高纯多晶硅洁净生产工艺
多晶硅生产工艺流程
多晶硅生产工艺流程
《多晶硅生产工艺流程》
多晶硅是一种常见的半导体材料，广泛应用于光伏发电、集成电路和光电器件等领域。
多晶硅的生产工艺流程主要包括石英矿石提炼、气相法制备、液相法制备和晶体生长等几个主要步骤。
首先，石英矿石提炼是多晶硅生产工艺的第一步。
石英矿石是多晶硅的原料，通过石英矿石提炼可以得到高纯度的二氧化硅。
高纯度的二氧化硅是制备多晶硅的重要原料，其纯度和质量对多晶硅的品质有着重要影响。
接下来是气相法制备。
气相法制备多晶硅是目前最常用的生产工艺之一。
该工艺利用氯化硅和氢气作为原料，在高温炉中反应生成三氯化硅，再通过还原反应得到多晶硅。
在这一过程中，要控制好温度、压力和气相成分等参数，以确保多晶硅的纯度和晶体结构的良好性能。
除了气相法制备外，液相法制备也是一种常见的多晶硅生产工艺。
液相法制备多晶硅是利用高纯度的硅溶液，在特定条件下结晶成多晶硅体。
这种工艺比气相法更容易控制晶体形貌和性能，但也需要严格控制各种条件参数，以确保多晶硅的品质。
最后一步是晶体生长。
多晶硅晶体生长是制备高纯度、大尺寸多晶硅的关键步骤。
通过合理设计工艺和设备，控制晶体生长速率和结晶方向，可以获得高质量的多晶硅晶体。
总的来说，多晶硅的生产工艺流程包括石英矿石提炼、气相法制备、液相法制备和晶体生长等几个主要步骤。
通过合理控制工艺参数和采用高质量的原料，可以获得高纯度、优质的多晶硅产品，满足不同领域的应用需求。
多晶硅生产工艺流程
多晶硅生产工艺流程多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于光伏、集成电路等领域。
多晶硅的生产工艺流程主要包括原料准备、熔炼、晶体生长、切割、清洗等环节。
下面将详细介绍多晶硅的生产工艺流程。
首先，原料准备是多晶硅生产的第一步。
原料主要包括二氧化硅粉末和还原剂，其中二氧化硅粉末是多晶硅的主要原料，而还原剂则是用于将二氧化硅还原成硅的重要物质。
在原料准备阶段，需要对原料进行严格的筛选和配比，确保原料的纯度和稳定性。
接下来是熔炼环节。
在熔炼炉中，将原料进行高温熔融，使其形成硅液。
熔炼过程需要严格控制温度和气氛，以确保硅液的纯度和稳定性。
此外，熔炼过程中还需要对炉体进行保温和冷却，以确保炉内温度的稳定和均匀。
随后是晶体生长。
在晶体生长炉中，将硅液逐渐冷却结晶，形成多晶硅晶体。
晶体生长过程需要严格控制温度梯度和晶体生长速度，以确保晶体的质量和结晶度。
同时，还需要对晶体进行定向凝固，以获得所需的晶体形态和取向。
然后是切割环节。
将生长好的多晶硅晶体进行切割，得到所需尺寸和形状的硅片。
切割过程需要使用高精度的切割设备，确保切割的精度和表面质量。
同时，还需要对切割后的硅片进行表面处理，以去除切割产生的缺陷和污染。
最后是清洗环节。
将切割好的硅片进行清洗，去除表面的杂质和污染物。
清洗过程需要使用高纯度的溶剂和超纯水，确保硅片表面的清洁度和光洁度。
同时，还需要对清洗后的硅片进行干燥和包装，以确保其在后续工艺中的稳定性和可靠性。
综上所述，多晶硅生产工艺流程包括原料准备、熔炼、晶体生长、切割、清洗等环节。
每个环节都需要严格控制工艺参数，确保多晶硅的质量和性能。
多晶硅的生产工艺流程在不断优化和改进，以满足不同领域对多晶硅品质的需求，推动半导体产业的发展。
多晶硅生产工艺流程
多晶硅生产工艺流程多晶硅最主要的工艺包括：三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化（有的采用氯氢化），精馏，还原，尾气回收。
还有一些小的主项，如制氢、氯化氢合成、废气废液的处理、硅棒的整理等等。
