CMOS 两级运放设计
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CMOS 两级运放的设计
1设计指标
在电源电压0-5V ,采用0.5um 上华CMOS 工艺。完成以下指标:
共模输入电压
固定在(2DD SS V V +
)
开环直流增益 60dB ≥ 单位增益带宽 30MHZ ≥
相位裕度 60deg ree ≥
转换速率 30V
us
≥
负载电容 3pF ≡
静态功耗电流 1mA ≤ 共模抑制比 60dB ≥ PSRR 60dB ≥
2电路分析
2.1 电路图
2.2电路原理分析
两级运算放大器的电路结构如图1.1所示,偏置电路由理想电流源和M8组成。M8将电流源提供的电流转换为电压,M8和M5组成电流镜,M5将电压信号转换为电流信号。输入级放大电路由 M1~M5 组成。M1 和M2 组成PMOS 差分输入对,差分输入与单端输入相比可以有效抑制共模信号干扰;M3、M4 电流镜为有源负载,将差模电流恢复为差模电压。;M5 为第一级提供恒定偏置电流,流过M1,2的电流与流过M3,4的电流
1,23,45/2
d d d I I I ==。输出级放大电路
由M6、M7 组成。M6 将差分电压信号转换为电流,而M7 再将此电流信号转换为电压输出。M6 为共源放大器,M7 为其提供恒定偏置电流同时作为第二级输出负载。相位补偿电路由Cc 构成,构成密勒补偿。
3 性能指标分析
3.1 直流分析
由于第一级差分输入对管M1和M2相同,有 第一级差分放大器的电压增益为:
1
124
m v ds ds g A g g -=
+
第二极共源放大器的电压增益为
6
267
m v ds ds g A g g -=
+
所以二级放大器的总的电压增益为
1626
1224675246672()()m m m m v v v ds ds ds ds g g g g A A A g g g g I I λλλλ===
++++
3.2频率特性分析
设1C 为第一级输出节点到地的总电容,有
1
2
2446GD DB GD DB GS C C
C C C C =++++
设2C 表示第二级输出节点与地之间的总电容,有
2
6
77DB DB GD L C C
C C C =+++
一般,由于L C 远大于晶体管电容,所以2C 远大于1C , 可以解出电路的传输函数为
()1
2
1
6
2
1c
m m id
s as bs g g C R R
V V
-=++
其中:()1
2
1
2
1
2
c
a C C C C C R R ⎡⎤=++⎣⎦
()121
2
1
2
126
c m b g
C C C R R R R R R
=++++
可以得到右半平面零点为
6
2m z
c
g f
C
π=
从而电路的主极点
1
2
6
1
d
c
m f
g C
R R =
而次极点
6m nd
L
g f C
=
由于2C 和C C 远大于1C ,而1C 中最主要的部分为6GS C , 2C 中则以L C 为主,经过适当近似,可以得到单位增益带宽为
10
2m d
c
GBW g
f A C
π==
3.3 共模抑制比分析
如果运放有差分输入和单端输出,小信号输出电压可以描述为差分和共模输入电压的方程
dm cm O
id ic V
V V A A =+
其中dm A 是差模增益,有0
dm A A
=,cm A 是共模增益。共模抑制比的定义为
dm cm
CMRR A
A
=
从应用角度考虑CMRR 可以理解为“每单位共模输入电压的变化引起的输入失
调电压的变化”。
对于两级运放电路的共模抑制比,有
5
3
3
1533
dm id
cm
id
CMRR CMRR V V A V V
V V A
V V
=
==
其中,1CMRR 是第一级的共模抑制比,因为第二级是单端输入、单端输出,所以不贡献共模抑制比。
由源极负反馈增益可知,等效输入跨导m G 为:
(
)
1
1
515
1
212o m m o o o m g r
G g r r r =
++
如果1
51
2o o m g
r
r ,那么m G 可以化简为:
5
12m o G r =
输出阻抗为:
()
3
51
513
3
1
121out o o o o m m m g R r
r r r g g
⎡⎤=
++≈⎣⎦ 所以共模增益为:
5
5
1
2cm out m o m G A R g r
==
得到:
()5
2
4
5
1
2dm o o o m m cm
CMRR A g
g r r r A
=
=
3.4转换速率(slew rate )
Slew Rate 也就是压摆率,是指大信号情况下运放的输入端接入较大的阶跃信号,输出信号波形也会发生大的变化,会发生截至或者饱和的现象。输出电压变 化对时间的比值叫做压摆率,单位是V
us
。