2009.09.16LED光学设计与专利(精)

LED 光源相关专利简介

ｌ一种ＬＥ光源Ｄ
公开（告）：Ｎ０２５５公号Ｃ１１３９９
摘要：发明涉及一种ＬＤ光源，括ＬＤ组件和散本Ｅ包Ｅ热板，散热板上设有配光构件，光构件具有用来承配载ＬＤ组件的配光斜面，光斜面与散热板的底平Ｅ配面之间具有夹角，发明采用以上技术方案，本与现有技术相比具有以下优点，散热板上设置独立的配光在构件，配光构件的配光斜面上设置ＬＤ单灯，构在Ｅ结
学器件和光学组件。该光学器件至少包括两个组件，
芯片的中心轴线对称分布，半椭球面或半球面相连两
的交汇面为狭长平面，于两半椭球面或半球面的短位轴延长线两边对称设置两个反射弧形凸起，反射弧形凸起固定在支架的上平面上。本发明可使ＬＤ芯片Ｅ侧面发出的光，过透镜的折射与反射改变出光形通状，照矩形的照射面进行汇聚与分配，少了光线按减的二次折射与反射，高了ＬＤ芯片的出光率和光提Ｅ照均匀度，照射路面无光斑、暗区、眩光。使无无
明区域内的照度均匀性。
２ＬＤ光源下散热式一体化灯头Ｅ公开（告）：Ｎ０２０４公号Ｃｌｌ２９５
摘要：发明公开了一种光束可调的大功率ＬＤ光本Ｅ源，包括ＩＤ芯片、装基板、体、明曲面薄它ＪＥ封壳透

晶能光电硅衬底led技术荣获国家技术发明一等奖

晶能光电硅衬底led技术荣获国家技术发明一等奖标题：晶能光电硅衬底LED技术荣获国家技术发明一等奖一、引言近年来，LED技术在照明、显示、光通讯等领域发展迅速，其中晶能光电硅衬底LED技术的突破性进展备受瞩目。

不久前，这一技术荣获了国家技术发明一等奖，让我们一起来探讨一下这一项重大成就。

二、晶能光电硅衬底LED技术1. 技术原理晶能光电硅衬底LED技术是一种基于硅衬底的LED制备技术，通过特殊工艺在硅衬底上生长氮化镓薄膜，实现了高性能LED器件的制备。

这项技术是LED领域的一大突破，能够克服传统LED制备中硅衬底对氮化镓生长的限制，为LED的发展带来新的可能性。

2. 技术特点晶能光电硅衬底LED技术具有高效、节能、长寿命、高亮度等特点，可以广泛应用于室内照明、汽车照明、电视显示等领域。

其在芯片制备、封装工艺、发光效率等方面均有重大突破，为LED应用提供了更为可靠的技术支持。

三、技术荣获国家技术发明一等奖的意义1. 推动LED产业升级晶能光电硅衬底LED技术的获奖，将进一步推动我国LED产业的升级。

这项技术的突破将改变LED器件制备的现状，提高LED的性能和品质，推动LED在照明、显示、通信等领域的广泛应用。

2. 引领科技创新方向这一成就的取得，标志着我国在LED技术上取得了重大突破，引领着LED产业的科技创新方向。

晶能光电硅衬底LED技术的国家级认可，将为LED技术领域的创新和发展注入新的动力。

四、个人观点和理解晶能光电硅衬底LED技术的荣获国家技术发明一等奖，对我来说是一个令人振奋的消息。

作为一个热爱科技创新的人，我对这一突破性成就深感欣慰。

我相信，这项技术的获奖将为LED产业的发展开辟新的方向，为我国在LED技术领域的竞争力提供强大的支持。

总结晶能光电硅衬底LED技术的荣获国家技术发明一等奖，标志着LED产业迈向了全新的阶段。

这一技术的突破将推动LED产业的升级，引领科技创新方向，为LED技术的发展注入新的活力。

发明专利撰写模板-一种量子点发光二极管及其制作方法

说明书摘要本发明公开了一种量子点发光二极管及其制作方法；所述量子点发光二极管包括基板，所述基板的外层依次为ITO层、PSS层、Poly-TPD层、QDs层、Alq3层、Al层，所述ITO的一侧设有光面，所述光面上设有电机与各功能层且粗面向外，所述ITO的另一侧设有规则凹凸结构的玻璃，所述发光二极管制备材料按重量份包括：Al5-10份、Alq33-5份、QDS5-10份、poly-TPD4-7份、PSS3-10份、ITO3-5份、去离子水10-20份、丙酮15-20份、异丙醇15-20份、氯苯4-7份、CdSe-ZnO3-5份、ZnO2-5份、甲苯1-3份、乙醇15-20份。

本发明使得发光二极管膜层破损率减少了13%，黑斑生成率减少了10%，避免了粗化表面在内使得膜层易出现缺陷而出现黑斑的问题，同时又发挥了粗化表面，起到了提高光输出效率的作用。

摘要附图124561、一种量子点发光二极管，其特征在于：包括基板，所述基板采用玻璃材料制成，所述基板的外层依次为ITO层、PSS层、Poly-TPD 层、QDs层、Alq3层、Al层，所述ITO的一侧设有光面，所述光面上设有电机与各功能层且粗面向外，所述ITO的另一侧设有规则凹凸结构的玻璃。

2、根据权利要求1所述的一种量子点发光二极管，其特征在于：所述发光二极管制备材料按重量份包括：Al 5-10份、Alq3 3-5份、QDS 5-10份、poly-TPD 4-7份、PSS 3-10份、ITO 3-5份、氯苯4-7份、CdSe-ZnO 3-5份、ZnO 2-5份、甲苯1-3份、乙醇15-20份。

