(整理完)电子技术专科网上作业题及参考答案(电气专业)
电工电子技术测试题(含答案)
电工电子技术测试题（含答案）一、单选题（共37题，每题1分，共37分）1.在有线广播中的扬声器多数是采用( )扬声器。
A、号筒式高音B、电动纸盆式C、舌簧D、压电正确答案：A2.视频信号画面的像素数量D1指( )A、352 X 288B、704 X 576C、720 X 576D、1280 X 720正确答案：C3.属于集中控制方式的网络拓朴结构是( )。
A、树型结构B、总线结构C、环型结构D、星型结构正确答案：D4.以下数字码型中,不具备一定的检测差错能力码为( )。
A、NRZ码B、CMI码C、AMI码D、HDB3码正确答案：A5.100W扩音机输出阻抗是( )。
A、50欧B、36欧C、30欧D、60欧正确答案：B6.在设备ZXR路由2842路由器时COM口的速率应设置为( )A、6400B、9200C、57600D、115200正确答案：B7.纳入IP数据网的红外故障,IP网管机房人员要利用PING命令在( )内判断出故障区段,是属于IP网络故障还是地区接入或终端故障。
A、10分钟B、2分钟C、3分钟D、5分钟正确答案：D8.(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。
A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案：C9.视频会议终端设备的视频源切换属于( )检查项目。
A、月B、半年C、旬D、季正确答案：D10.扩音机开关置窄带时适用播放( )。
A、音乐B、语言C、录音D、扩音正确答案：B11.软件环回有( )。
A、外环回B、外环回,内环回C、设备环D、硬件环回正确答案：B12.路由器运行于OSI模型的( )。
A、传输层B、网络层C、应用层D、数据链路层正确答案：B13.在下列各网络结构中,共享资源能力最差的是( )。
A、总线结构B、网状结构C、星型结构D、树型结构正确答案：C14.MP板为系统主处理板,M灯亮表示此板为( )。
电工电子技术与技能题库及参考答案
电工电子技术与技能题库及参考答案一、多选题（共50题，每题1分，共50分）1、下列说法正确的有( )。
A、电感的国际单位是亨(H)B、电感器可以是有铁心的,也可以是空心的C、在同等条件下,电流的变化率越大,自感电动势也越大D、对同一线圈来说,空心的电感越大正确答案：ABC2、下列属于手动电器的是( )。
A、组合开关B、闸刀开关C、空气断路器D、按钮正确答案：ABD3、电感器在电路中的作用有( )等。
A、滤波B、陷波C、延迟D、振荡正确答案：ABCD4、线性电感L的容量与哪些因素有关( )。
A、线圈的形状B、线圈的匝数C、电流的大小D、线圈的大小E、铁心材料正确答案：ABDE5、在生产和生活中,应用电流的热效应的有( )。
A、电熨斗B、熔断器C、电烙铁D、继电器线圈正确答案：ABC6、下列说法正确的有( )。
A、某元件电流和电压实际方向相反,该元件输出功率,是电源B、某元件电流和电压实际方向一致,该元件输出功率,是电源C、某元件电流和电压实际方向相反,该元件吸收功率,是负载D、某元件电流和电压实际方向一致,该元件吸收功率,是负载正确答案：AD7、正弦交流电的表示方法有( )。
A、波形图表示法B、解析式表示法C、旋转矢量表示法D、瞬时值表示法正确答案：ABC8、在RLC串联电路中,可以产生谐振的是( )。
A、XL=XCB、WL=1/WCC、UL=UCD、QL=QC正确答案：ABCD9、在三相异步电动机正反转控制电路中互锁的方法有( )。
A、机械互锁B、自带互锁C、电气互锁D、双重互锁正确答案：ACD10、变压器作用是( )。
A、电压变换B、阻抗变换C、频率变换D、交电流变换正确答案：ABD11、下列关于三相电源说法错误的是( )。
A、它们的周期不同B、它们同时到达最大值C、它们达到最大值的时间依次落后1/3TD、它们的最大值不同正确答案：ABD12、电容器的成品上一般都标注的有( )。
A、允许误差B、标称容量C、额定工作电流D、额定工作电压正确答案：ABD13、变压器的功率损耗主要是( )。
(整理完)电子技术本科电气化专业网上作业题参考答案20121204
东北农业大学网络教育学院电子技术本科网上作业题半导体器件参考答案一、判断题1．×2．×3．×4．×5．√6．√7．×8．×9．√10．√11．×12．×13．×14．√15．×16．√17．×18．√19．×20．√21．×22．×23．×24．√25．×26．√27．√28．×29．√30．×31．×32．×33．√34．×二、选择题1．A 2．B 3．C 4．B 5．C 6．B 7．B 8．A 9．B 10．B11．B 12．A 13．C 14．B 15．C 16．B 17．B 18．C 19．C 20．B21．B，A，C 22．B 23．B 24．B 25．B 26．C，D三、填空题1．导体，绝缘体2．自由电子，空穴3．单向导电，大，小4．正，负5．正向，反向，0.7V，0.3V6．电子，空穴7．发射，基，集电，E、B、C8．正向，反向9．集电结，发射结10．PNP，NPN，NPN，PNP11．