无线充电发射芯片
浅谈ti无线充电芯片及方案
浅谈ti无线充电芯片及方案无线充电技术发展至今在电子领域已经被深入研究应用，虽然还未曾大范围普及，但在消费电子领域的发展已经取得不错的成绩。
手机厂商也纷纷在自家旗舰机上加入这一革新性的先进充电技术，如三星S6、索尼Xperia Z3+、谷歌Nexus 6、诺基亚Lumia 930 等手机均采用了无线充电技术。
无线电源可在应用中带来实际的系统优势，例如，移除连接器以提高可靠性和耐用性、使系统能够防水以方便清洁并通过提高方便性来提供更好的用户体验。
其他应用则可受益于移除接触点而带来的更高安全性，以及在极具挑战性的接口上传送电力甚至数据的能力。
TI 是无线电源领域久经考验的行业翘楚，可提供广泛的解决方案来支持可穿戴设备、智能手机、汽车、工业和医疗应用。
德州仪器（TI）宣布推出一款支持业界首款全面集成型10 W无线充电解决方案，该解决方案的接收器及相应发送器更为高效，可帮助工业、医疗及个人电子产品的设计人员让设备在摆脱所有连接器的同时，更快、更高效地充电。
此次推出的bq51025和bq500215目前都已投入量产，它们不仅支持防水、防尘以及便携式设计，而且还更快的为1节及2节（1S和2S）锂离子电池充电且不会产生过热。
此外，该充电解决方案还兼容于市场上任何符合5W Qi标准的产品，有助于消费类电子产品可以更为灵活的在比以往更多的地方充电。
10W高效率无线充电Bq51025接收器不仅支持4.5V至10V的可编程输出电压，而且与TI bq500215无线电源发送器相结合，还可在10W功率下实现高达84%的充电效率，从而可显着提高散热性能。
该功能齐备的无线电源接收器解决方案尺寸仅为 3.60 毫米 2.89毫米，可设计应用在众多便携式工业设计方案中，包括零售终端扫描仪、手持式医疗诊断设备以及平板电脑和超级本等个人电子产品。
最新发布的bq500215是一款专用的固定频率10W无线电源数字控制器发送器，兼容于5W Qi接收器。
无线充电芯片方案
无线充电芯片方案近年来，随着电子设备的普及，对电池续航能力的需求逐渐增加。
为了解决传统充电方式中线缆的束缚和使用过程中的不便，无线充电技术应运而生。
无线充电的核心是无线充电芯片，它是实现无线能量传输的关键。
在本文中，我们将探讨几种常见的无线充电芯片方案及其优缺点。
1. 电磁感应充电电磁感应充电是当前应用最广泛的一种无线充电技术。
通过在充电器和设备之间放置一个电磁感应线圈，充电器通过交变电流在线圈中产生交变磁场，进而在设备中的接收线圈中诱导出交变电流，实现能量传递。
电磁感应充电的优点在于成熟稳定，技术成熟且比较成熟。
同时，它可以实现短距离的无线充电，不需要与设备直接接触，使用起来更加便捷。
然而，电磁感应充电存在一些缺点。
首先，效率较低，能量传递时会有一定的损耗。
其次，在移动充电过程中，设备与充电器的相对位置非常重要，稍有偏移可能会导致充电中断。
2. 磁共振充电磁共振充电是一种新兴的无线充电技术，它通过调节发送端和接收端之间的频率，实现能量的传输。
磁共振充电通过将两个磁共振线圈置于充电器和设备之间，在共振频率时，能量传递效率较高。
磁共振充电相对于电磁感应充电具有更高的充电效率，且能适应一定范围内的距离和偏移，克服了电磁感应充电的缺点。
然而，磁共振充电技术在应用中还存在一些问题。
首先，由于频率调节的复杂性，使用磁共振充电需要更加精密的控制系统。
其次，目前的磁共振充电技术在长距离传输和大功率输出方面仍然存在挑战。
3. 射频充电射频充电是一种利用无线射频能量传输进行充电的技术。
发送端通过射频信号产生电场，接收端的天线将电场转化为电能。
射频充电的优点在于能够实现更远的距离传输，而且可以同时为多个设备进行无线充电。
然而，射频充电也存在一些问题。
首先，传输效率相对较低，能量传输过程中会有较大的能量损耗。
其次，射频充电器和设备之间需要较为精确的对位，对于大规模应用来说，布置射频充电设备的成本较高。
总结来说，不同的无线充电技术各有优缺点。
BDR6122T-无线充电专用驱动芯片
1.60 0.90 0.30
Max. 0.80 0.05
0.30
1.65 0.95 0.35
V1.0
11
2017
8 PINS, SOP, 150MIL
BDR6122T
Symbol
A A1 A2 b c D E E1 e L
Notes: 1. Refer to JEDEC MS-012AA 2. All dimensions are in millimeter
V1.0
10
2017
封装资料
8-PIN, DFN
BDR6122T
Symbol
A A1 A3 b D E e D2 E2 L
Note: Refer to JEDEC MO-229
Min. 0.70
0
0.18
1.50 0.80 0.25
Dimensions Nom. 0.75 0.02
0.20 REF 0.25
V1.0
8
2017
典型工作特性
(如无特殊规定，VM=5V, VCC=3V)
BDR6122T
VM Sleep Current (nA)
12 10
8 6 4 2 0
-40 -20 0 20 40 60 80
Ambient Temperature (℃)
