超音速气流固相反应法制备超细CdS

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CdS纳米粒子的制备方法_张海明

CdS纳米粒子的制备方法_张海明

米粒子的大小 , 通过聚合物分子的裁剪来控制纳米 粒子的分散性 。因此这种方法是目前最有前途的一 种方法 , 正受到人们的高度重视 。 吉林大学沈家骢 院士的课题组在这方面做了卓有成效的工作[ 26 , 27] 。 他们将交联的苯乙烯聚合物用浓硫酸磺化 , 然后用 离子交换的办法吸附金属离子(Cd2 +Zn2+等), 再经 H2S 气流处理生成硫化物系纳米聚合物复合材料 , 平均粒径只有几个纳米[ 28] 。 研究表明聚合物网络 有效地阻止了半导体纳米的生长 。
而引起了人们的极大关注 。 目前 , 人们利用各种方 声处理 , 则会形成相当均一 、小个的单层泡 囊(SU-
法 , 已 成功 制 备 出 CdS 、CdSe 、Fe2O3 、SiO 2 、CdSe 、 V s)。它的直径大概是 300 ~ 600 。 如图 1 所示 , 表
CdTe 等纳 米微粒 , 其中 由于 CdS 纳 米微 粒在光 、 面活性剂泡囊可以认为是个圆形口袋 , 具有几百
参考文献
1 Colvin V L, S chlamp M C , Alivisat os A P .N atu re , 1994 , 370 : 354
DO DAC 泡囊表面有静电排斥的 Cd2+离子制备的 。 分散性更好 , 保存期更长 。
图 1 表面活性剂泡囊的形成
表面活性剂泡囊为半导体颗粒提供了一个非常 灵活的支撑基体 。半导体颗粒可以位于单室双层泡 囊的外表 面 、内表面 、或 2 个 表面上 , 如 图 2 所示 。 各种排布都有其优缺点 。 在泡囊外表面的半导体颗 粒容易接触试剂而更快地进行光敏化电子转移 , 在 泡囊内部的CdS颗粒则比其他方式制得的更小 , 单
并且 CdS 纳米粒子仍能与脂肪酸保持 良好的层状 结构 。其做法如图 3 所示[ 11] 。

油酸钠为稳定剂合成CdS(CdSe)纳米粒子及表征

油酸钠为稳定剂合成CdS(CdSe)纳米粒子及表征

油酸钠为稳定剂合成CdS(CdSe)纳米粒子及表征陈延明;聂晓波;李凤红;马启朋【期刊名称】《沈阳工业大学学报》【年(卷),期】2013(035)004【摘要】针对CdS (CdSe)等半导体纳米粒子制备过程中使用的有机溶剂难回收、成本高、难以实现工业化等问题,以油酸钠为稳定剂,乙醇为溶剂,乙酸镉和硫脲(或硒氢化钠)为前驱物,制备了CdS和CdSe纳米粒子.采用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱、广角x-射线衍射和透射电子显微分析等方法,对CdS和CdSe纳米粒子的光学性质、晶体结构、形貌及尺寸等进行了表征.结果表明,当以油酸钠为稳定剂,乙醇为溶剂时,通过控制一定的前驱物浓度、反应温度和反应时间,在温和的反应条件下,可以得到尺寸分布均匀的CdS和CdSe纳米粒子,从而为在环境友好条件下合成CdS和CdSe半导体纳米粒子提供了一种新途径.【总页数】5页(P395-399)【作者】陈延明;聂晓波;李凤红;马启朋【作者单位】沈阳工业大学石油化工学院,辽宁辽阳111003;沈阳工业大学石油化工学院,辽宁辽阳111003;沈阳工业大学石油化工学院,辽宁辽阳111003;中国石油抚顺石化分公司石油二厂,辽宁抚顺113000【正文语种】中文【中图分类】TQ326【相关文献】1.利用水溶性聚合物PVP作稳定剂合成CdS、CdSe半导体纳米晶体 [J], 王志栋;徐自力;杨英歌;李树新2.利用水溶性聚合物PVP作稳定剂合成CdS、CdSe半导体纳米晶体 [J], 王志栋;徐自力;杨英歌;李树新3.巯基包覆CdSe和CdSe/CdS核壳纳米晶的水相合成与表征 [J], 安利民;孔祥贵;刘益春;单桂晔;吕强;王新;曾庆辉;朝克夫;冯力蕴;张友林4.微乳液法制备CdSe/CdS核壳纳米粒子及表征 [J], 刘选明;刘巧玲;萧小鹃;童春义;唐冬英;赵李剑5.嵌段聚合物模板合成CdSe纳米粒子及表征 [J], 陈延明;左孝为;李三喜因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

