光致发光的光谱

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光致发光(PL)光谱583课件

光致发光(PL)光谱583课件
光致发光(PL)光谱583
真空泵
透镜
反射镜
滤光片
激光器
激光器电源
样品室
样品
透镜
狭缝
光电倍增管
单色仪
锁相放大器 计算机
制冷仪
图2 光致发光光谱测量装置示意图
光致发光(PL)光谱583
三、光致发光特点
1、光致发光的优点
• 光致发光分析方法的实验设备比较简单、 测量本身是非破坏性的,而且对样品的尺 寸、形状以及样品两个表面间的平行度都 没有特殊要求。
5、 GaAs材料补偿度的测定 补偿度NA/ND(ND,NA分别为施主、受主杂质浓度)
是表征材料纯度的重要特征参数。
6、少数载流子寿命的测定
光致发光(PL)光谱583
7、均匀性的研究 测量方法是用一个激光微探针扫描样品,根据样
品的某一个特征发光带的强度变化,直接显示样品的 不均匀图像。 8、位错等缺陷的研究
光致发光(PL)光谱
光致发光(PL)光谱583
一、光致发光基本原理
• 1. 定义:所谓光致发(Photoluminescence)指的是以光 作为激励手段,激发材料中的电子从而实现发 光的过程。它是光生额外载流子对的复合过程 中伴随发生的现象
光致发光(PL)光谱583
2. 基本原理:由于半导体材料对能量高于其吸收限的光 子有很强的吸收,吸收系数通常超过104cm-1,因此在 材料表面约1μm厚的表层内,由本征吸收产生了大量的 额外电子-空穴对,使样品处于非平衡态。这些额外载 流子对一边向体内扩散,一边通过各种可能的复合机构 复合。其中,有的复合过程只发射声子,有的复合过程 只发射光子或既发射光子也发射声子
光致发光(PL)光谱583
在上述辐射复合机构中,前两种属于本 征机构,后面几种则属于非本征机构。由此 可见,半导体的光致发光过程蕴含着材料结 构与组份的丰富信息,是多种复杂物理过程 的综合反映,因而利用光致发光光谱可以获 得被研究材料的多种本质信息。

光致发光光谱

光致发光光谱

光致发光光谱光致发光,也称为分子磁振光谱,是一种利用激发态分子的吸收光谱以及由此产生的发射光谱的实验技术,可以用来研究物质的分子结构和构成。

通常, solar-induced fluorescence spectroscopy(SIFS)被用于测量由自然光(如太阳光)激发的物质的发射光谱,而物质发射的能量融入了物质的分子结构和构成。

因此,对于利用光致发光来研究分子结构和构成的科研人员而言,有效的利用太阳光激发的发射光谱是我们需要解决的关键任务之一。

在这方面,光致发光光谱可以被用来研究吸收光谱和发射光谱之间的关系,从而更好地了解物质的结构和构成。

而且,光致发光的实验可以在不同的温度和压强条件下进行,这使得实验可以更好地反映出物质的真实性质。

但是,由于分子杀灭现象,光致发光不能用于探测细微的能量差异,该差异表明物质的结构与构成是否有一定的差异。

因此,在利用光致发光光谱研究分子结构和构成时,应特别采用一些特殊的实验技术,以确保能量变化的准确测量。

另外,光致发光光谱还可以通过记录发射光谱的变化来研究物质的性质。

通过记录发射光谱的变化,可以了解物质体系中由于不同原因而受到的影响。

例如,使用光致发光光谱,可以用来研究受热,冷却,交联和其他物理和化学变化对物质结构和构成的影响。

这样可以帮助我们更好地认识物质的性质,进一步推动物质结构和构成的研究,以及更好地应用物质的性质。

此外,光致发光光谱也可以用于实验研究物质的物理和化学属性。

例如,在大气建模和污染物检测等方面,光致发光光谱可以用来确定物质的物理和化学特性。

这样可以有助于更好地预测大气污染物的浓度变化,从而更好地应用物质的特性。

总之,光致发光光谱是一种非常有用的实验技术,可以用来研究物质的结构和构成、发射光谱的变化以及物质的物理和化学特性。

它可以帮助我们更好地理解物质的性质,推进物质结构和构成的研究,以及开展更好的实验研究。

光致发光光谱 77k 磷光

光致发光光谱 77k 磷光

光致发光光谱 77k 磷光
光致发光光谱(Photoluminescence Spectrum)是一种通过外界光源激发样品并测量其发出的荧光来研究材料属性和结构的实验技术。

