半导体芯片制造技术
半导体芯片制造工艺流程
半导体芯片制造工艺流程一、晶圆生产过程1、切割原材料：首先，将原材料（多晶片、单晶片或多晶硅）剪切成小块，称之为原乳片（OOP）。
2、晶圆处理：将原乳片受热加热，使其变形，使其压紧一致，然后放入一种名叫抛光膏的特殊介质中，使原乳片抛光均匀，表面压处理完成后可以形成称做“光本”的片子，用于制作晶圆切片。
3、晶圆切片：将打磨后的“光本”放入切片机，由切片机按特定尺寸与厚度切割成多片，即晶圆切片。
4、外层保护：为防止晶圆切片氧化和粉化，需要给其外层加以保护，银镀层属于最常用的保护方式，银镀用于自行氧化或化学氧化，使晶圆切片的表面具有光泽滑润的特性，同时会阻止晶圆切片粉化，提升晶圆切片的质量。
二、封装1、贴有芯片的封装状态：需要将芯片封装在一个特殊容器，这个容器由多层金属合金制成，其中折叠金属层和金属緩衝層能够有效地抗震，同时能够预防芯片表面外来粉尘的影响，芯片的需要的部件，贴入折叠金属层的空隙中，用以安全固定。
2、针引线安装：引线是封装过程中用来连接外部与芯片内部的一种金属元件，一般由铜带按照需要的形状进行切割而成，由于引线的重要性，需要保证引线的装配使得引线舌语长度相等，防止引线之间相互干涉，芯片内部元件之间并不影响运行。
3、将口金连接到封装上：封装固定完毕后，需要给封装上焊上金属口金，来使得封装具有自身耐腐蚀性能，保护内部金属引线免于腐蚀。
4、将封装上封装在机柜中：把封装好的芯片安装在外壳体内，使得外壳可以有效地防止芯片的护盾被外界的破坏。
三、芯片测试1、芯片测试：芯片测试是指使用指定的设备测试芯片，通过检测芯片的性能参数，来查看芯片的表现情况，判断其是否符合要求，从而判断该芯片产品是否可以出厂销售。
2、功能测试：功能测试是检测半导体芯片的特殊功能，例如检查芯片操作程序功能是否达到产品要求，及看看芯片故障率是否太高等。
3、芯片温度：芯片也要进行温度测试，温度的大小决定了芯片的工作状况以及使用寿命，需要把比较详细的测量温度，用以检查芯片是否能够承受更高的工作温度条件；4、芯片功能检测：功能检测是常用的测试，如扫描检测或静态测试，根据设计上的配置，将芯片进行检测，来看看是否有损坏，看看功能是否正常，符合产品要求。
中国半导体产业的核心技术与关键领域
中国半导体产业的核心技术与关键领域随着科技的发展和智能化时代的到来，半导体技术成为了现代社会不可或缺的关键技术之一。
中国自 20 世纪 80 年代初开始研发半导体领域，尤其是近年来，中国政府加大了对半导体产业的投资力度，一些新型半导体企业纷纷涌现，中国半导体产业也迎来了快速发展的阶段。
本文将详细讨论中国半导体产业的核心技术与关键领域。
一、芯片制造技术半导体产业最主要的核心技术之一就是芯片制造技术，它是半导体产业中最复杂和最困难的技术之一。
芯片制造技术计量单位为纳米，它的加工工艺对芯片的质量、性能及生产效率有着非常重要的影响。
当前，全球先进的芯片制造技术是 7 纳米、5 纳米、3 纳米制程，而中国的芯片制造技术尚处于 14 纳米、7 纳米等制程。
因此，中国的芯片制造企业需要加快技术创新，尽快实现对芯片制造技术的突破，这样才有可能在全球市场中取得更大的市场份额。
二、人工智能芯片人工智能芯片是近年来中国半导体产业的新兴领域之一，是用于支持人工智能运算的芯片。
根据运算规模不同，人工智能芯片可以分为边缘人工智能芯片、移动人工智能芯片、数据中心人工智能芯片等多种类型。
人工智能芯片具有处理速度快、功耗低等特点，受到了众多企业的青睐。