CdS薄膜的制备及其性能_黎兵

CdS薄膜的制备及其性能_黎兵

第24卷第8期半 导 体 学 报Vol .24,N o .8 2003年8月CHI NESE JO U RNA L OF SEM ICON DUCT O RSAug .,2003*国家自然科学基金(批准号:50076030)、国家高技术研究发展计划(No .2001AA513010)、国家重点基础研究发展规划(No .G2000028208)资助项目 黎 兵 男,1970年出生,讲师,博士研究生,研究方向为薄膜材料与器件. 2002-07-27收到,2003-02-25定稿★c 2003中国电子学会CdS 薄膜的制备及其性能*黎 兵 冯良桓 郑家贵 蔡亚平 蔡 伟 李 卫 武莉莉(四川大学材料科学与工程学院,成都 610064)摘要:采用化学池沉积(CBD )法,在三种衬底(玻片、I TO 玻片、SnO 2玻片)上沉积CdS 薄膜,并利用扫描电镜(SEM )、透射光谱、X 射线衍射(XRD )和微电流高阻计等方法对沉积膜进行了测试分析,计算出CdS 薄膜的能隙宽度和电导激活能,阐述了CBD 法中CdS 薄膜的生长沉积机制以及不同衬底对沉积效果的影响.结果表明:不同衬底的成膜效果差异较大,其中以SnO 2玻片效果最佳.关键词:CdS 薄膜;化学池沉积(CBD )法;太阳电池PAC C :7360F ;7280E ;7340L中图分类号:T N304.2+5 文献标识码:A 文章编号:0253-4177(2003)08-0837-041 引言CdS 薄膜在异质结太阳电池中是一种很重要的n 型窗口材料,它的制备可以通过真空镀膜、分子束外延、高温热喷涂及化学沉积等方法来实现.我们实验的目的在于,采用工艺较简单的化学池沉积(CBD )法,考虑不同的衬底对CdS 沉积效果的影响,从而选出最好的透明导电膜,沉积出均匀、密实的CdS 薄膜作为窗口材料;再经过相关的性能测试后,最终研制出高性能、高效率的CdS /CdTe /ZnTe 太阳电池.我们注意到,迄今为止已报道的CdS 薄膜大多沉积在玻片衬底上,只是各自采用的工艺方法不同,致使CdS 薄膜的性质稍有差异[1~5].为此,我们采用CBD 法,在三种衬底(玻片、ITO 玻片、SnO 2玻片)上沉积CdS 薄膜.另外,之前报道的CBD 法在玻片上制备CdS 薄膜,均采用上悬式的搅拌方法,而我们创新性地采用搅拌子下旋式的搅拌方法,既可以更好地控制反应温度,又能够更好地搅拌反应溶液.因为上旋式的搅拌方法,是直接转动衬底架,转动的速度不能太快,容易形成衬底(沉积面)与溶液的相对静止.而下旋式的搅拌方法,则可以通过提高搅拌子的转速来充分地搅拌反应溶液,有助于CdS 的均匀沉积.2 实验2.1 原理由于CdS 的溶度积(K sp =1.4×10-29)很小,若让Cd 2+和S 2-直接反应,极易生成沉淀(Cd 2++S 2-※CdS ↑),膜厚难以控制,且膜的性质难以保证,因此,设法控制Cd 2+、S 2-的分解生成,是本实验成败的关键.我们让Cd 2+以络合物[Cd (NH 3)2+4]的形式存在,起到了缓释Cd2+的作用;S2-则由硫脲[(NH 2)2CS ]分解提供.另外,为了使成膜溶液的pH 值保持在适于沉积的9~10之间,我们在反应溶液中加入了适量缓冲剂(NH 4Cl ).整个CBD 法制备CdS 薄膜的具体反应式如下:NH 3+H 2O ※NH +4+OH -Cd 2++4NH 3※Cd (NH 3)42+(NH 2)2CS +OH -※CH 2N 2+H 2O +HS -HS -+OH -※S 2-+H 2O Cd (NH 3)42++S2-※CdS ↑+4NH 3←2.2 方法2.2.1 衬底分别采用I TO 玻片、玻片、SnO 2玻片三种衬底沉积CdS 薄膜.这三种衬底表面的粗糙程度依次增加,晶面取向的单一性依次增强.所有衬底均经过去油污、去离子水漂洗和超声振荡等步骤完成清洗过程.2.2.2 成膜溶液所用药品均为分析纯试剂,采用二次去离子水配制.其中各成分的浓度为:CdCl 20.002mol /L ,NH 3·H 2O 0.4mol /L ,(NH 2)2CS 0.15mol /L ,NH 4Cl 0.02mol /L .为使成膜性好,采用恒温磁力搅拌器,将反应温度控制在80℃左右.2.2.3 反应装置反应装置如图1所示.