发射，集电12．I E＝I B+I C，交流电流放大系数，β13．0.3V，0.1V14．0.7V，0.3V15．反向，零16．输入特性，输出特性17．减小，不稳定18．放大，饱和，截止19．0.3V，0.7V半20．N，N，P21．0.12mA22．锗，低，硅，高23．正向电流—电压，U BE的增量，I B的增量24．反向击穿25．R＝U／I，减小26．r=ΔU／ΔI，也要改变27．集电极，发射极，少数载流子，而增大28．U CE ，最大，而减小29．最大，一半30．负，正31．击穿，稳压32．发射，集电33．集电极电流，基极电流，βI B，恒流34．栅极，源极，漏极，很大35．电子，空穴四、计算题1．二极管V反偏截止I V＝0mA根据KVL得10＝I V R十U VU V＝10V2．R＝U／I＝1／0.04＝25Ωr＝ΔU／ΔI＝0.8／0.02＝40Ω3．(a)二极管反偏截止，回路电流为零，3kΩ电阻上无压降，U AB＝6V (b)二极管正偏导通，理想二极管的正向管压降为零，U AB＝6V4．V1、V2导通，V3截止R AB＝(R1// R3)十R4十R5＝5Ω5．I B＝I E－I C＝2.02－2＝0.02mAβ＝I E/I B＝1006．V1和V2正偏导通，管压降0.7VV B＝V A十2×0.7＝2.3十1.4＝3.7VU AB＝V A一V B＝2.3一3.7＝一1.4V7．(a)V导通，V O＝—3V(b)V截止，V O＝—6V(c)V1导通，V O＝0V 0，V2截止(d)V2优先导通，V O＝—3V，V1截止五、作图题1．见答图2．见答图3．见答图4．见答图5．见答图6．见答图单级交流放大电路答案一、解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× 二、 1、解：（a ）不能。
(完整版)电工电子技术试题(含答案)
一选择题：1、理想二极管的反向电阻为（ B ）。
A 零B 无穷大C 约几百千欧D 以上都不对1.在换路瞬间，下列各项中除( B )不能跃变外，其他全可跃变。
(a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流4.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ D ）。
(A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率(C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压V t u BC )180sin(2380-=ω，则相电压=C u （ D ）。
(a)V t )30sin(2220-ω (b) V t )30sin(2380-ω(c) V t )120sin(2380+ω （d ）30)t ω+o 6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同(f1>f2)的两电源下，此时线圈的磁通Φ1和Φ2 关系是( B )。
(a)Φ1 >Φ2 (b)Φ1<Φ2 (c)Φ1=Φ27.一负载电阻为RL ，经变压器接到内阻R0＝800Ω的电源上，变压器原、副绕组的额定电流为2A ／20A ，若使从变压器原绕组看进去的等效负载电阻RL ′＝R0时，则RL 等于（ B ）(a) 0.8Ω (b) 8Ω (c) 80Ω (d) 800Ω1、3Ωk的电阻中通过2mA的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。
A、10VB、6mVC、1.5VD、6V2、有一额定值为5W 500Ω的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。
A、2500B、100C、1D、0.13、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V 的电源上，则取用的功率为（ B ）W。
A、125B、250C、500D、10001. 稳压管起稳压作用，是利用它的（ D ）。
A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性2.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则该负载的视在功率为（ c ）。
大专电工电子技术考试试题及答案
