ZnO压电薄膜的制备与性能表征_许恒星
具有很好的压电性质 , c轴取向和表面粗糙度对薄 膜压电特性 有很大影响 , 高度 c轴取向生 长和表面粗 糙度较小 的
ZnO薄膜表现出更好的压电性质。
关键词 :ZnO薄膜 ;射频磁控溅射 ;压电性质 ;表面粗糙度
中图分类号:O48 4
文献标识码 :A
文章编号 :1000-985X(2009)04-0880-04
4 结 论
用磁控溅射法在不同工作气压和射频功率下制备出了 ZnO薄膜 , 通过 XRD, AFM, PFM分析表明 , 实验制 备的 ZnO薄膜具有很好的压电性质 , c轴取向和表面粗糙度对薄膜压电特性有很大影响 , 所以在制备 ZnO压电 薄膜时 , 应综合考虑各种工艺参数 , 制备出高度 c轴取向 , 结晶度高 , 表面粗糙度小的高质量的 ZnO压电薄膜 , 进而开发制备出性能优良的压电器件 。
图 3是 3个薄膜样品的 AFM图 , 扫描范围是 1000 nm×1000 nm。从图 3中可以看出 , 制备的 ZnO薄膜表
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人 工 晶 体 学 报
第 38卷
面结构致密 , 颗粒尺寸均匀 。 经分析 1号样品的表面粗糙度为 3.29 nm, 垂直于表面最高突起为 25 nm;2号样 品的表面粗糙度为 3.00 nm, 垂直于表面最高突起为 21.9 nm;3号样品的表面粗糙度为 3.64 nm, 垂直于表面最 高突起为 27.5 nm。相比之下 , 2号样品的薄膜表面相对平整 , 而 3号样品表面最为粗糙[ 14] 。而所测得的压电 系数中 , 2号样品的 d33值最大 , 3号样品最小 。由以上分析 , 表面粗糙度对薄膜压电性质有很大影响 , 一般来说 , 降低表面粗糙度 , 使薄膜表面更为平整致密 , 有利于提高其薄膜压电性质 。
个样品中 , 2 号样品 结晶质 量最 好 , 具有 更好的 c轴取 向 [ 8, 9] 。
为了研究 ZnO薄膜的压电性能 , 用 PFM仪器测得其
压电系数 d33 。测得 1号样品的压电系数为 21.7 pV/m, 2 号样品的压电系数为 27.5 pV/m, 3号样品的压电系数为 8.5 pV/m。
Abstract:ZnO filmswereprepared on Si(100 ) substratesby RF magnetron sputtering process. Compositions, surfaceappearance, andpiezoelectricitywerestudiedbyXRD, AFM andPFM.Theresults indicatethatthepreparedZnOfilmhasexcellentpiezoelectricity.Thepiezoelectricityofthefilmisstrongly dependentonthecaxisorientationandsurfaceroughness.Thesamplewithsmoothersurfaceandastrongly preferredorientationofcaxisshowsabetterpiezoelectricity. Keywords:ZnOfilm;RFmagnetronsputtering;piezoelectricity;surfaceroughness
PreparationandCharaterizationofZnO PiezoeletricFilm
XUHeng-xing, WANGJin-liang, TANGNing, PENGHong-yong, FANChao
(SchoolofPhysicsScienceandNuclearEnergyEngineering, BeijingUniversityofAeronauticsandAstronautics, Beijing100191, China) (Received26 December2008, accepted20 February2009)
高质量的 ZnO压电薄膜在薄膜外观以及微观结构上都有较高的要求 。 表面应光滑 、致密 、无微孔和裂缝 ; 微观结构上 , 应是高度取向生长的多晶薄膜 , 晶粒细小 , 极性方向相同 , 并且堆积紧密 。 另外 , 还要求其化学性