VCC Sleep Current (nA)
6 5 4 3 2 1 0
Power Supply
Motor Driver System
VM
Motor Driver
Local Bulk Capacitor
GND
IC Bypass Capacitor
东芝15W无线充电发射器IC之TC7718FTG
东芝15W无线充电发射器IC之TC7718FTG
15W无线充电是什幺概念？
Toshiba东芝推出一款可以输出达15W的无线充电发射器
ICTC7718FTG。
该新IC与微控制器连接，实现符合Qi［1］标准的无线发射器系统。
该标准由无线充电联盟（WPC）制定。
东芝独创的尖端CD-0.13制成可实现小封装和高效率，简化系统集成并且可减少发射器系统所占用的空间。
该新IC可提供15W无线发射器以达到快速为设备充电的要求，其充电速率等于或快于有线充电器。
该新IC可适用于广泛的应用，包括智能手机和平板计算机等移动设备，以及工业设备。
使用此新IC的无线发射器将与使用东芝5W接收器IC TC7764WBG 的接收器系统和使用东芝10W接收器IC TC7765WBG10W的接收器系统兼容，这两款接收器系统均已量产。
再结合符合Qi v1.2标准的15W无线接收器控制IC TC7766WBG，可接收高达15W的功率。
下面让我用数字算给你看：。
idt无线充电芯片及方案介绍
idt 无线充电芯片及方案介绍
IDT 公司致力于为推动全球网络智能信息包处理提供专用通信集成电路产品。
IDT 提供的解决方案适用于中央/边缘、核心/边缘、网络接入点、企业、小型办公室/家庭（SOHO）、数据中心，以及无线网络等领域，以满足智能信息包处理快速增长的需求。
IDT 还致力于为下一代系统提供先进的、兼
具成本效益的半导体解决方案，以满足网络发展的复杂性和扩展的服务范
围。
IDT 充分利用其在软件、硬件和存储技术方面的优势，致力于提供灵活、高度集成的半导体解决方案，以满足目标市场应用和智能信息包处理快
速增长的需求。
IDT 无线充电技术解决方案是一款高集成度、单芯片SOC 解决方案，支持QI LOGO WPC 认证，并且兼容POWERMATE 模式，具有加密通讯，异物检测模式功能。
IDT 无线充电系统。
【CN209282940U】无线充电发射芯片【专利】
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)实用新型专利(10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201920265858.9(22)申请日 2019.03.01(73)专利权人 深圳市净芯科技有限公司地址 518000 广东省深圳市龙岗区南湾街道丹竹头社区康正路48号莲塘工业区3号楼二楼(72)发明人 陆锦荣 郭霄江 邓登辉 (74)专利代理机构 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384代理人 彭西洋 谢亮(51)Int.Cl.H02J 50/10(2016.01)H04B 5/00(2006.01)(54)实用新型名称无线充电发射芯片(57)摘要本实用新型公开一种无线充电发射芯片，包括：振荡模块，用于产生振荡信号；与所述振荡模块连接的整形滤波模块，用于将所述振荡模块产生的振荡信号整形滤波为单一频率的振荡波形；与所述整形滤波模块连接的PWM信号处理模块，用于将所述整形滤波模块输出的单一频率的振荡波形转换成频率相同的方波信号；与所述PWM信号处理模块连接的MOS管模块，所述MOS管模块还与一电感线圈连接，用于根据所述PWM信号处理模块转换的方波信号控制所述电感线圈的充电或放电。
本实用新型通过集成振荡模块和MOS管模块，减少了MCU芯片及芯片外围的整形电路，极大地减少了外围电路的电子器件，简化了电路设计，降低生产成本。
权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 209282940 U 2019.08.20C N 209282940U权 利 要 求 书1/1页CN 209282940 U1.一种无线充电发射芯片，其特征在于，包括：振荡模块、整形滤波模块、PWM信号处理模块和MOS管模块；所述振荡模块包括振荡器和外围振荡电路，用于产生振荡信号；所述整形滤波模块连接所述振荡模块，用于将所述振荡模块产生的振荡信号整形滤波为单一频率的振荡波形；所述PWM信号处理模块连接所述整形滤波模块，用于将所述整形滤波模块输出的单一频率的振荡波形转换成频率相同的方波信号；所述MOS管模块连接所述PWM信号处理模块，所述MOS管模块还连接一电感线圈，用于根据所述PWM信号处理模块转换的方波信号控制所述电感线圈的充电或放电。
Qi标准5V USB供电无线充电主控芯片-WP5010规格书,上海锐灵电子科技有限公司
WP5010，Qi标准5V无线充电器控制IC特色●智能无线电源传输控制●符合Qi标准A5和A11方案，5V供电●动态输入功率调整，适合电脑和笔记本USB口驱动●金属异物检测功能（FOD），使用安全●过压、过温、过流保护●充电状态和故障状态的LED 指应用范围●与Qi兼容的无线充电器-手机和智能电话-手持式设备-工业工具-汽车和其它车辆-桌面充电接口说明WP5010是符合无线充电联盟（WPC）Qi 标准的无线充电器控制IC，实现了单机无线充电器的全部功能。