3、根据权利要求1-2任一项所述的一种量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，具体包括如下步骤：S1：基板经过去离子水，丙酮，异丙醇依次清洗，每次15-20分钟，空气中紫外线产生的臭氧处理15-20分钟；S2：S1中的基板上沉积阳极ITO；S3：旋转涂覆PSS，完成后再150-170℃固化15-25分钟；S4：将基板传送至充满N2的手套箱中，旋转涂覆Poly-TPD浆体；S5：将CdSe-ZnO与10-15mg/ml甲苯以400-600rpm的转速搅拌10-15分钟，得到CdSe-ZnO涂料，将ZnO与30-50mg/ml 的乙醇以500-700rpm的转速混合搅拌10-15min，得到ZnO涂料，然后将上述两种涂覆在Poly-TPD层外侧，涂覆完成后在145-165℃的温度下固化30-40分钟；S6：高真空状态下蒸镀Al和Alq3，压力3×10-7torr，控制温度在200-300℃，蒸镀3-5h,即可制得量子点发光二极管。

一种提高LED出光效率的方法[发明专利]

(10)申请公布号 (43)申请公布日 2010.09.15*CN101834241A*(21)申请号 200910188878.1(22)申请日 2009.12.16H01L 33/00(2010.01)(71)申请人金柯地址518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号倚凤楼201(72)发明人金柯(54)发明名称一种提高LED 出光效率的方法(57)摘要本发明是一种提高LED 出光效率的方法，该方法通过有源层上的反射体改变有源层发出的光的出射角度，使大部分的光出射角小于全反射临界角，从而提高了出光效率。

(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页说明书 2 页附图 1 页CN 101834241 AC N 101834241 A1.一种提高LED出光效率的方法，该方法包括以下步骤：方法一，(1)选好衬底，生长n型层再生长有源层。

(2)刻蚀图形，刻蚀图形为为条形或方格阵列也可以是圆形或椭圆阵列或任意多边形或任何不规则图形阵列，刻蚀深度到达n 型区，可以刻入n型区。

(3)在刻好的图形上用低折射率的绝缘体做一层掩膜，用光刻法或其它刻蚀方法刻出有源层上部的绝缘体的横截面形状可以是三角形或是梯形。

为了提高反射率，绝缘体的表面可以镀一层反射膜，反射膜是一层，也可以是多层，在反射层外还可以镀一层或多层保护膜，如果镀膜可以把有源层上部的绝缘体宽度刻小一点，防止镀的膜层盖住有源层。

(4)最后生长p型层。

方法二，(1)选好衬底，生长n型层。

(2)在n型层上刻蚀一定深度的图形，也可以不刻蚀n型层，刻蚀图形为为条形或方格阵列也可以是圆形或椭圆阵列或任意多边形或任何不规则图形阵列。

(3)在上面用低折射率的绝缘体做一层掩膜，用光刻法或其它刻蚀方法刻出n型层上部的绝缘体的横截面形状可以是三角形或是梯形。

为了提高反射率，绝缘体的表面可以镀一层反射膜，反射膜是一层，也可以是多层，在反射层外还可以镀一层或多层保护膜。

LED相关专利简介

35LED相关专利简介谢菡摘编Brief Introduction of Patents about LEDXie Han（extract）1光子晶体LED公开（公告）号：CN101904020A摘要：一种半导体发光二极管（LED），包括用于跨产生光的活性区施加电压的第一和第二电极、发光表面以及多个光子晶体。

此外，至少两个第一和第二类型的光子晶体适于从活性区提取光并且在至少一个晶格参数方面彼此不同。

所述至少两个光子晶体中的每一个与对应的远场模式关联，其中提供所述多个光子晶体的布置以便设置所述至少两个光子晶体。

通过这种方式，通过组合与所述至少两个光子晶体中的每一个关联的所述对应的远场模式形成远场模式。

2利用氧化锌提高LED光提取效率的方法公开（公告）号：CN101894890A摘要：一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法，包括以下步骤：步骤1：取一GaN基发光二极管外延片；步骤2：在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜；步骤3：利用湿法化学腐蚀的方法，腐蚀ZnO单晶薄膜的表面，使ZnO单晶薄膜的表面在位错处出现腐蚀坑；步骤4：光刻生长有ZnO单晶薄膜的GaN基发光二极管外延片，在GaN 基LED外延片上形成重复的LED基本结构单元，刻蚀LED基本结构单元的一侧形成一台面，制作出LED的基本芯片结构；步骤5：在LED的基本芯片结构的台面上制作N电极，在ZnO单晶薄膜的表面上或出光面上制作P电极，完成器件的制作。

3一种光子晶体结构GaN基LED的制作方法公开（公告）号：CN101740704A摘要：本发明公开了一种光子晶体结构GaN基LED 的制作方法，包括以下步骤：（1）在衬底上依次外延生长N-GaN层、多量子阱有源区和P-GaN层；（2）在P-GaN外延层上生长沉积ITO薄膜层；（3）将ITO靶材溶于盐酸溶液并稀释至合适浓度作为ITO的前驱体；（4）在生长沉积了ITO薄膜的外延片上铺一层单层的PS球，然后在PS球单层膜和ITO层之间的空隙填充ITO的前驱体溶液；（5）将带ITO前驱体溶液的外延片120ħ干燥1h，在500ħ煅烧30min，自然降至室温；（6）经光刻、腐蚀ITO和ICP干法刻蚀，使N-GaN层暴露；（7）制作出P电极和N电极；（8）将衬底减薄，解理后形成单个芯片。