能谱分析


光电子能量太低, 早期难以检测。
1954年,西格班将研究 β射线能谱的双聚焦能谱仪 用于分析光电子的能量分布, 发明了高分辨率光电子能谱 仪,并利用各种轰击源系统 测量了各种化学元素的电子 结合能。
西格班开创了光电子能谱学
X-ray Photoelectron Spectroscopy
Electron Spectroscopy for Chemical Analysis
2537 2588
2508 2583
2499
2490 2534
2588
2902 2853
2849 2870
2923
2919
2959
2870
2853 2839
2923 2968 3012
2924 2919 2968
3000
3200
氟碳铈钡矿 氟碳钙铈矿 黄河矿
Kai M. Siegbahn
1918.4.202007.7.20
ESCALAB MK II (1987,英国VG)
能量分析器
外球
偏转 电压
样品
内球
检 测 器
Mg
K 1s 1,303
LI 2s LII 2p1/2 LIII 2p3/2
86.6 49.6 49.2
EK 1253.6eV
MgK
3s 3p1/2
122.5 77.33L12V5.V0
MgK 1253.6eV MIII 3p3/2 75.1
Binding Energy/eV
Eb与元素种类及 其化学状态有关。
X射线光电子能谱分 析法(XPS)是一种根据元 素的化学位移信息,对固 体表面几个纳米厚度的元 素及其化合物,进行定性、 定量分析的方法。
700 750 800 850 900 950
Kinetic Energy/eV
939
935
Cu-LMM
L3VV K 13s35.08,979
L3M23M23 486.0
L3M23V 414.2
LI LII
2s 1096.7 2p1/2 952.3
LIII 2p3/2 932.7
L329MMM52.3II0IV
8.04
8.90
K Cu-EDS K
0 4 8 12 16 20
X Ray Energy/keV
光电效应
电子数 N
光电子 俄歇电子
散射电子能量E
光电子
俄歇电子
918
767 773
839 858847
Cu-LMM
K 1s 8,979
LI 2s 1096.7 LII 2p1/2 952.3 LIII 2p3/2 932.7 MI 3s 122.5 MII 3p1/2 77.3 MIII 3p3/2 75.1
失价
电子,内电 子层紧缩, 结合能随外 层电子空穴 数增加而上 升。
➊氧化(还原)作用中,失(得) 电子数越多,内层电子结合 能上升(下降)的幅度越大;
➋得失电子数相同,所有内 层电子结合能的位移基本相 同。
化学位移
与价态及化 合物有关。
/xps/ ElmComposition.aspx
如 何 检 测 3d5/2
3d5/2 3d3/2 3 p1/2
3 p3/ 2
3d5 / 2 3 p3/ 2
2 p3/2 2s 2 p3/2
它 们
3d3/23s 2 p1/2 1s
1s 2 p1/2 3s 3d3/2
的 能
2 p3/2 2s 2 p3/2
3d5 / 2
量 ?
3 p3/ 2 3d5 / 2
电子显微镜配上
能谱仪,可以在观察 图像的同时,对图像 的某个点、线或面进 行元素分布及其含量 的分析。
EDS 日立S-4800 高分辨场发射SEM
EDS
EDS
EDS
电子束激 发X射线
漂移Si(Li)固体探测器
面 分 析
背散射电子像
Pb
Pr-L
Pr-K
S
Ti
Zn
线 分 析
图像 元素
Scanning Electron Microscope
?
8.04
Cu-EDS
?
8.90
0 4 8 12 16 20
X Ray Energy/keV
8040 8900 eV
Cu K 1s 8,979
LI 2s 1096.7 LII 2p1/2 952.3 LIII 2p3/2 932.7 MI 3s 122.5 MII 3p1/2 77.3 MIII 3p3/2 75.1
1800
2000
116795981717
1792
1845
19181867
2075 2190
2230
1761
1759
1823
1823
1770 1823 1792
1965
2063
2137
2159
2200 2400 2600
Wavenumber / cm-1
2800
2517
2503
2534 2552 2592
Al-2p 74.7 72.65
Al2O3
Al
85 80 75 70 Binding Energy/eV
232.65
3d3 / 2
3d5 / 2
235.85
Mo
MoO3
3.2
235 230 225 Binding Energy/eV
Energy Dispersive X-ray Spectroscopy
能量 分析器
样品 Eb hv Ek
Al
K 1s 1,559 LI 2s 117.6
LII 2p1/2 72.9
LIII 2p3/2 72.5
EK 1486.6eV
AlK
能量 分析器
样品 Eb hv Ek
Eb hv Ek
4f 4d
4 p 4s
5d
原子的内层电子结 合能Eb随元素化学环境 的变化而变化,这种现 象称为化学位移。XPS根 据化学位移信息,确定 元素的化合状态。
3 p3/ 2 3 p1/2 3d3/2 3d5/2
Kai Manne Börje
Siegbahn (1918.4.202007.7.20)
XPS法由瑞典皇家科 学院院士、乌普萨拉 (Uppsala)大学物理研 究所所长K.Siegbahn 教授创立。
光电子的能 量与物质状态 有何关联?
光电效应
ESCA为探测物质结 构提供了精确的方法。
Winners of the 1981 Nobel Prize in Physics
Nicolaas Arthur Leonard Bloembergen Schawlow 1/4 of the prize 1/4 of the prize
1/2 of the prize
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能谱分析