芯片按照Qi标准1.1版中的A5和A11发射器方案设计，采用5V供电电压。
芯片会自动检测符合Qi标准的接收器，与接收器建立数据通信，并智能管理无线电源传输。
为了增加应用灵活性，设计了动态输入功率调整功能，通过无缝优化首先输入电源上可用功率的使用，大大提高用户体验。
通过持续监测已建立的电源传输效率，WP5010支持金属异物检测，从而防止由于在无线电源传输路径上错误方式金属物体而导致温度急剧上升的状况。
如果在电源传输期间发生任何异常状况，WP5010会自动进行处理并指示，这保证了无线充电的安全性。
功能图和效率曲线电气特性极限参数直流特性（TA=25℃）器件描述功能框图COM1COM2VSNS ISNS TSNS BUZZERPWM1PWM2LEDT1T2ENHB引脚说明No. Name I/O Description应用说明线圈和匹配电容发射器线圈和匹配电容Qi标准已有明确规定，必须按照规定选择线圈和匹配电容，不可随意更改。
WP5010适用于A5和A11方案，请参照Qi标准文档选择所需要的线圈。
匹配电容对发射器的正常工作至关重要。
线圈的匹配电容应为400±5%nF，电容耐压值应不低于50V。
应选择C0G/NPO或相当材质的电容，不推荐使用X7R材质的电容。
由于400nF并不是标准容值，可采用4个100nF电容或者1个180nF和1个220nF电容并联。
sigma_无线充电_20151428
产品介绍
SGD5121SA：无线充电接收端控制芯片
¾ 无线充电接收功能、锂电池充电功能、锂电池保护功能三合一 ¾ 短路保护功能（SCP） ¾ 欠压保护功能(UVLO) ¾ 过热保护功能（OTP） ¾ 过流保护功能（OCP） ¾ 省电模式下，静态电流小于6uA ¾ 100mA充电电流 ¾ 外围电路简单，只需要一个电容，体积小，安装方便 ¾ 无线充电，充电电压检测精度高 ¾ 芯片级ESD达到+/-4KV，可通过业内ESD、EFT、EMI、EMF各项安规测试 ¾ SOT23-6封装
产品介绍
SGD5123EA：无线充电接收端控制芯片
¾ 无线充电接收功能、锂电池充电功能、锂电池保护功能三合一 ¾ 短路保护功能（SCP） ¾ 欠压保护功能(UVLO) ¾ 过热保护功能（OTP） ¾ 过流保护功能（OCP） ¾ 省电模式下，静态电流小于15uA ¾ 300mA充电电流 ¾ 外围电路简单，只需要一个电容，体积小，安装方便 ¾ 无线充电，充电电压检测精度高 ¾ 芯片级ESD达到+/-4KV，可通过业内ESD、EFT、EMI、EMF各项安规测试 ¾ ESOP8封装
产品介绍
SGD5011EA：无线充电发射端控制芯片
¾内置的功率级采用低电阻NMOS FET技术确保高效率与低功耗 ¾ 短路保护功能（SCP） ¾ 欠压保护功能(UVLO) ¾ 过热保护功能（OTP） ¾ 过流保护功能（OCP） ¾ 省电模式下，静态电流小于40uA ¾ 1个LED 充电状态和故障状态指示 ¾充电状态和故障状态的发光二级管(LED)指示 ¾ 芯片级ESD达到+/-4KV，可通过业内ESD、EFT、EMI、EMF各项安规测试 ¾ ESOP16封装
工作原理
工作原理
工作原理
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SGD5020 无线充电发射芯片
版本 1.0
SGD5020 无线充电发射芯片
目录
1. 概述 ...............................................................................................................................3 2. 特性 ...............................................................................................................................3 3. 应用 ...............................................................................................................................3 4. 引脚说明 ........................................................................................................................4 5. 功能模块框图 .................................................................................................................5 6. 