大专电工电子技术考试试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 以下哪个元件是电流的通路？A. 开关B. 电阻C. 电感D. 电容答案：A2. 在交流电路中，电流和电压的相位关系是：A. 同相B. 反相C. 正交D. 随机答案：C3. 欧姆定律的公式是：A. V = IRB. V = I/RC. I = V/RD. I = VR答案：C4. 以下哪个不是半导体材料？A. 硅B. 锗C. 铜D. 砷化镓答案：C5. 晶体管的放大作用是通过控制哪个极的电流来实现的？A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 栅极答案：B6. 整流电路的作用是将交流电转换为：A. 直流电B. 交流电C. 脉冲电D. 正弦波答案：A7. 以下哪个不是电磁波的传播方式？A. 反射B. 折射C. 衍射D. 吸收答案：D8. 以下哪个是数字信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 线性变化D. 非线性变化答案：B9. 以下哪个是模拟信号的特点？A. 离散变化B. 连续变化C. 线性变化D. 非线性变化答案：B10. 以下哪个不是电子电路的组成元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 电池答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是电磁波的特性？A. 反射B. 折射C. 衍射D. 吸收答案：ABCD2. 以下哪些是数字电路的基本逻辑门？A. 与门B. 或门C. 非门D. 异或门答案：ABCD3. 以下哪些是模拟电路的基本元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：ABC4. 以下哪些是晶体管的类型？A. NPNB. PNPC. N型D. P型答案：AB5. 以下哪些是整流电路的类型？A. 半波整流B. 全波整流C. 桥式整流D. 倍压整流答案：ABCD三、判断题（每题1分，共10分）1. 电流的方向是从正极流向负极。
（对）2. 欧姆定律适用于直流电路和交流电路。
（错）3. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
电子技术及实训模拟题(附参考答案)
电气设备及主系统判断模拟练习题与参考答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1、直流电弧电压中，端部靠近触头的区段，导电率高，电位梯度大。
（）A、正确B、错误正确答案：B2、开关电器包括断路器、隔离开关、负荷开关和电抗器等。
（）A、正确B、错误正确答案：B3、计算电流互感器二次侧负荷容量时，应考虑二次负载电阻、二次导线电阻、接触电阻等所有电阻。
（）A、正确B、错误正确答案：A4、带有接地闸刀的隔离开关操作时必须先闭合隔离开关，后断开接地闸刀；先闭合接地闸刀，后断开隔离开关。
（）A、正确B、错误正确答案：B5、当电气设备一相绝缘损坏而与外壳相碰发生接地短路时，接地电流可以通过接地体向大地四周流散，形成半球形的电流场。
（）A、正确B、错误正确答案：A6、间隔将设备故障的影响限制在最小的范围内，以免波及相邻的电气回路。
（）A、正确B、错误正确答案：A7、单母接线的可靠性比双母接线高。
（）A、正确B、错误正确答案：B8、导体的对流散热量和导体的比热容有关。
（）A、正确B、错误正确答案：B9、分裂电抗器正常运行时，要求两臂母线的电压波动不大于母线额定电压的5%。
（）A、正确B、错误正确答案：A10、目前，核电站主要是利用核裂变反应释放能量来发电。
（）A、正确B、错误正确答案：A11、一般发电厂中都是用事故保安电源兼做备用电源。
（）A、正确B、错误正确答案：B12、除另有规定外，由发电厂、变电所区域内引出的铁路轨道不需要接地。
（）A、正确B、错误正确答案：A13、无母线接线形式的进出线一般比较多。
（）A、正确B、错误正确答案：B14、发电机断路器应具有开断非对称短路电流的能力、关合额定短路电流的能力和开断失步电流的能力。
（）A、正确B、错误正确答案：A15、110kV及以上的裸导体，应按晴天不发生全面电晕的条件校验，裸导体的临界电晕电压U。
应不高于最高工作电压。
（）A、正确正确答案：B16、为满足机械强度要求，电流互感器二次侧导线，一般要求铜线截面不得小于1.5mm²；铝线截面不得小于2.5mm²。
电子技术及实训习题库及参考答案
电子技术及实训习题库及参考答案一、单选题（共50题, 每题1分, 共50分）1、射极输出器的特点之一是, 具有(____)。
A.很大的输出电阻；B.很大的输入电阻；C.与共射极电路相同；D.输入、输出电阻均不发生变化正确答案: B2、单相桥式整流电路中, 负载RL承受的是整流变压器二次绕组的(____)。
A.全部电压；B.一半电压；C.三分之一电压；D.四分之一电压正确答案: A3、稳压二极管的动态电阻越小, 稳压性能（ )A.不稳定；B.越差；C.越好；D.不确定正确答案: C4、单相桥式整流电路中, 二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/2；B.1/5C.1/4；D.1/3；正确答案: A5.差模输入信号是(____)。
A.大小相反、极性相同B.大小相等、极性相同；C.大小相反、极性相反；D.大小相等、极性相反；正确答案: D6、稳压二极管是一个可逆击穿二极管, 稳压时其两端电压必须（）,它的稳压值Uz才有导通电流。
A.反偏；B.正偏；C、小于D.大于；正确答案: D7、工作在放大区的某三极管, 基极电流从20微安减小到10微安时, 集电极电流从1.5毫安变为1毫安, 其电流放大系数β约为(____)。