主要反应包括：Si+HCl---SiHCl3+H2（三氯氢硅合成）;SiCl4+H2---SiHCl3+HCl （热氢化）;SiHCl3+H2---SiCl4+HCl+Si（还原）工艺流程如下所述：（1）石英砂在电弧炉中冶炼提纯到98%并生成工业硅，其化学反应SiO2+C→Si+CO2↑（2）为了满足高纯度的需要，必须进一步提纯。
把工业硅粉碎并用无水氯化氢(HCl)与之反应在一个流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅(SiHCl3)。
其化学反应Si+HCl→SiHCl3+H2↑反应温度为300度，该反应是放热的。
同时形成气态混合物(Н2,НСl,SiНСl3,SiCl4,Si)。
（3）第二步骤中产生的气态混合物还需要进一步提纯，需要分解:过滤硅粉，冷凝SiНСl3,SiCl4，而气态Н2,НСl返回到反应中或排放到大气中。
然后分解冷凝物SiНСl3,SiCl4，净化三氯氢硅（多级精馏）。
（4）净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯的SiHCl3在H2气氛中还原沉积而生成多晶硅。
其化学反应SiHCl3+H2→Si+HCl。
多晶硅的反应容器为密封的，用电加热硅池硅棒（直径5-10毫米，长度1.5-2米，数量80根），在1050-1100度在棒上生长多晶硅，直径可达到150-200毫米。
这样大约三分之一的三氯氢硅发生反应，并生成多晶硅。
剩余部分同Н2,НСl, SiНСl3 ,SiC14从反应容器中分离。
这些混合物进行低温分离，或再利用，或返回到整个反应中。
气态混合物的分离是复杂的、耗能量大的，从某种程度上决定了多晶硅的成本和该工艺的竞争力。
上述工艺过程可简单表示为：多晶硅的生产工艺主要由高纯石英（经高温焦碳还原）→工业硅（酸洗）→硅粉（加HCl）→SiHC l3（经过粗馏精馏）→高纯SiHCl3（和H2反应CVD工艺）→高纯多晶硅。
多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺多晶硅是一种高纯度的硅材料，广泛应用于电子、光电和太阳能等领域。
多晶硅的制备工艺主要包括净化硅材料、化学气相沉积和熔融法等。
本文将从多晶硅生产的三个关键步骤入手，详细介绍多晶硅的生产工艺。
一、净化硅材料多晶硅的生产基础是高纯度硅材料，一般采用电石法或硅锭法生产。
在电石法中，石油焦、白炭黑等原料经高温炉处理生成硅单质，再通过进一步的加热处理和气相冷却得到高纯度的硅粉末。
硅锭法是利用单晶硅作为原料，通过高温熔化并在特殊条件下生长出大型晶体锭。
这两种方法都需要对产生的硅材料进行净化处理，以获得较高的纯度。
在净化过程中，首先需要通过化学方法除去硅杂质，例如氧化物、碳和氮等。
一般采用氢氧化钠或氢氧化铝作为碱性还原剂，使硅材料与还原剂反应生成挥发性化合物的气体，通过气体与净化剂的反应使杂质得到去除。
其次，通过热处理和气相冷却等方法去除非金属杂质，例如碳、氧、氮、铁、铝等。
最后，通过电石法或硅锭法制备出较高纯度的硅粉或硅锭，成为制备多晶硅的基础原料。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是多晶硅生产的主要方法之一。
其基本原理是利用硅化合物热分解生成硅单质并在沉积基底上生长晶体。
一般采用氯硅烷、氯化硅、三氯硅烷等硅化合物作为原料气体，通过加热至高温（1000-1400℃）使硅化合物分解，生成氯离子和硅单质原子。
硅单质原子进一步在沉积基底上生长成为多晶硅晶体。
在化学气相沉积法中，氯化氢和二氧化硅等气体通入反应器内，使反应器内维持一定的反应压力（约5-10kPa），并保证反应器内气氛处于还原条件下。
在材料沉积过程中，需要控制反应器的温度、反应气压和气体流量等参数，以使沉积层的粗细、取向和晶界质量达到理想状态。
三、熔融法熔融法是多晶硅生产的另一种常用方法。
其主要流程是将高纯度硅材料加热至熔化状态，然后在特定条件下进行成型和冷却。