目前国内的人工智能芯片主要由华为、寒武纪等企业研发，这些企业也在不断发展和创新。
三、5G 芯片5G 芯片是当前半导体产业的又一重要领域，它是实现 5G 智能终端的关键之一。
5G 芯片的主要特点是高速率、低时延、可靠性高和功耗低等。
当前，在 5G 芯片领域，我国已经有华为、展讯、联发科等企业推出了一系列比较优秀的芯片，但是受限于产业链不完善，我国 5G 芯片目前仍然需要进一步加强以保持全球竞争力。
四、智能生产芯片智能生产芯片是半导体产业的另一个重要领域。
随着智能化的发展，越来越多的企业需要对生产流程进行自动化和数字化的改造，而智能生产芯片的应用必不可少。
智能生产芯片可以实现对机器人、智能制造设备的精准控制和高效协同。
半导体芯片生产工艺
半导体芯片生产工艺半导体芯片生产工艺是一种非常复杂和精细的过程，涉及到多个步骤和环节。
下面我将简要介绍一下半导体芯片生产的主要工艺流程。
1. 半导体晶圆制备：半导体芯片是通过在硅晶圆上制造微小的电子元件来实现的。
首先，从纯度极高的硅单晶中制备出晶圆，通常使用Czochralski方法。
在这个过程中，将纯净的硅溶液熔化并冷却，形成单晶硅棒，然后将其切割成薄片，即晶圆。
2. 晶圆化学处理：经过切割后的晶圆表面可能存在一些杂质和缺陷，需要经过一系列化学处理步骤来去除这些杂质。
这包括去除氧化物和有机污染物，以保证晶圆表面的纯度。
常用的处理方法包括酸洗、碱洗和溅射处理等。
3. 肖特基势阻撕开初步形成晶体管：肖特基势阻撕开是半导体芯片制造的核心步骤之一。
这一步骤是在晶圆表面制造出MOSEFET晶体管，用于控制电流的通断。
首先，利用光刻技术将光刻胶涂在晶圆表面，并通过曝光和显影来形成晶体管的图案。
然后，使用化学气相沉积（CVD）技术在晶体管上沉积一层绝缘层和栅极材料。
4. 金属线路制造：在晶体管上形成的电子元件需要连接起来，以形成电路。
这一步骤是利用化学气相沉积技术将金属层沉积在晶圆上，形成电路之间的连线。
然后，使用电子束或激光器去除多余的金属，形成所需的线路模式。
5. 固化和封装：在完成金属线路制造后，需要对芯片进行固化和封装，以保护芯片并提供外部引脚。
首先，将芯片放入高温炉中加热，将金属线路的材料烧结在一起，形成一个坚固的结构。
然后，使用薄膜封装技术将芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，并连接外部引脚。
6. 测试和包装：最后一步是对芯片进行测试和包装。
芯片会经过一系列的测试来检查其电性能和功能。
一旦通过测试，芯片将被放置在塑料或陶瓷封装中，并进行标签和贴片等最后的包装工作。
以上是半导体芯片生产的主要工艺流程。
这个过程需要非常高的精度和控制，因为任何微小的错误都可能导致芯片的失效。
随着技术的发展，半导体芯片生产工艺不断在改进和创新，以满足不断增长的需求和不断提高的性能要求。
半导体制造流程及生产工艺流程
半导体制造流程及生产工艺流程半导体是一种电子材料，具有可变电阻和电子传导性的特性，是现代电子器件的基础。
半导体的制造流程分为两个主要阶段：前端工艺（制造芯片）和后端工艺（封装）。
前端工艺负责在硅片上制造原始的电子元件，而后端工艺则将芯片封装为最终的电子器件。
下面是半导体制造流程及封装的主要工艺流程：前端工艺（制造芯片）：1.晶片设计：半导体芯片的设计人员根据特定应用的需求，在计算机辅助设计（CAD）软件中进行晶片设计，包括电路结构、布局和路线规划。
2.掩膜制作：根据芯片设计，使用光刻技术将电路结构图转化为光刻掩膜。
掩膜通过特殊化学处理制作成玻璃或石英板。
