电子元器件型号命名规则
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数电子元器件是电子产品中非常重要的一部分，为了便于识别和使用，每种电子元器件都有相应的型号和技术参数。
本文将介绍常用电子元器件的命名法和主要技术参数，以帮助读者更好地了解电子元器件。
1. 电阻器电阻器通常用来限制电路中的电流，并改变电压和功率。
电阻器的命名法为“R+数字”，数字表示电阻值。
例如，R100表示100欧姆的电阻器。
电阻器的主要技术参数有：电阻值：电阻器的电阻值越大，电路中的电流越小。
功率：功率越大，电阻器发热越多。
精度：电阻器的精度越高，电路中的电流越精确。
温度系数：温度系数可以影响电阻器的电阻值。
2. 电容器电容器通常用来存储能量或阻止电流。
电容器的命名法为“C+数字”，数字表示电容值。
例如，C1μF表示1微法的电容器。
电容器的主要技术参数有：电容值：电容值越大，电容器可以存储的电力越大。
电压：电容器的电压越高，它可以承受的电力也越高。
电容器类型：电容器根据构造材料的不同，分为有机电容器和无机电容器。
3. 二极管二极管通常用来控制电流的方向。
二极管的命名法为“D+数字”，数字表示型号。
例如，D1N4148表示1N4148型号的二极管。
二极管的主要技术参数有：正向工作电压：正向工作电压是二极管正向工作时的最大电压。
反向击穿电压：反向击穿电压是二极管能承受的最大反向电压。
反向电流：反向电流是二极管反向工作时的电流。
4. 晶体管晶体管通常用来放大电流和控制电路。
晶体管的命名法为“Q+数字”，数字表示型号。
例如，Q2N3904表示2N3904型号的晶体管。
晶体管的主要技术参数有：最大工作电压：最大工作电压代表晶体管工作的最大电压。
最大功率：最大功率代表晶体管可以承受的最大功率。
放大系数：放大系数代表晶体管从输入信号到输出信号的增益。
5. 电感器电感器通常用来阻止电路中的交流电流。
电感器的命名法为“L+数字”，数字表示型号。
例如，L100表示100微亨的电感器。
国内外常用电子元器件型号命名规则比如：电阻器,电容器
(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)
(6)韩国三星(SAMSUNG)
(7)美国基美(KEMET)
(8)英国Syfer
(9)中国台湾国巨(YAGEO)
(10)中国台湾华新科技(WALSIN)
3.电感器
4.变压器
5.二极管
6.三极管
7.发光二极管
8.扬声器
9.电声器件
10晶闸管
11.继电器
国外：
1.国际电子联合会半导体器件命名法
国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：
1)这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。
3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。
4)第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。
8)日本通常把Pcm≥1W的管子，称做大功率管。
5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。
6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。
2.美国半导体器件型号命名法
美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如下表：
常用元器件的型号命名方法
一、常用元器件的型号命名方法1.电阻器、电容器、电位器型号命名方法根据国家标准GB2470-81《电子设备用电阻器、电容器型号命名方法》的规定¸电阻器、电容器产品型号一般由以下四部份组成:(1)第一部份用一字母表示产品的主称(2)第二部份用字母表示产品的材料(电阻的导电材料¸电容器的介质材料)(3)第三部份一般用数字表示分类¸个别类型用字母表示(4)第四部份用数字表示序号¸以区分外形尺寸和性能指针(5)举例R J 7 1 型精密金属膜电阻器 C C G 1 型瓶形高功率瓷介电容器1) 2) 3) 4) 1) 2) 3) 4)注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号2.敏感电阻器型号命名方法根据标准SJ1150-82《敏感组件型号命名方法》的规定¸热敏电阻器、光敏电阻器、压敏电阻器、湿敏电阻器、磁敏电阻器、力敏电阻器和气敏电阻器¸这些敏感电阻器的产品型号按下面所述的方法命名。
