东芝NOR闪存产品的品名参考指南

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浅析Nor Flash的一些通用设置

浅析Nor Flash的一些通用设置

浅析Nor Flash的一些通用设置NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。

Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。

紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。

NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。

性能比较 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

赛普拉斯命名规则

赛普拉斯命名规则

赛普拉斯命名规则
赛普拉斯的命名规则主要包括以下部分:
1. 产品前缀
2. 闪存芯片系列
3. 闪存芯片家族
4. 电压
5. 闪存芯片容量
6. 闪存芯片制程工艺
7. 速度
8. 封装类型
9. 封装材料
10. 温度范围
11. 型号(其他订购选项)
12. 包装类型
具体来说,例如NOR闪存(NOR Flash)芯片命名规则:
1. 第1组编号表示产品前缀。

2. 第2组编号表示闪存芯片系列。

3. 第3组编号表示闪存芯片家族。

4. 第4组编号表示电压。

5. 第5组编号表示闪存芯片容量。

6. 第6组编号表示闪存芯片制程工艺。

7. 第7组编号表示速度。

8. 第8组编号表示封装类型。

9. 第9组编号表示封装材料。

10. 第10组编号表示温度范围。

11. 第11组编号表示型号(其他订购选项)。

12. 第12组编号表示包装类型。

如果需要更详细的信息,建议查阅赛普拉斯官方网站或与相关负责人联系。

极致光速东芝EXCERIAUSH-IISD卡评测

极致光速东芝EXCERIAUSH-IISD卡评测

极致光速东芝EXCERIAUSH-IISD卡评测极致光速东芝EXCERIA USH-II SD卡评测CBSi中国·PChome | 作者: 高峰 | 责编: 高峰 2014-03-12【PChome评测室】正是所谓兵马未动,粮草先行,USB3.0和雷电接口已经推出相当长的一段时间,不过在产品和接口支持上却一直不尽如人意,直到现在很多人还用着USB2.0的接口。

就笔者看法,之所以对闪存速度提出要求,源于使用设备的更新,至于电脑的读取和写入几乎并不是主因。

如今,乘着高像素和4K影像的东风,SD卡这类的相关闪存设备也开始步入了UHS-II时代。

东芝作为闪存领域的龙头企业之一,对于超高速闪存产品方面的研发可以说是不遗余力的,就在前几天东芝USH-II标准的“金卡”问世,高达260MB/s的读取和240MB/s的写入速度也傲视群雄。

之前,这张卡在富士X-T1机身上以及有所体验过,本篇评测就对这张存储卡进行进一步详细介绍。

正巧,笔者手里有一张EXCERIA Type 2的高速卡,对于UHS-I 时代,这张卡读取速度95MB/s,写入速度60MB/s也可以说是相对比较高的规格了。

本页,就以外观的角度来谈谈USH-I和USH-II的差异。

UHS-I和UHS-II产品对比首先,在正面看去两款卡的差异是很小的,而同时把两张卡翻到背面以后就会发现这两张卡截然不同的地方。

UHS-II相比之前标准的卡槽多了一排金属触点,并且触点分布并不是整齐排列,而是有所间隔的。

UHS-I和UHS II产品对比与此同时,新款“金卡”的产地依然是日本,其产品品质自然是不用说的了。

右侧的锁止开关也几乎相同,由此看来两个格式之间的差异仅仅在接口触点方面,并且这样的排布也向下兼容此前的SD存储卡接口。

UHS-I和UHS II产品对比其实想来在测试的时候也令笔者有点犯难,想要完全释放这款存储卡的性能,必须要拥有固态硬盘的电脑并具备USB3.0接口,以及一款支持USB3.0的读卡器才行,并且是缺一不可的。

东芝Q Pro 256GB

东芝Q Pro 256GB

东芝Q Pro 256GB
东芝Q Pro 256GB采用铝合金外壳,延续其OEM风格。

它的正面标签是区别于OEM SSD的重要标识,白蓝相间的风格,“Toshiba Q Series Pro”系列名称醒目可见。

这款SSD采用轻薄设计,厚度为7mm,上手几乎感觉不到明显的重量感。

主控则是东芝与Marvell合作开发的产品,它支持八通道闪存,但并不配备缓存颗粒。

闪存则是自家的19nm MLC闪存。

东芝Q Pro 256GB的主控上印有东芝的Logo,编号也是东芝自己的,不过这个主控实际上是根据Marvell 88S9187制造出来的,并去掉了片外缓存芯片,固件也是使用东芝自家的。

由于去掉了片外缓存的原因,无法使用响应速度快但体积庞大的FTL表,使用了与SandForce主控相类似的二级映射表来对FLT进行访问,延时自然会比较大,这对延时比较敏感的4K QD1随机读取影响是非常大的。

作为东芝首款高性能家用SSD,东芝Q Pro 256GB的性能可用惊艳来形容,而这款SSD即使在没有缓存的情况下,依然拥有完整的256GB容量,读取IOPS超过9万次/每秒。

东芝Q Pro 256GB其貌不扬,但凭借东芝多年耕耘SSD和闪存的制造经验,它得以展现出优异的性能、可靠的品质以及上佳的耐久度。

Nand Flash 原理简介

Nand Flash 原理简介

Nand Flash 原理简介NAND flash是东芝公司开发的一种非易失闪存技术,具较高的单元密度,可以达到高存储密度,写入和擦除速度较快。

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,具有很快的写入和擦除速度,主要功能是存储资料,目前主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中。

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。

紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash 结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。

但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。

许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。

而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

关于NOR Flash擦写和原理分析

关于NOR Flash擦写和原理分析

关于NOR Flash擦写和原理分析NOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。

Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。

紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低每比特的成本,有更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。

NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。

NAND的结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。

性能比较 flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

FLASH的基本知识,

FLASH的基本知识,

什么是flash的型号及ID
• 时常有人说到FLASH的型号,这个型号就所对应着各个FLASH的ID。 Wafer在生产时会跟据生产参数写入一个数字标识,这个标就是我们 的ID。这个ID同样参数的产品也会因为会根据各位厂商的定议方式不 同而不样。一般情况下这个ID由6*2组数字或字母组成。在PC上就是 就是靠ID识别各各FLASH。如: TC58NVG5D2FTA00(98,D7,94,32,76,D5),TC58NVG5D2FTA00是 东芝TSOP FLASH的型号,98 D7 94 32 76 56 D5是识别这个型号的 ID,是唯一的。 • FLASH类型 • TSOP (12*20)最常用的;TSOP(14*18)L85常见; BGA152(14*18,12*18);BGA132(14*18,12*18); BGA224(14*18);BGA100(12*20);LGA52(14*18,12*20);LGA60(14*18 ,12*20);TF(micrSD)卡类(3*7,4*6,5*6点位);M2卡类(3*6点位); sipSD卡(3*7点位);MSPD卡(3*11点位);COB(FLASH晶圆邦 定在PCB上,滴上黑色树脂);iNAND卡读晶圆(44点);iNAND读 卡(125点)等。
什么是FLASH制程
• 通常我们所说的19nm、20nm、21nm、24nm、 34nm、43nm、56nm、70nm、90nm就是指 FALSH的制程工艺。 FLASH的“制作工艺”指 得是在生产FLASH过程中,要进行加工各种电路 和电子元件,制造导线连接各个元器件。通常其 生产的精度以微米(长度单位,1微米等于千分之 一毫米)来表示(1纳米等于千分之一微米) , 未来发展的精度越高,生产工艺越先进。在同样 的材料中可以制造更多的电子元件,连接线也越 细,提高集成度,提高处理器的制造工艺具有重 大的意义,更先进的制造工艺会使FALSH的核心 面积进一步减小,也就是说在相同面积的晶圆上 可以制造出更多的产品

东芝 STUDIO230 280 230S 280S数码复合机 说明书

东芝 STUDIO230 280 230S 280S数码复合机 说明书

EPA E NERGY S TAR ® (MFD)美国环保部署(EPA) 已经推广了一项非强制性计划E NERGY S TAR 计划,鼓励广泛和自觉运用能增加工作空间、改善产品性能和防止污染的能效工艺。

作为E NERGY S TAR 的合作伙伴,东芝泰格公司已决定使本型号复合机满足E NERGY S TAR 准则中对能效的要求。

E NERGY S TAR 准则中对这类E NERGY S TAR 多功能复合机有“Sleep Mode”(睡眠模式)的性能要求,即一段时间不工作之后自动使复合机进入睡眠模式。

数码复合机也必须自最后一次使用起的一段时间之后自动切换至自动节能模式中。

特别说明地是,该复合机符合以下要求。

e-STUDIO230/230s/280/280s 复合机(基本型号)“自动节能模式”-在“自动节能模式”中,复合机(e-STUDIO230/230s)功耗小于 93.55W/(e-STUDIO280/280s)小于112.8W。

“自动节能模式”的默认时间 -“自动节能模式”的默认时间为 15 分钟。

“睡眠模式”复合机在“睡眠模式”下的耗电量少于 15 瓦。

“睡眠模式”默认时间-“睡眠模式”的默认时间为 40 分钟。

e-STUDIO230/230s/280/280s 复合机/打印机 + 传真机模式(多功能模式)“自动节能模式”-在“自动节能模式”中,复合机(e-STUDIO230/230s)功耗小于138.55W/(e-STUDIO280/280s)小于157.80W。

“自动节能模式”的默认时间 -“自动节能模式”的默认时间为 15 分钟。

“睡眠模式”复合机在“睡眠模式”下的耗电量(e-STUDIO230/230s)小于 80 W/(e-STUDIO280/280s)小于95W。

“睡眠模式”默认时间-“睡眠模式”的默认时间为 40 分钟。

注 1-“睡眠模式”和“自动节能模式”的默认设置可以更改。

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Device Family NOR FLASH
58F
c: Power supply voltage
Symbol
Power Supply Voltage 3V 1.8V
V Y
d: Density
Symbol
Density 32M Bit 64M Bit 128M Bit
f: Design Rule
Symbol
g: Package
Symbol
No Lead(Pb)-free Lead(Pb)-free PKgn Rule 0.16um 0.13um 0.09um
A B C
Package TSOP BGA
FT XB
TG XG
3
3
/
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Part Number Reference Guide for Toshiba NOR Flash Products
April 2005 TOSHIBA CORPORATION Semiconductor Company Memory Division Mobile Memory Marketing & Promotion
Symbol
e: Function
Symbol T2 T3 T4 T5 B2 B3 B4 B5 Function TOP/BOTTOM TOP TOP TOP TOP BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM Function PAGE PAGE PAGE/BURST PAGE PAGE PAGE PAGE/BURST PAGE BANK ratio 1:3:3:1 3:3:1:1 Uniform Bank Uniform Bank 1:3:3:1 1:1:3:3 Uniform Bank Uniform Bank
1
Copyright © 2005 Toshiba Corporation. All rights reserved.
Part Number Reference Guide for Toshiba NOR Flash
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
T C 5 8 F V M 7 T 2 A T G 6 5 a b c d e f g h
a: Toshiba CMOS b: Device Family c: Power Supply Voltage d: Density e: Function
2 2 /
f: Design Rule g: Package h: Speed
Symbol Examples
b: Device Family
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