其中的关键步骤包括炼铝电池法、湖式法和化学熔融法等。
炼铝电池法是将硅粉末加入熔融的铝中，在高温高压下反应生成硅铝合金，然后通过冷却、破碎等过程，得到晶粒尺寸较小的多晶硅。
多晶硅生产工艺流程(3篇)
第1篇一、引言多晶硅是光伏产业和半导体产业的重要原材料，广泛应用于太阳能电池、太阳能热利用、半导体器件等领域。
随着新能源产业的快速发展，对多晶硅的需求量日益增加。
本文将详细介绍多晶硅的生产工艺流程，旨在为相关企业和研究人员提供参考。
二、多晶硅生产工艺流程概述多晶硅的生产工艺流程主要包括以下几个阶段：原料处理、还原反应、熔融提纯、铸造、切割、清洗、包装等。
三、多晶硅生产工艺流程详解1. 原料处理多晶硅的生产原料主要是冶金级硅（Si），其含量在98%以上。
首先，将冶金级硅进行破碎、研磨等处理，使其达到一定的粒度要求。
2. 还原反应还原反应是多晶硅生产的关键环节，其主要目的是将冶金级硅中的杂质去除，得到高纯度的多晶硅。
还原反应分为以下几个步骤：（1）将处理后的冶金级硅加入还原炉中。
（2）在还原炉中通入还原剂，如碳、氢气等，与冶金级硅发生还原反应。
（3）在还原过程中，炉内温度保持在约1100℃左右，反应时间为几小时至几十小时。
（4）反应结束后，将还原炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
3. 熔融提纯还原反应得到的粗多晶硅中仍含有一定的杂质，需要通过熔融提纯的方法进一步去除。
熔融提纯主要包括以下几个步骤：（1）将粗多晶硅加入熔融炉中。
（2）在熔融炉中通入提纯剂，如氢气、氯气等，与粗多晶硅发生反应，生成挥发性杂质。
（3）将挥发性杂质通过炉顶排气系统排出，实现提纯。
（4）提纯结束后，将熔融炉内的物料进行冷却、破碎、研磨等处理。
4. 铸造将提纯后的多晶硅熔体倒入铸造炉中，进行铸造。
铸造过程主要包括以下几个步骤：（1）将熔融的多晶硅倒入铸锭模具中。
（2）在铸锭模具中通入冷却水，使多晶硅迅速凝固。
（3）待多晶硅凝固后，将铸锭模具从熔融炉中取出，得到多晶硅铸锭。
5. 切割将多晶硅铸锭切割成所需尺寸的硅片。
切割过程主要包括以下几个步骤：（1）将多晶硅铸锭放置在切割机上。
（2）在切割机上安装切割刀片，将多晶硅铸锭切割成硅片。
多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子、光伏等领域。
它具有良好的导电性和光学性能，成为了现代科技领域的重要材料之一。
多晶硅的生产工艺是多段复杂的过程，下面将对其生产工艺进行详细介绍。
多晶硅的生产工艺可以分为熔炼、提纯和生长三个主要步骤。
首先是熔炼阶段，也被称为硅材料制备阶段。
在该阶段，将高纯度的硅原料与一定比例的草酸和氯化氢溶解在相应的溶剂中，经过混合、搅拌和过滤等工艺处理后，得到硅原料混合液。
然后将混合液加热至高温，使其熔融成为硅液。
硅液通过特殊的冷却方式，形成固态硅块，即硅锭。
接下来是提纯阶段。
硅锭虽然已经形成，但其中仍然包含着杂质元素，必须进行进一步的提纯。
提纯是为了降低杂质含量，提高硅材料的纯度。
提纯工艺主要包括气相法、液相法和固相法等。
其中，气相法是最常用的提纯方法。
在气相法中，通过将硅锭放入反应炉中，利用氢气将硅锭表面的氧化硅还原为气态氧化硅，然后再通过冷凝和净化等工艺，将气态氧化硅转化为高纯度的气态硅。
这样就可以获得高纯度的硅材料。
最后是生长阶段。
生长是将高纯度的硅材料制备成多晶硅晶体的过程。
生长工艺主要有Czochralski法和漂移法两种方法。
Czochralski法是较为常用的生长方法。
在Czochralski法中，通过将高纯度的硅材料放入石英坩埚中，加热后形成熔融的硅液。
然后将从石英坩埚中拉出的单晶硅丝与旋转的种子晶体接触，通过旋转与拉扯的方式，将硅液逐渐凝固成为多晶硅晶体。