光致发光光谱可以提供关于材料的能带结构、能态密度、激子、杂质等信息。

77K是光致发光光谱常用的实验温度,通常在液氮温度下进行实验,以降低杂质激发和热激发的干扰,使得样品能够更好地呈现出光致发光特性。

磷光(Phosphorescence)是一种发光现象,它与光激发后的长寿命能级有关。

相比之下,荧光(Fluorescence)是一种发光现象,它与光激发后的短寿命能级有关。

在光致发光光谱中,由于涉及到能带、能态等信息的研究,往往更多地关注荧光现象。

因此,光致发光光谱 77K 磷光可能指的是在液氮温度下进行的光致发光光谱实验,并关注材料的荧光特性。

这种实验可以提供关于材料能带、激子等性质的信息。

光致发光(PL)光谱

光致发光(PL)光谱

e-D+
e-h e-h
e-A
声子参加
D-h
D-A
(a)
(b)
(c)
图1 半导体中多种复合过程示意图(a)带间跃迁(b)带- 杂质中心辐射复合跃迁(c)施主-受主对辐射复合跃迁
在这个过程中,有六种不同旳复合机构会发射光 子,它们是: (1)自由载流子复合 —— 导带底电子与价带顶空穴 旳复合; (2)自由激子复合 —— 晶体中原子旳中性激发态被 称为激子,激子复合也就是原子从中性激发态向基态 旳跃迁,而自由激子指旳是能够在晶体中自由运动旳 激子,这种运动显然不传播电荷; (3)束缚激子复合 —— 指被施主、受主或其他陷阱 中心(带电旳或不带电旳)束缚住旳激子旳辐射复合,其 发光强度伴随杂质或缺陷中心旳增长而增长;
)是表征材料纯度旳主要特征参数。
6、少数载流子寿命旳测定
7、均匀性旳研究 测量措施是用一种激光微探针扫描样品,根据样
品旳某一种特征发光带旳强度变化,直接显示样品旳 不均匀图像。
8、位错等缺陷旳研究
图3 CZT晶体在4.2K下经典旳PL谱。该PL谱涉及四个区域: (1)近带边区;(2)施主-受主对(DAP)区;(3)受主 中心引起旳中心位于1.4eV旳缺陷发光带;(4)Te空位引起旳
2、光致发光旳缺陷
它旳原始数据与主要感爱好旳物理现象之 间离得比较远,以至于经常需要进行大量 旳分析,才干经过从样品外部观察到旳发 光来推出内部旳符合速率。
光致发光测量旳成果经常用于相正确比较, 所以只能用于定性旳研究方面。
测量中经常需要液氦低温条件也是一种苛 刻旳要求。
对于深陷阱一类不发光旳中心,发光措施 显然是无能为力旳。
(4)浅能级与本征带间旳载流子复合——即导 带电子经过浅施主能级与价带空穴旳复合,或价 带空穴经过浅受主能级与导带电子旳复合; (5)施主-受主对复合——专指被施主-受主杂质 对束缚着旳电子-空穴正确复合,因而亦称为施 主-受主对(D-A对)复合; (6)电子-空穴对经过深能级旳复合——即SHR 复合,指导带底电子和价带顶空穴经过深能级旳 复合,这种过程中旳辐射复合几率很小。

光致发光PL光谱PPT课件

光致发光PL光谱PPT课件
5、 GaAs材料补偿度的测定 补偿度NA/ND(ND,NA分别为施主、受主杂质浓度
)是表征材料纯度的重要特征参数。
6、少数载流子寿命的测定
13 .
7、均匀性的研究 测量方法是用一个激光微探针扫描样品,根据样
品的某一个特征发光带的强度变化,直接显示样品的 不均匀图像。 8、位错等缺陷的研究
14 .
3
.
e-D+
e-h e-h
e-A
声子参与
D-h
D-A
(a)
(b)
(c)
图1 半导体中各种复合过程示意图(a)带间跃迁(b)带- 杂质中心辐射复合跃迁(c)施主-受主对辐射复合跃迁
4
.
在这个过程中,有六种不同的复合机构会发射光 子,它们是: (1)自由载流子复合 —— 导带底电子与价带顶空穴 的复合; (2)自由激子复合 —— 晶体中原子的中性激发态被 称为激子,激子复合也就是原子从中性激发态向基态 的跃迁,而自由激子指的是可以在晶体中自由运动的 激子,这种运动显然不传输电荷; (3)束缚激子复合 —— 指被施主、受主或其他陷阱 中心(带电的或不带电的)束缚住的激子的辐射复合,其 发5光强. 度随着杂质或缺陷中心的增加而增加;
17 .
8
.
真空泵
透镜
反射镜
滤光片
激光器
激光器电源
样品室
样品
透镜
狭缝
光电倍增管
Hale Waihona Puke 单色仪锁相放大器 计算机制冷仪
9
.
图2 光致发光光谱测量装置示意图
三、光致发光特点
1、光致发光的优点
光致发光分析方法的实验设备比较简单、 测量本身是非破坏性的,而且对样品的尺 寸、形状以及样品两个表面间的平行度都 没有特殊要求。