A.10；B、25C.100；D.50；正确答案: D8、在本征半导体中掺入适量的(____)价元素, 可以形成 N 型半导体。
A、7B、5；C、3；D、1；正确答案: B9、三极管的电流放大系数由三极管的（）决定。
A.射极电流；B.集电极电流；C.工艺结构D.基极电流；正确答案: C10、三极管的电流放大系数β表明(____)极电流对(____)极电流的放大能力。
A.基, 集电；B.集电, 基C.集电, 发射；D.基, 发射；正确答案: B11、单相桥式整流中, 每个二极管导通的时间是(____)周期。
A.1/4；B.1/3C.1/6；D.1/2；正确答案: D12.差模信号是大小（）的两个信号。
国开(中央电大)专科《电子电工技术》网上形考、机考试题及答案
国开(中央电大)专科《电子电工技术》网上形考、机考试题及答案国开(中央电大)专科《电子电工技术》网上形考、机考试题及答案说明：资料适用于国开电大机电一体化技术、数控技术和数控技术(机电方向)专科学员国开平台网上形考，包含形考任务平时作业1至4的试题及答案；同时也是期末机考的重要资料。
平时作业一试题及答案一、选择题1.图1-1所示的电路中，电流I为()。
图1-1[答案]5A2.图1-2所示电路中，电压Uab的数值是()。
图1-2[答案]10V3.图1-3所示的电路中，电流表的正、负接线端用“+”、“?”号标出，现电流表指针正向偏转，示数为10A，有关电流、电压方向也表示在图中，则()正确。
图1-3[答案]I1=10A，U=12V4.图1-4所示的电路中包含()条支路，用支路电流法分析该电路，需要列写()个方程。
图1-4[答案]5，35.用叠加定理分析电路时，当其中一个电源单独作用时，其他电源应置零，即电压源()、电流源()。
[答案]短路，开路 6.已知电路某元件的电压u和电流i分别为u=10cos(ωt+20°)V，i=5sin(ωt+110°)A，则该元件的性质是()。
[答案]电阻7.在RLC串联电路中，如果调大电感，则电路()。
[答案]感性增强8.在三相电路中，三相对称负载为星形连接，三个线电流均为4A，则中线电流为()。
[答案]0A二、判断题9.电路中电流的实际方向是电位降低的方向，可据此来判别电流源或电压源上电流或电压的关联性。
[答案]对10.两种电源模型的等效变换只是对相同的外部电路而言，对电源内部是不等效的。
[答案]对11.基尔霍夫定律的理论依据是电荷守恒定律及能量守恒定律，对电路中各元件的种类、性质需加以限制。
[答案]错12.叠加定理是用来分析计算线性电路中的电压、电流和功率的。
[答案]错13.在交流电路中，为了研究多个同频率正弦量之间的关系，常常选择其中的一个作为参考，称为参考正弦量。
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东北农业大学网络教育学院电子技术专科网上作业题半导体器件一、判断题1．因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。
( )2．晶体管相当于两个反向连接的二极管，所以基极断开后还可以作为二极管使用。
( )3．P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。
( )4．当二极管加反向电压时，二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。
( )5．二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。
( )6．当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。
( )7．发射结处于正向偏置的晶体管，则其一定是工作在放大状态。
( )8．一般情况下，晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。
( )9．常温下，硅晶体管的U BE＝0．7V，且随温度升高U BE增加。
( )10．二极管正向动态电阻的大小，随流过二极管电流的变化而变化，是不固定的。
（）11．用万用表识别二极管的极性时，若测的是二极管的正向电阻，那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极，另一端是负极。
( )12．N型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。
( )13．在N型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。
( )14．一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
( )15．晶体管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。
( )16．当外加电压为零时，PN结的结电容最小。