能谱分析

1.俄歇电子产额

K
俄歇电子产额或俄歇跃迁几率 决定俄歇谱峰强度,直接关系 到元素的定量分析。俄歇电子 与特征X射线是两个互相关联和 竞争的发射过程。对同一K层空 穴,退激发过程中荧光X射线与 俄歇电子的相对发射几率,即 图13-1 俄歇电子产额与原子序数的关系 荧光产额(K)和俄歇电子产额 由图可知,对于K层空穴Z<19,发射俄歇 ( K )满足 电子的几率在90%以上;随Z的增加,X射 =1-K (13-1)
图13-5 俄歇电子能量图
主要俄歇峰的能量用空心 圆圈表示, 实心圆圈代表每个元素的 强峰
定性分析的一般步骤:


(1)利用“主要俄歇电子能量图”,确定实测谱中最强峰可能对应的几 种(一般为2、3种)元素; (2)实测谱与可能的几种元素的标淮谱对照,确定最强峰对应元素的所 有峰; (3)反复重复上述步骤识别实测谱中尚未标识的其余峰。 注意:化学环境对俄歇谱的影响造成定性分析的困难(但又为研究样 品表面状况提供了有益的信息),应注意识别。
图2-8 Ag的光电子能谱图 (Mg K激发)
二、X射线光电子能谱仪

主要组成部分:X光源(激发源), 样品室,电子能量分析器和信 息放大、记录(显示)系统等组 成。
图13-9 (X射线)光电子能谱仪方框图
三、X射线光电子能分析与应用





1.元素(及其化学状态)定性分析 方法:以实测光电子谱图与标准谱图相对照,根据元素特征峰位置 (及其化学位移)确定样品(固态样品表面)中存在哪些元素(及这些元素 存在于何种化合物中)。 常用Perkin-Elmer公司的X射线光电子谱手册 定性分析原则上可以鉴定除氢、氦以外的所有元素。 分析时首先通过对样品(在整个光电子能量范围)进行全扫描,以确定 样品中存在的元素;然后再对所选择的峰峰进行窄扫描,以确定化学 状态。

能谱分析仪

能谱分析仪

能谱分析仪(EDS)能谱分析仪(EDS)是微区成份分析的主要手段之一。

通常EDS检测限为0.1%-0.5%(元素含量)。

EDS的能量分辨率:~130eV。

图1 EDS1、主要有以下特点:1)、能快速、同时对各种试样的微区内Be-U的所有元素,元素定性、定量分析,几分钟即可完成。

2)、对试样与探测器的几何位置要求低,可以在低倍率下获得X射线扫描、面分布结果。

3)、能谱所需探针电流小:对电子束照射后易损伤的试样,例如生物试样、快离子导体试样、玻璃等损伤小。

4)、检测限一般为0.1%-0.5%,中等原子序数的无重叠峰主元素的定量相误差约为2%。

2、EDS分析方法----点分析法电子束(探针)固定在试样感兴趣的点上,进行定性或定量分析。

该方法准确度高,用于显微结构的成份分析,对低含量元素定量的试样,只能用点分析。

图2 某试样EDS点分析3、EDS的分析方法-线扫描分析电子束沿一条分析线进行扫描时,能获得元素含量变化的线分布曲线。

结果和试样形貌像对照分析,能直观地获得元素在不同相或区域内的分布。

图3 某试样线扫表分析4、EDS的分析方法-面分布电子束在试样表面扫描时,元素在试样表面的分布能在屏幕上以亮度(或彩色)分布显示出来(定性分析),亮度越亮,说明元素含量越高。

