电子线路(Ⅰ) 部分练习参考解答

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电子线路(I)课后习题第6章练习题参考解答

电子线路(I)课后习题第6章练习题参考解答

= −10υ i1 + 10υ i 2 + υ i 3
在图(c )中
υo = −
=−
Rf R1
υ i1 +
R1 + R f R1
×
R1 + R f R3 R2 υi2 + υi3 × R2 + R3 R1 R2 + R3
100 10 + 100 100 10 + 100 10 υ i1 + υi2 + υi3 × × 10 10 10 + 100 10 10 + 100
υi − υ M = R1 R2 −υ υ − υo υ M = M + M R3 R4 R2
可解得
R2 + R4 +
υo = −
比例系数 Aυ =
R2 R4 R3
R1
υi
=−
100 + 100 +
100 × 100 2 υ i = −104υ i 50
υo = −104 。 υi
RfΒιβλιοθήκη 100 100 100 υ i1 − υ i 2 + 1 + υ i 3 50 50 50 // 50
= −2υ i1 − 2υ i 2 + 5υ i 3
在图(b)中
υo = −
Rf R1
υ i1 +
R1 + R f R1
×
R1 + R f R3 R2 υi2 + υi2 × R2 + R3 R1 R2 + R3
υo 的波形如题图 6-13(c )所示。 6-25 设一阶 LPF 和二阶 HPF 的通带放大倍数均为 2,通带截止频率分别为 100 Hz 和 2 kHz。试用它们构成一个带通滤波电路,并画出幅频特性。 解:将一阶 LPF 和二阶 HPF 相串联,就构成如题图 6-25(a)所示的带通滤波器。在 电路中 ,

电子线路试题及答案

电子线路试题及答案

电工与电子技术试一、填空题(每空 1 分)1若各门电路的输入均为A和B,且A=0, B=1;则与非门的输出为______________ ,或非门的输出为 ________ 。

2、一个数字信号只有_____ 种取值,分别表示为 _________ 和 _______ 。

3、模拟信号是在时间与幅值上_______ 的,数字信号在时间与幅值上是的。

4、 _______________________________________________________ 根据逻辑功能的不同特点,逻辑电路可分为两大类: ____________________________ 和________ 。

5、二进制数A=1011010 B=10111,则A-B= ______ 。

6、组合逻辑电路的输出仅仅只与该时刻的________ 有关,而与________ 无7、将_______ 成 _________ 的过程叫整流。

8、在单相桥式整流电路中,如果负载平均电流是20A则流过每只晶体二极管的电流是 _____ A9、单相半波整流电路,已知变压器二次侧电压有效值为22V,负载电阻RL=1C D, 则整流输出电压的平均值是_________ ;流过二极管的平均电流是_______ ;二极管承受的最高反向电压是______ 。

10、三极管是_______ 控制元件,场效应管是________ 控制元件。

11、逻辑函数Y=(A+B)(B+C)(C+A的最简与或表达式为 ______ o12、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压M一定时,与. 之间的关系。

13、作放大作用时,场效应管应工作在______ 区。

14、放大电路的静态工作点通常是指__________ 、________ 和________ o15.某三级放大电路中,测得Av1=10,Av2=10,Av3=100总的放大倍数是 _______ 。

16.已知某小功率管的发射极电流IE二,电流放大倍数=49,则其输入电阻rbe= _______ 。

电子线路试题及参考答案

电子线路试题及参考答案

电子线路试题及参考答案试 题一、单项选择题(在下列各题的四个选项中,只有一项是最符合题意的。

本大题共35小题,每小题2分,共70分)1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( )A .掺杂工艺B .温度C .杂质浓度D .晶体缺陷2.在半导体材料中,其正确的说法是( )A .P 型半导体和N 型半导体材料本身都不带电。

B .P 型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电。

C .N 型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电。

D .N 型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电。

3.由理想二极管组成的电路如图1所示,其A 、B 两端的电压为( )A .–12VB .+6VC .–6VD .+12V 4.使用万用表直流电压挡,测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图2所示,从而可判断出该晶体管工作在( )A .饱和状态B .放大状态C .截止状态D .倒置状态5.对于图3所示复合管,设r be1和r be2分别为T 1、T 2管的输入电阻,则复合管的输入电阻r be 为( )A .r be =r be1B .r be =r be2C .r be =r be1+(1+ )r be2D .r be =r be1+r be26.在图4电路中,设c 1、c 2对交流信号影响可忽略不计。