3.芯片切割：将晶圆切割成单个的芯片，通常使用钻孔机或锯片切割。
4.清洗和化学机械抛光（CMP）：芯片表面进行化学清洗，以去除表面杂质和污染物。
然后使用CMP技术平整芯片表面，以消除切割痕迹。
5.纳米技术：在芯片表面制造纳米结构，如纳米线或纳米点。
6.沉积：通过化学气相沉积或物理气相沉积，将不同材料层沉积在芯片表面，如金属、绝缘体或半导体层。
7.重复沉积和刻蚀：通过多次沉积和刻蚀的循环，制造多层电路元件。
8.清洗和干燥：在制造过程的各个阶段，对芯片进行清洗和干燥处理，以去除残留的化学物质。
9.磊晶：通过化学气相沉积，制造晶圆上的单晶层，通常为外延层。
10.接触制作：通过光刻和金属沉积技术，在芯片表面创建电阻或连接电路。
11.温度处理：在高温下对芯片进行退火和焙烧，以改善电子器件的性能。
12.筛选和测试：对芯片进行电学和物理测试，以确认是否符合规格。
后端工艺（封装）：1.芯片粘接：将芯片粘接在支架上，通常使用导电粘合剂。
2.导线焊接：使用焊锡或焊金线将芯片上的引脚和触点连接到封装支架上的焊盘。
3.封装材料：将芯片用封装材料进行保护和隔离。
常见的封装材料有塑料、陶瓷和金属。
4.引脚连接：在封装中添加引脚，以便在电子设备中连接芯片。
5.印刷和测量：在封装上印刷标识和芯片参数，然后测量并确认封装后的器件性能。
半导体芯片制造工艺流程
半导体芯片制造工艺流程晶圆加工是半导体芯片制造的第一步，主要是将硅圆片加工成晶圆，晶圆通常使用硅（Si）为基片，通过化学、光学和物理方法对其进行切割、清洗、抛光等工艺，使其表面更加平整、光滑。
曝光是指将设计好的芯片电路图案通过光刻技术印制在晶圆上。
首先使用感光胶涂覆在晶圆表面，然后使用相应的光罩通过曝光机器将芯片电路图案映射到晶圆上。
曝光完成后，通过退胶和清洗工艺将晶圆表面的胶层去除。
清洗是对晶圆表面进行清洁处理，以去除可能附着在晶圆表面的微尘、油污和其他杂质。
清洗工艺主要包括超声波清洗、化学清洗等，这些工艺能够有效地将晶圆表面的杂质清除，以保证芯片制造的质量。
刻蚀是将晶圆表面的材料进行刻蚀处理，以形成电路的结构和形状。
刻蚀工艺一般采用干法和湿法两种方式，干法刻蚀常采用等离子刻蚀（PECVD），湿法刻蚀常采用化学刻蚀（Wet Etching）。
刻蚀工艺是芯片制造中非常关键的工艺环节，能够通过控制刻蚀时间和温度等参数，对晶圆表面进行精确的刻蚀，以形成预定的电路结构。
离子注入指的是将离子注入到晶圆表面，以改变晶圆材料的导电、隔离和其他物理特性。
离子注入通常使用离子注入机，通过加速离子，使其能够穿透晶圆表面，并深入到晶体结构内部。
离子注入后，晶圆的电学性能和物理特性会发生改变。
沉积是在晶圆表面沉积一层薄膜，以增强晶圆的功能和性能。
沉积工艺通常有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种方式。
其中，物理气相沉积是将金属蒸汽通过高温和高真空状态沉积到晶圆表面；化学气相沉积则是通过将气体反应在晶圆表面生成所需的薄膜。
陶瓷制造是指将晶圆切割成单个的芯片，并在芯片表面上进行焊接和封装。
这个过程主要包括切割、背面研磨、背面腐蚀、表面成形和背面蚀刻等步骤。
陶瓷制造是构成芯片最核心的工艺环节之一，能够保证芯片的完整性和可靠性。
封装是将制造好的半导体芯片封装成可供使用的集成电路。
封装主要是将芯片连接到引脚上，并采用适当的封装材料将其封装。
半导体芯片制造理论和工艺实用指南
半导体芯片制造理论和工艺实用指南1. 引言
- 半导体芯片的重要性
