的骨干企业,也是国家电力部、国家广电总局、信息产业部、中国联通、中国移动铁塔定点生产厂家,2006年经国家电网集团综合评估,被成功列入输电铁塔一级合格供应商名单。

公司技术力量雄厚,人才储备充足。拥有机械制造和钢结构工程专业高级工程师12人,中级技术职称人员96名,中专以上学历的人员占员工的40%。公司多年来始终坚持,“科学技术是第一生产力”的发展战略,坚持狠抓技术进步,着力在科技创新上下功夫,具有较强的研制开

发能力。

公司秉承“以人为本、诚信经营”的管理理念,以市场为导向,以客户为关注焦点,不断提炼核心企业精神―“建兴精神”。公司先后赢得了工商及金融机构授予的“全省诚信守法企业”、“AAA级信用企业”等荣誉称号。

硅材料是第一大电子功能材料。我国多晶硅原料80%以上依赖进口,多晶硅原材料的自给能力很低,2004年国内只生产了不到80吨的多晶硅,但却消耗了近2280吨的多晶硅,96%以上由国外高价进口,2007全国多晶硅产量只有1130吨,而实际需求量11000多吨,缺口90%,2008年国内产量4110吨,缺口80%靠进口,致使我国半导体硅单晶材料工业和太阳能光伏电池材料陷入了受制于外国的尴尬、被动局面。

太阳能电池用多晶硅按每生产1MW多晶硅太阳能电池需要11-12吨多晶硅计算,我国2004年多晶、单晶太阳能电池产量为48.45MW,多晶硅用量为678吨左右,而实际产能已达70MW左右,多晶硅缺口达250吨以上。到2005年底国内太阳能电池产能达到300MW,实际能形成的产量约为110MW,需要多晶硅1400吨左右,预测到2010年太阳能电池产量达300MW,需要多晶硅保守估计约4200吨,因此太阳能电池的生产也将大大带动多晶硅需求的增加。

山东鼎昌硅业科技发展有限公司年产200吨多晶硅项目以生产多晶硅为主,计划开发单晶硅、太阳能光伏电池芯片和半导体芯片等系列产品。项目建成后,将推动电子信息产业和新能源产业在莒县的发展,为我国经济建设起到促进作用。项目总投资21087万元,年均净利润22361万元,所得税后项目投资财务内部收益率为117.98%,税后投资回收期为1.88年(含建设期)。项目有很好的经济效益。

根据《中华人民共和国节约能源法》和《山东省节约能源条例》等有关规定,受山东鼎昌硅业科技发展有限公司的委托,我院依照有关法律、法规及节能标准对该项目的合理用能进行评估。

我院在对该项目进行合理用能评估的过程中,得到了建设单位的积极配合,在此表示感谢!同时,由于水平有限,再加上时间上比较紧,报告书中不足之处在所难免,敬请批评指正。

二〇〇九年四月

目录

第一章概述............................................................................................................. - 1 -

1.1 项目概况 ...................................................................................................... - 1 -

1.2 评估依据 ...................................................................................................... - 1 -

1.3 城市概述 ...................................................................................................... - 4 -

1.4 企业简介 ...................................................................................................... - 7 -

1.5 项目所在地能源消费概况......................................................................... - 8 - 第二章项目情况分析........................................................................................... - 10 -

2.1 拟建工程 .................................................................................................... - 10 -

2.2 项目必要性和可行性分析....................................................................... - 10 -

2.3 项目投资及分析........................................................................................ - 16 - 第三章能耗指标及分析 ...................................................................................... - 19 -

3.1能源消费构成............................................................................................. - 19 -

3.2项目能源消费状况..................................................................................... - 19 -

3.3 能耗指标核算............................................................................................ - 27 - 第四章项目工艺、技术、设备能效指标......................................................... - 31 -

4.1项目主要生产工艺..................................................................................... - 31 -

4.2 主要生产工艺简图.................................................................................... - 36 -

4.3工艺的技术特点......................................................................................... - 36 -

4.4 设备能效指标核算.................................................................................... - 37 -

4.5 能效指标核算............................................................................................ - 40 - 第五章节能措施分析........................................................................................... - 42 -

5.1 节能措施 .................................................................................................... - 42 -

5.2 废弃物处理和综合利用 ........................................................................... - 45 -

5.3节能效果分析............................................................................................. - 45 - 第六章节能评估结论........................................................................................... - 47 -

6.1评估结论 ..................................................................................................... - 47 -

多晶硅质量影响因素分析--论文1

多晶硅质量影响因素分析 郑珂、陈霞、李晓明 山东瑞阳硅业科技有限公司 关键字:多晶硅质量三氯氢硅氢气配比洁净 摘要:多晶硅质量受多方面因素的影响,本文结合生产实际,分别从生产原料三氯氢硅、氢气、混合气配比、反应温度、设备洁净条件等方面进行了分析,通过提高原料纯度,控制反应配比5:1和温度1080-1100℃,逐步提高多晶质量。 近几年,太阳能行业也得到长足发展。目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和流化床法,其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80%。现在结合我公司近2年的生产实际,总结一下改良西门子工艺中影响多晶硅的质量的因素。 一、流程简介 我公司主要工艺流程采用精馏方法从原料中分离出高纯度的三氯氢硅,送入还原厂房,在混合器内汽化并与氢气混合,混合气体在高温硅芯表面上发生化学反应,逐渐沉积并生长出所需规格的多晶硅棒,还原尾气输送至还原尾气干法回收工序进行分离,分离出氢气与氯硅烷,得到纯净的再生氢气,氯硅烷经脱吸后,送至提纯进一步精馏得到高纯度的三氯氢硅和四氯化硅,氢气和三氯氢硅送回还原厂房循环使用,四氯化硅输送至白炭黑生产线生产气相白炭黑。 二、工艺原理