当输入f =1kHz 的正弦电压信号后,用示波器观察V i 和V o ,则二者相位关系为( )A .相差90°B .相差45°C .同相D .相差180° 7.为了减小温漂,通用型运放的输入级大多采用( ) A .共射电路 B .差分放大电路C .OCL 电路(互补对称电路)D .共集电路8.差分放大电路用恒流源代替长尾电阻R e 是为了( )A .提高共模电压放大倍数B .提高差模电压放大倍数C .提高差模输入电阻图 1图 2 图 3图4D .提高共模抑制比9.测得放大电路的开路电压放大倍数为6V ,接入2k Ω负载电阻后,其输出电压降为4V ,则此放大器的输出电阻R o 为( )A .R o =1K ΩB .R o =2K ΩC .R o =4K ΩD .R o =6K Ω10.电路如图5所示,设集成电路具有理想的特性,电阻R 2=10K Ω,当R 1的阻值为下列哪种情况时,可以产生较好的正弦波振荡。

电子线路1课后习题答案

电子线路1课后习题答案

《电子线路(I )》 董尚斌编课后习题(1到7章)第1章1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别解:本征半导体是纯净的,没有掺杂的半导体,本征半导体的导电性能较差,在温度为0K 时,半导体中没有载流子,它相当于绝缘体。

在室温的情况下,由本征激发产生自由电子—空穴对,并达到某一热平衡值,本征载流子浓度kT E i g e T A n 22300-=与温度有关。

杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的,若掺入5价元素的杂质可得到N型半导体,N 半导体中的多子为自由电子,少子为空穴,由于掺入微量的杂质其导电性能得到了极大的改善,其电导率是本征半导体的好几个数量级。

在杂质半导体中,多子的浓度取决于杂质的浓度,而少子的浓度与2i n 或正比,即与温度有很大的关系。

若掺入3价元素的杂质可得到P 型半导体。

1-2 试解释空穴的作用,它与正离子有什么不同~解:空穴的导电实际上是价电子导电,在半导体中把它用空穴来表示,它带正电是运载电流的基本粒子,在半导体中,施主杂质电离后,它为半导体提供了一个自由电子,自身带正电,成为正离子,但由于它被固定在晶格中,是不能移动的。

1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么解:漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流,扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流1-4 在PN 结两端加反向偏压时,为什么反向电流几乎与反向电压无关解:PN 结加反偏电压,外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽,外加电压全部降落在PN 结上,而不能作用于P 区和N 区将少数载流子吸引过来。

漂移大于扩散,由于在P 区及N 区中少子的浓度一定,因而反向电流与反偏电压无关。

1-5 将一个二极管看作一个电阻,它和一般由导体构成的电阻有何区别解:将二极管看作一个电阻,其明显的特点是非线性特性。

而一般由导体构成的电阻,在有限的电压、电流范围内,基本上是线性的。

(1) )(2) 二极管的正反向电阻,其数值相差悬殊。

通信电子线路习题解答(严国萍版)

通信电子线路习题解答(严国萍版)

关于《通信电子线路》课程的习题安排:第一章习题参考答案:1-11-3解:1-5解:第二章习题解答:2-3解:2-4由一并联回路,其通频带B过窄,在L、C不变的条件下,怎样能使B增宽?答:减小Q值或减小并联电阻2-5信号源及负载对谐振回路有何影响,应该如何减弱这种影响?答:1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响:通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q (空载Q 值)如式通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式为空载时的品质因数为有载时的品质因数Q Q QQ LL <可见 结论:串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源)和负载电阻RL 也不大的情况。

2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响2-8回路的插入损耗是怎样引起的,应该如何减小这一损耗?答:由于回路有谐振电阻R p 存在,它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ,有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。

回路本身引起的损耗称为插入损耗,用K l 表示 无损耗时的功率,若R p = ∞, g p = 0则为无损耗。

有损耗时的功率 插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小,其中由于回路本身的Lg Q 0p 01ω=,而Lg g g Q 0L p s L )(1ω++=。

2-11oo Q R L Q ==ωLS L R R R LQ ++=0ωL ps p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++===故ωω同相变化。