- 本指南的目的和范围
2. 半导体材料基础
- 半导体材料的性质和分类
- 硅材料的制备和特性
- 其他半导体材料(如III-V族化合物等)
3. 晶圆制造工艺
- 晶圆生长技术(Czochralski法、区熔法等)
- 晶圆切割和抛光
- 晶圆清洗和表面处理
4. 光刻工艺
- 光刻原理和工艺流程
- 光刻胶及其性能
- 曝光技术(光刻机、掩膜版等)
- 显影和刻蚀工艺
5. 薄膜沉积技术
- 物理气相沉积(PVD)
- 化学气相沉积(CVD)
- 原子层沉积(ALD)
- 电镀工艺
6. 离子注入工艺
- 离子注入原理
- 注入设备和工艺参数
- 退火工艺
7. 集成电路制造工艺
- CMOS工艺流程
- 前道工艺(晶圆制备、氧化、光刻、离子注入等) - 后道工艺(金属化、钝化、焊球等)
8. 先进制造技术
- 极紫外光刻技术
- 多晶硅替代技术
- 3D集成电路制造
9. 测试和封装
- 芯片测试技术
- 芯片封装工艺和材料
10. 质量控制和环境影响
- 制程监控和质量控制
- 环境影响和可持续发展
11. 未来发展趋势
- 制造工艺的挑战和机遇 - 新兴材料和技术
12. 附录
- 常用术语表
- 参考文献。
半导体制造流程解析详细介绍半导体芯片的制造过程
半导体制造流程解析详细介绍半导体芯片的制造过程半导体制造流程解析：详细介绍半导体芯片的制造过程半导体芯片是现代电子产品中的关键部件，它承载着处理信息的功能。
半导体制造流程的高度复杂性使得其成为一门专门的学科。
本文将详细介绍半导体芯片的制造过程，帮助读者更好地理解半导体工业的基本原理。
第一步：晶圆制备半导体芯片的制造过程始于晶圆的制备。
晶圆是由最纯净的硅材料制成的圆盘，其表面需要经过一系列的化学处理，以达到良好的电学性能。
首先，硅材料经过融解，在高温环境中通过拉伸或浇铸的方式形成晶体。
然后，晶体通过切割和研磨的步骤，得到晶圆的形态。
制备好的晶圆表面必须经过精细的抛光和清洗，以确保表面的平整度和纯净度。
第二步：芯片制作在晶圆上制作芯片是半导体制造流程的核心环节。
主要步骤如下：1. 氧化层的形成：将晶圆放入高温气体中，形成一层氧化硅的绝缘层。
这一步骤非常重要，因为氧化层可以提供电学隔离和保护晶体。
2. 光刻技术：光刻技术通过使用光掩膜和光敏胶，将光线照射在晶圆上，形成芯片上的图形。
光刻技术的精细度决定了芯片的性能和功能。
3. 电子束曝光：电子束曝光是一种类似于光刻的制造方法，但使用电子束来照射光敏材料。
相较于光刻，电子束曝光可以制造更小的结构和更高的分辨率。
4. 刻蚀和沉积：在芯片图形上涂覆一层化学物质，通过化学反应刻蚀或沉积物质，来改变芯片上的结构和性质。
这一步骤可以重复多次，以实现多层次的结构形成。
5. 掺杂和扩散：通过在芯片表面掺入其他元素，使得芯片具有特定的电学行为。
扩散过程会在半导体材料中形成浓度梯度，从而形成不同的电子和空穴浓度。
6. 金属连接：芯片上的电路需要通过金属线进行连接。
金属连接通常使用蒸发、溅射或电镀的方式在芯片上形成金属线。
第三步：封装和测试芯片制作完毕后，需要进行封装和测试。
封装是将芯片放置在一个保护性的外壳中，以保护芯片并方便其与其他电路的连接。
封装可以采用塑料封装、金属封装或陶瓷封装等。
芯片制造半导体工艺实用教程
芯片制造半导体工艺实用教程概述半导体芯片是现代电子行业中的重要组成部分，广泛应用于计算机、通信、消费电子等各个领域。
芯片制造工艺是生产芯片的核心环节，包括晶圆加工和封装测试两个主要步骤。
本教程将介绍芯片制造的基本流程和关键技术，帮助读者了解半导体工艺和芯片制造过程。