多晶硅生产过程中,核心部分为多晶硅还原生产,其基本原理为在还原炉内,用高纯三氯氢硅为原料,高纯氢气为还原剂,在1080~1100℃高温下硅被还原出来,有部分三氯氢硅直接被热分解为硅,二者一同沉积在发热体硅芯上。同时,高温下还会发生部分副反应。其主反应为: HCl Si C H SiHCl 31100108023+??????→??-+ 副反应为: 243239004H SiCl Si C SiHCl ++????→??≥ HCl Si H SiCl 4224+?→?+ 43212002SiCl HCl Si C SiHCl ++????→??≥ Cl SiCl SiHCl H 23+??→?高温 Cl B BCl H 6223+?→? Cl P PCl H 6223+?→? 生产的目的为控制各项条件向主反应方向发生,尽量减少或杜绝副反应的发生。 三、质量影响因素分析 1.原料对多晶硅质量的影响——三氯氢硅 太阳能级多晶硅对其原料之一三氯氢硅的指标要求众说纷纭,但对于杂质,大多数厂家要求为B<0.1ppbw 、P<1ppbw 、Fe<50ppbw 、C<1ppmw ,其主要杂质P 、B 含量若较高,则高温下将会发生P 、B 析出的副反应,析出的P 、B 将附着在硅棒中,严重影响多晶硅的电阻率指标。

多晶硅的三大生产工艺之比较

多晶硅的三大生产工艺之比较 从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。 1955年,德国西门子开发出以氢气(H2)还原高纯度三氯氢硅(SiHCl3),在加热到1100℃左右的硅芯(也称“硅棒”)上沉积多晶硅的生产工艺;1957年,这种多晶硅生产工艺开始应用于工业化生产,被外界称为“西门子法”。 由于西门子法生产多晶硅存在转化率低,副产品排放污染严重(例如四氯化硅SiCl4)的主要问题,升级版的改良西门子法被有针对性地推出。改良西门子法即在西门子法的基础上增加了尾气回收和四氯化硅氢化工艺,实现了生产过程的闭路循环,既可以避免剧毒副产品直接排放污染环境,又实现了原料的循环利用、大大降低了生产成本(针对单次转化率低)。因此,改良西门子法又被称为“闭环西门子法”。 改良西门子法一直是多晶硅生产最主要的工艺方法,目前全世界有超过85%的多晶硅是采用改良西门子法生产的。过去很长一段时间改良西门子法主要用来生产半导体行业电子级多晶硅(纯度在99.9999999%~99.999999999%,即9N~11N的多晶硅);光伏市场兴起之后,太阳能级多晶硅(对纯度的要求低于电子级)的产量迅速上升并大大超过了电子级多晶硅,改良西门法也成为太阳能级多晶硅最主要的生产方法。 2.改良西门子法生产多晶硅的工艺流程 (改良西门子法工艺流程示意图) 改良西门子法是一种化学方法,首先利用冶金硅(纯度要求在99.5%以上)与氯化氢(HCl)合成产生便于提纯的三氯氢硅气体(SiHCl3,下文简称TCS),然后将TCS精馏提纯,最后通过还原反应和化学气相沉积(CVD)将高纯度的TCS转化为高纯度的多晶硅。 在TCS还原为多晶硅的过程中,会有大量的剧毒副产品四氯化硅(SiCl4,下文简称STC)生成。改良西门子法通过尾气回收系统将还原反应的尾气回收、分离后,把回收的STC送到氢化反应环节将其转化为TCS,并与尾气中分离出来的TCS一起送入精馏提纯系统循环利用,尾气中分离出来的氢气被送回还原炉,氯化氢被送回TCS合成装置,均实现了闭路循环利用。这是改良西门子法和传统西门子法最大的区别。

电子产品可靠性试验国家实用标准应用清单

电子产品可靠性试验国家标准清单 GB/T 15120.1-1994 识别卡记录技术第1部分: 凸印 GB/T 14598.2-1993 电气继电器有或无电气继电器 GB/T 3482-1983 电子设备雷击试验方法 GB/T 3483-1983 电子设备雷击试验导则 GB/T 5839-1986 电子管和半导体器件额定值制 GB/T 7347-1987 汉语标准频谱 GB/T 7348-1987 耳语标准频谱 GB/T 9259-1988 发射光谱分析名词术语 GB/T 11279-1989 电子元器件环境试验使用导则 GB/T 12636-1990 微波介质基片复介电常数带状线测试方法 GB/T 2689.1-1981 恒定应力寿命试验和加速寿命试验方法总则 GB/T 2689.2-1981 寿命试验和加速寿命试验的图估计法(用于威布尔分布) GB/T 2689.3-1981 寿命试验和加速寿命试验的简单线性无偏估计法(用于威布尔分布) GB/T 2689.4-1981 寿命试验和加速寿命试验的最好线性无偏估计法(用于威布尔分布) GB/T 5080.1-1986 设备可靠性试验总要求 GB/T 5080.2-1986 设备可靠性试验试验周期设计导则 GB/T 5080.4-1985 设备可靠性试验可靠性测定试验的点估计和区间估计方法(指数分布)

GB/T 5080.5-1985 设备可靠性试验成功率的验证试验方案 GB/T 5080.6-1985 设备可靠性试验恒定失效率假设的有效性检验 GB/T 5080.7-1986 设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案GB/T 5081-1985 电子产品现场工作可靠性有效性和维修性数据收集指南 GB/T 6990-1986 电子设备用元器件(或部件)规中可靠性条款的编写指南 GB/T 6991-1986 电子元器件可靠性数据表示方法 GB/T 6993-1986 系统和设备研制生产中的可靠性程序 GB/T 7288.1-1987 设备可靠性试验推荐的试验条件室便携设备粗模拟 GB/T 7288.2-1987 设备可靠性试验推荐的试验条件固定使用在有气候防护场所设备精模拟 GB/T 7289-1987 可靠性维修性与有效性预计报告编写指南 GB/T 9414.1-1988 设备维修性导则第一部分: 维修性导言 GB/T 9414.2-1988 设备维修性导则第二部分: 规与合同中的维修性要求 GB/T 9414.3-1988 设备维修性导则第三部分: 维修性大纲 GB/T 9414.4-1988 设备维修性导则第五部分: 设计阶段的维修性研究 GB/T 9414.5-1988 设备维修性导则第六部分: 维修性检验 GB/T 9414.6-1988 设备维修性导则第七部分: 维修性数据的收集分析与表示 GB/T 12992-1991 电子设备强迫风冷热特性测试方法 GB/T 12993-1991 电子设备热性能评定