图1 CBD 法装置示意图Fig .1 Experimental apparatus fo r deposition of CdSfilms图2 CdS 膜的SEM 图(放大2万倍) (a )SnO 2玻片;(b )ITO 玻片;(c )普通玻片F ig .2 SEM micropho tog raphs of CdS films2.2.4 测试对3种衬底上的CdS 膜采用XRD 进行结构测试;采用SEM 进行表面形貌测试;采用透射光谱法对玻片上沉积的CdS 膜进行光透过率测试,并算出CdS 的能隙值;用ZC36型微电流高阻计测量玻片上沉积的CdS 膜的电阻,测光电导时用卤钨灯作光源,光强为100mW /cm 2,电阻-温度关系的测量在真空中进行.3 结果与讨论3.1 SEM 测试SEM 测试表明在SnO 2衬底上沉积的CdS 薄膜的颗粒最均匀、密实,其次是普通玻片,ITO 最次.很明显,这与衬底表面的粗糙程度有很大关系.通过肉眼和显微观察,三者表面的粗糙程度以SnO 2玻片为高,其次是普通玻片,ITO 玻片最次.这种粗糙程度的差异必然导致各自对通过化学反应而生成的CdS 的吸附能力的差异,从而使CdS 在不同衬底上沉积的效果大不相同,如图2所示.3.2 XRD 测试XRD 测试表明,采用CBD 法制备的CdS 膜呈立方和六方两种晶型,如图3所示,以SnO 2玻片上沉积的CdS 膜的晶面取相较为单一.其中峰值2θ=28.5°和29.2°分别代表六方(101)和立方(200)晶面;由于六方(002)和立方(111)的晶面间距很相838半 导 体 学 报24卷 近(d (002)H =3.357,d (111)C =3.36),所以二者重叠在2θ=26.5°;图3曲线b 中的2θ=35.0°的峰归于ITO 的衬底.比较a 、b 、c 可知玻片上的沉积膜以立方相占优势,ITO 玻片上以六方相占优势,而SnO 2玻片上的沉积膜的取向性最好.图3 CdS 膜的XRD 图Fig .3 X -ray diffraction patterns of CdS films这种不同衬底上沉积膜的取向性的区别,显然与三种不同衬底表面的粗糙程度以及晶面取向性有很大关系.这是因为经反应生成的CdS 晶粒在衬底上的沉积过程,实际上是一个表面吸附-成核的过程,着重表现在晶面重构.很光滑的表面,薄膜的吸附能力反而弱,成核密度低,生长成的薄膜会有针孔,不太致密;相反,表面适当粗糙的衬底,却有较强的活性和吸附能力,成核密度高,这对生长多晶薄膜有利;在此种衬底上生成的晶粒不可能太大,尺寸会相对均匀,因此形成的薄膜很光滑、均匀、致密.由于CdS 和SnO 2的结构及晶格常数相近,有利于CdS 薄膜在SnO 2薄膜上的择优取向生长.经测定,CdS 薄膜的厚度为100~150nm 左右.当然,膜厚与反应溶液的浓度、反应时间等参数都有很大关系.浓度越大、反应时间越长,生成的膜越厚.当在同样的条件下,三种衬底(ITO 玻片、玻片、SnO 2玻片)上沉积的CdS 薄膜的厚度依次略为增加,这与上面的分析相符.3.3 透射光谱透射光谱测试结果见图4,曲线的吸收边笔直,表明CdS 膜的光透过性良好.已知CdS 属于直接禁带半导体,我们根据光谱曲线数据作出(αh ν)2-h ν的关系图,如图5所示.从光能带隙E 0的公式:αh ν=const ×(h ν-E 0)1/2可知,从图5中吸收边(直线部分)的横截距即可求得CdS 膜的能隙为E 0=2.45eV .图4 CdS 膜的透射光谱图Fig .4 Optical transmission spectrum of CdS film图5 CdS 膜的(αh ν)2-h ν的关系图F ig .5 Relationship between (αh ν)2and h νof CdSfilm3.4 光(暗)电导测试由于CdS 是一种n 型半导体,所以对其电性能的测试也很重要.我们在CdS 膜上蒸镀了一层宽度为1mm 的铝电极,选用铝电极是因为铝的功函数为4.4eV ,与CdS 的电子亲和势4.5eV 相近,这样CdS 膜与Al 接触不致产生势垒.对刚沉积的CdS 膜,测得暗电导率σd =(1.1~2.0)×10-6Ψ-1·cm -1,其光电导率σp =(1.6~2.7)×10-4Ψ-1·cm -1,比暗电导率大2个数量级.另外,我们还测量了暗电导-温度关系,作出ln σ-1000/T 曲线,如图6所示,并由公式σ=σo e-E a /k T ,得到了电导激活能E a =0.92~1.01eV .839 8期黎 兵等: CdS 薄膜的制备及其性能图6 CdS膜的暗电导-温度关系Fig.6 Relationship between dark conductivity andtemperature of CdS film4 结论在CBD法中,由于衬底的表面粗糙程度不同,对CdS的吸附效果差异较大,其中以SnO2玻片衬底效果最佳,沉积膜最均匀密实,其次为玻片、ITO 玻片.值得一提的是,在不同的衬底上沉积的CdS 多晶薄膜的晶面取向性各不相同:在ITO玻片上多呈六方相,而在玻片上多呈立方相.这除了与三种不同衬底表面的粗糙程度有关外,还与各自表面的晶面取向性有很大关系.测出的CdS薄膜的能隙宽度和电导激活能,与公认的数据相符[6]. 