第一章：晶圆加工工艺1.1晶圆制备晶圆是半导体芯片制造的基础材料，通常由单晶硅制成。
本节将介绍晶圆制备的主要过程，包括单晶生长、切割和抛光等。
1.2光刻光刻是制备芯片图案的重要步骤，通过光刻胶和光刻机将设计图案转移到晶圆上。
本节将介绍光刻的原理、步骤和常见问题。
1.3电子束曝光电子束曝光是一种高分辨率的芯片制造技术，适用于制作微细结构。
本节将介绍电子束曝光的原理、设备和关键参数。
1.4电镀电镀是制备金属薄膜的常用技术，用于连接芯片各个部分。
本节将介绍电镀的原理、工艺和注意事项。
第二章：封装测试工艺2.1封装工艺封装是将芯片封装成器件的过程，包括芯片切割、铺线、焊接等。
本节将介绍封装工艺的步骤和常见封装形式。
2.2焊接技术焊接是芯片封装中的关键步骤，确保芯片与外部引脚的连接可靠。
本节将介绍常见的焊接技术和焊接质量控制方法。
2.3芯片测试芯片测试是确保芯片质量的关键环节，包括功能测试、可靠性测试等。
本节将介绍常见的芯片测试方法和测试设备。
2.4封装材料封装材料是封装工艺中的重要组成部分，直接关系到芯片的性能和可靠性。
本节将介绍常见的封装材料和其选择原则。
第三章：相关工艺技术3.1清洗技术清洗技术是芯片制造中的常用步骤，用于去除表面污染物和残留物。
本节将介绍芯片清洗的方法、设备和注意事项。
3.2热处理技术热处理技术是芯片制造中的关键工艺，用于改变材料的性能和结构。
本节将介绍常见的热处理方法和其应用领域。
3.3薄膜制备技术薄膜制备是芯片制造中的重要环节，用于制备功能性薄膜。
本节将介绍常见的薄膜制备方法和材料选择原则。
3.4工艺控制和质量管理工艺控制和质量管理是确保芯片制造过程稳定和质量可控的关键。
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⑸固定的熔点
图1-8 晶体非晶体的加热曲线
2. 晶体的缺陷 晶体缺陷按缺陷的几何尺寸可分为点缺陷，如空 位、间隙原子；线缺陷，如位错；及面缺陷，如晶粒 间界和堆垛层错等。
第三节 半导体生产污染控制
一、污染物种类
1.颗粒污染物 颗粒包括空气中所含的颗粒、人员产生的颗粒、 设备和工艺操作过程中使用的化学品产生的颗粒等。 在任何晶片上，都存在大量的颗粒。有些位于器件不 太敏感的区域，不会造成器件缺陷，而有些则属于致 命性的。根据经验得出的法则是：颗粒的大小要小于 器件上最小的特征图形尺寸的1/10，否则，就会形成 缺陷。
单晶体
多晶体
非晶体
图1-3 特性， 称之为晶体的自限性。
⑶各向异性 晶体的物理性质随着晶面的方向不同而不同， 称为晶体的各向异性。
图1-7 云母片和玻璃片的石蜡熔化实验
⑷对称性 晶体在某几个特定的方向上所表现出的物理、 化学性质完全相同。在晶体中，如果沿某些特定的 方向原子排列的密度相同，则沿这些方向的性能相 同。
浓度/（粒/ 升） 小于等于1 小于等于10
最高 最低 最高 最低
噪声（A声 级）/db
100
1000 10000
大于等 于0.5
小于等于 100
小于等于 1000
27
18
60
40
小于等于70
小于等于 10000
五、洁净室的维护 超净间的定期维护是非常必要的。清洁人员 必须要穿着与生产人员一样的洁净服，超净 间的清洁器具，包括拖把，也要仔细选择。 一般家庭使用的清洁器具太脏，无法在超净 间使用。而且使用真空吸尘器也要特别注意。 真空吸尘器中的排风系统中，装有HEPA过 滤器，现在已经可以在超净间中使用。许多 超净间采用内置式真空系统来减少清洁时产 生的脏东西。