漂移法则是通过控制熔融硅液中的温度梯度和控制气氛中的杂质浓度来实现多晶硅的生长。
综上所述，多晶硅的生产工艺是一个复杂而严谨的过程。
通过熔炼、提纯和生长三个主要步骤，将原材料转化为高纯度的多晶硅晶体。
这些高纯度的多晶硅晶体能够广泛应用于电子、光伏等领域，推动了现代科技的发展。
多晶硅的生产工艺在不断改进和创新，为提高多晶硅质量和产量起到了重要作用。
多晶硅的生产工艺流程
多晶硅的生产工艺流程多晶硅是一种非常重要的工业原料，广泛应用于太阳能电池、半导体制造以及光纤等领域。
本文将介绍多晶硅的生产工艺流程。
1. 原材料准备多晶硅的生产过程主要以硅矿石作为原材料。
硅矿石经过选矿、破碎、磨粉等处理，得到粗硅粉。
然后通过酸法或氧化法进行精炼，得到高纯度的硅。
2. 冶炼和净化在冶炼过程中，将高纯度的硅加入冶炼炉中，与还原剂（通常为木炭或焦炭）反应生成气体。
这种气体通过适当的温度和压力控制，使之凝结为多晶硅棒。
为了净化多晶硅，一般采用几个步骤：•液氯法：将多晶硅放入气体氯化炉中，在高温下与氯气反应生成气态氯化硅。
通过凝结和沉淀，将杂质去除。
•化学净化：将氯化硅与氢气或其他还原气体在适当的温度下反应，去除杂质元素。
•浸渍法：将多晶硅浸泡在酸性或碱性溶液中，通过化学反应去除杂质。
3. 制备硅棒将净化后的多晶硅通过熔融法或等离子体法进行制备硅棒。
•熔融法：将多晶硅放入坩埚中，加热到高温使其熔化。
然后通过拉拔或浇铸的方式，将熔融硅逐渐冷却成硅棒。
•等离子体法：将净化后的多晶硅放入等离子体室中，加热到高温使其熔化。
然后通过高频感应炉等设备，使熔融硅凝结成硅棒。
4. 切割硅棒经过制备后，需要进行切割成片。
通常采用钻孔法或线锯法进行切割。
•钻孔法：将硅棒放入特定设备中，通过旋转式的刀具进行切割。
•线锯法：将硅棒放入线锯设备中，通过高速旋转线锯进行切割。
5. 喷砂抛光切割后的硅片表面粗糙，需要进行喷砂和抛光。
喷砂可去除表面污染物，抛光可提高硅片的表面光洁度。
6. 完工经过喷砂抛光后，多晶硅片经过检验和封装后即可作为成品出售。
结论本文介绍了多晶硅的生产工艺流程。
多晶硅的生产包括原材料准备、冶炼和净化、制备硅棒、切割以及喷砂抛光等过程。
经过这些工艺步骤，高纯度的多晶硅可以被应用于太阳能电池、半导体制造等领域。
以上就是多晶硅的生产工艺流程的详细介绍。
参考资料：[1] Kumar, C. G., & Ramesh, D. (2006). Silicon: a review of its potential role in the prevention and treatment of postmenopausal osteoporosis. International journal of endocrinology, 2006.[2] Faber, K. T. (1997). Rates of homogeneous chemical reactions of silicon. Journal of the American Ceramic Society, 80(7), 1683-1700.。
多晶硅工艺生产技术概述
多晶硅工艺生产技术概述多晶硅（Polycrystalline silicon，简称Poly-Si）是一种用于太阳能电池、集成电路等领域的重要材料，其制备工艺主要包括气相沉积法和自然气化法两种。
以下是对多晶硅工艺生产技术的概述。
气相沉积法是多晶硅的主要制备方法之一、该方法通过将硅源气体（通常是三氯化硅或硅氢化合物）与载气（通常是氢气）在高温下反应，使得硅在基片上沉积并形成多晶硅薄膜。
具体工艺流程如下：1.基片准备：选用高纯度的硅片作为基片，将其表面进行清洗和处理，以确保多晶硅的质量和纯度。
2.基片预处理：将基片放置在预处理炉中，进行预热处理，以去除背面的化学草胎和金属杂质。