本研究证实,化学池沉积法较为简单、成本低廉、成膜均匀致密,且反应过程直观、易于调控.我们最终采用此法在SnO2玻片衬底上制备出优良的CdS多晶薄膜,进而研制出CdS/CdTe/ZnTe太阳电池.目前,光电转换效率已达13.38%(电池面积为0.501cm2).参考文献[1] Pavaskar N R,M enezes C A,S inha A P B.Photoconductive C dSfilms by a chemical bath deposition process.J Electrochem S oc,1977,124(5):743[2] C hung G Y,Kim H D,Ahn B T,et al.Properties of CdS filmsprepared by the chemical mist deposition Process.Thin SolidFilms,1993,232:28[3] M eyer G,Saura J.Undoped and indium-doped CdS films pre-pared by chemical vapour depos ition.M ater Sci,1993,28(19):5335[4] Cui Haining,Feng Li.Polycrystal line thin film CdS dipped bychemical bathdeposition.Acta Energiae S olaris Sinica,1996,17(2):189(in C hinese)[崔海宁,冯力.化学水浴法沉积CdS多晶薄膜.太阳能学报,1996,17(2):189][5] Uda H,Ikegami S,Sonomu ra H.Structu ral and electricalproperties of chemical-solution-deposited CdS films for solarcells.Jpn J Appl Phys,1990,29(1):30[6] Chu T L,Chu S S.Thin filmⅡ-Ⅵphotovoltaics.Solid-S tateElectron,1995,38(3):533Preparation and Properties of CdS Films for Solar C ells*Li Bing,Feng Liang huan,Zheng Jiagui,Cai Yaping,Cai Wei,Li Wei and Wu Lili(Depar tmen t of Mater ial Scienc e and Technology,S ichuan Univer s ity,Chengd u 610064,China)A bstract:CdS thin films deposited on three different substrates by chemical bath deposition are presented.SEM and XRD show that the poly cry stalline thin films are continuous,homogeneous and with high compactness.A reaction mechanism is given in brief also.Key words:CdS thin film;chemical bath depositio n(CBD);solar cellsPAC C:7360F;7280E;7340LArticle ID:0253-4177(2003)08-0837-04*Proj ect supported by National Natural S cience Foundation of China(No.50076030),National High Technology Res earch and Development Prog ram of China(No.2001AA513010),and State Key Devel opment Program for Basic Research of China(No.G2000028208) Li Bing mal e,was born in1970,PhD candidate.He is engaged in the research on film materials and devices. Received27Jul y2002,revis ed manus cript received25February2003★c2003T he C hinese Institute of Electronics 840半 导 体 学 报24卷 。