封装尺寸图 ....................................................................................................................5 7. 应用电路图 ....................................................................................................................6 8. 电气参数 ........................................................................................................................7 9. 修改记录 ........................................................................................................................7
SGD5020 无线充电发射芯片
7. 应用电路图
VCC
C1 10U
R3 R1 R2
1 2
VDD
3 4
INR1 INR2 INC
GND
8 7
GND SW SW
6 5
C4
SGD5020
D1 1N5819
0R 10K 20K
100P
C3
L1
C2 10U
103
15UH
1、 C3 电容采用耐压 100V 以上的 NPO 电容或者涤纶电容，薄膜电容。 2、 L1 是发射线圈，尽量采用多股线绕制以便减小谐振内阻，根据接收端线圈尺寸去绕制对应尺寸
和形状 3、 C1 电容尽量靠近芯片，到芯片 VIN 和 AGND 的走线尽量短和粗 4、 C3 电容两个焊盘和 L1 线圈两焊盘尽量靠近，走线尽量短和粗 5、 C3 电容一焊盘跟 L1 线圈相连那端，尽量靠近 L1 焊盘，走线尽量短和粗，C3 另外一焊盘尽量
靠近电源进入接地那个焊盘，走线也尽量短和粗 6、 D1 二极管尽量靠近芯片的 SW 和 GND，走线尽量短和粗 7、 R1,R2,C4，这三个器件尽量靠近芯片 8、 R2 和 C4 是调整 SW 端口的频率用，公式是：F=1/(2.7*R2*C4)
定谐振频率，计算公式为：
F=1/(2.7*R*C)
内置功率管的漏端，外部连接并联 LC 谐
SW
振发射线圈
GND
芯片的地
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5. 功能模块框图
VDD
INR1
BandGap
INR2
OSC
INC
6. 封装尺寸图
SOP8
SGD5020 无线充电发射芯片
Bias
SW
DRIVER
GND
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8. 电气参数
SGD5020 无线充电发射芯片
符号 VIN IQ
参数 输入电压 静态电流
SW_Rdson 开关管的导通电阻
SW_ VDS SW_PWM
PD
开关管耐压 开关管频率 功率散耗
工作温度 存储温度
测试条件
SW端口悬空 VDD 电压 4.5V VDD 电压 10V
最小值 3.0
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1. 概述
SGD5020 无线充电发射芯片
目前此款无线充电发射芯片，集成功率驱动，频率控制，外围器件非常精简，采用 COMS 宽电压制 程工艺，具有精度高稳定性好特点。在无线感应充电、供电管理系统应用中可靠性能高和灵活。内部集 成高电压低内阻的功率 NMOS FET，产品上应用更加有优势和效率更高。
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4. 引脚说明
SGD5020 无线充电发射芯片
管脚序号
1 2 3
4 5/6 7/8
管脚名称
VDD
功能描述
芯片的电源
偏置电路设置端口，外接电阻，电阻越小
INR1
偏置电流越大
谐振频率控制端口，与 INC 端口电容决定
INR2
谐振频率
谐振频率控制端口，与 INR2 端口电阻决
INC
60
SOP8 温度范围
-20 -40
典型值 200 95 85
500
最大值 15.0
125 105
200
单位 V uA ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱΩ
V KHZ mW
85
℃
150
℃
9. 修改记录
版本 V1.0
更新日期 2017-2-13
更新内容 原始版本
修改人 WBC
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2. 特性
内置的 PWM 发生器和功率级技术 宽工作电压：3V 至 15V 集成 60V 85 mΩ NMOS FET，确保高效率与低功耗 单片式无线功率发送器 外围器件非常简单，只需几个普通外围器件 PWM 频率精度高稳定性好
3. 应用
电隔离设备 防水产品 美容美肤产品 电动剃须刀 成人用品 鱼缸 手持式仪器 数码产品