收稿日期 :2008-12-26;修订日期 :2009-02-20 基金项目 :国家自然科学基金 (No.10432050;No.50772006) 作者简介 :许恒星 (1985-), 男 , 山东省人 , 硕士研究生。 E-mail:tidus1217@
表面粗糙度对压电器件的质量有非常大的影响 。 这是由于声表面波仅在表面传播 , 全部声表面波的能量
几乎只集中在从表面向内部的一个波长之内 , 当表面粗糙度超过一个波长时 , 声表面波显然无法通过 , 一般要 求薄膜表面粗糙度小于 30 nm。因此在实验中控制薄膜表面粗糙度 ,对于制备高质量压电薄膜有重要意义 [ 13] 。
参 考 文献
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第 4期
许恒星等 :ZnO压电薄膜的制备与性能表征
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ZnO-ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究
ZnO-ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究ZnO/ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究引言：随着纳米技术和光电材料的发展，复合薄膜材料在光电器件领域具有广泛的应用前景。
ZnO/ZnS复合薄膜作为一种新型的光电材料，在太阳能电池、光电探测器等领域展现出了良好的光电性能。
本文旨在研究ZnO/ZnS复合薄膜的制备方法以及其光电性能，并探讨其在光电器件中的应用前景。
制备方法：制备ZnO/ZnS复合薄膜的方法有多种，本研究选取了溶液法与刻蚀法相结合的方法进行制备。
首先，采用溶液法制备ZnO薄膜，将锌盐在有机溶剂中溶解并在基底上进行旋涂，形成ZnO 膜，然后将ZnO膜放入含有ZnS溶液的反应器中，在特定的气氛和温度下进行反应，使ZnS溶液在ZnO膜上析出形成ZnO/ZnS复合薄膜。
最后，对复合薄膜进行退火处理，以提高膜的结晶度和光电性能。
实验结果与讨论：通过扫描电子显微镜观察复合薄膜的形貌，发现ZnO/ZnS复合薄膜呈现出均匀致密的结构，表面光滑，并且具有较好的结晶性。
X射线衍射分析结果显示，复合薄膜的晶格结构为六方晶系，与ZnO和ZnS的晶格结构相吻合。
紫外-可见光谱表明，ZnO/ZnS复合薄膜在可见光范围内具有较高的透过率，并呈现出明显的吸收峰，显示出良好的光学特性。
此外，通过光电流-电压测试和光电转换效率测试发现，ZnO/ZnS复合薄膜在光电器件中具有较高的光电转换效率和稳定性。
应用前景：基于以上实验结果和分析，ZnO/ZnS复合薄膜具有良好的光电性能，可以广泛应用于太阳能电池、光电探测器等领域。
在太阳能电池中，ZnO/ZnS复合薄膜可用作阳极材料，具有高光电转换效率和较低的电荷复合速率。
在光电探测器中，ZnO/ZnS复合薄膜可用作光吸收层，具有高光吸收能力和较低的暗电流，能够实现高灵敏度的光电检测。
此外，由于制备方法简单、成本较低，ZnO/ZnS复合薄膜具有较高的工艺可行性和商业化前景。
结论：本研究成功制备了ZnO/ZnS复合薄膜，并对其光电性能进行了详细研究。
理科论文开题报告
理科论⽂开题报告理科论⽂开题报告范⽂ 在现在社会，需要使⽤报告的情况越来越多，报告中提到的所有信息应该是准确⽆误的。
在写之前，可以先参考范⽂，以下是⼩编精⼼整理的理科论⽂开题报告范⽂，仅供参考，希望能够帮助到⼤家。
理科论⽂开题报告篇1 论⽂题⽬：AMOLED像素驱动电路设计 ①项⽬研究的背景和意义 有机发光显⽰器（OLEDs）是当今平板显⽰器研究领域的热点之⼀。
与液晶显⽰器（LCD）相⽐，OLEDs具有低能耗、⽣产成本低（⽐液晶低20%～30%）、⾃发光、宽视⾓、⼯艺简单、成本低、温度适应性好、响应速度快等优点。
⽬前，在⼿机、PDA、数码相机等⼩屏显⽰应⽤领域OLEDs已经开始取代传统的LCD显⽰屏。
OLED显⽰器驱动⽅式可分为两种类型：⽆源矩阵OLED（Passive Matrix OLED，简称PMOLED）和有源矩阵OLED（Active Matrix OLED，简称AMOLED）。
PMOLED采⽤⾏列扫描的⽅式驱动相应的像素发光，具有结构简单，⽣产成本低的优点，但器件能耗⾼，分辨率有限，器件寿命和显⽰品质也⽆法同TFT—LCD相抗衡。
