DDR2内存芯片解读
DDR2原理范文
DDR2原理范文DDR2（Double Data Rate 2 SDRAM）是一种计算机内存模块技术，是DDR SDRAM的后续版本。
与DDR1相比，DDR2具有更高的频率和更低的功耗。
下面将详细介绍DDR2的原理。
1.基本原理DDR2采用异步差动信号传输技术，并且在一个时钟周期内可以传输两倍的数据量，即实现了“双倍数据速率”。
DDR2的主频是内存模块频率的二倍，例如DDR2-800模块的主频为400MHz。
2.内部结构DDR2内部由一系列的存储单元组成，每个存储单元由一个电容和一个开关组成。
存储单元根据行和列的地址选通相应的位线，将数据写入或读取出。
DDR2内部还包括一个控制器单元，用于控制存储单元的读写操作。
3.数据传输DDR2采用“双抖”（double pumping）的方式进行数据传输。
在一个时钟周期内，DDR2可以在上升沿和下降沿两个时刻实现数据的传输，因此达到了双倍数据速率的效果。
4.存储单元DDR2的存储单元由一对互补的位线和电容组成。
当输入信号变化时，电容储存位线上的电荷，在读取操作时，电荷被放大器放大，然后转换为数字信号。
5.控制器单元DDR2的控制器单元负责生成时钟信号、读/写信号和其他控制信号，并控制存储单元的读写操作。
控制器单元还会进行预充电等操作，以提高数据传输速度。
6.省电模式DDR2具有节能模式，当内存空闲时，可以进入自动预充电模式。
在这种模式下，DDR2会将所有的位线预充电至VDD/2，以降低功耗。
7.奇偶校验DDR2还支持奇偶校验功能，可通过校验位对数据进行错误检测和纠正。
这有助于提高存储系统的可靠性和稳定性。
8.地址线结构DDR2的地址线结构包括行地址和列地址，每个地址线能够编码的地址范围由总的内存容量和模块的位宽决定。
地址线的结构对DDR2的性能和容量具有重要影响。
总结：DDR2作为DDRSDRAM的升级版本，通过双倍数据速率、异步差动信号传输技术和省电模式等特性，实现了更高的频率和更低的功耗。
DDR2简介
DDR2简介从1998年的PC100到今天的DDR3，内存技术同CPU前端总线一道经历着速度的提升及带宽的扩展。
虽然DDR3在当今已经量产与使用，DDR2在实际上还担任着内存业界应用最广泛最成熟的中流砥柱的角色。
DDR2 在DDR的基础上将芯片接口时钟频率提高一倍并将工作电压从2.5V降低至1.8V，从而使其能在相对更低的功耗下获得更高的传输速率。
一般情况下，DDR2的输入时钟频率覆盖200/266/333/400/533MHz，传输比特率覆盖400/533/667/800/1066Mb/s /pin。
相对于DDR，由于速度的提升，DDR2在主板设计要求上也有所变化。
内存控制器每Channel可级联的DIMM数从DDR时期的4到8条减少至2到3条，数据线（DQ）上的终端电阻从主板上的分立电阻搬移到了DRAM芯片内部（ODT），数据同步信号（DQS）由单端信号变为单端或差分可选信号。
DDR2主板系统架构如右图所示。
图1 DDR2主板系统架构DDR2总线与工作流程以通用计算机主板上的DDR2总线为例，DDR2信号线可以分为数据、命令、时钟3部分。
其中数据线部分主要完成数据传输工作，包括数据线DQ0-63、 Data Mask线DM0-7、数据同步线DQS/DQS# (数据同步线可选单端或差分，通过设定内存芯片内部寄存器EMR[1]的A10位进行选择)；命令线部分包括地址线A0-14、Bank选择线 BS0-2、行地址选择RAS#、列选择CAS#、写使能WE#、片选CS#、时钟使能CKE及芯片内部终端电阻使能ODT组成，主要完成寻址、组成各种控制命令及内存初始化工作；差分时钟信号线CK/CK#为整个内存芯片工作提供时钟。
所有的信号线中，除了数据线DQ与数据同步线DQS/DQS#为双向信号线外，其余所有信号线均为单向信号线，只能由内存控制器发出信号。
对于电源和地线，内存颗粒上有一个参考电压输入和三组1.8V电源与地线，分别为芯片上的数据端口，锁相环和芯片电路供电。
主流DDR2编号识别方法
随着内存技术的进步，现在DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。
以下为各大品牌的DDR内存的测评报告。
三星（SAMSUNG）三星电子DDR2内存芯片外观三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。
因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与特殊的领域，因而在此就不介绍了。
以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。