CdS插层的K4Nb6-xCuxO17复合物的制备及其光催化制氢活性

CdS插层的K4Nb6-xCuxO17复合物的制备及其光催化制氢活性

CdS插层的K4Nb6-xCuxO17复合物的制备及其光催化制氢活性崔文权;刘艳飞;刘利;齐跃丽;樊丽华;胡金山;梁英华【摘要】Cu doped K4Nb6O17 was obtained by a solid reaction with a mixture of Nb2O5, K2CO3 and CuO. The CdS intercalated Cu dopedK4Nb6O17 composites (designed as K4Nb6-xCu2O17/CdS) were synthesized via direct cation exchange, alkylamines intercalation and sulfurization process. The products were characterized by X-ray diffraction (XRD), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy (SEM), ultraviolet-visible diffuse reflectance (UV-Vis), photoluminescence measurement (PL). The photocatalytic properties of these catalysts for hydrogen production were also investigated. The results reveal that Cu ions enter the crystal lattice of K4Nb6O17, and the CdS is located in the interlayer of K4Nb6O17. The maximum absorption wavelength of CdS intercalated Cu doped K4Nb6O17 composites is about 550 nm. The compound photocatalysts exhibit high activities for photocatalytic hydrogen production under both UV light and visible light irradiation, and the amounts of hydrogen produced are 279.83mmol ·gcat-1 and 7.11 mmol ·gcat-1 after 3 hours of irradiation, respectively. The mechanism for separation of the photo-generated electrons and holes at the compound photocatalysts are discussed.%以Nb2O5,K2CO3和CuO为原料经高温固相反应合成K4Nb6-xCuxO17催化剂,并通过层间离子交换反应,胺插入反应以及硫化反应制备CdS插层K4Nb6-xCuxO17复合催化剂(K4Nb6-xCuxO17/CdS).利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS),场发射扫描电镜(SEM),X射线能谱仪(EDX),紫外-可见漫反射(UV-Vis),分子荧光光谱(PL)等技术对催化剂进行表征.考察了催化剂的可见光催化制氢活性.结果表明,Cu离子掺杂进入K4Nb6O17晶格中,CdS位于K4Nb6O17层间.CdS插层KNb6-xCuxO17催化剂的最大吸收光波长约为550 nm.催化剂制氢活性有明显提高,紫外光和可见光下3h产氢量分别达到279.83 mmol·gcat-1和7.11 mmol·gcat-1.最后讨论了复合催化剂光生电荷转移机理.【期刊名称】《无机化学学报》【年(卷),期】2012(028)007【总页数】8页(P1453-1460)【关键词】K4Nb6-xCuxO17;CdS;插层;光催化【作者】崔文权;刘艳飞;刘利;齐跃丽;樊丽华;胡金山;梁英华【作者单位】河北联合大学化学工程学院,唐山063009;河北联合大学化学工程学院,唐山063009;河北联合大学化学工程学院,唐山063009;河北联合大学化学工程学院,唐山063009;河北联合大学化学工程学院,唐山063009;河北联合大学化学工程学院,唐山063009;河北联合大学化学工程学院,唐山063009【正文语种】中文【中图分类】O643.3半导体光催化分解水制氢是将半导体微粒漂浮在水中,在光照条件下将水分解成氢与氧。

CdS形貌可控制备及其可见光分解水产氢性能

CdS形貌可控制备及其可见光分解水产氢性能

b i o mo l e c u l e - a s s i s t e d me t h o d u s i n g g l u t a t h i o n e ( G S H )a s t h e s u l f u r s o u r c e a n d s t r u c t u r e - d i r e c t i n g r e a g e n t .
李 曹龙 , ・ 赵 宇婷 ・ 曹 菲 王 飞 ・ 王 越 袁 坚 2 上 官 文 峰 2
( 中国药科 大 学理 学 院无机 化 学教研 室 , 南京 2 1 1 1 6 9 ) ( 上 海 交通 大 学机 动 学 院燃烧 与环 境技 术 中心 , 上海 2 0 0 2 4 0 )
LI Ca o — L o n g
ZHAO Yu- Ti n g CAO Fe i W ANG Fe i W ANG Yu e
YUAN J i a n 。 S HANGGUAN We n - F e n g ( D e p a r t m e n t o f i n o r g a n i c C h e m i s t r y, C o l l e g e fS o c i e n c e , C h i n a P h a r m a c e u t i c a l U n i v e r s i t y , N a n j i n g 2 1 1 1 6 9 , C h i n a ) f 2 R e s e rc a h C e n t e r f o r C o mb u s t i o n a n d E n v i r o n m e n t T e c h n o l o g y , S h a n g h a i ∞ T o n g U n i v e r s i t y , S h a n g h a i 2 0 0 2 4 0 , C h i n a )

基于超声速气流碰撞的固相反应研究

基于超声速气流碰撞的固相反应研究

收稿日期:2020-04-19基金项目:国家自然科学基金(编号:51327804)作者简介:左 金(1967—),四川射洪人,本科,高级工程师,研究方向为超微粉碎技术的应用檽檽檽檽檽檽檽檽檽檽檽檽檽檽殦殦殦殦。

科研与开发基于超声速气流碰撞的固相反应研究左 金,刘 刚,林 俊,林学东,郭秋亭,范长海(中国空气动力研究与发展中心高速空气动力研究所,四川绵阳 621000)摘要:传统的机械合成方法主要包括球磨法、研磨法、螺旋挤压法以及微波法,但是这些传统的机械合成方法存在成本高、反应时间长,规模小以及难以实现工业化生产的缺点。