产品型号由下列四部份组成:第一部份: 主称(用字母表示)第二部份: 类别(用字母表示)第三部份: 用途和特征(用字母或数字表示)第四部份: 序号(用数字表示)第五部份：应用举例M F 4 1 A 普通旁热式负温度系数热敏电阻器1) 2) 3) 4) 区别代号注: 1)为主称2)为材料3)为分类4)为序号3.电感器型号命名方法这里介绍的是一些习惯上使用的命名方法¸仅供参考●电感线圈的型号命名方法电感线圈的字母组成的型号、代号及其意义如下:第一部份: 主称¸用字母表示(其中L表示线圈¸ZL表示高频或低频阻流圈)第二部份: 特征¸用字母表示(其中G表示高频)第三部份: 型式¸用字母表示(其中X表示小型)第四部份: 区别代号¸用字母表示●变压器型号的命名方法它由三部份组成:第一部份: 主称¸用字母表示第二部份: 功率¸用数字表示¸计量单位用VA或W标志¸但RB型变压器除外第三部份: 序号¸用数字表示例如: DB-60-2 表示为60VA电源变压器一、 固定电阻器、电容器的标志方法1. 直标法是指在阻容组件表面直接标出它的主要参数和技术性能的一种标志方法。
常用电子元器件型号命名法与主要技术参数
第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一．电阻器和电位器1．电阻器和电位器的型号命名方法(1)精密金属膜电阻器R J7 3第四局部：序号第三局部：类别〔精密〕第二局部：材料〔金属膜〕第一局部：主称〔电阻器〕(2) 多圈线绕电位器W X D 3第四局部：序号第三局部：类别〔多圈〕第二局部：材料〔线绕〕第一局部：主称〔电位器〕2．电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。
电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。
不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。
(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。
根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。
E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。
(3) 允许误差等级3．电阻器的标志内容及方法(1)文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额定功率、允许误差等级等。
符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。
如1R5表示Ω，2K7表示Ω，RJ71－－5k1－II允许误差±10%标称阻值Ω)额定功率1/8W型号由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为Ω，允许误差为±10%。
(2)色标法：色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色〔色环或色点〕标注在它的外外表上。
色标电阻〔色环电阻〕器可分为三环、四环、五环三种标法。
其含义如图1和图2所示。
标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后0的个数三色环电阻器的色环表示标称电阻值〔允许误差均为±20%〕。
例如，色环为棕黑红，表示10⨯102＝Ω±20%的电阻器。
电子元器件命名规则
G=10V
E=16V
H=20V
A=25V
F=35V
B=50V
I=63V
P=75V
D=100V
Q=160V
R=200V
L=250V
O=275V
S=315V
T=350V
Y=400V
X=450V
M=500V
Z=630V
C=1KV
Kபைடு நூலகம்2KV
U=3KV
W=6.3KV
⑧：表误差
C=±0.25PF
D=±0.5PF
L=DIP18
M=DIP20
N=DIP24
O=DIP28
P=DIP40
Q=DIP42
Y=SO-4
V=TO-220
W=TO-92
S=SSOP5-P
X=P-DSO-6
Z=SOT89
⑦：表型号
光电晶体类（受光管、投光管）
①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩⑾
①：表原材料类
②：表光电晶体类
③：表规格
D=投光管
T=受光电晶体
C=1KV
K=2KV
U=3KV
W=6.3KV
⑦：表误差
C=±0.25PF
D=±0.5PF
F=±1PF
J=±5%
K=±10%
M=±20%
Z=+80%，-20%
⑧：表包装
B=BULK散装（塑胶袋装）
C=BULKCASE盒装
E=塑胶带卷装7"
U=塑胶带卷装13"
T=纸带卷装7"
K=纸带卷装13"
⑨：表容量
如M05，M08，M12，M18，M30，M40，M50，M60，M70等
电子元器件编规则新编
7XXX: 集成电路, 软件代码, PWB, 组装及其他不能归类为5XXX, 6XXX的分立电子元器件.