光致发光的光谱

光致发光的光谱

8
50
Intensity/a.u.
643.3
+
40 30 20 10 0 630
2 1
1-Excited by 270nm 642.6 2-Excited by 470nm
Intensity/a.u.
+
30 25 20 15 10 5 0 200
470.3
268.3
620.3
640 /nm
650
的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。
实际上,对大多数发光材料而言,即使用发光区内的 波长还能够激发发光,效率也是极低的。随着激发波长的 增长,效率趋近于零。因此过去认为,反斯托克斯发光只 有理论上的意义。
11
100
7000
80
632
Intensity/a.u.
6000
Intensity/a.u.
7
三 斯托克斯发光和反斯托克斯发光
如果我们把一种材料的发射光谱和激发光谱加以比较, 就会发现,在绝大多数的情况下,发光谱带总是位于相 应的激发谱带的长波边。 斯托克斯定律:指发射的光子能量小于吸收的光子能 量,材料的发光谱带位于其相应激发谱带的长波边,即 材料吸收高能量的短波辐射,而发射出低能量的长波辐 射。
2
50
Intensity/a.u.
643.3
+
100 90 80
Intensity/a.u.
507.7 3+
4
40 30 20 10 0 630
1-Excited by 270nm 2-Excited by 470nm 2 642.6 + 1
70 60 50 40 30 20 10 0 450

光致发光(PL)光谱解读

光致发光(PL)光谱解读

在上述辐射复合机构中,前两种属于本
征机构,后面几种则属于非本征机构。由此
可见,半导体的光致发光过程蕴含着材料结
构与组份的丰富信息,是多种复杂物理过程
的综合反映,因而利用光致发光光谱可以获
பைடு நூலகம்
得被研究材料的多种本质信息。
二、仪器及测试
测量半导体材料的光致发光光谱的基本 方法是,用激发光源产生能量大于被测材料
2、杂质识别 根据特征发光谱线的位置,可以识别GaAs和GaP 中的微量杂质。
3、硅中浅杂质的浓度测定
4、辐射效率的比较 半导体发光和激光器件要求材料具有良好的发光性 能,发光测量正是直接反映了材料的发光特性。通过 光致发光光谱的测定不仅可以求得各个发光带的强度 ,而且也可以的到积分的辐射强度。在相同的测量条 件下,不同的样品间可以求得相对的辐射效率。 5、 GaAs材料补偿度的测定 补偿度NA/ND(ND,NA分别为施主、受主杂质浓度 )是表征材料纯度的重要特征参数。 6、少数载流子寿命的测定
光致发光(PL)光谱
一、光致发光基本原理
1. 定义:所谓光致发(Photoluminescence)指的是以光 作为激励手段,激发材料中的电子从而实现发 光的过程。它是光生额外载流子对的复合过程 中伴随发生的现象
2. 基本原理:由于半导体材料对能量高于其吸收限的 光子有很强的吸收,吸收系数通常超过104cm-1,因此在 材料表面约1μm厚的表层内,由本征吸收产生了大量的 额外电子-空穴对,使样品处于非平衡态。这些额外载 流子对一边向体内扩散,一边通过各种可能的复合机构 复合。其中,有的复合过程只发射声子,有的复合过程 只发射光子或既发射光子也发射声子
7、均匀性的研究 测量方法是用一个激光微探针扫描样品,根据样 品的某一个特征发光带的强度变化,直接显示样品的 不均匀图像。