与L S L R R Q 、 性。

较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大,负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L 2L s sL 201g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+==L 2p L ss L 211g g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=='20L 1111⎪⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛-='=Q Q P P K l2-12解:2-135.5Mhz 时,电路的失调为:66.655.0*23.33f f 2Q p 0==∆=ξ 2-14解:又解:接入系数p=c1/(c1+c2)=0.5,折合后c0’=p2*c0=0.5pf,R0’=R0/ p2=20kΩ,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=15.5pf,回路谐振频率fp=45.2Mhz,谐振阻抗Rp=1/(1/Ri+1/Rp0+1/R0’),其中Rp0为空载时回路谐振阻抗,Rp0=Q0*2π*fp*L=22.72KΩ,因此,回路的总的谐振阻抗为:Rp=1/(1/Ri+1/Rp0+1/R0’)=5.15 KΩ,有载QL=Rp/(2π*fp*L)=22.67,通频带B=fp/QL=1.994Mhz2-17;第三章习题参考答案:3-3晶体管的跨导gm是什么含义,它与什么参量有关?答:3-4为什么在高频小信号放大器中,要考虑阻抗匹配问题?答:3-7放大器不稳定的原因是什么?通常有几种方法克服?答:不稳定原因:克服方法:3-9解:3-10解:第四章习题参考答案:4-1答:4-3答:4-5解:4-64-14 一调谐功率放大器工作于临界状态,已知V CC =24V ,临界线的斜率为0.6A/V ,管子导通角为90︒,输出功率P o =2W ,试计算P =、P c 、ηc 、R p 的大小。

通信电子线路部分习题解答(严国萍版)

通信电子线路部分习题解答(严国萍版)

《通信电子线路》课程的部分习题答案第一章习题参考答案:1-1:1-3:解:1-5:解:第二章习题解答: 2-3,解:2-4,由一并联回路,其通频带B 过窄,在L 、C 不变的条件下,怎样能使B 增宽? 答:减小Q 值或减小并联电阻2-5,信号源及负载对谐振回路有何影响,应该如何减弱这种影响? 答:1、信号源内阻及负载对串联谐振回路的影响:通常把没有接入信号源内阻和负载电阻时回路本身的Q 值叫做无载Q (空载Q 值)如式通常把接有信号源内阻和负载电阻时回路的Q 值叫做有载QL,如式为空载时的品质因数为有载时的品质因数 Q Q QQ LL <可见oo Q RL Q ==ωLS L R R R LQ ++=0ω结论:串联谐振回路通常适用于信号源内阻Rs 很小 (恒压源)和负载电阻RL 也不大的情况。

2、信号源内阻和负载电阻对并联谐振回路的影响2-8,回路的插入损耗是怎样引起的,应该如何减小这一损耗?答:由于回路有谐振电阻R p 存在,它会消耗功率因此信号源送来的功率不能全部送给负载R L ,有一部分功率被回路电导g p 所消耗了。