中国多晶硅行业发展现状分析

332 二 ○一二年第二十三期 华章 M a g n i f i c e n t W r i t i n g 孙翌华,延安大学西安创新学院。 作者简介:中国多晶硅行业发展现状分析 孙翌华 (延安大学西安创新学院,陕西西安710100) [摘要]中国多晶硅行业外部环境已出现明显变化,多晶硅供求平衡矛盾仍未得到彻底缓解,多晶硅行业发展趋 势是进一步集约化。 [关键词]多晶硅;成本;供求1、中国多晶硅行业外部环境分析 目前,除保利协鑫、大全新能源等少数企业较好的生产状态,九成以上的中国多晶硅企业均处于停产状态。中国多晶硅行业发展外部环境异常严峻,主要体现在以下几点: 1.1光伏产业调整期尚未结束。2011年下半年以来,光伏产业进入调整期,组件产品价格快速下滑,最终引致上游的多晶硅价格大跌。2011年全球光伏新增装机为29.67GW ,较2010年增长76.4%。尽管光伏终端市场依然保持了高速增长,但由于供给端增长过快,例如中国组件产能超过40GW ,多晶硅、硅片、电池等环节也出现产能相对过剩局面。 2012年上半年,光伏产业调整进入深化阶段,原本还在30%毛利率以上的多晶硅环节深受影响,价格大幅跳水。 1.2中国多晶硅企业正面临国外厂商的低价竞争。截止2012年6月29日,中国商务部已经收到了保利协鑫等国内多晶硅厂商的申请,希望来自美韩的多晶硅出口倾销行为进行调查、征收反倾销税,中国商务部尚未正式进行立案调查。Hemlock 、REC 、OCI 等美韩多晶硅价格已经跌至20美元/公斤左右,低于国内多晶硅厂商的市场价格,即使是身为国内多晶硅领头羊的保利协鑫也难以长期承受如此的价格竞争。 1.3多晶硅下游市场需求增长前景不确定。全球光伏产业经历了多年的高速增长后,增速趋缓,传统的光伏市场大国德国将稳定在6GW 左右,而意大利财政经济基础较之德国薄弱,受到欧债危机的冲击较大,光伏市场也难以再现高速增长态势。新兴市场国家已经启动,中国、美国、日本等有望逐渐成为光伏市场新的亮点,但受到国际国内多方面因素的影响,新兴市场国家短时间内难以取代欧洲的光伏市场地位。全球光伏市场增速放缓、增长前景不确定给中国多晶硅行业发展带来多重变数。 2、中国多晶硅供求现状 笔者预测,中国多晶硅行业的供求状况将在2013年下半年以后得以彻底改观,届时光伏产业链各环节也将达到相对平衡状态。 2.1多晶硅供求情况。 2.1.12011全年、2012年1—5月全球多晶硅供应、需求量。2011年,全球多晶硅总产量达到24万吨,预计2012年仍将有30%左右的增长,超过30万吨。 2011年多晶硅需求量大约为19万吨,其中电子级多晶硅需 求量2.7万吨,太阳能级多晶硅需求量16.3万吨,预计2012年太阳能级多晶硅需求量将在18万吨左右。 整体上看,2012年全球多晶硅供给仍处于相对过剩状态。2.1.22011全年、2012年1—5月中国多晶硅进口量。2011 年中国总计进口多晶硅64613.86吨,其中,从韩国进口21361吨,从美国进口17476.32吨。 2012年1—5月份中国累计进口多晶硅34034.74吨。具体来看,5月份,中国从美国进口多晶硅3269.37吨,环比增长28.47%,其所占比重为41.40%;从德国进口多晶硅2053.53吨, 环比增长69.04%,其所占比重为26.01%;从韩国进口多晶硅1752.74吨,环比增长15.05%,其所占比重为22.20%。 2.1.3中国主要多晶硅企业产能概况。中国国产多晶硅供应占到本国光伏产业需求的一半左右,中国主要多晶硅企业产能状况如表1: 2.2多晶硅企业成本竞争力概况。综合各项数据来看,中国多数多晶硅企业成本均在35美元/公斤以上,甚至部分多晶硅小企业成本在50美元/公斤以上。经过技术改造和优化生产管控,保利协鑫多晶硅成本控制在18.6美元/公斤。赛维LDK 和昱辉多晶硅成本均超过30美元/公斤。 从国外多晶硅大厂数据看,OCI 、REC 、瓦克、MEMC 、Hem-lock 等多晶硅生产成本均在25美元/公斤以下,最优水准可以做到15—20美元/公斤。中国多晶企业发展历程短,早期企业发展过程中在技术工艺设计上基本处于摸索状态,无法做到闭环生产,不但造成环保问题,而且造成单位固定资产投资远远高于国外先进水平,甚至是国外先进水平的5—10倍之多,企业因此背上沉重的折旧包袱,生产成本难具竞争力。 3、中国多晶硅行业发展的问题和趋势 中国多晶硅行业是伴随全球光伏产业的飞速发展而发展起来的,从无到有,从弱小到在全球市场占有一席之地,发展道路艰辛。目前,应正视行业发展的三大问题:(1)多晶硅行业集中度不高,企业力量分散;(2)生产工艺与国外先进水平比尚有差距,无法做到闭环生产和化工产物的有效循环利用;(3)生产成本尚不具备国际竞争力。 中国多晶硅行业发展会出现集约化趋势,未来万吨以上具备成本竞争力的多晶硅企业将成为重点培育的企业,3000吨以下的多晶硅企业将不具备规模经济优势,最终被淘汰出市场。从技术发展上,改良西门子法依然是主要技术工艺,低电耗的冷氢化工艺逐渐在更多企业推广,企业将会通过优化技术工艺实现真正的闭环生产和化工产物的有效循环利用。 【参考文献】 [1]郭力方.多晶硅停产潮波及上市公司.市场或加速分化[N ].中国证 券报,2011.12.[2]文泰.多晶硅企业停产增多.行业目前困局难破[J/OL ].证券时报 网,2011.12.