研究材料中杂质、相的分布和元素偏析常用此方法。

面分布常常与形貌对照分析。

图5-a 某试样EDS检测(未镀膜)图5-b 某试样EDS检测(镀膜)5、定量分析对试样的要求1)样品在真空和电子束轰击下要稳定;2)高准确度的分析时,要求试样分析面平、垂直于入射电子束;图6 不同入射角度对比图3)试样尺寸大于X射线扩展范围;4)有良好的导电和导热性能;不导电试样或者导电性差的试样,例如无机非金属材料、有机材料、矿物及生物材料等,在常规SEM/EDS分析条件下会产生如下现象:(1)、荷电现象(电荷积累);(2)电子束不稳定,无法确定分析点或者分析点漂移。

(3)、图像质量差(图像畸变、衬度和亮度异常),试样经常放电或者无法成像。

电子能谱分析

电子能谱分析

2.3.2 XPS仪器 仪器结构框图与AES相似,差别在于探针不同。xray源为x光管,常用铝靶或镁靶作为X光管的靶材 料。
对于Al靶的Kα为1.49Kev,半宽度为0.68 ev ; Mg靶的Kα为1.25Kev,半宽度为0.83 ev。
2.3.3应用 1 定性分析 月球土壤
2 定量分析 聚四氟乙烯定量分析
3 表面的电子结构与体内原子结构不同。
每个原子/离子在体内的都是有规律地排布,从空 间上讲是电子处于一种平衡状态,而表面原子从空 间分布上至少是缺一个方向的平衡(面、棱、角), 电子云的分布也不相同。因此,表面的原子比体内 原子活性更大。
2.1.3表面分析方法
表面分析方法是借助于某种“探针”,通过“探针” 与物质的表面作用,从而获得有关表面的信息的分 析方法
定量分析方法常用相对灵敏因子法(归一化法)
ci—第i种元素的摩尔分数(相对值);Ii——AES 信号强度;Si——相对灵敏度因子(与Ag相比,可 查到)
3 实际应用举例
Element O V Au Si Na
Wt% 39.77 60.23 11.32 22.89 02.06 At% 67.76 32.24 01.74 24.66 02.71
退激发的方式有两种:一种是发射特征X-ray; 另一种是较外层电子向空穴跃迁,退激发的能量 使外层电子克服结合能脱离原子,发射出来的电 子被称为俄歇电子。
2.2.2俄歇电子能谱(AES)基本原理
1 俄歇过程命名法
俄歇过程涉及到三个能级,分别用Wi、Xp、Yq表示。其 中W表示产生空穴的主能级,i表示次能级。X表示向空穴 跃迂电子的主能级,p表示次能级;Y为发射俄歇电子的 主能级,q表示次能级 。 命名:以空穴所在电子层命名俄歇系 K系列—空穴在K层; L系列—空穴在L层

