半导体器件型号的命名方法
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
晶体三极管型号命名方法
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。
为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。
绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。
利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。
晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。
三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。
晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。
根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。
除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。
这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。
此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。
在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。
随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。
微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。
1、物质的分类按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。
导电能力用电阻率衡量。
导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω•cm绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。
电阻率在108Ω•cm以上半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。
纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω•cm2、半导体的特性与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点：(1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω•cm下降到0.4Ω•cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。
半导体分立器件的型号命名方法及含义
半导体分立器件的型号命名方法及含义国产二极管的型号命名及含义国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
整流二极管系列(34) 二极管(44400) 稳压二极管系列(27737)触发二极管系列(2) 开关二极管系列(9) 检波二极管系列(22)变容二极管系列(24532) 双向二极管系列(5) 瞬态电压吸收二极管系列(222)发光二极管系列(62) 快恢复整流二极管系列(56) 汽车整流二极管系列(9)高效整流二极管系列(19) 光敏二极管系列(3) 整流桥系列(137)圆珠快速二极管系列(1) 变阻二极管(3941) 硅整流二极管系列(23885)碰撞雪崩渡越时间二极管(1010) 锗二极管与硒二极管(476) 隧道二极管(319)稳流二极管(396) U段与微波段混频二极管(3729) U 段与微波段检波二极管(995)二极管阵列(599) 瞬变抑制二极管(14792) 硅微波二极管(44400)贴片二极管(44400)next page（01）（二）国产三极管的型号命名方法国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用数字“3”表示主称和三极管。
第二部分用字母表示三极管的材料和极性。
第三部分用字母表示三极管的类别。
第四部分用数字表示同一类型产品的序号。
国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。
第二部分用字母表示晶闸管的类别。
第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。
例如：next page（02）国产电子管的型号命名由部分组成，各部分的含义见下表。
第一部分用数字表示灯丝电压值。
第二部分用字母表示电子管的类型（结构与用途）。
第三部分用数字表示电子管的序号及性能。
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则2，电容器5，半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成.五个部分的意义分别如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料.表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V—微波管、W-稳压管、C-参量管、Z—整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U—光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（f<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管(f〉3MHz，Pc〈1W)、D-低频大功率管(f<3MHz，Pc〉1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc〉1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成.通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0—光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
半导体分立器件型号命名
1
半导体分立器件型号命名
1 范围
本标准规定了半导体分立器件型号命名方法的组成原则、组成部分的符号及其意义。
本标准适用于各种半导体分立器件。
2 型号组成原则
2．1半导体分立器件的型号五个组成部分的基本意义如下：
2．2半导体分立器件的型号一般由第一部分到第五部分组成，也可以由第三部分到第五部分组成。
3 型号组成部分的符号及其意义
3.1 由第一部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表1。
表1（续）
2
示例 1：
硅NPN 型高频小功率晶体管 登记顺序号 高频小功率晶体管 硅材料 3.2 由第三部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义见表2。
表2 由第三部分到第五部分组成的器件型号的符号及其意义
表2（续）
3
示例 2： 场效应晶体管
登记顺序号 场效应晶体管。
半导体器件的命名方法
半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表表2-15 国产半导体器件的型号命名方法例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。
2. 美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。
表2-16 美国半导体器件型号的命名法例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。
3．日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。
表2-17 日本半导体器件命名法例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。
4．欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。
半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。
表2-18 欧洲半导体器件命名法补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。
常见的后缀有以下几种。
（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。
其代表的意义如表2-19。
表2-19 稳压二极管后缀字母的含义后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。
例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。
2.5.4 几种常用半导体三极管的性能1. 常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。
晶体管的命名方法
1 ．国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。
如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P 普通X低频小功率(fa<3MHz ，Pc<1W) 反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。
如A 、B 、C 、D …其中 A 承受的反向击穿电压最BP 型，锗材料W稳压管CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率(fa>3MHz ，Pc<1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa<3MHz ，Pc>1W) BNPN 型，锗材料K开关管C PNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa>3MHz ，Pc>1W)低， B 稍高D NPN 型，硅材料S隧道管E 化合物材料U光电管T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1 表示二极管， 2 表示三极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表 5 · 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管或三极管S已在日本电子工业协会注册APNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工AB该器件为原型号产品的改BNP 低频晶体管登记的半导体器件CNPN 高频晶体管业协会的注册登记号CD进产品1 二极管 D NPN 低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3 四个电极的器件N 沟道场效应管M 双向可控硅3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
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S－小功率开
关
U－大功率开 关
备注 不表示硅锗材料及功率
大小
不表示硅锗材料 NPN 或 PNP 及功率的大小及功 率大小
型号 9011 9012 9013 9014 9015 9016 9018 8050 8550
极性 NPN PNP NPN NPN PNP NPN NPN NPN PNP
表 3 韩国三星电子三极管特性
功 率（mW）
fT（MHz）
400
150
625
80
625
80
450
150
450
140
400
600
400
600
1W
100
1W
100
用途 高速 功放 功放 低放 低放 超高频 超高频 功放 功放
fα ＜3MHz，Pc CS 场效应器件
＜1W
BT 半导体特殊器件
G 高频率小功率 FH 复合管
fα ＜3MHz，Pc PIN PIN 管
＜1W
JG 激光管
第四 部分
用数 字表 示器 件序 号
第五 部分
用汉语 拼音字 母表示 格号
二．常用进口半导体器件型号命名
表 2 进口半导体器件命名
国一
二
三
四
五
别
日2
பைடு நூலகம்
S
A．PNP 高频 两位以 A．B．C
本
B．PNP 低频 上 表示对原
C．NPN 高频 数字表 型号的改
D．NPN 低频 示
进
登记序
号
美2 国
N
多位数字表
示
登记序号
欧 A C－低频小功 三 位 数 字 表 B 参 数
洲锗
率
示
分
B D－低频大功 登记序号 档标志
硅
率
F－高频小功 率
L－高频大功 率
附录七 半导体器件型号的命名方法
一．国产半导体器件型号命名 1． 型号由五个部分组成 第一部分；用阿拉伯数字表示器件的电极数目 第二部分；用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 第三部分；用汉语拼音字母表示器件的类型 第四部分；用阿拉伯数字表示序号 第五部分；用汉语拼音字母表示规格号 注：场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三。
四、五部分。
2． 组成部分的符号及其意义如下表： 表 1 国产半导体器件命名
第一部分 用数字表示 的电极数目 符 号 意义 2 二极管
3 三极管
第二部分
用汉语拼音字母表示
器件的材料和极性
符
号
意义
A N 型，锗材料 B P 型，锗材料 C N 型，硅材料 D P 型，硅材料 A PNP 型，锗材料 B NPN 型，锗材料 C PNP 型，硅材料 D NPN 型，硅材料 E 化合物材料
第三部分
用汉语拼音字母表示器件类型
符
符
号
意义
号
意义
P 普通管
D 低频率大功率管
V 微波管
fα ＜3MHz，Pc＞
W 稳压管
1W
C 参量管
A 高频率大功率
Z 整流管
fα ＜3MHz，Pc＞
L 整流堆
1W
S 隧道管
T 半导体闸流管
N 阻尼管
（可控整流管）
U 光点管
Y 体效应器件
K 开关管
B 雪崩管
X 低频小功率管 J 阶跃恢复管