( )17．当反向电压小于反向击穿电压时．二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。
( )18．当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流，且U CE小于BU CEO时，晶体管就能安全工作。
( ) 19．晶体管的电流放大系数β值越大，说明该管的电流控制能力越强。
所以晶体管的β值越大越好。
( )20．场效应管和晶体管一样，均为电流控制元件。
( )21．二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。
( )22．当加在二极管两端的电压一定时，流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。
( ) 23．基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流，叫晶体管的穿透电流。
( )24．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，则β增大。
( ) 25．稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。
（）26．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关，I B愈小，输入电阻愈小。
( )27．晶体管的集电极—发射极击穿电压BU CEO的值同工作温度有关，温度越高，BU CEO越大。
( ) 28．晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关，温度升高，R BE、r be都减小。
( )二、选择题1．如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管( )。
A．正常B．已被击穿C．内部断路2．当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于( )。
A．饱和状态B．放大状态 C.截止状态3．当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处于( )。
A．饱和状态B．放大状态C．截止状态4．NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc＝9V，U B＝0．7V，U E＝0V，则该晶体管的工作状态是( )A．饱和B．正常放大C．截止5．当环境温度升高时，二极管的反向电流将( )。
A．增大B．减小C．不变6．在二极管特性的正向导通区，二极管相当于( )。
A．大电阻B．接通的开关C．断开的开关7．用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各电极对地电位是：U B＝4．7V，U C＝4．3V，U E ＝4V，则该晶体管的工作状态是( )。
A．饱和状态B．放大状态C．截止状态8．点接触型二极管比较适用于( )A．大功率整流B．小信号检波C．大电流开关9．用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。
A．R×100Ω或R xl k挡B．R×1Ω挡C．R×10kΩ挡10．如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体称为( )半导体。
A．N型B．P型C．本征11．N型半导体( )，P型半导体( )。
A．带正电B．带负电C．呈中性12．对PN结加反偏电压时，参与导电的是( )。
A．多数载流子B．少数载流子C．既有多数载流子，也有少数载流子13．当晶体管饱和时会发生( )。
A．I C随I B变B．I C不随I B变C．I C随U be变D．Ic随β变14．两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式串联起来，最多可得到的稳压值是( )。
A．二种B．三种C．四种D．五种15．场效应管G—S之间的电阻比晶体管B—E之间的电阻( )。
A．大B．小C．差不多16．场效应管是通过改变( )来控制漏极电流的。
A．栅极电流B．栅源电压C．源极电压D．源极电流17．下列半导体材料中热敏性突出（导电性受温度影响最大）的材料是( )。
A．本征半导体B．N型半导体C．P型半导体18．在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于( )。
A．温度B．杂质浓度C．原本征半导体的纯度19．P型半导体中空穴多于自由电子，则P型半导体呈现的电性为( )。
A．正电B．负电C．电中性20．PN结加上反向电压时，其PN结的宽度(或空间电荷区)会( )。
A．变窄B．变宽C．不变21．使晶体管具有放大作用的外部条件是( )。
A．发射结正偏B．发射结反偏C．集电结正偏D．集电结反偏22．使用晶体管时，下列哪些额定值不能超过?( )A．电流放大系数βB．反向饱和电流I CBO C．反向击穿电压B U CEO D．耗散功率P CM三、填空题1．半导体按导电类型分为（）型半导体与（）半导体。