能谱分析报告

能谱分析报告

能谱分析报告背景介绍能谱分析是一种基于光谱学原理的分析方法,通过研究物质与电磁波的相互作用来获取物质的结构和性质信息。

能谱分析技术广泛应用于化学、物理、生物学等领域,对于研究物质的组成、结构和反应机制具有重要意义。

实验目的本实验旨在通过能谱分析的方法,研究样品A的结构和组成,并通过结果分析得出结论。

实验步骤1.实验前准备:–准备样品A并进行适当的处理。

–打开能谱分析仪器,并进行预热和校准。

2.实验操作:–将样品A放置在能谱分析仪器中进行测试。

–调整仪器参数,如加速电压、放大倍数等。

–开始数据采集和记录,保持稳定的测试条件。

3.数据处理:–导出能谱数据,并进行相关的数据处理和分析。

–绘制能谱图,并分析图中的峰值和特征。

–根据能谱图的结果,推断样品A的组成和结构特点。

4.结果与讨论:–结合实验数据和已有知识,对样品A的组成和结构进行深入分析和讨论。

–比较样品A与已知物质的能谱数据,寻找相似性和差异性。

–探讨样品A可能的化学反应和性质。

5.结论:–综合实验结果和讨论,得出关于样品A结构和组成的结论。

–提出进一步研究的方向和可能的应用领域。

结果分析通过能谱分析实验,我们获得了样品A的能谱图,并对其进行了详细的分析和讨论。

根据能谱图中的峰值和特征,我们得出了以下结论:1.样品A的能谱图显示出若干明显的峰值,表明样品中存在不同的化学成分。

2.样品A的能谱图与已知物质的能谱数据存在相似性,表明样品A可能含有某些已知成分。

3.样品A的能谱图中出现了特殊的峰值,表明样品中可能存在一些特殊的结构或化学反应。

4.根据已有知识和实验数据,我们初步推测样品A可能是一种含氮化合物,但具体的结构和组成仍需进一步研究和确认。

结论与展望通过本次能谱分析实验,我们初步了解了样品A的结构和组成情况,但仍有许多未解之谜需要进一步研究和探索。

未来,我们将继续深入研究样品A的化学反应和性质,并与其他分析方法相结合,以更加全面和准确地了解样品A的特性。

电镜的能谱分析

电镜的能谱分析

电镜的能谱分析
电子显微镜的能谱分析是纳米技术中应用最为普遍的一种技术,此技术可以全面而精准的检测出从几十纳米管大小到极小微纳米级量子结构尺寸的实验样品,可以检测可见光、近红外谱、紫外-可见反射谱和电子衍射谱等、同时也可以检测出物质中极小分子和微纳米结构构成物种,而这些物种在抗热、抗冷、抗强酸强碱、耐腐蚀方面有着优异的性能。

电子显微镜的能谱分析可以获得高质量的谱图矩阵,从而可以获得多种信息,比如:纳米材料成分结构分析,聚合物和多维纳米结构的分析,分子物性检测,以及精细的显影等。

这些信息的获取有效地提高了热电技术、纳米传感技术以及纳米成像技术的有效性,因此,谱图可以理解为分子结构和构型化学性质的“镜像”,这非常有助于显示物质与生物系统之间的相互作用。

电子显微镜的能谱分析不仅可以在科学研究中发挥作用,而且在生活中也可以看到它的分辨率之高、检测精度之准确。

在工业制造和农业生产中,电镜的能谱分析使得可以有效地控制生产的质量和效率,检测聚合物的粘度及其他物性性质,同时可以检测农产品中毒素成分,从而确保农产品的安全,而不会损害人类健康。

总而言之,电子显微镜的能谱分析是纳米技术应用中的重要技术,它使得我们有效地检测到一些极微小的结构,同时可以检测出具有优异性能的物质,这对于我们的生活娱乐和工作研究都非常有帮助。