回路本身引起的损耗称为插入损耗,用K l 表示 无损耗时的功率,若R p = ∞, g p = 0则为无损耗。

有损耗时的功率插入损耗 通常在电路中我们希望Q 0大即损耗小,其中由于回路本身的Lg Q 0p 01ω=,而Lg g g Q 0L p s L )(1ω++=。

2-11,L ps p p p p p p p 11R R R R Q Q G C LG Q L ++===故ωω同相变化。

与L S L R R Q 、 性。

较高而获得较好的选择以使也较大的情况,很大,负载电阻内阻并联谐振适用于信号源L L S Q R R ∴11P P K l '=率回路有损耗时的输出功率回路无损耗时的输出功L2L s s L 201g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+==L 2p L ss L 211g g g g I g V P ⋅⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++=='20L 1111⎪⎪⎪⎪⎭⎫⎝⎛-='=Q Q P P K l2-12,解:2-13,5.5Mhz 时,电路的失调为:66.655.0*23.33f f 2Q p 0==∆=ξ 2-14,解:又解:接入系数p=c1/(c1+c2)=0.5,折合后c0’=p 2*c0=0.5pf,R0’=R0/ p 2=20k Ω,总电容C=Ci+C0’+C1C2/(C1+C2)=15.5pf,回路谐振频率fp=45.2Mhz ,谐振阻抗Rp=1/(1/Ri+1/Rp0+1/R0’),其中Rp0为空载时回路谐振阻抗,Rp0=Q0*2π*fp*L=22.72K Ω,因此,回路的总的谐振阻抗为:Rp=1/(1/Ri+1/Rp0+1/R0’)=5.15 K Ω,有载QL=Rp/(2π*fp*L )=22.67,通频带B=fp/QL=1.994Mhz 2-17;第三章习题参考答案:3-3,晶体管的跨导gm是什么含义,它与什么参量有关?答:3-4,为什么在高频小信号放大器中,要考虑阻抗匹配问题?答:3-7,放大器不稳定的原因是什么?通常有几种方法克服?答:不稳定原因:克服方法:3-9,解:3-10;解:第四章习题参考答案:4-1,答:4-3,答:4-5,解:4-6;第五章习题参考答案:5-4,答:5-7,答:5-9,答:5-12,答:(e)图,在L 、C 发生谐振时,L 、C 并联阻抗为无穷大,虽然满足正反馈条件,但增益不满足≥1,故不能振荡?5-13,[书上(6)L1C1〈L3C3〈L2C2=〉f1〉f3〉f2,不能起振] 解:5-15;如图(a)所示振荡电路,(1)画出高频交流等效电路,说明振荡器类型;(2)计算振荡器频率57uH 57uH解:(1)图(b)是其高频交流等效电路,该振荡器为:电容三端式振荡器(2)振荡频率:L=57uH,振荡频率为:,f0=9.5Mhz第六章习题参考答案:6-1,6-3,6-5,解:6-7,解:6-9,解:6-13,解:6-14;答:第七章习题参考答案:7-3,7-5,解:7-9,什么是直接调频和间接调频?它们各有什么优缺点?答:7-10,变容二极管调频器获得线性调制的条件是什么?7.11答:7-12;如图是话筒直接调频的电路,振荡频率约为:20Mhz 。

高频电子线路第一章作业参考解答

高频电子线路第一章作业参考解答

第一章作业参考解答1.7给出调制的定义。

什么是载波?无线通信为什么要用高频载波信号?给出两种理由。

答:调制是指携带有用信息的调制信号去控制高频载波信号。

载波指的是由振荡电路输出的、其频率适合天线发射、传播和接收的射频信号。

采用高频信号的原因主要是:(1)可以减小或避免频道间的干扰;而且频率越高,可利用的频带宽度就越宽,信道容量就越大。

(2)高频信号更适合天线辐射和接收,因为只有天线尺寸大小可以与信号波长相比拟时,才有较高的辐射效率和接收效率,这样,可以采用较小的信号功率,传播较远的距离,也可获得较高的接收灵敏度。

1.11巳知某电视机高放管的f T =1000MHz ,β0=100,假定要求放大频率是1MHz 、10MHz 、100MHz 、200MHz 、500MH 的信号,求高放管相应的|β|值。

解:f 工作= 1MHz 时, ∵f 工作< < f T /β0 ∴|β| =β0 =100(低频区工作)f 工作= 10MHz 时, ∵f 工作= f T /β0 ∴|β| =0.7β0 =70 (极限工作)f 工作= 100MHz 时,∵ f 工作>> f T /β0 ∴|β| ≈f T / f 工作=1000/100 =10f 工作= 200MHz 时,∵ f 工作>> f T /β0 ∴|β| ≈f T / f 工作=1000/200 = 5f 工作= 500MHz 时,∵ f 工作>> f T /β0 ∴|β| ≈f T / f 工作=1000/500 = 21.12将下列功率:3W 、10mW 、20μW ,转换为dBm 值。

如果上述功率是负载阻抗50Ω系统的输出功率,它们对应的电压分别为多少V ?转换为dB μV 值又分别为多少?1.17某卫星接收机的线性部分如题图1.20所示,为满足输出端信噪比为20dB 的要求,高放Ⅰ输入端信噪比应为多少?解:103211231 1.068911 1.078810lg 10lg()()()10lg ()20.33e a a a i i o o io T NF T NF NF NF NF G G G SNR NF SNR dB SNR dB SNR SNR dB NF SNR dB dB=+=--=++===-∴=+= 1.20接收机带宽为3kHz ,输人阻抗为70Ω,噪声系数为6dB ,用一总衰减为6dB ,噪声系数为3dB 的电缆连接到天线。