一文看懂半导体硅片所有猫腻

一文看懂半导体硅片所有猫腻 半导体单晶硅片的生产工艺流程 单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的,制备单晶硅的方法有直拉法(CZ 法)、区熔法(FZ 法)和外延法,其中直拉法和区熔法用于制备单晶硅棒材。区熔硅单晶的最大需求来自于功率半导体器件。 单晶硅制备流程 直拉法简称CZ 法。CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总,用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化,然后将籽晶插入熔体表面进行熔接,同时转动籽晶,再反转坩埚,籽晶缓慢向上提升,经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程,得到单晶硅。 区熔法是利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一 种方法,利用热能在半导体棒料的一端产生一熔区,再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一端移动,通过整根棒料,生长成一根单晶,晶向与籽晶的相同。区熔法又分为两种:水平区熔法和立式悬浮区熔法。前者主要用于锗、GaAs 等材料的提纯和单晶生长。后者是在气氛或真空的炉室中,利用高频线圈在单晶籽晶和其上方悬挂的多晶硅棒的接触处产生熔区,然后使熔区向上移动进行单晶生长。由于硅熔体完全依靠其表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多

晶棒与单晶之间,故称为悬浮区熔法。 巨头垄断硅片市场进口替代可能性高 直拉法和区熔法的比较 单晶硅是从大自然丰富的硅原料中提纯制造出多晶硅,再通过区熔或直拉法生产出区熔单晶或直拉单晶硅,进一步形成硅片、抛光片、外延片等。直拉法生长出的单晶硅,用在生产低功率的集成电路元件。而区熔法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。直拉法加工工艺:加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长,长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出,即完成一次生长周期。 悬浮区熔法加工工艺:先从上、下两轴用夹具精确地垂直固定棒状多晶锭。用电子轰击、高频感应或光学聚焦法将一段区域熔化,使液体靠表面张力支持而不坠落。移动样品或加热器使熔区移动。这种方法不用坩埚,能避免坩埚污染,因而可以制备很纯的单晶,也可采用此法进行区熔。 半导体单晶硅片加工工艺流程 工业生产中对硅的需求主要来自于两个方面:半导体级和光伏级。半导体级单晶硅和光伏级单晶硅在加工工艺流程中存在着一些差异,半导体级单晶硅的纯度远远高于光伏级单晶硅。半导体级单晶硅片的加工工艺流程:单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V 型槽处理→切片,倒角→研磨,腐蚀--抛光→清洗→包装。

电子信息类教学质量国家标准

电子信息类教学质量国家标准 1概述 信息科学和技术的发展对人类进步与社会发展产生了重大的影响,信息技术和产业迅速发展,成为世界各国经济增长和社会发展的关键要素。进人21世纪,信息科学和技术的发展依然是经济持续增长的主导力量之一,发展信息产业是推进新型工业化的关键,世界各国对此都十分关注,我国在《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006- 2020年)》中也将信息技术列为国家竞争力的核心技术之一。电子信息技术是信息产业的重要发展领域,需要大量专业人才,电子信息类专业承担着电子信息产业人才培养的重任。 电子信息类专业是伴随着电子、通信、信息和光电子技术的发展而建立的,以数学、物理和信息论为基础,以电子、光子、信息及与之相关的元器件、电子系统、信息网络为研究对象,基础理论完备,专业内涵丰富,应用领域广泛,发展极为迅速,是推动信息产业发展和提升传统产业的主干专业。电子信息类专业的主干学科是电子科学与技术、信息与通信工程和光学工程,相关学科包括计算机科学与技术、控制科学与工程、仪器科学与技术等,相关专业包括计算机类、自动化类、电气类、仪器类等专业。 电子信息类专业是具有理工融合特点的专业,主要涉及电子科学与技术、信息与通信工程和光学工程学科领域的基础理论、工程设计及系统实现技术。电子科学与技术领域主要涵盖物理电子学、微电子学与固体电子学、电路与系统、电磁场与微波技术,研究电子和光子等微观粒子在场中的运

动与相互作用规律,包括新型光电磁材料与元器件、微波电路与系统、集成电路、电子设备与系统等。研究信息获取、信号与信息处理,信息与通信工程领域主要涵盖通信与信息系统、. 处理、传输和应用的理论与技术,以及相关的设备、系统、网络与应用,包括信号探测与处理、信息编码与调制、信息网络与传输、多媒体信息处理、信息安全及新型通信与信息处理技术等。光学工程领域主要涵盖光电子技术与光子学、光电信息技术与工程,研究光的产生和传播规律、光与物质相互作用、光电子材料与器件、光电仪器与设备,包括光信息的产生、传输、处理、存储及显示技术,以及光通信、光电检测、光能应用、光加工、新型光电子技术等。 2适用专业范围 2.1专业类代码 电子信息类(0807) 2.2本标准适用的专业 (1)基本专业 电子信息工程(080701) 电子科学与技术(080702) 通信工程(080703) 微电子科学与工程(080704) 光电信息科学与工程(080705) 信息工程(080706) (2)特设专业

电子级多晶硅的生产工艺

电子级 多晶硅的生产工艺

目录 摘要........................................................1. 1引言. (1) 2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距 (1) 2.1 多晶硅技术的特殊性 (1) 3 主要的多晶硅生产技术选择 (2) 3.1 SiCl 4 法 (2) 3.2 SiH 2Cl 2 法 (3) 3.3 SiH 4 法 (3) 3.4 SiHCl 3 法 (4) 4 电子级多晶硅流程 (5) 4.1 第一代SiHCl 3 的生产流程 (5) 4.2 第二代多晶硅的生产流程 (7)

4.3 第三代多晶硅生产流程 (8) 5 流床反应器和自由空间反应器 (10) 6 结论 (11) 7致谢 (11) 参考文献 (12)