3.多晶硅沉积：将预处理后的基片放置在反应炉中，与硅源气体和载气进行反应。
在高温下，硅源气体分解生成硅原子，然后在基片上沉积形成多晶硅薄膜。
同时，通过控制反应温度、气体流量和压力等参数，可以控制多晶硅薄膜的形貌和性质。
4.多晶硅退火：对沉积的多晶硅薄膜进行退火处理，以去除内部应力和晶界缺陷，提高材料的结晶度和电子迁移率。
5.薄膜处理：对退火后的多晶硅薄膜进行磨削和抛光处理，使其达到所需的厚度和光洁度。
通过气相沉积法制备的多晶硅具有较高的纯度和电子迁移率，适用于制备高性能的太阳能电池、集成电路等器件。
另一种多晶硅的制备方法是自然气化法。
该方法利用金属硅与氢气在高温下反应生成氯化硅和硅，然后经过凝结和化学纯化等步骤得到多晶硅。
具体工艺流程如下：1.原料处理：将金属硅进行粉碎和清洗处理，以去除杂质和氧化物。
2.反应：将处理后的金属硅与氢气在高温下反应，生成氯化硅和硅。
3.凝结：通过控制反应温度和压力，使得氯化硅在凝固器中凝结成固体。
4.纯化：对凝结的氯化硅进行化学方法或物理方法的纯化，去除杂质和杂质。
5.氯化还原：将纯化后的氯化硅与金属硅在高温下反应，还原生成多晶硅。
6.处理：对得到的多晶硅进行处理，以去除残留的气体和杂质。
通过自然气化法制备的多晶硅在纯度和性能上可以达到较高水平，适用于大规模工业生产，并且具有较低的成本。
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5 洁净室行为规范 （半导体行业洁净室行为规范）
一、净化服的管理规定
1.净化服、鞋均每周清洗一次，净化服由净化区门卫负责回收并统一送洗衣房清洗； 2.每位员工有两套净化服便于替换，拆袋的净化服必须挂在相应号码的挂钩上； 3.净化服上除了由净化区门卫作统一编号外，不得任意乱涂乱写，违者自费更新； 4.净化服、鞋有损坏、污染或松紧异常等，应及时告诉门卫，以便更新，并由门卫作好登 记工作。 5.净化服暴漏在非净化区域后应经过清洗才能再次在净化间内使用。 6.外来参观人员的净化服使用后由门卫立即进行回收清洗。
(ISO 14664-1 Air Cleanliness)洁净室等级划分
国际（ISO-14644-1 Ail Cleanliness)洁净室标准 空气洁净 等级 （N) 大于或等于表中粒径的最大浓度值|（个|立方米） Ft为英尺 1ft=12英寸 1ft=304.8mm 1in=25.4mm 0.1um ISO Class1 ISO Class2 ISO Class3 ISO Class4 ISO Class5 ISO Class6 ISO Class7 ISO Class8 ISO Class9 十 一百 一千 一万 十万 一百万 0.2um 2 24 237 2370 23700 237000 10 102 1020 10200 102000 4 35 352 3520 35200 352000 3520000 3520000 0 8 83 832 8320 83200 832000 832000 0 29 293 2930 29300 293000 0.3um 0.5um 1.0um 5.0um
5 洁净室行为规范
四、预防污染
1.不可以裸手碰工作台、工具及其他净化区器材； 2.禁止在净化区内抓头、抹脸或搓手，手套若触及脸部应立即更换； 3.口罩、手套破损必须及时更换 4.净化间白区禁止5人及以上人员聚堆 5. 5.在做设备及工作区的清洁前，应在手套外面再戴一层手套，在清洁结束后，将外层手套脱掉后才 能进行生产操作。 6.使用N2气枪时，必须低于工作台之下，以免粉尘污染圆片； 7.在净化区中，产品片的放置高度不得低于30公分，以避免受到人员走动时产生的颗粒污染； 8.除非工作需要，不得接近有圆片放置的工作台面和设备，必须与圆片保持至少30公分的距离； 9.净化间内禁止撕纸，可将净化纸预先裁成合适大小再带入净化间。 10.净化区内的打印机须放置在低于60公分的位置； 11.圆片在非加工和异常处理状态下，禁止直接暴露在空气中，以免粉尘污染圆片；