《电子线路》考试模拟试题及其参考答案

《电子线路》考试模拟试题及其参考答案

《电子线路》考试模拟试题及其参考答案(试卷总分值为100分,考试时间为120分钟,闭卷考试)姓名﹍﹍﹍﹍﹍﹍一、填空题:(每空1分,共30分)1.高频功率放大电路根据静态工作点的位置可分为 , , 等三种。

2.为实现电信号的有效传输,无线电通信通常要进行调制。

常用的模拟调制方式可以分为、和三种。

3.小信号调谐放大器按调谐回路的个数分和。

4.高频功率放大器主要用来放大高频信号,为了提高效率,一般工作在类状态。

5.产生正弦波振荡的条件,。

6.无线电波传播速度固定不变,频率越高,波长;频率_ ,波长越长。

7.放大电路直流通路和交流通路画法的要点是:画直流通路时,把视为开路;画交流通路时,把视为短路。

8.调幅的就是用信号去控制,使载波的随大小变化而变化。

9.小信号谐振放大器的主要特点是以作为放大器的交流负载,具有和功能。

10.通常将携带有信息的电信号称为,未调制的高频振荡信号称为,通过调制后的高频振荡信号称为。

11.石英晶体振荡器是利用石英晶体的工作的,其频率稳定度很高,通常可分为和两种。

12.为了有效地实现基极调幅,调制器必须工作在状态,为了有效地实现集电极调幅,调制器必须工作在状态。

二、单项选择题:(每小题2分、共30分)1.石英晶体谐振于fp时,相当于LC回路的()A.串联谐振现象 B.并联谐振现象 C.自激现象 D.失谐现象2.丙类高频功率放大器的导通角()A.360 ° B.180°-360° C.<180°3.在高频放大器中,多用调谐回路作为负载,其作用不包括()A.选出有用频率 B.滤除谐波成分 C.阻抗匹配 D.产生新的频率成分4.石英晶体振荡器的主要优点是()A.容易起振 B.振幅稳定 C.频率稳定度高 D.减小谐波分量5.无线通信系统接收设备中的中放部分采用的是以下哪种电路()A.调谐放大器 B.谐振功率放大器 C.检波器 D.鉴频器6.振荡器与放大器的区别是()A.振荡器比放大器电源电压高B.振荡器比放大器失真小C.振荡器无需外加激励信号,放大器需要外加激励信号D.振荡器需要外加激励信号,放大器无需外加激励信号7.在一块正常放大的电路板上,测得某三极管的三个极对地电位如图所示,则管子的导电类型以及管脚自左至右的顺序分别为()A.NPN型、bec B.NPN型、ebcC.NPN型、ecb D.NPN型、bce8.判断下图是哪一类振荡器()A.电感三点式B.电容三点式C.改进的电容三点式D.变压器耦合式9.晶体三极管作为放大应用时,其极间电压的设置,首先应该保证( )。

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4
I BS
VCC VCES 5 0.7 0.054(mA) Rc 40 2
因为 IB<IBS,故三极管 T 处于放大状态。 又由图(b)可知 Vi=0V 时,三极管发射结无正向偏置,T 处于截至状态;VI=3V 时, I B
V I V BE 3 0.7 0.077(mA) 30 Rb I BS VCC VCES 5 0 .7 0.049(mA) Rc 35 2.5
因此 rbe (1 )
VT 1040 ,g m rbe 77 mS , I EQ
rce
VA I CQ
50k
1-42 N 沟道 JFET 的输出特性如题图 1-42 所示。漏源电压的 VDS=15V,试确定其饱和 漏电流 IDSS 和夹断电压 VP。并计算 VGS=-2V 时的跨导 gm。 解:由图可得:饱和漏电流 IDSS≈4mA,夹断电压 VP≈-4V,VGS=-2V 时,用作图 法求得跨导近似为: g m
0 VBE I BQ RB VCC VBE 12 0.0217 *520 0.716(V )
ib
be
rbe