光致发光的光谱

光致发光的光谱

620.3
600
CaS:Eu,Sm的激发光谱和荧光发射光谱波长比较
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
E13 E12 E11
上发光中心的能级结构示意图
E03 E02 E01
10
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
发光光子的能量就有可能大于激发光子的能量。这种 发光称为反斯托克斯发光,它在实际上是存在的。但是它 的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。
5
2 发光和猝灭
并不是激发能量全部都要经过传输,能量传输也不会 无限的延续下去。激发的离子处于高能态,它们就不是稳 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中,如果 发射出光子,这就是发光。这个过程就叫做发光跃迁或辐 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子,而将激发能 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。
发光材料吸收了激发光 ,就会在内部发生能量状态的 转变:有些离子被激发到较高的能量状态,或者晶体内产生 了电子和空穴等。而电子和空穴一旦产生,它们的运动也伴 随着能量的传输和激发态的转移。这样,激发状态也就不会 局限在一个地方,而将发生转移。即使只是离子被激发,不 产生自由电子,处于激发态的离子也可以和附近的离子相互 作用而将激发能量传出去。这就是说,原来被激发的离子回 到基态,而附近的离子则转到激发态。这样的过程可以一个 接一个地继续下去,形成激发能量的传输。
光致发光光谱
1 光致发光发光光谱
2 光致发光光谱的产生机理
3
斯托克斯发光和反斯托克斯 发光
一 光致发光发光光谱(也称发射光谱)
我们知道,光致发光是发光材料吸收光子(或电 磁波)后重新辐射出光(或电磁波)的过程。
1 光致发光发光光谱简介
发光材料的发射光谱,指的是发出光的能量按波长 或频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带 谱。
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4
二 光致发光光谱的产生机理 1 光致发光过程中的能量传输及转化
发光材料吸收了激发光 ,就会在内部发生能量状态的 转变:有些离子被激发到较高的能量状态, 转变:有些离子被激发到较高的能量状态,或者晶体内产生 了电子和空穴等。而电子和空穴一旦产生,它们的运动也伴 了电子和空穴等。而电子和空穴一旦产生, 随着能量的传输和激发态的转移。这样, 随着能量的传输和激发态的转移。这样,激发状态也就不会 局限在一个地方,而将发生转移。即使只是离子被激发, 局限在一个地方,而将发生转移。即使只是离子被激发,不 产生自由电子, 产生自由电子,处于激发态的离子也可以和附近的离子相互 作用而将激发能量传出去。这就是说, 作用而将激发能量传出去。这就是说,原来被激发的离子回 到基态,而附近的离子则转到激发态。这样的过程可以一个 到基态,而附近的离子则转到激发态。 接一个地继续下去,形成激发能量的传输。 接一个地继续下去,形成激发能量的传输。
7
三 斯托克斯发光和反斯托克斯发光
如果我们把一种材料的发射光谱和激发光谱加以比较, 如果我们把一种材料的发射光谱和激发光谱加以比较, 就会发现, 绝大多数的情况下 的情况下, 就会发现 , 在 绝大多数 的情况下 , 发光谱带总是位于相 应的激发谱带的长波边。 应的激发谱带的长波边。 斯托克斯定律: 斯托克斯定律:指发射的光子能量小于吸收的光子能 材料的发光谱带位于其相应激发谱带的长波边, 量 , 材料的发光谱带位于其相应激发谱带的长波边 , 即 材料吸收高能量的短波辐射,而发射出低能量的长波辐 材料吸收高能量的短波辐射, 射。
5
2 发光和猝灭
并不是激发能量全部都要经过传输, 并不是激发能量全部都要经过传输,能量传输也不会 无限的延续下去。激发的离子处于高能态, 无限的延续下去。激发的离子处于高能态,它们就不是稳 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中, 定的,随时有可能回到基态。在回到基态的过程中,如果 发射出光子,这就是发光。这个过程就叫做发光跃迁或辐 发射出光子,这就是发光。这个过程就叫做发光跃迁或辐 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子, 射跃迁。如果离子在回到基态时不发射光子,而将激发能 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭 ),这就称为无辐射跃迁或猝灭。 散发为热(晶格振动),这就称为无辐射跃迁或猝灭。 激发的离子是发射光子,还是发生无辐射跃迁, 激发的离子是发射光子,还是发生无辐射跃迁,或者 是将激发能量传递给别的离子, 是将激发能量传递给别的离子,这几种过程都有一定的几 决定于离子周围的情况(如近邻离子的种类、 率,决定于离子周围的情况(如近邻离子的种类、位置 等)。
2 5 6 1 7 8
1 2 3 4 5 6 7 8 557.5 +
Ce0.02 Ce0.06 Ce0.1 Ce0.2 Ce0.3 Ce0.4 Ce0.5 Ce0.6
640 λ/nm
650
660
500
550
600
650
700
λ/nm
燃烧法CaS:Eu,Sm 样品的荧光发射光谱
燃烧法CaS:Ce,Sm样品的荧 光发射光谱
11
100 80
7000 6000 Intensity/a.u. 5000 4000 3000 2000 1000 0
632
Intensity/a.u.
60 40 20 0 800 1000 1200 1400 1600
-1000 550 600 650 wavelength/nm 700 750
2 发光中心
发光光谱是怎样形成的呢? 发光光谱是怎样形成的呢?
发光体吸收外界的能量以后,经过传输、 发光体吸收外界的能量以后,经过传输、转换等一 系列过程,最后以光的形式发射出来。 系列过程,最后以光的形式发射出来。光的发射对应着 电子在某些能级之间的跃迁。 电子在某些能级之间的跃迁。如果所涉及的能级是属于 一定的离子、离子团或分子时,这种离子、 一定的离子、离子团或分子时,这种离子、离子团或分 子就称为发光中心。 子就称为发光中心。 发光中心的结构决定发射光谱的形成。因此,不同的 发光中心的结构决定发射光谱的形成。因此, 发光谱带,是来源于不同的发光中心, 发光谱带,是来源于不同的发光中心,因此又具有不同的 性能。 性能。 有一些材料的发光谱带比较窄,并且在低温下( 有一些材料的发光谱带比较窄,并且在低温下(液氮 或液氦温度下)显现出结构,即分解成许多谱线。 或液氦温度下)显现出结构,即分解成许多谱线。还有一 些材料在室温下的发射光谱就是线状谱。 些材料在室温下的发射光谱就是线状谱。
8
50 Intensity/a.u. 40 30 20 10 0 630
2 1
643.3
+
1-Excited by 270nm 642.6 2-Excited by 470nm
Intensity/a.u.
+
30 25 20 15 10 5 0 200
470.3
268.3
640 λ/nm
650
660
6
3 猝灭中心
对于由激发而产生的电子和空穴, 它们也不是稳定的, 对于由激发而产生的电子和空穴 , 它们也不是稳定的 , 最终将会复合。不过在复合以前有可能经历复杂的过程。 最终将会复合。不过在复合以前有可能经历复杂的过程。 一般而言, 一般而言 , 电子和空穴总是通过某种特定的中心而实 现复合的。如果复合后发射出光子, 现复合的 。如果复合后发射出光子,这种中心就是发光中 心(它们可以是组成基质的离子、离子团或有意掺入的激 它们可以是组成基质的离子、 活剂) 活剂)。有些复合中心将电子和空穴复合的能量转变为热 而不发射光子,这样的中心就叫做猝灭中心。 而不发射光子,这样的中心就叫做猝灭中心。 猝灭中心 发光和猝灭在发光材料中互相独立互相竞争的两种过 猝灭占优势时,发光就弱,效率也低。反之, 程。猝灭占优势时,发光就弱,效率也低。反之,发光就 强,效率也高。 效率也高。
发光材料的发射光谱,指的是发出光的能量按波长 或频率的分布,许多发光材料的发射光谱是连续的宽带 谱。 一般地,光谱的形状可以用高斯函数来表示,即 EV = EV0 exp[-a(υ-υ0)2] 其中υ是频率,EV是在频率υ附近的发光能量密 度相对值,Evo是在峰值频率u0时的相对能量,а是正 的常数。一般的发光谱带,至少近似地都可以用如上 公式表示。