海力士（Hynix）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
尔必达（ELPIDA）海力士DDR2内存芯片外观海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。
因此，在海力士的封装材料中也特别注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别
带图对比详解DDR3,DDR2,DDR内存条的区别【武汉电脑维修培训】课前热身图1就是三代内存的全家照，从上到下分别是DDR3、DDR2、DDR。
大家牢牢记住它们的样子，因为后面的内容会提到这幅图。
(图1)DDR3,DDR2,DDR外观区别防呆缺口：位置不同防插错图1红圈圈起来的就是我们说的防呆缺口，目的是让我们安装内存时以免插错。
我们从图1可以看见三代内存上都只有一个防呆缺口，大家注意一下这三个卡口的左右两边的金属片，就可以发现缺口左右两边的金属片数量是不同的。
比如DDR 内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，缺口右边为40个针脚；DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚。
芯片封装：浓缩是精华在不同的内存条上，都分布了不同数量的块状颗粒，它就是我们所说的内存颗粒。
同时我们也注意到，不同规格的内存，内存颗粒的外形和体积不太一样，这是因为内存颗粒“包装”技术的不同导致的。
一般来说，DDR内存采用了TSOP（Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封装）封装技术，又长又大。
而DDR2和DDR3内存均采用FBGA（底部球形引脚封装）封装技术，与TSOP相比，内存颗粒就小巧很多，FBGA封装形式在抗干扰、散热等方面优势明显。
TSOP是内存颗粒通过引脚（图2黄色框）焊接在内存PCB上的，引脚由颗粒向四周引出，所以肉眼可以看到颗粒与内存PCB接口处有很多金属柱状触点，并且颗粒封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，但焊点和PCB的接触面积较小，使得DDR内存的传导效果较差，容易受干扰，散热也不够理想。
(图2)一颗DDR现代内存芯片焊接细节-黄色部分为焊接引脚FBGA封装把DDR2和DDR3内存的颗粒做成了正方形（图3），而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，内存PCB上也看不到DDR内存芯片上的柱状金属触点，因为其柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，所有的触点就被“包裹”起来了，外面自然看不到。
ddr2芯片
ddr2芯片DDR2芯片是一种动态随机访问存储器（DRAM）的类型，它是DDR（双倍数据速率）技术的升级版本之一。
DDR2芯片在计算机的内存子系统中起着至关重要的作用。
接下来，我将为您解释关于DDR2芯片的一些重要特点和功能。
首先，DDR2芯片具有更高的传输速率和更大的带宽。
与DDR芯片相比，DDR2芯片的传输速率可以提高到两倍，这意味着数据可以更快地传输到CPU和其他设备。
同时，DDR2芯片的带宽也更大，这意味着它可以在一定时间内处理更多的数据。
其次，DDR2芯片相比DDR芯片有更低的功耗。
DDR2芯片采用了低电压技术，可以在较低的电压下工作，从而减少了能源消耗。
这使得DDR2芯片在节能和延长电池寿命方面具有显著优势，特别是对于笔记本电脑和移动设备来说尤为重要。
此外，DDR2芯片还具有更高的稳定性和可靠性。
DDR2芯片有更强大的误差检测和纠正机制，可以自动检测和修复内存中的错误。
这使得DDR2芯片在数据存储和处理方面更加可靠，提高了整个系统的稳定性。
此外，DDR2芯片还具有更大的容量。
通过DDR2技术的提升，芯片的存储容量也得到了增加。
DDR2芯片可以提供更多的内存空间，允许用户存储更多的数据和程序。
这对于需要处理大型文件和运行多个应用程序的用户来说非常重要。
最后，DDR2芯片具有较长的生命周期。
与其他技术相比，DDR2芯片有较长的可用时间，因为它在市场上被广泛使用，并且许多计算机和移动设备仍然支持DDR2芯片。
这使得DDR2芯片成为一种可靠和稳定的选择，特别是对于需要维护和更新老旧设备的用户来说。
综上所述，DDR2芯片作为一种内存技术，具有更高的传输速率、更大的带宽、更低的功耗、更高的稳定性和可靠性、更大的容量以及较长的生命周期等优点。
这些特点使得DDR2芯片在计算机和移动设备领域得到广泛应用，并为用户提供更快、更低功耗和更可靠的存储和处理能力。
DDR与DDR-II深刻理解.