在AMOLED中，每个发光像素都有独⽴的TFT电路驱动，不存在交叉串扰问题，亮度、寿命以及分辨率等都较PMOLED有⼤幅提⾼。
由于显⽰器未来发展趋势是向着⾼精细画质应⽤，PMOLED驱动⽅式已⽆法满⾜要求。
因此，发展AMOLED驱动技术，解决有机发光显⽰器的“瓶颈”问题显得⽇益迫切。
像素驱动电路的设计是AMOLED显⽰器的核⼼技术内容，具有重要研究意义。
本项⽬致⼒于基于薄膜晶体管（TFT）的AMOLED显⽰器像素驱动电路的研究与实现。
②⼯作任务分析 ⽬前，应⽤于AMOLED的薄膜晶体管主要有⾮晶硅薄膜晶体管（a—Si TFT）和低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT），⼆者实现量产的优势最⼤。
a—Si TFT与LTPS TFT相⽐具有⼯艺简单、价格低、制备成品率⾼、关态漏电流⼩等优点。
ZnO压电薄膜的制备与性能表征_许恒星
图 3是 3个薄膜样品的 AFM图 , 扫描范围是 1000 nm×1000 nm。从图 3中可以看出 , 制备的 ZnO薄膜表
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人 工 晶 体 学 报
第 38卷
面结构致密 , 颗粒尺寸均匀 。 经分析 1号样品的表面粗糙度为 3.29 nm, 垂直于表面最高突起为 25 nm;2号样 品的表面粗糙度为 3.00 nm, 垂直于表面最高突起为 21.9 nm;3号样品的表面粗糙度为 3.64 nm, 垂直于表面最 高突起为 27.5 nm。相比之下 , 2号样品的薄膜表面相对平整 , 而 3号样品表面最为粗糙[ 14] 。而所测得的压电 系数中 , 2号样品的 d33值最大 , 3号样品最小 。由以上分析 , 表面粗糙度对薄膜压电性质有很大影响 , 一般来说 , 降低表面粗糙度 , 使薄膜表面更为平整致密 , 有利于提高其薄膜压电性质 。
(北京航空航天大学物理科学与核能工程学院 , 北京 100191)
摘要 :采用射频磁控溅射法在硅 (100)衬底上制备高质量的 ZnO压电薄膜 。 利用 X射线衍射仪 (XRD)、原子力显 微
镜 (AFM)、压电响应力显微镜 (PFM)等仪器研究了薄膜成分 , 表面形貌和压电性质 。 结果表明:实验制备的 ZnO薄膜
图 1为制备得到的 ZnO薄膜的 XRD图谱 。从图 1中
可以看出 , 在预定的工艺条件下 , 制备的薄膜均出现尖锐
的 ZnO(002)衍射峰 ,峰位在 2θ为 34.29 °, 表明实验制备 的 3个样品 都具有 c轴择 优取 向 。其 中 1号 样品 ZnO
(002)峰相对强度最小 , 2号样品的相对强度最大 , 说明 3
1 引 言
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ 族半导体材料 , 其结构为六方晶体结构 , 密度为 5.67 g/cm3, 晶格常数 a=0.32496 nm, c= 0.52065 nm。 室温下其禁带宽度是 3.3 eV, 是典型的直接带隙宽禁带半导体 。 ZnO的激子束缚能高达 60 meV, 更易在室温下实现高效率的激光发射 , 是一种在室温或更高温度下 , 具有很大应用潜力的短波长发光材料 [ 1] 。 在适当的掺杂下 , ZnO薄膜材料表现出很好的低阻特征和较高的光透过率 , 这一性能使得 ZnO成为一种很好的 透光窗口和透明电极材料 。 ZnO也是一种十分有用的压电薄膜材料 , 高质量的单晶或 c轴择优取向的多晶 ZnO 薄膜具有良好的压电性质 , 能够用来制备高频纤维声光器件及声光调制器等压电转换器 , 在光电通信领域得到 广泛的应用[ 2-5] 。
ZnO薄膜的制备及其特性研究的开题报告
ZnO薄膜的制备及其特性研究的开题报告一、选题背景氧化锌（ZnO）薄膜作为一种重要的无机半导体薄膜材料，具有广泛的应用前景，如太阳能电池、液晶显示器、发光二极管、激光器和传感器等领域。
当前，人们对ZnO薄膜的制备及其特性研究越来越关注，一方面是因为其物理、化学和电学性质的优异性，另一方面是因为其独特的结构和表面形貌，具备纳米级别的尺度效应，这些特性能够为其应用提供更广泛的选择和更大的灵活性。
因此，对ZnO薄膜的制备、性质及其应用进行深入研究有着更大的现实意义和科学价值。
二、研究目的该研究旨在制备高品质的氧化锌薄膜，研究其物理、化学和电学特性，进一步探究其在太阳能电池、液晶显示器、发光二极管和传感器等领域的应用潜力。