2．N型半导体主要靠（）来导电，P型半导体主要靠（）来导电。
3．二极管按所用材料可分为（）和（）两类，按PN结的结构特点可分为（）型和（）型两种。
4．PN结的正向接法是P型区接电源的（）极，N型区接电源的（）极。
5．P型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
6．N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
7．晶体管的三个电极分别称为（）极、（）极和（）极，它们分别用字母（）、（）和（）来表示。
8．由晶体管的输出特性可知，它可分为（）区、（）区和（）区三个区域。
9．晶体管是由两个PN结构成的一种半导体器件，其中一个PN结叫做（），另一个叫做（）。
10．晶体管具有电流放大作用的内部条件是：（）区的多数载流子浓度高；（）结的面积大；（）区尽可能地薄；（）结正向偏置；（）结反向偏置。
11．晶体管具有电流放大作用的外部条件是：（）结正向偏置；（）结反向偏置。
12．晶体管的电流放大作用，是通过改变（）电流来控制（）电流的，其实质是以（）电流控制（）电流。
13．硅晶体管的饱和电压降为（），锗晶体管的饱和电压降为（）。
14．硅晶体管发射结的导通电压约为（），锗晶体管发射结的导通电压约为（）。
15．当晶体管处于饱和状态时，它的发射结必定加（）电压，集电结必定加（）电压或（）电压。
16．当晶体管的U CE一定时，基极与发射极间的电压U BE与基极电流I B之间的关系曲线称为（）曲线；当基极电流I B一定时，集电极与发射极间的电压U CE与集电极电流I C的关系曲线称为（）曲线。
17．晶体管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于硅晶体管的穿透电流比锗晶体管（），所以硅晶体管的（）比锗晶体管好。
18．晶体管被当作放大元件使用时，要求其工作在（）状态，而被当作开关元件使用时，要求其工作在（）状态和（）状态。
19．PN结中的内电场会阻止多数载流子的（）运动。
促使少数载流子的（）运动。
20．NPN型晶体管的发射区是（）型半导体，集电区是（）型半导体，基区是（）型半导体。
21．有一个晶体管继电器电路，其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为6mA。
若晶体管的电流放大系数β＝50，要使继电器开始动作，晶体管的基极电流至少应为（）。
22．点接触型二极管因其结电容（），可用于（）和（）的场合；面接触型二极管因其接触面积大，可用于（）的场合。
23．晶体管的输入特性曲线和二极管的（）关系特性相似，晶体管的输入特性的重要参数是交流输入电阻，它是（）和（）的比值。
24．晶体管的输出特性是指（）为常数时，（）与（）之间的函数关系。
25．二极管的直流电阻(即静态电阻)定义表达式为（），如果工作点上移，直流电阻值将（）。
26．二极管的结电容包含两部分：（）电容和（）电容，一般（）电容占主要地位。
27．晶体管的穿透电流I CEO是在基极开路时，由（）流向（）的电流。
它是由—（）产生的，随温度的增高（）。
28．晶体管的集电极发射极击穿电压BU CEO是指基极开路时（）的（）允许电压值，BU CEO随温度的增高（）。
29．半导体中的总电流是（）与（）的代数和。
30．在半导体中，自由电子带（）电，空穴带（）电。
31．理想二极管正向导通时，其压降为（）V；反向截止时，其电流为（）μA。
32．使晶体管处于放大状态的偏置状况是：（）结正偏，（）结反偏。
33．场效应管分（）和（）两大类。
34．场效应管的三个管脚分别称为（）、（）和（）。
它的输入电阻（），这是晶体管与之无法比拟的特点。
35．场效应管中参与导电的载流子，只能是电子或空穴中的一种，NMOS管的载流子是（），PMOS 管的载流子是（）。
四、计算题1．如图所示，设二极管的正向电压降为0．5V，求U A分别为十5V、—5V、0V时，U B的值。
2．某二极管的正向电压为1V时电流为40mA，这时二极管的直流内阻是多少?若又知道正向电压的变化为0．8V时的电流变化为20mA，则二极管的交流内阻是多少?3．在如图所示电路中，当U A＝十10V、U B＝0V时，试求输出端电压U F及各元件中通过的电流。
(设二极管的正向电阻为零，反向电阻无穷大)4．在如图所示电路中，V1、V2、V3均为理想二极管。
A、B两端的等效电阻及R AB应为多少?5．某人测量一只3DG6型晶体管在工作时电极间的直流电压分别为下列三种情况，试判别晶体管分别工作在什么状态?(1) U BE＝0.7V，U BC＝0.4V，U CE＝0.3V；(2) U BE＝0.7V，U BC＝-6V，U CE＝6.7V；(3) U BE＝0V，U BC＝-12V，U CE＝12V。
6．在如图所示电路中，已知V A＝2.3V，V1、V2为硅管，其管压降为0.7V，试估计V B等于几伏?U AB等于几伏?五、作图题1．如图所示电路中，已知u i为幅值8V的正弦波，画出u o波形，其中二极管设为理想二极管。