be
1.2k
0.009sin t (mA) 9sin t (uA)
[答]:RD=33.5Ω,rd=1.3Ω。 1-26 由理想二极管组成的电路如图题 1-26 所示, 试求图中标注的电压 V 和电流 I 的大 小。 [答]: (a)+3V,8mA; (b)0V,1mA。 1-27 二极管电路如图题 1-27 所示,判断图中二极管是导通还是截止状态,并确定输出 电压 Vo。设二极管的导通压降为 0.7V。
△i D 2 .6 1 .4 mS =1.2mS △ GS 1 (2)
5
第二章
2-2 根据放大电路的组成原则,判断图 2-2 所示各电路能否正常放大。
图 2-2 [解]: (a) 、 V BE 0 , VCB 0 ,发射极反偏,不能够放大。 (b) 、基极直流悬浮 V BE 0 ,尽管集电极反偏 VCB 0 ,但是,不能够放大。 (c) 、为 PNP 管, V BE 0 , VCB 0 ,尽管发射极正偏,集电极反偏,但是输入交流 为零,不能放大。 (d) 、为 NPN 管, V BE 0 , VCB 0 ,尽管发射极正偏,集电极反偏,但是输出交流 电阻为零,不能放大。 (e) 、为 PNP 管, V BE 0 , VCB 0 ,发射极零偏,不存在基极电流的流通回路,集 电极虽然反偏,但还是不能放大。 (f) 、为 NPN 管, V BE 0 , VCB 0 ,发射极正偏,集电极反偏,尽管 D1 连接在, 发射结上,但是二极管不通,可以视为开路,故能够放大。 2-3 画 出 图 2-3 放 大 电 路 的 直 流 通 路 和 交 流 通 路 以 及 B , iB , iE , E 的 波 形 图 ( 设
B Vsm sin t , Vsm VBB ,放大器处于线性状态工作,而且在工作频率下耦合电容 Cb 和
C 足够大,它所呈现的阻抗很小,可视为短路。 )
6
[解]:画图(略) 。波形(略) 2-4 在图 2-4 所示的电路中,已知管子的 100, VBE ( on ) 0.7V , I CQ 2.17 mA, rce 不计,信号源 vs 0.1sin wt (V ), Rs 10k 设 rbb' 0, 试求三极管各极电压和电流值 iB 、
[解]:三极管的三种工作状态的偏置特点为: 放大状态——发射结正偏、集电结反偏;饱和状态——发射结正偏、集电结正偏;截 止状态——发射结反偏、 集电结反偏。 正偏时三极管的发射结电压为: 硅管 0.7V、 锗管 0.3V。 若违反以上特点,则考虑管子是否损坏。综合分析后得: (a)放大状态; (b)发射结断路、集电极断路; (c)放大状态; (d)发射极短路、集 电极断路; (e)截止状态; (f)饱和状态; (g)发射结断路; (h)放大状态。

Na n Nd p

np ni2
(300K 下,锗的 ni=2.4×1013cm 3)

由上二式可求出 n、p 之值。 - (2)若 Na=Nd=1015cm 3,重做上述内容。 - - (3)若 Nd=1016cm 3,Na=1014cm 3,重做上述内容。 [解]: (1)由 n p ni 与 n+Na=P+Nd 可得 p ( N d N a ) p ni 0
由于 IB>IBS,所以,三极管处于饱和状态。 1-38 已知半导体三极管静态工作点电流 ICQ=2mA,β=80,|VA|=100V, rbb 0 , 试画出器件的混合π型等效电路,并求其参数 rbe 、gm 和 rce 值。 [解]: 混合π型等效电路如图所示。 由于 a

1
0.9876 , 则 IEQ=ICQ/α=2.025mA
3
1-32 已知电路如图题 1-32 所示,试判断下列两种情况下电路中三极管的状态: (a)VCC=15V Rb=390kΩ RC=3.1kΩ β=100 (b)VCC=18V Rb=310kΩ RC=4.7kΩ β=100
[答]: (a)T 放大; (b)T 饱和 1-34 某三极管的输出 特性曲线如图题 1-34 所示; 从 图中 确定该 管的 主要参 数; ICE0,PCM,VCE0,β (在 VCE =10V,IC=4mA 附近) 。 [答]:ICE0=0.2mA; PCM=40mW; VCE0=25V; β=502Biblioteka 22解之得
p
1 2 ( N d N a ) ( N d N a ) 2 4 ni 2
由于 p>0,故上式根号前应取“+”号,已知 - - - ni=2.4×1013cm 3,Na=3×1014cm 3, Nd=2×1014cm 3 代入上式得
p
1 (2 3) 1014 2
-3
则 本征半导体电导率
p 0 ni
2
n0 4.53 10 2 cm 3