原理图的编号范围暂定为：06XX,07XX,08XX,09XX
PWB的编号范围暂定为:7000- 7499之间
稳压值12V: 第4-6位数字表示为120
电感: 电感的编号以字母IN开始, 后面跟随6位数字, 其中第1位数字表示分类. 分类如下:
0、1、2: 贴片电感 3、4、5: 插装电感 9: 其他
第2-3位数字表示规格：当4～6位数字所表示的电感值相同,但是电感的其他特征不同时,用第2～3位编码来区分,编码范围：00～99;
代码
电阻器导电材料
0
厚膜片状电阻
E
陶瓷
H
合成膜
K
玻璃釉膜
J
金属膜
N
无机实芯
S
有机实芯
T
碳膜
X
线绕
Y
氧化膜
Z
金属氧化膜
9
其他
第2位数字表示标称功率, 后4位数字表示阻值. 对于第2位数字分类如下:
0: 3W 1: 2W 3: 1W 4: 1/2W 5: 1/4W 6: 1/8W 7: 1/10W 8: 1/16W 9: 其他
集成电路: 集成电路的编号以IC开始, 后面跟随6位数字.;
2.9.1对于存储器Memory、电源Power变换与管理、运放Amplifier、74/54系列及4xxxCMOS逻辑Logic门电路系列、时钟芯片Timer等类型集成电路编码如下：
第1位数字代码
第2位数字代码
第3－6位数字代码
电子元器件编号规则
电子元器件编号规则1.二极管和晶体管编号规则：二极管和晶体管通常使用美国电子工程师协会（EIA）的规则进行编号。
这些规则使用字母和数字来表示不同的参数和特性，如器件类型、封装、极性等。
其中一些常见的编号规则包括：-封装类型：DO表示二极管，TO表示晶体管。
-极性：N表示NPN型晶体管，P表示PNP型晶体管。
-功率：常用的一些数字代表电流和功率的大小。
-特殊类型：如Z表示稳压二极管，LED表示发光二极管等。
2.集成电路（IC）编号规则：集成电路通常使用不同的编号系统，包括美国军事标准（MIL-STD）、电子工业联盟（EIAJ）、国际电工委员会（IEC）和制造商自定义的编号系统。
这些编号系统通常包含以下内容：-器件类型：如数字集成电路（IC）、模拟集成电路（IC）、混合集成电路（HMIC）等。
-功能：通常使用数字或字母来表示不同的功能模块。
-封装类型：常见的封装类型包括DIP、SMD、BGA等。
3.电阻、电容和电感编号规则：电阻、电容和电感通常使用基于物理量的编号规则，如阻值、容值和电感值。
这些数值通常用标准单位表示，如欧姆（Ω）、法拉（F）、亨利（H）等。
此外，也会使用一些字母和数字来表示其他特性，如封装类型、公差、工作温度等。
4.硅控整流器（SCR）和双向可控硅（TRIAC）编号规则：SCR和TRIAC是一种特殊的功率半导体器件，其编号规则通常与二极管和晶体管类似，但会根据其特殊的功率和控制特性进行特殊说明。
5.传感器编号规则：传感器的编号规则通常包括设备类型、测量参数、输出类型等信息。
这些编号规则根据不同的传感器类型和制造商可能有所不同。
需要注意的是，虽然有一些常见的编号规则，但由于不同的制造商和行业可能会有不同的命名习惯和编号规则，因此在实际应用中还需参考具体的数据手册或制造商提供的规范。
此外，部分编号规则也可能会因为技术的进步和行业的发展而有所调整和增加。
因此，保持对最新编号规则的学习和掌握对于工程师和从业人员来说是非常重要的。
电阻及敏感元器件的命名规则
电阻及敏感元器件的命名规则一、固定电阻器型号命名方法执行标准：GB/T 2470-1995 电子设备用固定电阻器、固定电容器型号命名方法产品型号由以下四部分组成：第一部分：主称，用字母R表示；第二部分：材料，一般用一个字母表示，见表1；第三部分：特征，一般用一个数字或字母表示，见表2；第四部分：序号，一般用数字表示。
注：1 对材料、特征相同，仅尺寸和性能指标略有差别但基本上不影响互换性的产品可以给同一序号。
2 对材料、特征相同，仅尺寸和性能指标有所差别已明显影响互换性时（该差别并非本质的，而属于在技术标准上进行统一的问题），仍给同一序号，但在序号后面用一字母作为区别代号。
此时该字母作为该型号的组成部分。
但是统一该产品技术标准时，应取消区别代号。
注：在执行标准的基础上，参考网络作了相应的完善二、电位器型号命名方法执行标准：SJ/T 10503-94 电子设备用电位器型号命名方法产品型号由以下四部分组成：第一部分：主称，用字母W表示；第二部分：材料，用一个字母表示，见表3；第三部分：类别，用一个字母表示，见表4；第四部分：序号，用阿拉伯数字表示。
其它代号：对规定失效率等级的电位器，应在类别代号与序号之间加“K”三、敏感元器件型号命名方法执行标准：SJ/T 11167-1998 敏感元器件及传感器型号命名方法产品型号由以下四部分组成：第一部分：主称，用字母M表示；第二部分：类别或材料，用字母或数字表示；第三部分：特征，用字母或数字表示；第四部分：序号和区别代号，用数字加字母表示。
1、热敏电阻器（1）正温度系数热敏电阻器（PTC）正温度系数热敏电阻器型号组成部分的符号及其含义见表5（2）负温度系数热敏电阻器（NTC）正温度系数热敏电阻器型号组成部分的符号及其含义见表6旧标准中热敏电阻器的型号命名方法，见表72、压敏电阻器压敏电阻器型号组成部分的符号及其含义见表8序号和区别代号：如常用的14K6813、湿敏元件湿敏元件型号组成部分的符号及其含义见表94、光敏元件光敏元件型号组成部分的符号及其含义见表105、气敏元件气敏元件型号组成部分的符号及其含义见表116、力敏元件力敏元件型号组成部分的符号及其含义见表127、磁敏元件磁敏元件型号组成部分的符号及其含义见表13. .。