5 洁净室行为规范
二、进出净化区物品的管理规定
1.进出净化区的物品必须符合净化要求，并只可通过两个通道进入：大件由电梯间进入， 其余小物品（长度小于1m）由净更衣室经风淋进入； 2.表面脏的物品要用5%的异丙醇或纯水擦洗干净。 3.油性液体及待修设备从进入净化区时，不要沾污地面，如有沾污及时清洗干净； 4.化学品及其他需进入电梯间的物品必须擦洗干净，搬运人员进入电梯间必须更换干净 的拖鞋； 6.净化间使用结束的空桶（瓶）在退回前贴好化学特性标识
5 洁净室行为规范
五、净化区内设备维修和施工操作规定
1.净化区内设备维修时必须放置“正在维修”标识牌； 2.净化区内设备维修时，应做好净化防护措施； 3.施工所用设备和工具在进入净化区前需先擦干净，在使用前再进行擦洗； 4.维修维护或施工过程中,避免乱堆乱放，维修结束后将所有工具清理干净； 5.维修维护或施工过程中，不得坐或躺在地板上，如确实需要先铺垫塑料隔离垫； 6.施工过程中产生的赃物和颗粒,必须用真空吸管吸掉并认真擦干净，同时将工作桌面、 地面清扫干净； 7.登高作业时应使用梯子，禁止踩踏管线或设备。
洁净室工作原理：通过空气处理装置，将空气流送入管道，并通过空气过滤装置，将洁净的空气 送入室内，同时通过工艺排风将室内空气送回空气处理装置或室外，循环往复就能达到净化的目 的
3.洁净室等级及标准
1963年美国制定出国际上第一套洁净室标准 （美国联邦标准-FS 209标准）， 此后不断修改标准，同时世界上几个主要的国家根据自己的需要，分别制 定了自己的洁净标准。 现在国际上采用的ISO洁净室等级的划分标准是由全球各国际标准化团体联合 会编制的(ISO-14644 Air Cleanliness).有8个部分组成（洁净室等级的划分，洁 净室的测试方法，洁净室的设计与施工，洁净室的运行，定义及单位，微环境 与隔离等）。更衣室 洗手烘干 戴发套， 戴发套，将头发完全放入发套 戴口罩， 戴口罩，口、鼻完全掩在口罩内
穿净化服,拉好拉链 穿净化服 拉好拉链
穿净化鞋，裤管收在鞋筒内， 穿净化鞋，裤管收在鞋筒内，拉好拉链
戴手套,端口放在两层衣袖中间 戴手套 端口放在两层衣袖中间
着装和卸装的步骤
着装完毕 进风淋室前请确认着装符合规范 脱净化鞋 净化鞋放入指定鞋柜
4.洁净室的维护与管理
洁净室内污染的来源，经测试如下表。在洁净室中不规范的动作会产生大量的尘 埃粒子，从而严重影响洁净室的洁净度。作业人员进出洁净室时尘埃粒子有明显 的增加，有人动作时其洁净度马上会恶化。 洁净室内污染来源比例
No. 1 2 3 4 5 尘埃粒子来源 空气泄漏 原材料 生产过程 设备 人员 所占比例 % 7 8 25 25 35
以上数据可以表明，可见杂质对多晶硅质量的影响较大。
2.洁净室的定义
洁净室（clean room)又称无尘室或净化间。是指不论室外空气条件 如何变化，仍能使室内空气中微尘粒子，有害气体，细菌等污染 物排除，并且室内温度，湿度，洁净度，空气压力，气流分布， 气流速度，噪声，震动，照明，静电等特性能控制在某一特定需 求范围内。 因此，洁净室必须具备以下功能： 1.能除去空气中漂浮的微尘粒子 2.能防止微小粒子的产生 3.温度，湿度能控制在一定范围内 4.室内空气有一定压力，气流速度及气流分布 5.能排除有害气体(废气） 6.有除静电防护，防电磁干扰 7.有安全，节能措施
高纯多晶硅洁净生产工艺
研发中心
王显兰
1. 洁净在多晶硅生产中的必要性 2. 洁净室的定义 3. 洁净等级及标准 4. 洁净室的维护及管理 5. 洁净室行为规范 6. 多晶硅生产过程中需注意的洁净问题
1.洁净在多晶硅生产中的必要性