EDS原理及应用

EDS原理及应用

EDS原理及应用EDS(能谱分析仪)是一种用于材料成分分析的仪器,其原理是通过测量材料中的元素的能谱图来确定其成分。

EDS广泛应用于材料科学、地球化学、生物学、环境科学等领域。

EDS的原理基于X射线荧光光谱分析的概念。

当高能电子或光子进入原子时,会激发原子的内层电子,使其跃迁到较高的能级。

当电子回到原来的能级时,会放出一定能量的X射线。

每个元素的电子跃迁都有一定的能量差,因此每个元素都会发射出特定能量的X射线。

EDS通过测量X射线的能量和强度,可以确定材料中存在的元素及其相对含量。

EDS由三部分组成:激发源、能谱分析器和信号处理器。

激发源通常是一束高能的电子或光子,进入材料后激发元素的内层电子。

能谱分析器是一个能够测量X射线能量的装置,通常使用硅或锂草酸钠晶体。

信号处理器则将能谱转化为数字信号,并进行分析和识别。

EDS具有许多应用。

首先,EDS在材料科学中被广泛用于分析样品的成分。

可用于确定金属合金中的成分,检测矿石中的金属元素,鉴定陶瓷或玻璃中的杂质等。

其次,EDS在地球化学领域中用于分析岩石、矿物和土壤的成分。

它可以确定岩石中的元素含量,识别不同矿物的化学组成,并揭示地球化学过程。

此外,EDS还在生物学中用于研究细胞和组织的元素分布和组成。

它可以帮助确定细胞中的微量元素,如钙、铁、锌等。

另外,EDS还在环境科学中应用广泛,用于分析土壤、水和大气中的污染物。

它可以检测重金属、有机物和其他有害物质的存在。

EDS具有许多优点,使其在分析领域中得到广泛应用。

首先,它是非破坏性的分析技术,样品不需要进行任何前处理,不会损坏样品。

其次,EDS适用于不同种类的样品,包括固体、液体和气体。

再次,EDS具有非常高的灵敏度,可以检测到小到几落区域的微量元素。

此外,EDS可以提供元素的定量信息,可以确定每个元素的相对含量。

最后,EDS具有高分辨率,可以分辨出非常接近的能级差异。

总之,EDS是一种常用于材料成分分析的仪器,通过测量材料中元素的能谱图来确定其成分。

电子能谱分析


2021/5/27
This energy is known as the
surface free energy. In the
case of liquid interfaces, this
energy is called surface
tension.
5
(2) 单色光和单色光源
单色光:具有单一频率的光。 单色光源:产生单色光的光源。
(2)用被激发电子所在能级轨道来标示光电子
2. 光电子谱峰的强度
在光电子能谱图中,可以将一个谱峰的峰高或面积求出来作为该 谱峰的强度,谱峰强度在样品结构及定量分析中起着重要作用。
影响谱峰强度的因素:光电离截面、光电子能量
光电离截面 (光电离几率):一定能量的光子在与原子作 用时,
从某个能级激发出一个电子的几率;
Chapter3电子能谱分析
3.1电子能谱分析 3.1.1电子能谱分析的概念
2021/5/27
电子能谱分析是一种表 面(界面)物理分析方 法,通过用单色光(X射 线、紫外光)或电子束 照射样品产生光电子或 俄歇电子,收集这些电 子所带有的样品表面信 息和能量,从而对样品 的组成和表面元素状态 进行分析的方法。
(3)俄歇电子的能量
俄歇电子能谱主要是依靠俄歇电子的能量来识别元素的, 因此准确了解俄歇电子的能量对俄歇电子能谱的解析是非 常重要的。 通常有关元素的俄歇电子能量可以从俄歇手册上直接查得, 不需要进行理论计算。
2021/5/27
27
2021/5/27
1. 各元素以及各激发线的俄 歇电子动能图
2. 每个元素均具有多条激发 线
俄歇电子能量与激发光源 能量无关,仅与原子所处 能级即原子结构有关

eds能谱分析

eds能谱分析EDS(能谱分析):从微观世界解读材料特性的利器概述能谱分析是一种重要的材料表征技术,其利用能量分辨的方法,通过测量材料中元素的能谱信息,从而得到材料的化学成分、电子结构等参数。