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电子元器件型号命名规则
2，电容器
5，半导体二、三极管
一、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分的意义分别如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、
C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、
N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、
G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、
A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、
Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、
BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。
二、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、
1-二极管、
2三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、
┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、
B-PNP型低频管、
C-NPN型高频管、
D-NPN型低频管、
F-P控制极可控硅、
G-N控制极可控硅、
H-N基极单结晶体管、
J-P沟道场效应管，如2SJ----
K-N沟道场效应管，如2SK----
M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；
不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
三、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、
JANTX-特军级、
JANTXV-超特军级、
JANS-宇航级、
无---非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管
JAN-军级、
2-三极管、
N-EIA注册标志、
3251-EIA登记顺序号、
A-2N3251A档。
四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、
C-器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、
D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料。
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、
B-变容二极管、
C-低频小功率三极管、
D-低频大功率三极管、
E-隧道二极管、
F-高频小功率三极管、
G-复合器件及其他器件、
H-磁敏二极管、
K-开放磁路中的霍尔元件、
L-高频大功率三极管、
M-封闭磁路中的霍尔元件、
P-光敏器件、
Q-发光器件、
R-小功率晶闸管、
S-小功率开关管、
T-大功率晶闸管、
U-大功率开关管、
X-倍增二极管、
Y-整流二极管、
Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、
一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E、、、表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，
字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；
其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；
后缀的第三部分是字母V，代小数点，
字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，
通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管
五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：
第一部分：O-表示半导体器件。
第二部分：A-二极管、C-三极管、
AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C、、、表示同一型号器件的变型产品。