三、研究内容1. ZnO薄膜的制备方法研究：通过比较不同的制备方法，探究其对薄膜形貌、晶体结构、晶体质量和光学性能的影响。
2. ZnO薄膜的表面形貌及结构表征研究：利用扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）对制备的ZnO薄膜进行表面形貌的观察和分析，通过X射线衍射（XRD）对其晶体结构进行表征，以及拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱（FTIR）对其晶体质量进行评价。
3. ZnO薄膜的光学性能研究：通过紫外可见吸收光谱（UV-Vis）和荧光光谱等光学测试方法，分析其光学性质和能隙以及激子的特性。
4. ZnO薄膜的电学性能研究：通过电学测试方法，如电阻率测试、霍尔效应测试、电容测试等，研究其电学性质及其载流子性质。
四、研究方法1. 制备ZnO薄膜：热蒸发法、溅射法、水热法等方法制备氧化锌薄膜。
2. 对ZnO薄膜的表面形貌和结构进行分析：使用SEM、AFM和XRD对其表面形貌和结构进行分析。
3. 对ZnO薄膜的光学特性进行测试：利用UV-Vis和荧光光谱分析其光学性质和能隙特性。
4. 对ZnO薄膜的电学特性进行测试：分别采取电阻率测试、霍尔效应测试、电容测试等方法，分析其电学性质及其载流子性质。
ZnO薄膜的制备及其光电学性质的研究的开题报告
ZnO薄膜的制备及其光电学性质的研究的开题报告一、研究背景及意义氧化锌（ZnO）是一种具有广泛应用价值的半导体材料，其具有优异的物理化学性质，如优良的电子传输性质、高稳定性、高透明性、阻尼性、生物相容性等。
因此，ZnO被广泛应用于化学传感器、光电器件、太阳能电池、发光二极管、光催化等方面。
其中，ZnO薄膜作为一种重要的功能材料，在这些应用领域中扮演着不可替代的作用。
随着现代材料科学的发展，研究ZnO薄膜的制备和光电学性质成为一个热点问题。
目前主要的制备方法有物理气相沉积、溅射、化学气相沉积、水热法、溶胶凝胶法、电化学沉积法等。
而光电学性质方面的研究则包括ZnO薄膜的光学、电学、磁学、表面化学等性质。
本课题将探讨一种新型的ZnO薄膜制备方法，并研究其光电学性质，旨在为ZnO薄膜的应用和性质研究提供新的思路和方法。
二、研究内容及方法本课题拟采用化学气相沉积法（CVD）制备ZnO薄膜。
该方法具有简单、高效、可控性好等特点，能够制备出高质量的ZnO薄膜。
在制备过程中，我们将对所用的气体流量、温度、压力等参数进行优化，以获得最佳的制备条件。
制备好的ZnO薄膜将通过一系列测试分析手段进行表征，包括X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和拉曼光谱等。
同时，我们将研究其光电学性质，包括光学吸收、荧光发射、电学特性和光催化活性等。
其中，光催化活性将通过降解染料类污染物来评估。
三、预期成果及意义本课题预期获得高质量的ZnO薄膜，并对其进行全面的表征和分析。
同时，对ZnO薄膜的制备方法进行了优化改进，为后续研究提供了新的思路和方法。
通过对ZnO薄膜的光电学性质的研究，我们能够更深入地了解其物理化学性质，为其在化学传感器、光电器件、太阳能电池、发光二极管和光催化等领域的应用提供科学依据和实验数据。
浅谈ZnO薄膜的制备方法及其表征
空 的真空室 中通 入氩气 ， 氩气受 到强大 电场 的作 用 ， 被 电离 成 电子和正离 子 ， 在 电磁场 的作用 下带 电粒 子都会 发生运 动 ， 会 在靶材 附近发生 碰撞 ，。同时 正离子 在 电场 的作用下 ， 速度 被加 速 到
薄膜 方块电阻与薄膜 电阻率 的关系为 ： Ｐ：ｐ ｄ 。 所 以只要 测得 薄膜 厚度 ｄ就可 以通过 四探针测得 薄膜 的电阻率 。
当薄膜与衬底之间有 Ｐ—ｎ结 隔离 ， 或者 薄膜 电阻 率与衬 底 电阻率 相差很多时 ， 可以利用 四探针 来测量薄膜 的 电阻率 ，
所 以它还 是有一定的使用范 围的。
（ ｕ ｈ ｖ ） ＝ （ 砌 一Ｅ ）
化锌为直接 带隙半导体 ， 吸收系数 Ｏ ／ 满足方程式 ：
是 由安徽嘉 硕真空科 技 有限公 司 生产 的 Ｊ Ｓ Ｄ一３ ０ ０磁控 溅 射 镀膜机 。它 的基本原 理为 ， 将靶材 置于设 备 中的永久磁 铁 中， 这样靶材 的表面被 置于一 个很 强 的磁场 中， 与设 备 中通有 的