EDS(能量散射谱)是能谱分析的一种常见方法,具有高灵敏度、高分辨率和非破坏性等特点,广泛应用于材料科学、地质学、生物学等领域。

原理EDS的原理基于能量散射效应,当材料被高能电子或X射线轰击时,原子核和电子发生相互作用,导致电子从低能级跃迁至高能级,随后重新回到基态时会释放出特定的能量。

这些能量可以被探测器捕捉到,通过分析能谱可以确定元素的存在和相对含量。

仪器EDS依赖于扫描电镜和能谱仪两部分构成。

扫描电镜能够产生高能电子或X射线束,用于激发材料。

能谱仪则包括探测器、信号放大器和数据处理部分,用于采集、放大和分析能谱信号。

目前市场上常见的能谱仪种类繁多,有光子计数器、硅探测器、硅锗探测器等。

应用EDS在材料科学中应用广泛。

首先,它在金属材料的分析中发挥着重要作用。

通过EDS的能量分辨能力,可以对金属中的元素类型和含量进行非破坏性分析,为材料加工和质量控制提供支持。

其次,在纳米材料研究中,EDS能够准确检测纳米颗粒的成分,帮助研究人员了解材料的结构和性能。

此外,EDS还被广泛应用于地质学和生物学领域,如岩石成分分析和细胞组织化学成分分析等。

优势与挑战EDS作为一种常见的能谱分析方法,具有多个优势。

首先,它具有高灵敏度,可以检测到很低浓度的元素。

其次,EDS具有高分辨率,能够准确分辨不同元素的能谱峰。

此外,EDS是非破坏性技术,可以以非常小的样品损伤完成分析。

然而,EDS也存在一些挑战。

例如,由于能量散射的特性,EDS只能分析出材料表面的元素信息,不能获取深层元素的信息。

此外,噪声和背景干扰也会影响EDS的准确性。

发展动态随着科技的进步,EDS技术不断发展,提高了分析的性能和准确度。

近年来,许多研究人员致力于开发新型的探测器和数据处理算法,以提高EDS的灵敏度和分辨率。

第五章光电子能谱分析

230.9eV
232.2eV MoO2
强度
233.9eV 235.6eV
结合能
第五章
光电子能谱分析
二、固体表面相的研究
1、表面污染分析


由于对各个元素在XPS中都会有各自的特征 光谱,如果表面存在C、O或其它污染物质, 会在所分析的物质XPS光谱中显示出来,加 上XPS表面灵敏性,就可以对表面清洁程度 有个大致的了解; 如图是Zr样品的XPS图谱,可以看出表面存 在C、O、Ar等杂质污染。
例如:I和Cl 见图5-13
第五章
光电子能谱分析
第三节 光电子能谱实验技术
一、光电子能谱仪 有三部分构成:激发源、能量分析器、电子监测器。
K 1和K 2 能量差小) 1、激发源:特征X射线(要求线宽小,
原因:电子能谱分析的分辨率由3个因素决定。
E E E E
2 2 X 2 样
第五章
光电子能谱分析
第五章


光电子能谱分析
俄歇电子产额
俄歇电子和X荧光产生几率是互相关联和竞 争的,对于K型跃迁:
K K 1 K — 荧光产额, K — 俄歇电子产额

俄歇电子产额随原子序数的变化如图。

对于Z14的元素,采用KLL电子来鉴定; 对于Z>14的元素,采用LMM电子较合适; 对于Z42的元素,选用MNN和MNO电子为佳。
分子及固体的电子态 成份、原子及电子态 原子态 原子态 结构 原子及电子态、结构 原子态 成份

I e
角分辨光电子谱 光子诱导脱附 俄歇电子能谱
e-电子 -光子
I-离子 见P273 表5-1
第五章
光电子能谱分析

能谱分析


化学位移示例
图13-2 Mo(110)面俄歇能谱
伴峰
由于俄歇电子逸出固体表面时,有可能产生不连续的能量损失,从而 造成在主峰的低能端产生伴峰的现象。 如:入射电子引起样品内壳层电子电离而产生伴峰(称为电离损失峰); 又如:入射电子激发样品(表面)中结合较弱的价电子产生类似等离子 体振荡的作用而损失能量,形成伴峰(称等离子体伴峰)等。
谱峰分裂
能谱峰分裂有多重态分裂与自旋轨道分裂等。 如果原子、分子或离子价(壳)层有 未成对电子存在,则内层芯能级电 离后会发生能级分裂从而导致光电 子谱峰分裂,称之为多重分裂。 图13-8所示为O2分子X射线光电 子谱多重分裂。电离前O2分子价壳 层有两个未成对电子,内层能级 (O1s)电离后谱峰发生分裂(即多 重分裂),分裂间隔为1.1eV。
局限性
①不能分析氢和氦元素; ②定量分析的准确度不高; ③对多数元素的探测灵敏度为原子摩尔分数0.1%~1.0%; ④电子束轰击损伤和电荷积累问题限制其在有机材料、生物样品和某 些陶瓷材料中的应用; ⑤对样品要求高,表面必须清洁(最好光滑)等。
第二节 X射线光电子能谱法 射线光电子能谱法
X射线光电子能谱法(XPS),因最初以化学领域应用为主要目标, 故又称为化学分析用电子能谱法(ESCA)。 技术基础:X射线激发物质光电离、光电子发射过程及其能量关系等 见第二章。
二、俄歇电子能谱仪
主要组成部分:电子枪、能量 分析器、二次电子探测器、 (样品)分析室、溅射离子枪 和信号处理与记录系统等。 样品和电子枪装置需置于107~10-8Pa的超高真空分析室中。
图13-3 俄歇谱仪示意图
俄歇电子能谱仪发展
初期的俄歇谱仪只能做定点的成分分析。 70年代中,把细聚焦扫描入射电子束与俄歇能谱仪结合构成扫描俄歇 微探针(SAM),可实现样品成分的点、线、面分析和深度剖面分析。 由于配备有二次电子和吸收电子检测器及能谱探头,使这种仪器兼有 扫描电镜和电子探针的功能。
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