随着太阳能光伏和半导体产业的发展，对多晶硅纯度的要求越来越 高。多晶硅的质量好坏，直接关系到晶体管的合格率，电学性能以及太 阳能电池转换效率的高低。 提高多晶硅产品质量的措施： 1.在生产过程中，搞好工艺卫生。树立“超纯”观念，养成严格的工 艺卫生操作习惯（操作环境最好有洁净室） 2.提高原料纯度 3.强化精馏效果 4.氢还原过程的改进 5.加强分析手段提高分析灵敏度
洁净室的维护与管理 表一
人体的不同动作及不同工作服所能产生的微尘粒子数 大于等于0.5um 人体的动 作
站立（静姿态） 坐下（静姿态） 手腕上下动 上身前屈 手腕自由运动 头颈上下，左 右动 屈身 原地踏步 步行
单位;个|人.分钟
普通工作 服 339000 302000 2980000 2240000 2240000 631000 3210000 2800000 2920000
脱净化服， 脱净化服，挂到相应挂钩上
脱口罩、 脱口罩、头套
脱手套
手套、头套、 手套、头套、口罩扔入对应的垃圾桶
净化间内部
洁净室的管理
2. 物流的管理
原，辅材料或设备 去除外包装 外部初步洁净处理
移至洁净工作区
移入洁净工作区
清洁原，辅材料或设备表面
去除内层包装
移至物料，设备清洗
工作人员进行清洁处理时必须穿着洁净工作服，实用无尘纸或不脱纤维的无尘布， 清洁剂实用超纯水或3%-5%浓度的丙酮或 IPA 设备搬运时，事先应在地板上铺设已清洁过的不锈钢板或胶板以保护洁净地板 3.洁净室内物品的管理 洁净室内除了进出洁净室用的洁净工作衣，鞋，帽，口罩，手套，防护眼镜外， 还有文具纸张（净化纸），桌子，椅子，传片盒，片架，搬运小车，真空吸尘器， 垃圾箱等
美国（FS209D)标准 中国GB 500732001标准
个|立方英尺
个|立方米
以0.5um 计
1 10 100
1000 10000 100000
洁净度
谈到净化厂房的洁净度时，可以举 “在太平洋中游弋的一条鱼”的例子来比喻“浮游在 空气中的灰尘微粒”，目的是让大家亲身感觉到半导体洁净室方面的那种极其洁净的 程度。 我们以ISO1级的洁净度为例。 1. ISO1级1m3空气中0.1µm粒子＜10个;浮游粒子在空气中的体积比为5.24×1/10（21次方） 2. 2.太平洋的面积为16500万km2、平均深度为4282m、体积为70700万km3。 16500 km2 4282m 70700 km3 如果与ISO 1级相同的粒子比例进行换算，70700万km3的5.24×10（-21次方）仅3.7 l， 3.7 l也就大约相当于一条鱼的体积。 把一个立方米的空间，等比例放大到象太平洋这样 巨大的空间，经过超高效过滤器的过滤，大于3.7升体积的鱼（微粒）全部被过滤掉了； 只有比它小的鱼（微粒）还存在 “太平洋中游弋的一条鱼”是一种什么样的感觉了吧
太阳能级多晶硅国 家标准
洁净在工艺生产中的必要性
可见杂质对产品多晶硅中微量元素含量的影响（多晶硅中C小于等于2.5E16at/cm3 即0.21ppm，TMI小于等于0.05ppm) 例 1.一滴油按实际理论计算可以污染122.5kg多晶硅（一滴油中含碳量为：0.01035 g） 2.长1cm，宽0.5mm，厚0.05mm的铁丝按实际理论计算可污染240kg的多晶硅 3.一块重0.29g的石墨按实际理论计算可污染1380kg多晶硅 4.一根头发大概可以沾污100kg左右的多晶硅
个行业洁净标准
半导体行业（CSMC)
个行业洁净标准
多晶硅生产
由于多晶硅生产目前还处在发展阶段，企业对洁净生产的认识随着太阳能级多 晶硅厂商对产品质量的不断提升和行业标准的修订越来越明朗化。 例如******硅业（改良西门子法）。洁净室主要集中在以下几个部分： 1.产品检测部分（ICP-MS 1000级） 2.氢气还原SiHCl3 （十万级） 3.硅芯制备。 （三十万级） 4.产品的整理和产品的检测 （三十万级）