其原理是 改变探针与样品之间 的距 离来感测 来 自样 品表面 的 排斥力 以及 吸引力 ， 具体 的操 作是 把探 针放在 靠近样 品表面 的位置 ， 探针会感受到来 自样 品的吸引力 ， 当继续 减小探 针与
样 品之间的距 离时 ， 探 针会感 受 到来 自样 品 的排斥 力慢 慢变 强， 探 针一般会 由硅化 物与 针悬 臂 （ ｃ ａ ｎ ｔ ｉ ｌ ｅ ｖ ｅ ｒ ） 一 体成 型粘 连
２ ． ４ 四探 针 法
以较高 的动能脱 离靶 面 ， 然后在衬底 上沉 积成膜 。
２ 薄膜 的结 构及 性能 的表 征 方法
２ ． １ Ｘ射 线衍 射 分 析
p型zno薄膜的制备及特性研究
p型zno薄膜的制备及特性研究近年来，由于其特殊的光学性质，氧化锌（ZnO）受到了越来越多的关注，它的应用已经从传感器、新能源材料、光学元件到器件都发挥了重要作用。
见的ZnO薄膜主要有N型和P型，其中P型ZnO薄膜具有较大的电子迁移率，可以抑制有害物质的排放，减少对环境的污染。
此，P型ZnO薄膜的制备和性能研究受到了越来越多的关注。
P型ZnO薄膜的制备主要采用两种方法：一种是光热气相沉积（MOCVD）法，一种是溶胶-凝胶法（SG method）。
者可以获得较大晶格间隙的P型ZnO薄膜，而后者则具有低成本和易于操作的优势。
制备过程中，需要进行温度、氧含量和非晶转移率的控制，以确保P型ZnO薄膜的性能。
P型ZnO薄膜的性能取决于其结构。
的结构包括了结晶度、飞秒态、晶格尺度和缺陷密度等。
究发现，随着温度增加，P型ZnO薄膜的晶格尺度和结晶度也会增加，而缺陷密度会降低。
果在这个过程中注入的氧气的浓度足够高，那么可以减少ZnO薄膜的缺陷密度，从而提高它的电子迁移率。
在特性研究方面，P型ZnO薄膜在光学领域表现出良好的表现，它具有较高的发射效率和可见性，也具有较高的迁移率。
在电学性能方面表现出色，具有较高的隧穿电阻和抗氧化性能，能够抵抗氧化剂的影响。
外，也可以用来制备柔性薄膜，并具有良好的稳定性。
以上是关于P型ZnO薄膜的制备和性能的研究，它们在很多领域都有着重要的应用，比如光器件、传感器、新能源材料以及电子器件等。
未来，研究者将会继续完善P型ZnO薄膜的制备工艺，并不断改善其性能，从而推动P型ZnO薄膜在相关领域发挥更大作用。
总之，P型ZnO薄膜具有良好的光学性能和电学性能，同时具有良好的稳定性，可用于传感器、新能源材料、光学元件和器件制备等领域。
此，P型ZnO薄膜的制备和性能研究对可持续发展和环境保护具有重要意义。
ZnO薄膜的制备与性能研究
ZnO薄膜的制备与性能研究ZnO是众所周知的一种半导体材料，近年来，它的应用领域不断扩大，包括光电技术、传感器技术、气敏技术、生物技术等领域。
其具有较高的透明度、电阻率、热稳定性和高电子迁移率等优异特性，使得其在各个领域中拥有巨大市场前景。
在这些应用中，ZnO薄膜则是ZnO材料的重要组件之一。
本文主要探讨ZnO 薄膜的制备及其性能研究。
一、ZnO薄膜制备方法1.溶胶-凝胶法ZnO薄膜制备的一种常见方法为溶胶-凝胶法。
该方法主要涉及将预先制备好的ZnO溶胶放置于合适的基底上，然后通过热退火的方式完成ZnO薄膜的制备。
使用该方法，可以获得良好的薄膜质量和较大的薄膜面积，同时可以随意控制薄膜厚度。
2.物理气相沉积法物理气相沉积法是ZnO薄膜制备中最常用的方法之一。
其主要通过采用物理气相沉积设备将高温气体通入反应室，然后将蒸汽通过传输管道沉积在基底上完成ZnO薄膜的制备。
该方法具有制备ZnO晶体中空气杂质较少、晶粒精细等显著的优点。
3.MBE法MBE法是利用分子束外延设备在超高真空环境下生长晶体的方法。
该方法制备的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量。
然而，需要难以实现的极限条件，如超高真空环境和较高的晶体表面温度。
二、ZnO薄膜性能研究1.光电性能ZnO薄膜是光学和电学交叉的半导体薄膜。
关于ZnO薄膜的光学性能，已有许多研究。
例如，有研究人员证实了ZnO条纹薄膜在光学上具有比等宽薄膜更高的透射比，这是由于条纹薄膜的形态依赖性的折射率引起的。
此外，ZnO薄膜具有优越的光电转换性能，可用于太阳能电池、传感器等领域。
2.气敏性能ZnO薄膜的气敏性能是其另一个重要的应用领域，具有广泛的市场前景。
研究表明，ZnO薄膜的气敏性能受到薄膜厚度、沉积温度和掺杂类型等多个因素的影响。