电子级多晶硅的生产工艺 摘要:就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氯氢硅法、四氯化硅法、二氯二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比;对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氯氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。 关键词多晶硅;三氯氢硅法;硅烷法;流程;生产 1.引言: 根据电子级多晶硅的需求,世界及中国电子级多晶硅的生产能力,市场竞争形势,多晶硅的体纯度和表面纯度以及生产成本。提出了占领市场必须具备的质量标准,能源消耗和材料消耗指标以及最终生产成本。本文将进一步讨论目前电子级多晶硅的各种关键技术和这些技术对比,从而提出在建设我国1000t电子级多晶硅工厂的技术建议。 2 多晶硅技术的特殊性及我国的差距 2.1 多晶硅技术的特殊性 电子级多晶硅的发展经历了将近50年的历程。各国都在十分保密的情况下发展各自的技术。国外有人说参观一个多晶硅工厂甚至比参观一个核工厂还要难,可见其保密性之严。电子级多晶硅的特点是高纯和量大,其纯度已达很高级别:受主杂质的原子分数仅为5×10-11,施主杂质的原子分数为15×10-11(国外的习惯表示法分别为50ppt和150ppt)。其生产能力于1965年达30t/a,1988年上升到5500t/a,2000年已达到26000t/a,这在凝聚态物质中是首屈一指的。生产如此大

电子产品制版工国家职业标准试行

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1.职业概况 1.1职业名称:电子产品制版工。 1.2职业定义:根据光学制版的原理,制作印制电路、集成电路和阴罩的原图、母版和工作版的从业人员。 1.3职业等级:本职业共设五个等级,分别为:初级(国家职业资格五级)、中级(国家职业资格四级)、高级(国家职业资格三级)、技师(国家职业资格二级)、高级技师(国家职业资格一级)。 1.4职业环境:室内,常温,部分为净化,温湿度恒定的房 1.5职业能力特征: 1.6基本文化程度:初中毕业。 1.7培训要求: 1.7.1培训期限:全日制职业学校教育,根据其培养目标和教学计划确定。晋级培训期限:初级不少于120标准学时;中级不少于120标准学时;高级不少于120标准学时;技师不少于100标准学时;高级技师不少于100标准学时。 1.7.2培训教师:培训初、中、高级的教师应具有本职业技师及以 上职业资格证书或相关专业中级及以上专业技术职务任职资格;培训技师的教师应具有本职业高级技师职业资格证书或相关专业高级专业技术 职务任职资格;培训高级技师的教师应具有本职业高级技师职业资格证 书2年以上或相关专业高级专业技术职务任职资格。 1.7.3培训场地要求:满足教学需要的标准教室和完成制版所需要的感光材料、工具、仪器和辅助设备。

-1- 1.8鉴定要求: 1.8.1适用对象:从事或准备从事本职业的人员。 1.8.2申报条件: ——初级(具备以下条件之一者) (1)经本职业初级正规培训达规定标准学时数,并取得结业证书。 (2)在本职业连续见习工作2年以上。 ——中级(具备以下条件之一者) (1)取得本职业初级职业资格证书后,连续从事本职业工作3年以上,经本职业中级正规培训达规定标准学时数,并取得结业证书。 (2)取得本职业初级职业资格证书后,连续从事本职业工作5年以上。 (3)连续从事本职业工作7年以上。 (4)取得经劳动保障行政部门审核认定的、以中级技能为培养目标的中等以上职业学校本职业(专业)毕业证书。 ——高级(具备以下条件之一者) (1)取得本职业中级职业资格证书后,连续从事本职业工作4年以上,经本职业高级正规培训达规定标准学时数,并取得结业证书。 (2)取得本职业中级职业资格证书后,连续从事本职业工作7年以上。 (3)取得高级技工学校或经劳动保障行政部门审核认定的、以高级技能为培养目标的高等职业学校本职业(专业)毕业证书。 (4)取得本职业中级职业资格证书的大专以上本专业或相关专业毕业生,连续从事本职业工作2年以上。 ——技师(具备以下条件之一者) (1)取得本职业高级职业资格证书后,连续从事本职业工作5年以上,经本职业技师正规培训达规定标准学时数,并取得结业证书。 (2)取得本职业高级职业资格证书后,连续从事本职业工作8年以上。 (3)取得本职业高级职业资格证书的高级技工学校本职业(专业)毕业生,连续从事本职业工作2年以上。 ——高级技师(具备以下条件之一者) (1)取得本职业技师职业资格证书后,连续从事本职业工作3年以上,经本职业高级技师正规培训达规定标准学时数,并取得结业证书。 (2)取得本职业技师职业资格证书后,连续从事本职业工作5年以上。 1.8.3鉴定方式:分为理论知识考试和技能操作考核。理论知识考试采用闭卷笔试方式,技能操作考核采用现场实际模拟操作方式。理论知识考试和技能操作考核均实行百分制,成绩皆达60分及以上者为合格。技师、高级技师还须进行综合评审。 1.8.4考评人员与考生配比:理论知识考试考评人员与考生配比为1:20,每个标准教室不少于2名考评人员;技能操作考评员与考生配比为1:5,且不少于3名考评员;综合评审委员会不少于5人。

电子级多晶硅项目可行性研究报告-项目立项审批

电子级多晶硅项目可行性研究报告 《十二五规划》 --编制要点与政策解读 报告:用途批地立项备案批地融资贷款资金申请国家发改委甲级资质 版权归属:中国项目工程咨询网(网址见页眉处)

前言导读:《电子级多晶硅项目可行性研究报告》是企业申报项目的重要依据性资料,从多方面深层次的论述本项目的可行性和可操作性,且符合国家产业政策。本项目的实施可有力推动当地经济的快速发展。本文着重对项目可行性研究报告的“定义”“用途”“报告目录大纲”“编制方法”进行详解。 一、可行性研究报告定义: 可行性研究报告,简称可研报告,是在制订生产、基建、科研计划的前期,通过全面的调查研究,分析论证某个建设或改造工程、某种科学研究、某项商务活动切实可行而提出的一种书面材料。 可行性研究报告主要是通过对项目的主要内容和配套条件,如市场需求、资源供应、建设规模、工艺路线、设备选型、环境影响、资金筹措、盈利能力等,从技术、经济、工程等方面进行调查研究和分析比较,并对项目建成以后可能取得的财务、经济效益及社会影响进行预测,从而提出该项目是否值得投资和如何进行建设的咨询意见,为项目决策提供依据的一种综合性分析方法。可行性研究具有预见性、公正性、可靠性、科学性的特点。 一般来说,可行性研究是以市场供需为立足点,以资源投入为限度,以科学方法为手段,以一系列评价指标为结果,它通常处理两方面的问题:一是确定项目在技术上能否实施,二是如何才能取得最佳效益。 二、可行性研究报告的用途 项目可行性研究报告是项目实施主体为了实施某项经济活动需要委托专业研究机构编撰的重要文件,其主要体现在如下几个方面作用:

电子级多晶硅项目 可行性研究报告 编制单位:北京国宇祥信息产业研究中心 工咨甲:甲级资质单位 本项目负责人:高建国咨询工程师 参加人员:王胜利教授级高工 朱立仁高级工程师 高勇注册咨询工程师 李林宁注册咨询工程师 项目审核人:王海涛注册咨询工程师 教授级高工

电子级多晶硅金属杂质来源探讨

山 东 化 工 收稿日期:2018-06-07 基金项目:国家重大专项(02专项);极大规模集成电路制造技术及成套工艺(2014ZX02404)作者简介:高召帅(1990—),江苏徐州人,浙江大学硕士,江苏鑫华半导体材料科技有限公司研发工程师,从事电子级多晶硅领域研究工作;通讯联系人:于跃。 电子级多晶硅金属杂质来源探讨 高召帅,于 跃,谢世鹏,厉忠海,王 培 (江苏鑫华半导体材料科技有限公司,保利协鑫旗下,江苏徐州 221004) 摘要:电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对 其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源,同时提出相应控制措施。关键词:电子级多晶硅;金属杂质;来源中图分类号:TQ426.95;TQ127.2 文献标识码:A 文章编号:1008-021X(2018)20-0102-02 TheSourcesofImpuritiesinElectronicGradePolysiliconMetal GaoZhaoshuai,YuYue,XieShipeng,LiZhonghai,WangPei (JiangsuXinhuaSemiconductorMaterialTechnologyCo.,Ltd.,Xuzhou 221004,China) Abstract:Theelectronicgradepolysiliconmetalimpuritycontentisoneoftheimportantindicatorsofitsproductquality evaluation ,theimpuritycontentdirectlyaffectthedownstreamwafermanufacturing,productqualityandsoonthemetalofimpuritycontentisveryimportanttocontrol,thisarticlemainlyfromtheeachlinkintheprocessofdistillation,reductionandpost-processingproductionsource,introducedtheelectroniclevelpolysiliconmetalimpurityofshallow,andatthesametimecorrespondingcontrolmeasuresareputforward.Keywords:electronicgradepolysilicon;metalimpurities;source 电子级多晶硅是国家发展集成电路产业的基础原材料,是《国家集成电路产业发展推进纲要》确定的发展重点之一。其生产技术和市场一直被国外企业所垄断,严重制约了我国集成电路产业发展,并已经影响到国家战略安全,为了打破国外垄断,维护产业的健康、完全、稳定发展,发展我国高品质电子级 多晶硅迫在眉睫[1-2] 。我国半导体行业市场目前位居全球第一、增速也位居全球第一,但我国集成电路产业与先进产业国之间的差距较大,仅从最上游电子级多晶硅原料来讲,主要体现在我国电子级多晶硅产品质量纯度还不及国外电子级多晶硅企业。随着中国集成电路产业规模保持高速增长态势,年均复合增长率为17.6%,远高于全球半导体市场4.3%的增长率。随着国内新建工厂主要为12英寸硅片厂大批新建Fab厂和硅片厂的逐渐投产,国内对高品质电子级多晶硅的市场需求也在不断提高,所以自主自产高纯电子级多晶硅刻不容缓。 电子级多晶硅体表金属主要指的是Fe、Cr、Ni、Zn、Cu、Na、Al、K等元素,国标电子级一级品基体体金属杂质含量(质量分 数)要求小于1×10-9 ,电子级多晶硅国标1级品的表面金属杂 质含量要求小于5 .5×10-9 ,而国际先进电子级多晶硅生产企业对其金属杂质含量控制的更低。电子级多晶硅主体工艺模型与改良西门子法工艺相似,但其在细节上存在很大差异,完全按照化工生产模式运行则不可能产出高品质的产品,需要有接近半导体行业的生产理念、管理模式,才能产出合格产品 [3-5] 。体金属杂质含量的引入源一般处于精馏、尾气回收及还原气相沉积过程,而表金属杂质含量的引入源主要来自于还 原停炉至后处理环节。目前关于电子级多晶硅体表金属杂质引入源报道的相关文献较少,可借鉴的经验匮乏,所以本文主要对影响电子级多晶硅体表金属相关因素进行探讨,为电子级多晶硅行业发展提供宝贵意见。 1 电子级多晶硅体表金属污染及分析1.1 电子级多晶硅体金属污染及分析 在电子级多晶硅生产过程中影响产品体金属质量的环节主要在精馏、尾气回收及还原气相沉积生产工序。生产电子级多晶硅主要原料为高纯三氯氢硅及高纯氢气,而精馏及尾气回收系统作为提纯高纯三氯氢硅及高纯氢气重要工序,其原料金属杂质含量直接影响最终产品体金属杂质含量,而影响原料纯度的引入源主要为精馏塔、换热器、吸附塔、压缩机、换热器、管 道、泵、阀等与物料直接接触的生产设备[6-7] ;在还原生产工序中,主要为还原炉、炉筒清洗机、石墨组件及各类与物料直接接触设备等,其次,在化学气相沉积过程中,采用硅芯的质量也是影响电子级多晶硅体金属重要因素之一。针对如上影响体金属的相关原因,需要在材料选材、设备制造过程、洁净清洗及保养过程精心管控,避免设备材质及相关材料洁净质量,尤其在设备安装、管道焊接过程中一定要做好洁净控制,避免施工过程引入污染。如下图为电子级多晶硅简易生产流程见图1 。 图1 电子级多晶硅简易生产流程 · 201·SHANDONGCHEMICALINDUSTRY 2018年第47卷

中华人民共和国电子行业标准(SJT 11223-2000)