我们研究发现:通过超声速气流加速和碰撞技术同样可以实现低热固相反应合成体系中的能量转变,并具有反应速率大幅度提高、可合成的材料体系可大幅度拓展等突出优势。

关键词:超声速气流;碰撞;合成;反应时间中图分类号:TQ031 文献标识码:A 文章编号:1008-021X(2020)12-0001-03ResearchonSolidPhaseSynthesisBasedonSupersonicGas-FlowCollisionZuoJin,LiuGang,LinJun,LinXuedong,GuoQiuting,FanChanghai(HighSpeedAerodynamicsInstituteofChinaAerodynamicsResearchandDevelopmentCenter,Mianyang 621000,China)Abstract:Ingeneral,mechanochemicalsynthesisisrealizedaccordingtomechanicalballmilling,handgrinding,twinscrewextrusionandmicrowave.However,thesemethodssufferfrommanydrawbacks,forexample,highcost,longreactiontime,smallscaleandsoon.Itisshownbyourresearchthatnotonlytheenergytransformfromkineticenergyintochemistryenergycanalsoberealizedthroughtheaccelerationandcollisionofthechemistryreactionsystemresuledfromthesupersonicgas,butalsotheresultantroomtemperaturesynthesisisofoutstandingadvantageswithchemistryreactionspeedremarkablyincreasedandthesynthesiablematerialsystemvidelyexpanded.Keywords:supersonicgas-flow;collision;synthesis;reactiontime 固相合成反应从不同的角度来区分,可以有多种不同的分类方法,若按参加反应的物质的不同状态来分类,可分为以下几类:固-固之间的反应,固-液之间的反应,固-气物质参加的反应等;以固相反应速率控制步骤为依据,可分为扩散控制、化学反应控制、成核速率控制、晶核生长控制和升华控制过程的固相反应;若根据使用的固相合成反应方法的不同,可分为研磨法、挤压法、球磨法、超声速气流固相反应法以及微波法等。

超音速气流粉碎下NiO纳米棒的低温固相制备

超音速气流粉碎下NiO纳米棒的低温固相制备

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图 1 超音速气 流固相反应法制备超细 NO工作 原理 图 i
S h me frp e ai g u t _ e Ni a t l sb oi t t c e o rp rn l a n O p ri e y a s l sae rf i c d r a t n meh d a w tmp r t r n e l u t s n c ar o e c i t o tl e ea u e u d ra l a o i i w o o l r f l
1 Fe d i lt . i d n a i . e n e ;2 Grn i g c v t y;3 Gr d r . a e ;4. le t r Col co
绿色粉末 , NO前驱体 , 即 i 记做样品 , 产率
81 2% . 20 - - 0 90 0 5 6收稿 ,0 9 72 2 0 - -7修 回 0 中国工程物理研究院军民两用基金 (M 0 6 2 资助项 目 J 2 00 )
第2 7卷 第 4期
21 00年 4月
应 用 化 学
C NE E J HI S OURN P I D HE S R AL OF AP L E C MlT Y
V0 . 7 No 4 12 . Ap . 01 r2 0
超 音速 气 流 粉碎 下 N O 纳米 棒 的低 温 固相 制 备 i
撞 , 反应 物细化 的 同时发生低 温 固相反应 。 使
F e ig e dn
l g
实验开始 5mn i后在出料 口得到浅绿色粗产
物 。 反应 3 i 将 0mn得到 的初产 物经 去离子 水 洗涤 3次后 离心 分 离 , 0℃ 干燥 3 6 h后 得 淡 Fi .1 g

超细碳酸钙热分解动力学研究

超细碳酸钙热分解动力学研究
换而 发生 化学 反 应 , 现 了超音 速 条 件 下 低 热 固 实
氯化钙 、 酸钠 均 为分 析纯 , 碳 成都市 科龙 化工
试 剂厂 。
反应装 置 : 自行 设 计 研 制 ( 1 ; ma - B 图 ) D/ xR
型 X射 线粉 末衍 射仪 ( RD)C X , u靶 辐 射 , 电压 管 3 V, 电流 6 5k 管 OmA, 扫描 速 度 : ̄mi, 宽 一 8/ n 步
X D和 s M 对其进行 了表征和粒径 分析 . R E 结果显 示制备 的碳酸钙 颗粒平均 尺寸为 0 5 . m。利 用差热 分析技术 ( ] 测试 了该 方法制备 的超 细碳酸钙 的热 分解动力 学参数 , 到 了碳 酸钙的表 观热 分解活 Ir ) A) 得
化 能 为 7. 8 5k/ o , 前 因子 A 为 9 1 1 x1 S 9 1 4 J t l指 o . 8 2 0 一。
力学 参数 , 目前它 已被 广泛 地 应 用 于热 反应 动 力
学 的研究 。 准确称 取 8 8mg超 音 速 气 流法 制 备 的碳 酸 .
高速撞击固定靶 , r 再{ 同气流以 3 / 的速度进 - 0 s m
入循 环 系统 , 反应体 系颗粒 沉降 , 富积再 次进入 喷 管, 在反 应发 生器 中循 环反 应 6 i 0r n后将混 合 物 a
5 1 、52 、0 ̄ ri) 碳 酸 钙 的 D A 曲线 , 、01 、O4 C/ n 下 a T
将 20t 的无 水氯 化 钙 和碳 酸钠 按 化学 计 1 m L
量 比均匀混 合 , 合 物料 经 负 压 的引射 作 用进 人 混
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第 1 卷 6
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128材料导报2008年8月第22卷专辑Ⅺ超音速气流固相反应法制备超细C dS*刘兰,聂福德,曾贵玉,谯志强(中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621900)摘要在超音速气流粉碎条件下,以C d(O A c)22H20和N a2S9H zO为原料,通过低温固相化学反应一步实现超细C d S粒子的公斤级合成,采用X R D、激光粒度仪、SE M和T E M等表征产物结构、粒子大小和形貌。