σ本=(μn+μp)niq=5.04×10 6S/cm
1
杂质半导体电导率 σ杂≈μnn0q=119S/cm 因此 σ杂/σ本=238×105 1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图 1-25 所示,室温下测得二极管中的电流为 20mA,试确定二极管的静态直流电阻 RD 和动态电阻 rd 的大小。
(2 3) 10
14 2
4(2.4 1013 ) 2 1.055 1014 cm 3
-3
n=p+(Nd-Na)=1.055×1014+(2-3)×1014=5.5×1012cm 由此可知 n<p 因而是 P 型锗。 (2)由于 Na=Nd,因而由 n+Na=p+Nd 得 - n=p=ni=2.4×1013cm 3 这是本征锗。 - (3)由于 Na<<Nd,因而可得 n>>p n≈Nd=1016cm 3
p
ni (2.4 1013 ) 2 5.76 1010 cm 3 16 n 10
2
n>>p,故为 N 型锗。
1-20 若在每 105 个硅原子中掺杂一个施主原子,试计算在 T=300K 时自由电子和空穴 热平衡浓度值,掺杂前后半导体的电导率之比。 - - [解]:T=300K 时,n0≈Nd=(4.96×1022/105)cm 3=4.96×1017cm 3>>ni=1.5×1010cm
vBE 、 iC 、 vCE .
[解]:交流等效电路如图所示:
I BQ
I CQ


2.17 mA 21.7uA 100
rbe rbb'
VT 26mV 1.2k I BQ 21.7uA
be
rbe S 1.2 S 0.01sin t (V) rbe RS 11.2
1-35 NPN 型三极管接成题图 1-35 所示两种电路, 试分析三极管 T 在这两种电路中分别 处于何种工作状态。设 T 的 VBE=0.7V。
[解]: 三极管的工作状态,可以通过比较基极电流 IB 和临界饱和基极电流 IBS 来判定。 由题图 1-35(a) , IB
VCC VBE 5 0.7 0.043(mA) Rb 100
电子线路(Ⅰ)的部分练习参考解答
第一章
1-18 在 300K 下,一个锗晶体中的施主原子数等于 2×1014cm 3,受主原子数等于 3× - 1014cm 3。(1)试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是 N 型还是 P 型锗?亦 即,它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现? [提示] 若 Na=受主原子(负离子)浓度, Nd=施主原子(正离子)浓度, 则根据电中性原理,可得
2
②在图题 1-27(b)中,断开二极管 VD,有 VAB=VA-VB=-10V-(-5V)=-5V。 可见,二极管 VD 接入以后,将承受反向电压,D 处于截止状态(相当于断开) ,电路中电 流等于零(设反向饱和电流为零) ,R 上的电压降等于零,故 VO=VB=-5V。 ③在图题 1-27(c)中,首先将 D1 和 D2 断开,求两管将承受的电压为: VD1: VB1A=VB1-VA=0V-(-9V)=9V VD2: VB2A=VB2-VA=-12V-(-9V)=-3V 二极管接入以后,VD1 因正偏处于导通,则 VO=VA=VB1-VVD1=0V-0.7V=-0.7V 而 VB2A=-12V-(-0.7V)=-11.3V,所以,VD2 因反偏处于截止状态。 ④在图题 1-27(d)中,首先将 VD1 和 VD2 断开,求得两管将承受的电压。 VD1: VAB1=VA-VB1=15V-0V=15V VD2: VAB2=VA-VB2=15V-(-10V)=25V 二极管接入以后,因 VD2 承受的正向电压较 VD1 高, 优先导通; 使 A 点的电位 VA=VB2 +VD2(on)=-10V+0.7V=-9.3V。D1 因承受电压而截止。故 VO=VA=-9.3V 1-28 图题 1-28 所示电路中稳压管的稳压值为 6V,稳定电流为 10mA,额定功率为 200mW,试问 (1) 当电源电压在 18V 至 30V 范围内变化时, 输出 Vo=?, 稳压管是否安全? (2)若将电源电压改为 5V,Vo=? (3)要使稳压管起稳压作用,电源电压的大小应满足什么条 件? [答]: (1)Vo=6V,管子安全; (2)Vo=5V; (3)16V<VI<39.3V。 1-29 图题 1-29 中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位,试判定这些三极管是否 处于正常工作状态?如果不正常,是短路还是断路?如果正常,是工作于放大状态,截止状 态还是饱和状态?
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