中华人民共和国电子行业标准(SJ/T 11223-2000) 铜包铝线 前言 本标准非等效采用ASTM B 566 :1993 《铜包铝线标准规范》,与之的主要差异如下: 1) 在“范围”一章中,增加了本际准适用于同轴电缆内导体及电气装备中电线电缆导体等的铜包铝线: 2) 在“引用标准”一章中,试验方法采用我国相关标准; 3) 在“分类与型号”一章中,用CCA 作为铜包铝线的型式代号; 4) 对“抗拉强度和伸长率”表中的标称直径作了适当调整,抗拉强度的数值作了必要的修约; 5) 增加了铜包铝线的标称密度值及其偏差,并规定其试验方法。当订货合同中有要求时,将其作为检验项目之一; 6) 增加了“附录A 铜包铝线高频趋肤深度特性”。 本标准的附录 A 为提示的附录。 本标准由中华人民共和国信息产业部提出。 本标准由信息产业部电子工业标准化研究所所归口。 1 范围 本标准规定了铜包铝线的产品分类、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存等。 本标准适用于作同轴电缆内导体及电气装备中电线电缆导体等的铜包铝线。 2 引用标准 下列标准所包含的条文,通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时,所示版本均为有效,所有标准都会被修订,使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性: GB/T3048.2 —1994 电线电缆电性能试验方法金属材料电阻率试验 GB/T 4909.2—1985 裸电线试验方法尺寸测量 GB/T 4909.3 —1985 裸电线试验方法拉力试验 GB/T 4909.4 —1985 裸电线试验方法扭转试验 GB/T 4909.5 —1985 裸电线试验方法弯曲试验反复弯曲 3 术语(3.1-3.5简略) 3.1 单位产品unit of product 3.2 检查批(简称批)inspection lot 3.3 样本单位(样品)sampling unit 3.4 样本sample 3.5 试样specimen 4 分类与型号 4.1 分类

电子级多晶硅清洗过程管控要点

174研究与探索Research and Exploration ·工艺与技术 中国设备工程 2019.02 (下)随着我国对电子级多晶硅用量需求不断增加,自主生 产高纯电子级多晶硅迫在眉睫。在电子级多晶硅生产技术攻 关中,最难解决的技术难题就是硅料清洗,其关键控制点更 是亟需开发掌握的技术。本文主要将对电子级多晶硅清洗过 程中关键控制点进行探究。 1 电子级多晶硅的清洗方法 电子级多晶硅的清洗方法通常采用湿法清洗,硅料湿 法清洗主要包括硅料碱洗及硅料酸洗,目前国外电子级多晶 硅生产企业主要采用硅料酸洗技术。 1.1?硅料碱洗 硅料碱洗主要是指在30~120℃的温度下,使用一定浓 度的碱液,将硅料投入其中液体中,硅料与氢氧根离子反应 产生硅酸根,反应过程中有氢气产生,具体反应方程式如下: Si+2NaOH+H 2O=Na 2SiO 3+2H 2↑ Si →[SiO 3]2- Si-4e →Si 4+H 2O →H 2↑H+1e →H 4H+4e →4H 通过该反应碱蚀适当的厚度,将硅料表面的氧化物、砂浆、粉尘等杂质去除,使硅料表面洁净度符合要求。常规采用使用的碱液为氢氧化钠、氢氧化钾或其他有机碱,但碱洗过后,要选用适当的冲洗方式除去硅料表面残留的碱性物质,常用的冲洗方式有浸泡、喷淋、QDR,通常选用几种重复或者交替使用,为了加快冲洗效果,可适当加入无机酸(如盐酸、氢氟酸),中和残余的碱液,以实现彻底去除残留的问题,提高清洗效果。碱液清洗硅料时,绝大部分金属物不与碱液进行反应,故而碱洗有一定的局限性。1.2?硅料酸洗方法目前在电子级多晶硅清洗行业中,通常选用氢氟酸与硝酸按一定比例混合与硅料进行蚀刻反应,硅料先与硝酸反电子级多晶硅清洗过程管控要点 厉忠海,于跃,王阳,沈棽 (江苏鑫华半导体材料科技有限公司,江苏?徐州?221004) 摘要:电子级多晶硅是集成电路产业链中重要的基础材料,是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料。电子级多晶硅表面金属杂质含量的高低对单晶拉制以及晶圆片的良率的高低有着密切的关系,因此,在生产过程中,通过表面清洗来控制电子级多晶硅后处理过程中带来的表面金属杂质含量,提升电子级多晶硅的质量,保证单晶拉制的成功率、晶圆片的良率。 关键词:电子级多晶硅;清洗方法;表面金属含量 中图分类号:TN304 文献标识码:A 文章编号:1671-0711(2019)02(下)-00174-02 提高电能运输效率和质量,降低电网的维护成本,起到保 护环境和节约资源目的,因此在我国有非常好的发展前景, 得到非常广泛应用。 (3)柔性交流电技术的应用。该技术在电网运输中 具备很高的清洁度,但是在实际的运用中还需要使用一 些技术,现在智能电网采用了很多技术,(电力、微型 电子以及控制等方面的技术)。与此同时,在运输电力 中必须将较高清洁度,一些新型电力注入到电网中,而 柔性交流电技术可以对这些方面的需求进行有效满足, 应该通过利用一些电力和控制方面的技术对交流电视网 线进行灵活和合理的控制,因此该技术在智能电网中的 应用非常广泛。 2.3?新型的电力工程技术在智能电网中的应用? (1)构建调度和广域防御网络,这样就能确保我国电 力能源在相对领域得到更加广阔应用,使得电力资源得到科 学合理的配置。(2)构建新型可靠的硬件方面的设备,关 于电力工程在开展运输工作中采用这些新型的硬件设备可以 对运输中输电设备发生的老化现象进行合理避免和解决,最大限度提高运输效率。(3)对拓扑网络进行合理构建,应用这种性质的技术就可以对智能电网和计算机之间进行合理连接,从而就能够构建出成熟和完善的供电系统。3 结语在进行智能电网建设中,要从多经济性、安全性、稳定性及便捷性等多方面进行考虑,确保工程技术得到科学合理的应用。我国电网已经进入到了智能化和科技化的新时代,在进行智能电网建设中电力工程技术发挥着非常重要作用,因此加强对其的研究与应用具有非常重要的现实意义。参考文献:[1]韩佳楠,谷卓木.基层电网建设电力工程安全技术现状及改进措施[J].科技创新导报,2016,(30).[2]曹江春.电力工程技术在智能电网建设中的应用[J].工程技术研究,2017,(03).?[3]陈东升.电力工程技术在智能电网建设中的应用探析[J].通讯世界,2017,(11).?