结果表明:得到的C dS粒子平均粒径在l O nm左右,近似圆球形,但粒子间团聚现象较明显;初步探讨了该方法制备超细C dS 的机理。

关键词超音速气流法低温同相反应超细C dSP r epa r a t i on of U l t r a f i ne C dS by U l t r asoni c A i r f l ow L ow T em per at ur eSol i d St at e R e ac t i on M et hodL I U L a n,N I E Fude,Z E N G G ui yu,Q I A O Zhi qi ang(I nst i t ut e of C he m i c al M a t eri a l s,C hi na A cad em y of Engi nee r i ng Physi cs,M i anyang621900)A bs t ract U hr af i ne C dS par t i cl es ar e suc cessf u l l y pr e par e d by l O W t e m per at ur e s ol i d s t a t e r eact i on of C d-(O A c)22H20and N a2S9H20un de r ul t r a soni c ai r f l ow,and t he yi el d r eac hes ki l ogr am s.T he er yst al s t r uct ur e,p ar—t icl esi ze and m orphol o gy of t he ul t r af i ne par t i cl es ar e char act er i zed by X RD,l a se r di f f r act i on par t icl e s i ze anal yzer,S EM and T E M.T he r esul t s i ndi cat e t hat t he pr ep ar e d pa r t i c l es’m ea n s i ze i S a bout10nnl,part i cl es s ha pe ar e sph er i cal and par t i cl es r eu ni t e obvi ous l y.T he form at i on m echani s m of ul t r af i ne par t i cl es i S al s o di s cus s ed.K ey w or ds ul t r as oni c ai r f l ow m et hod,l O W t e m per at ur e sol i d s t at e r eact i on,ul t r af i ne,C dS0前言C dS纳米粒子作为一种重要的半导体材料,由于具有量子尺寸效应、表面效应、宏观量子隧道效应,表现出一系列优异的物化性质和二阶非线性光学特性,在太阳能转化、非线性光学、光电子化学电池和光催化等方面具有广泛的应用[1]。

目前文献报道的C dS的合成方法较多,物理方法有电沉淀、气象沉淀法;化学方法主要有化学沉淀、水热合成、微乳法、溶胶一凝胶、辐射合成等,但因存在起始原料价格昂贵、设备复杂或反应条件要求苛刻等因素而限制了其应用[z_4]。

低温固相合成是一种新兴的合成方法,具有成本低、环保、工艺简单、反应条件易于掌握等优点[5’6]。

唐文华等分别采用将反应物进行研磨的低温固相合成方法,成功地制备出了纳米C dS晶体f7_9]。

本研究利用流体力学原理,以高速气流为载体,使固体反应物在特定受控条件下一步实现C dS的固一固合成反应,单次实验即可得到公斤级超细产品,克服了一般固相合成方法不易实现工业化的缺点,对推动我国绿色化学合成技术的发展、实现固相合成反应的产业化具有重要意义。

1实验1.1试剂和仪器C A(O A c)22H20,分析纯;N azS9H zO,分析纯。

产物结构表征采用德国布鲁克198A dvance X射线粉末衍射仪(C u K s,A=O.15418nm,40kV);产物粒度及分布的测试采用欧美克LS900型激光粒度仪;产物形貌表征及粒子粒径测量采用LE0440型扫描电镜及日立H一600型透射电镜(乙醇超声分散后在铜网上制样,加速电压100kv)。

1.2实验方法采用超音速气流粉碎系统实现C dS的低温固相合成反应,原理如图1所示。

进科进料口白茎上、/出料2图1超音速气流固相反应法制备超细C dS工作原理图Fig.1Pr i nci pl e i瑚辨of ul t r af i ne C d S pr epa r at i on by ul t r as oni c ai r f l ow l ow t e m pe r a t ur e s ol i d s t at e r eact i on m et h od 实验时,将具有一定压力并经冷冻于燥、除尘处理后的净化主气源通过一特殊设计的喷嘴,产生超音速气流进入粉碎腔,再将0.553kg C A(O A c)22H20、0.480kg N a zS9H20分批加入进料口,使反应物在加料电机作用下进入粉碎室,然后在高速*中国工程物理研究院军民两用基金(J M-200602)刘兰:女,1977年生,硕士研究生,从事微纳材料研究工作Tel:0816—2485072E-m ai l:nancyl i u771207@163.com超音速气流固相反应法制备超细C dS/刘兰等129气流作用下发生物料颗粒问的混合、碰撞,使反应物同时发生细化和低温固相反应,反应后的产物经离心式分级器分级后收集在旋风收集器中【10]。