DDR 与DDR-IIDDR SDRAMDDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM，中文名为“双倍数据流SDRAM”。
DDR SDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。
图1一、DDR 的基本原理以MICRON的MT46V64M16（16 Meg x 16 x 4 Banks）为例，其时序图如下所示：图2 DDR读操作时序图从中可以发现它多了两个信号：CK#与DQS，CK#与正常CK时钟相位相反，形成差分时钟信号。
而数据的传输在CK与CK#的交叉点进行，可见在CK的上升沿与下降沿都有数据被触发，从而实现DDR。
在此，我们可以说通过差分信号达到了DDR的目的，甚至讲CK#帮助了第二个数据的触发，但这只是对表面现象的简单描述，从严格的定义上讲并不能这么说。
之所以能实现DDR，还要从其内部的改进说起。
图3 DDR内部结构图从图中可以看出，其前半部分与SDRAM的结构基本相同，红色框图部分即为比SDRAM多出的部分。
首先不同之处就是内部的Bank control logic规格。
SDRAM中Bank control logic存储单元的容量与芯片位宽相同，但在DDR中Bank control logic存储单元的容量是芯片位宽的一倍。
也因此，真正的行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。
以本芯片为例，在读取时，Bank control logic在内部时钟信号的触发下一次传送32bit的数据给读取锁存器，再分成2路16bit 数据传给复用器，由后者将它们合并为一路16bit数据流，然后由发送器在DQS的控制下在外部时钟上升沿与下降沿分两次传输16bit的数据给北桥。
这样，如果时钟频率为100MHz，那么在I/O端口处，由于是上下沿触发，那么就是传输频率就是200MHz。
这种内部存储单元容量（也可以称为芯片内部总线位宽）=2×芯片位宽（也可称为芯片I/O 总线位宽）的设计，就是所谓的两位预取（2-bit Prefetch），有的公司则贴切的称之为2-n Prefetch（n代表芯片位宽）。
DDR2 存储器的技术综述
DDR2存储器的技术综述摘要：由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
严格的说DDR2应该叫DDR2.SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
关键词:高数据速率、低功耗以、高密度严格的说DDR2应该叫DDR2.SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR 内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。
换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
1、DDR2存储器的历史回顾DDRII内存能有如此之多的技术革新，归功于研究人员们多年的研究。
其实早在1998年JEDEC（电子工程设计发展联合协会）就开始着手研究DDRII技术，2003年就通过了JEDEC 规格标准化，不过大规模登录市场还是从去年开始，这是为什么呢？在Intel推出 915/925芯片组之前（如图1），DDRII与DDR400相比，除了在技术性能上更加优秀外，无论是实用性还是性价比都没有优势可言。
DDR2技术简介
DDRII内存技术详解由于DDRII是在DDR-I的基础之上发展而来的，所以谈到DDRII，我们先简单说说DDR-I。
DDR-I全名为Double Data Rate SDRAM ，简称为DDR，也称SDRAM Ⅱ，是SDRAM的更新产品。
虽说DDR 的核心建立在SDRAM的基础上，但在速度和容量上有了提高。
首先，它使用了更多、更先进的同步电路。
其次，DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL，延时锁定回路)来提供一个数据滤波信号。