例如，掺杂ZnO薄膜的气敏性能不仅可以提高灵敏度，还可以增加电阻率等方面的特性。
3.化学性质关于ZnO薄膜的化学性质，研究人员通常需要从其表面性质、表面反应等多个方面进行分析。
ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究
山东建筑大学硕士学位论文
关键词：ＺｎＯ薄膜，射频磁控溅射，光波导，Ｘ一射线衍射，ｃ轴取向
山东建筑大学硕士学位论文
Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＺｎＯ Ｆｉｌｍｓ
ＡＢＳＴＲＡＣＴ
Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ（ＺｎＯ）ｉｓ ａｎ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ＩＩ－ＩＶ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｗｉｔｈ ａ ｗｉｄｅ ｄｉｒｅｃｔ ｂａｎｄ ｇａｐ ｏｆ ３．３ｅＶ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ａ ｌａｒｇｅ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｂｉｎｄｉｎｇ ｅｎｅｒｙ ｏｆ ６０ｍｅＶ．ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ ｈａｖｅ ｍａｎｙ ｒｅａｌｉｚｅｄ ａｎｄ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｉｎ ｍａｎｙ ｆｉｅｌｄｓ， ｓｕｃｈ ａｓ ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ ｄｅｖｉｃｅｓ，ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ，ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ，ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ，ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｄｅｖｉｃｅｓ，ｇａｓ ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ ｐｌａｎａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ，ｅｔｃ，ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅｉｒ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．Ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ，ｗｉｔｈ ｗｉｄｅｓｐｒｅａｄ ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ ｉｎ ｓｈｏｒｔ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅｓ，
ZnO薄膜的制备及其热辐射性能研究
Ｚ Ｏ 薄 膜 的制 备 及 其 热 辐 射 性 能 研 究 ｎ
张 杨 １ 陈 宏 。 赵 淑金 王 涛
（． 木斯 大 学 材 料 科 学与 工 程 学 院 ，黑 龙 江 佳 木 斯 １４０ １佳 ５０７； ２ 江 苏大 集 团有 限公 司 ，江 苏 南 京 ２ １１） ． １１２
Ｄ ｅ ｒ ｍｅ ｆＭ ａ ｅ ｉ ｌ ｃ ｅ ｃ ｎ ｇ ｎｅ ｒｎ ， ｉ ｍ ｕ ｉ Ｕｎ ｖ ｒ ｉｙ Ｊ ａ ｕ ｉ ４ ０ ，Ｃｈｉ ａ ｐａ ｔ ｎｔｏ ｔ ｒａ ｓ Ｓ ｉ ｎ ｅ ａ ｄ Ｅｎ ｉ ｅ ｉ ｇ Ｊ ａ ｓ ｉ ｅ ｓｔ ， ｉ ｍ ｓ １ ０ ７ ５ ｎ ；
２ ＪａｇｕＭｏ ｎ ｏ ｒｕ ｏ Ｌｄ， ｎｉ １１２ Ｃ ｉａ ． ｉ ｓ ｕ ＴｐＧ ｏ ｐＣ ． ｔ． ｎ ， Ｎａｊ ｇ ２ １１， ｈｎ） ｎ
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