国家标准规范一览表

国家标准规范一览表 点击率:550发布时间:2007-3-17 规范编号规范、规程名称GB/T50001-2001房屋建筑制图统一标准GBJ2-86建筑模数协调统一标准 GB50003-2001砌体结构设计规范 GB50005-2003木结构设计规范 GB50007-2002建筑地基基础设计规范 GB50009-2001建筑结构荷载规范 GB50010-2002混凝土结构设计规范 GB50011-2001建筑抗震设计规范 GBJ13-86室外给水设计规范 GBJ14-87(97年修订)室外排水设计规范 GBJ15-88(97年修订)建筑给水排水设计规范 GBJ16-87(2001版)建筑设计防火规范 GB50017-2003钢结构设计规范 GB50018-2002冷弯薄壁型钢结构技术规范 GBJ19-87采暖通风和空气调节设计规范GB50021-2001岩土工程勘察规范 GBJ25-90湿陷性黄土地区建筑规范 GB50026-93工程测量规范 GB50027-2001供水水文地质勘察规范 GB50028-93城镇燃气设计规范 GB/T50033-2001建筑采光设计标准 GB50034-92工业企业照明设计标准 GB50037-96建筑地面设计规范 GB50038-94人民防空地下室设计规范 GBJ39-90村镇建筑设计防火规范 GBJ41-92锅炉房设计规范 GBJ43-82室外给水排水工程设施抗震鉴定标准GB50045-95(2001版)高层民用建筑设计防火规范GB50046-95工业建筑防腐蚀设计规范 GB50050-95工业循环冷却水处理设计规范 GBJ51-83烟囱设计规范

(完整版)多晶硅的危害

多晶硅的危害 2010/9/1 9:09:38 近年,尤其是2007年以来,我国多晶硅产业有着迅猛的发展。1000 t以上级别多晶硅生产装置陆续建成。多晶硅的危害主要在其生产过程中有氢气、液氯、三氯氢硅等有害物质生成,生产过程中又存在火灾、爆炸、中毒、窒息、触电伤害等诸多危险因素。 多晶硅生产过程中主要危险、有害物质中氯气、氢气、三氯氢硅、氯化氢等主要危险特性有:1)氢气:与空气混合能形成爆炸性混合物,遇热或明火即会发生爆炸。气体比空气轻,在室内使用和储存时,漏气上升滞留屋顶不易排出,遇火星会引起爆炸。氢气与氟、氯、溴等卤素会剧烈反应。 2)氧气:易燃物、可燃物燃烧爆炸的基本要素之一,能氧化大多数活性物质。与易燃物(如乙炔、甲烷等)形成有爆炸性的混合物。 3)氯:有刺激性气味,能与许多化学品发生爆炸或生成爆炸性物质。几乎对金属和非金属都起腐蚀作用。属高毒类。是一种强烈的刺激性气体。 4)氯化氢:无水氯化氢无腐蚀性,但遇水时有强腐蚀性。能与一些活性金属粉末发生反应,放出氢气。遇氰化物能产生剧毒的氰化氢气体。 5)三氯氢硅:遇明火强烈燃烧。受高热分解产生有毒的氯化物气体。与氧化剂发生反应,有燃烧危险。极易挥发,在空气中发烟,遇水或水蒸气能产生热和有毒的腐蚀性烟雾。燃烧(分解)产物:氯化氢、氧化硅。 6)四氯化硅:受热或遇水分解放热,放出有毒的腐蚀性烟气。 7)氢氟酸:腐蚀性极强。遇H发泡剂立即燃烧。能与普通金属发生反应,放出氢气而与空气形成爆炸性混合物。 8)硝酸:具有强氧化性。与易燃物(如苯)和有机物(如糖、纤维素等)接触会发生剧烈反应,甚至引起燃烧。与碱金属能发生剧烈反应。具有强腐蚀性。 9)氮气:若遇高热,容器内压增大。有开裂和爆炸的危险。 10)氟化氢:腐蚀性极强。若遇高热,容器内压增大,有开裂和爆炸的危险。 11)氢氧化钠:本品不燃,具强腐蚀性、强刺激性,可致人体灼伤。 火灾、爆炸、中毒是多晶硅项目在生产中的主要危险、有害因素,另外,还存在触电、机械伤害、腐蚀、粉尘等危险、有害因素。主要有: 1)氢气制备:电解槽、氢、氧贮罐等,火灾爆炸、触电、机械伤害。 2)氯化氢合成:氯化氢合成炉、氯气、氢气缓冲罐等,火灾爆炸、中毒、触电。 3)三氯氢硅合成:三氯氢硅合成炉、合成气洗涤塔、供料机等,火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害、粉尘。 4)合成气分离:混合气洗涤塔、氯化氢吸收塔、氯化氢解析塔、混合气压缩机等,火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 5)氯硅烷分离:精馏塔、再沸器、冷凝气等,火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 6)三氯氢硅还原:三氯氢硅汽化器、还原炉、还原炉冷却水循环泵等,火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 7)还原尾气分离:混合气洗涤塔、混合气压缩机、氯化氢吸收塔等,火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 8)四氯化硅氢:化四氯化硅汽化器、氢化炉等,火灾爆炸、中毒、腐蚀、触电、机械伤害。 通过以上分析,火灾爆炸、化学中毒是主要潜在危险、有害因素,在工艺、设备、设施和防护方面存在隐患和缺陷时,非常容易发生,所以应针对可能发生的原因,采取防范措施预以积极排除。对生产过程尽量采用自动控制系统,提高自动控制水平;在氯气、氯化氢、三氯氢硅、盐

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