当数据有效时，存储器控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16位输出一次，并且同步来自不同的双存储器模块的数据。
DDR 本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。
至于地址与控制信号则与传统SDRAM相同，仍在时钟上升沿进行传输。
此外，传统SDRAM 的DQS接脚则用来在写入数据时做数据遮罩用。
由于数据、数据控制信号与DM同步传输，不会有某个数据传输较快，而另外的数据传输较慢的skew以及Flight Tim e不相同的问题。
此外，DDR 的设计可让内存控制器每一组DQ/DQS/DM与DIMM 上的颗粒相接时，维持相同的负载，减少对主板的影响。
在内存架构上，传统SDRAM 属于×8组式，即内存核心中的I/O寄存器有8位数据I/O，但对于×8组的DDR SDRAM而言，内存核心中的I/O寄存器却是16位的，即在时钟信号上升沿时输出8位数据，在下降沿再输出8位数据，一个时钟周期总共可传输16位数据。
为了保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此，DDR 改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。
尽管DDR的内存条依然保留原有的尺寸，但是插脚的数目已经从168Pin增加到184Pin了。
由于DDR-I架构的局限性，当频率达到400MHz后，就很难再有所提升，所以很快就推出了DDR-Ⅱ。
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韩国三星（SAMSUNG）：
韩国三星（SAMSUNG）DDR2内存芯片
以三星K4T1G084QA-ZCE6为例，K代表内存芯片，4代表DRAM，T代表DDR2内存，1G代表容量（51代表512MB），08代表位宽，4代表逻辑Bank数量，Q代表1.8V
工作电压，A代表产品版本号，Z代表封装类型为FBGA-LF（G为FBGA，S为小尺寸FBGA），C代表普通能耗（L为低能耗），E6代表运行速度为DDR2-667·CL=5（D6为DDR2-667·CL=4，F7为DDR2-800·CL=6，E7为DDR2-800·CL=5）。
韩国海力士/现代（Hynix）：
韩国海力士/现代（Hynix）DDR2内存芯片
以现代HY5PS12821E FP-Y5为例，HY代表现代，5P代表DDR2内存，S代表1.8V工作电压，12代表芯片容量为512Mb（56为256Mb，1G为1Gb），8代表位宽，2代表逻辑Bank数量，1代表接口类型为SSTL_2，E代表版本号，F代表封装类型为FBGA，P代表无铅，Y5代表速度为DDR2-667·CL=5（S6为DDR2-800·CL=6，S5为DDR2-800·CL=5，Y4为DDR2-667·CL=4）。
日本尔必达（ELPIDA）：
日本尔必达（ELPIDA）DDR2内存芯片
以尔必达E2508AB-GE-E为例，E代表DDR2内存，25代表芯片容量为256Mb（51为512Mb，11为1Gb），08代表位宽，A代表1.8V工作电压，B代表内核版本，GE代表DDR2-800·CL=5（6C代表DDR2-667·CL=4，6E代表DDR2-667·CL=5），E代表无铅。
德国奇梦达（Qimonda）：
德国奇梦达（Qimonda）DDR2内存芯片
奇梦达就是原来的英飞凌，以奇梦达HYB18T512800AF37为例，HYB代表奇梦达，18代表工作电压为1.8V（25为2.5V），T代表DDR2内存，512代表芯片容量为512Mb（1G 为1Gb，256为256Mb），80代表位宽，0代表产品系列，A代表版本号，F代表FBGA封装，37运行频率为DDR2-533（3为DDR2-667）。
美国镁光（Micron）：
美国镁光（Micron）DDR2内存芯片
镁光DDR2内存芯片编号非常特别，封装上的编码并不是正规编号，而是一个特定编码，即使在官方网站上也不容易查到详细信息，因此笔者也无法概括出其具体含义。