第四节 纯水的制备
一、纯水在半导体生产中的应用
1. 天然水的杂质 天然水中含有很多杂质，可分为五大类。 （1）电解质 （2）有机物 （3）颗粒物质 （4）微生物 （5）溶解气体
2. 纯水的分类 在半导体生产过程中，各种产品对水的纯度要 求各不相同。通常将纯水分为纯水和超纯水两种。
二、 离子交换制备纯水
二、晶体管的发明
导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，就叫半 导体。晶体管就是用半导体材料制成的，这类材料最 常见的便是锗和硅两种。 1947年12月23日，美国科学家巴丁博士、布菜顿 博士和肖克莱博士，在他们发明的器件中通过的一部 分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的 电流，因而产生了放大效应。这个器件，就是在科技 史上具有划时代意义的成果——晶体管。
表1-1 半导体材料分类及其开发情况
类 元素半导体 Ⅲ-Ⅴ族 Ⅱ-Ⅵ族 二元 化合 物＊ Ⅳ-Ⅳ族 Ⅳ-Ⅵ族 Ⅴ-Ⅵ族 Ⅲ-Ⅵ族 Ⅰ-Ⅵ族 三元 化合 物＊ Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ族 A3B5 A2B6 A4B4 A4B6 A25B36 A3B6 A21B6 A1B3C26 A2B4C25 别 化学通式 材料举例 硅、锗 砷化镓 硫化镉 碳化硅 碲化铅 碲化鉍 碲化镓 氧化亚铜 CuInSe2 CdSnAs2 Cu2FeSnSe4 A1-xBx A1-xA'x B A1-xA'xB1-y B'y Si1-xGex Ga1-xAlxAs In1-xGaxAs1-yPy 开发程度 硅、锗、硒已大量应用 砷化镓、磷化镓已批量生产、其他也在开发中 硫化镉、硒化镉、碲化镉已在少量应用 仅此一种，少量应用 少量应用 批量生产 尚未应用 应用很少 CuInSe2用于太阳 能电池 研究不多 研究不多 已获应用 多种已获应用 几种已获应用
2.金属离子 在半导体材料中，以离子形态存在的金属离子污 染物，我们称之为可移动离子污染物(MIC)。这些金属 离子在半导体材料中具有很强的可移动性，即使在器 件通过了电性能测试并且从生产厂运送出去，金属离 子仍可在器件中移动从而造成器件失效。遗憾的是， 绝大部分化学物质中都有能够引起器件失效的金属离 子。最常见的可移动离子污染物是钠。钠离子同时也 是在硅中移动性最强的物质，因此，对钠的控制成为 硅片生产的首要目标。MIC的问题对MOS器件的影响 更为严重。有必要采取措施研制开发MOS级或低钠级 的化学品。这也是半导体业的化学品生产商努力的方 向。
四元化合物＊ 固溶 半导 体＊ 二元固溶体 三元固溶体 四元固溶体
三、晶体
固体材料是由大量的原子（或离子）以一定的 方式排列组成的，原子的排列方式称为固体材料的 结构。固体材料按其结构可以分为晶体、非晶体。 1.晶体的共性 ⑴长程有序 长程有序是晶体最突出的特点。晶体中的原子 部是按一定规则排列的，这种至少在微米数量级范 围的有序排列，称为长程有序。
三、超净间的建设
超净间(Clean Room)是指将一定空间范围内空气 中的微粒子、有害空气、细菌等污染物排除，并将 室内的温度、洁净度、室内压力、气流速度与气流 分布、噪音振动及照明、静电控制在某一需求范围 内而特别设计的房间。 1．建筑材料 超净间所用的建筑材料都应是不易脱落的材料， 所有的管道口都要密封，可以采用不锈钢材料制造 工作台。