50 Intensity/a.u. 40 30 20 10 0 630
643.3
+
100 90 80
507.7 3+
4
Intensity/a.u.
1-Excited by 270nm 2 642.6 2-Excited by 470nm + 1
70 60 50 40 30 20 10 0 450
300
400 λ /nm
500
600
CaS:Eu,Sm的激发光谱和荧光发射光谱波长比较
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
E13 E12 E11
E03 E02 E01
上发光中心的能级结构示意图
10
七、斯托克斯定律和反斯托克斯发光
发光光子的能量就有可能大于激发光子的能量。 发光光子的能量就有可能大于激发光子的能量 。 这种 发光称为反斯托克斯发光,它在实际上是存在的。 发光称为反斯托克斯发光,它在实际上是存在的。但是它 的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。 的强度很低,常常被看作是一种例外情况,没有实用价值。 实际上,对大多数发光材料而言 , 即使用发光区内的 实际上, 对大多数发光材料而言, 波长还能够激发发光,效率也是极低的。 波长还能够激发发光,效率也是极低的。随着激发波长的 增长,效率趋近于零。因此过去认为, 增长,效率趋近于零。因此过去认为,反斯托克斯发光只 有理论上的意义。 有理论上的意义。
λ/nm
图6-9 CaS:Eu,Sm的红外响应光谱和红外转换发射光谱波长比较
光致发光光谱
1 光致发光发光光谱
2
光致发光光谱的产生机理 光致发光光谱的产生机理 发光光谱的
3
斯托克斯发光和反斯托克斯 发光
光致发光发光光谱(也称发射光谱) 一 光致发光发光光谱(也称发射光谱)
我们知道,光致发光是发光材料吸收光子(或电 磁波)后重新辐射出光(或电磁波)的过程。
1 光致发光发光光谱简介
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