气流尾气经脉冲袋式除尘器过滤后可得到粒径更小的产物。

实验开始5r ai n后即在出料口l出现橙红色粗产物,将反应30r ai n得到的初产物经蒸馏水洗涤、固液分离、干燥后得到超细C dS0.266kg,产率92.36%。

2结果与讨论2.1X R D表征不同合成反应时间下反应体系X R D谱图的衍射峰如图z 所示,反应5r ai n即出现了产物的特征衍射峰(即26.450。

、43.874。

和51.961。

等),体系已经反应,而此时原料峰的强度相对较强;反应15m i n后原料峰强度开始减弱,产物衍射峰有所增强;反应30rai n以后,大部分原料峰消失,产物衍射峰继续增强,固相反应基本完成:11]。

提纯后产物的X R D谱图如图3所示(竖线部分为标准C dS谱衍射峰),其特征衍射峰与C dS标准图谱(PD F89-0440)一致,为面心立方结构。

可见C A(O A c)22H zO和N az S9H zO在高速气流作用下能够实现C dS的低温同相反应,并且反应速度较快,反应较完全。

从网2和3也可见,产物特征衍射峰明显宽化,而且较弱,根据X射线多晶衍射理论,预示着固相产物C A S的粒度较小,所得产物为C dS超细颗粒,经谢乐公式计算,其平均晶粒度为3.48nm。

l o203040∞∞702口“’)图2不同反应时间下体系的X R D图Fi g.2X R D pat t e r ns of r eac t i on syst e m at di f f er en t r eact i on t i m e\\‘}∥?彳。

k2扩/(。

)图3提纯后产物的X R D图Fi g.3X R D pat t er n of pr ep ar e d C d S2.2粒度与形貌表征采用激光粒度仪测试了产物C dS的粒径及分布,如图4所示,产物的SE M、T E M图片见图5和图6。

激光粒度测试表明,产物体积平均粒径为3.86“m,是一种超细粉体;粒径分布较窄,大多颗粒均分布在6.43~1.51肚m 之间。

可见,采用气流粉碎技术可一步实现超细C dS的低温同相合成。

粒度特征参数孚\悟彘彘羹_费碜苷\术图4C dS粒度分布图Fi g.4Si ze di s t r i but i onof pr epa r e d C d S图5C dS的SEM图片Fi g.5SE M i m age of pr epar e d C d S图6C dS的TEM图片Fi g.6T EM i m age of pr epar e d C d S由于未采用防聚集技术,实验得到的产物是一种团聚体,如SE M测试结果所示,所制备的C dS粒子问团聚较明显,形成呈不规则几何形状的团聚体。

该团聚体大部分小于l O/um,平均粒径约为5肛m,与激光粒度仪测试结果接近。

这种团聚可能是由于颗粒间的范德华力和库仑力引起。

将产物在乙醇中超声分散后经T E M测试可以看出,所制备的C dS粒子近似圆球形,粒径较均匀,平均粒径在10nm左右,与X R D计算值接近。

综上可知,利用气流粉碎技术可实现超细C dS粉体的低温固相反应合成。

固相化学反应过程经历4个阶段:扩散一反应一成核一生长。

当产物成核速度比生长速度快时,有利于生成纳米微粒,如果生长速度比成核速度快,则倾向于形成粗粒晶体。

本文所研究的反应体系,其两反应物在高速气流作用下经混合并相互撞击,5r ai n后即生成橙红色产物,表明该反应体系在室温条件下进行的固相化学反应速度较快。

这是因为在高速气流机械化学作用下,反应物在被细化的同时还产生了有利于固相130材料导报2008年8月第22卷专辑Ⅺ反应进行的缺陷,并为晶格分子的移动提供了能量,从而创造出装.化学通报,2000,63(3):32较多的反应中心,提高了反应物的低温固相反应速率;此外,细2李冲,陈旭东,罗伟昂,等.C dS纳米粒子的制备与应用.广化后反应物比表面积增大,反应物间接触更充分,从而进一步加西师范学院学报,2006,23(6):104快了反应速度。

这些都有利于促进C dS固相反应的快速进行,3董延茂.C dS纳米材料的研究与应用进展。

功能材料与器件成核速度也得到极大提高。

极高的成核速率和高速气流的瞬间学报,2006,12(2):163“稀释作用”抑制了微纳粒子的进一步生长,从而有利于得到晶4唐文华,张艾飞,邹洪涛,等.C dS纳米材料合成方法研究进粒较小的C dS粒子。

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