之具有更高的密度，更多的元器件数量和更高的可靠 性；
结构的改进是指新器件设计上的发明使电路的性能更
好，实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。
四、工艺发展趋势及摩尔定律（Moore’s Law）
英特尔（Intel）公司的创始人之一戈登•摩尔 （Gordon Moore）在1964年预测了集成电路的发展趋 势，提出了集成电路的集成度会每十八个月翻一番， 即单个芯片上晶体管的数目每十八个月翻一番，这个 预言后来成为著名的摩尔定律并被证明十分准确。 集成度的提高主要是三个方面的贡献：一是特征 尺寸不断缩小，二是芯片面积不断增大，三是集成电 路结构的不断改进。
3.化学物质 化学物质指半导体工艺中不需要的物质。这些物 质的存在将导致晶片表面受到不需要的刻蚀，在器件 上生成无法除去的化合物，或者引起不均匀的工艺过 程。最常见的化学物质是氯。在工艺过程用到的化学 品中，氯的含量受到严格的控制。
二、污染物引起的问题
1．器件工艺良品率降低 2．器件性能降低
3．器件可靠性下降
二、晶体管的发明
三、集成电路的产生
1958年12月在美国德州仪器公司（TI） 工作的 基尔比（Jack Kilby） 成功地制作出世界上第一片集 成电路。
四、工艺发展趋势及摩尔定律（Moore’s Law）
推动电子工业革命的工艺改进可以归为两大类： 工艺和结构。
工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使
第一章 半导体芯片制造概述
半导体产业是目前世界上发展最快、最具影响力 的产业之一，半导体产业不断的发展不仅带来了世界 经济与技术的飞速发展，而且也带来了整个社会的深 刻的变革，从我们使用的手机，到航天飞机，处处都 有半导体产品的身影。
第一节半导体工业发展概述
一、电信号处理工业的诞生
1904年
弗莱明发明了第一只电子管，称为二极管， 可以给电流整流。 1906年 德佛瑞斯特发明了第一只真空三极管。许多 人都将三极管的发明看作电子工业真正的诞生起点。
1.离子交换树脂的种类及结构
2.离子交换原理
3.离子交换装置系统 4.离子交换树脂的预处理
4.离子交换树脂的预处理 （1）脱水树脂的食盐水处理 （2）阳树脂的预处理 （3）阴树脂的预处理
5.离子交换树脂的再生和贮存
三、 水纯度的测量
1.静态测量法
2.流动测量法
2．超净间控制外界污染的要素 （1）粘性地板垫 （2）更衣区 （3）风淋室 （4）维修区 （5）空气压力控制系统 （6）净鞋器和手套清洗器 （7）防静电设施 3．工作人员防护措施
4．空气控制系统 5．温度湿度控制系统
四、超净间标准
表1-2 洁净室等级表
洁净度
温度/℃
湿度/%
级别 粒径/μm
1 10
第二节 半导体材料基础
一、半导体材料基本性质
1.半导体的结构及特性 正四面体结构；共价键。 导电能力介于导体和绝缘体之间，受掺杂、温度 和光照的影响十分显著。
第二节 半导体材料基础
2.掺杂半导体的导电性 本征半导体； 掺杂半导体。
N型半导体； P型半导体； PN结。
二、半导体材料分类
对半导体材料可从不同的角度进行分类，例如根 据其性能可分为高温半导体、磁性半导体、热电半导 体；根据其晶体结构可分为金刚石型、闪锌矿型、纤 锌矿型、黄铜矿型半导体；根据其结晶程度可分为晶 体半导体、非晶半导体、微晶半导体，但比较通用且 覆盖面较全的则是按其化学组成的分类，依此可分为： 元素半导体、化合物半导体和固溶半导体三大类，如 表1-1所示。