半导体薄膜制备及光电性能表征
半导体薄膜制备及光电性能表征一、实验简介《半导体薄膜》实验主要内容：半导体薄膜简介，以ZnO薄膜为例，介绍其性能、生长和应用；磁控溅射生长ZnO薄膜；霍尔效应介绍；ZnO薄膜的性能测试，以Hall测试来表征ZnO薄膜的电学性能。
二、半导体薄膜半导体薄膜的基本分类可如下：（1）Ⅳ族半导体，如Si、Ge、金刚石等，为元素半导体；SiC等，为化合物半导体。
（2）Ⅱ-Ⅵ族半导体，如Zn、Cd与O、S、Se、Te形成的化合物，主要有CdS、ZnSe、ZnO等，为化合物半导体。
（3）Ⅲ-Ⅴ族半导体，如Al、Ca、In与N、P、As等形成的化合物，主要有InP、GaAs、GaN等，为化合物半导体。
（4）复杂化合物半导体，如Cu（In，Ga）Se2等。
（5）有机半导体。
在上述半导体材料中，Si和Ge的禁带宽度分别是1.12eV和0.66eV，此类半导体为窄禁带半导体；ZnO和GaN的禁带宽度均约为3.37eV，此类半导体为宽禁带半导体。
另外，按照能带结构，导带底和价带顶在K空间中是否处在同一位置，还可分为间接带隙和直接带隙半导体，Si、Ge为间接带隙半导体，ZnO、GaN为直接带隙半导体。
本实验以ZnO为例介绍半导体材料，ZnO在自然界中以矿物的形式存在，人们在研究应用的过程中，先后制备出了多种形态的ZnO材料，如：粉体、陶瓷体材、体单晶、薄膜和纳米结构等。
薄膜材料指的是利用某些生长技术，在衬底或基板上沉积一层很薄的材料，厚度通常在nm或μm量级。
三、ZnO半导体薄膜ZnO是一种“古老”而又“新颖”的材料，ZnO很早便作为一种陶瓷结构被广泛应用，而ZnO作为一种半导体材料的研究则始于上世纪80年代。
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料，同GaN一样，为直接带隙宽禁带半导体，室温下禁带宽度3.37eV。
ZnO激子结合能为60meV，是GaN（25meV）的2倍多，可以实现室温甚至高温的激子复合发光，是一种理想的短波长发光器件材料。
ZnO晶体有三种不同的晶体结构。
自然条件下，其结晶态是单一稳定的六方纤锌矿（Wutzite）结构，属六方晶系，图1为不同视角下的结构示意图。
分子结构的类型介于离子键和共价键这之间。
晶格常数为a=0.3243nm、c=0.5195nm，Zn-O间距为0.194nm，配位数为4：4。
ZnO的分子量为81.39，密度为5.606 g/cm-3，无毒、无臭、无味、无砂性两性氧化物，能溶于酸、碱以及氨水、氯化铵等溶液，不溶于水、醇(如乙醇)和苯等有机溶剂。
熔点为l975 ºC，加热至1800 ºC 升华而不分解。
图2显示了常用的一些半导体材料禁带宽度和晶格常数的关系。
在所有的宽禁带半导体中，ZnO与GaN最为接近，有相同的晶体结构、相近的晶格参数和禁带宽度，ZnO与GaN的晶格失配很小(~1.8%)。
ZnO可以与CdO或MgO形成ZnCdO或ZnMgO三元合金。
CdO的禁带宽度为2.3 eV，MgO的禁带宽度为7.7eV，理论上，ZnO和CdO或MgO形成的三元合金体系可以将禁带宽度扩展到2.3~7.7 eV的范围，覆盖了从紫外到可见光的大部分波谱范围。
ZnO为极性半导体，存在着诸多的本征缺陷（如：Zn间隙Zni和O空位VO 等），天然呈n型。
ZnO可供选择的施主掺杂元素很多，包括IIIA族元素（如B、Al、Ga、In）、IIIB族元素（如Sc和Y）、IV A族元素（如Si、Ge和Sn）、VIB 族元素（如Ti和Zr）、VB族元素（如V和Nb）、VI 族元素（如Mo），他们掺入ZnO取代Zn，提供电子。
此外，掺入F、Cl等VII族元素O，提供电子。
IIIA 族元素Al、Ga、In是最为常用的，特别是Al掺杂ZnO（AZO）薄膜，10-3~10-4Ωcm量级。
图1 ZnO晶体原子点阵示意图图2 半导体材料禁带宽度和晶格常数的关系相对于n型掺杂，ZnO的p型掺杂困难得多。
全世界科学家10余年不懈努力，实验室中实现了较为稳定且低阻的p型ZnO薄膜，但离实用化还有不小的距离ZnO的p型掺杂主要通过以下两个途径：一种是Ⅰ族元素，如Li、Na、K、Au、Ag、Cu等，替代Zn形成浅受主，产生空穴；另一种是Ⅴ族元素，如N替代O形成受主，产生空穴，掺入P、As、Sb等也可以产生空穴。
目前研究最多的是N元素掺杂，多元素掺杂技术：N替代-H钝化、施主–受主共掺杂、双受主共掺杂等方法。
N替代O 受主能级深(200meV)，空穴激活难；N在ZnO中固溶度低(平衡态1013/cm3)，掺入难；本征ZnO中氧空位缺陷密度高，自补偿严重。
目前，几乎所有的制膜技术均可用于ZnO薄膜的生长，而且生长温度一般较低，这有利于减低设备成本，抑制固相外扩散，提高薄膜质量，也易于实现掺杂。
薄膜生长方法可大致分4种：物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、液相外延（LPE）、湿化学方法（WCM）。
物理气相沉积包括很多种方法，如溅射、蒸发、脉冲激光沉积（PLD）、分子束外延（MBE）等。
化学气相沉积目前常用的为金属有机物化学气相沉积（MOCVD），此外，能量增强CVD、超高真空CVD、原子层外延等也属于CVD的范畴。
液相外延是一种从过冷饱和溶液中析出固相物质并沉积在单晶衬底上生成单晶薄膜的方法，目前应用较少。
湿化学方法有很多种，如溶胶-凝胶、喷雾热分解、液相电沉积等。
ZnO是一种多功能氧化物材料，在光电、压电、热电、铁电、铁磁等各个领域都具有优异的性能，在表面声波、太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用。
ZnO 光泵浦紫外受激辐射的获得和p型掺杂的实现，ZnO薄膜作为一种新型的光电材料，在紫外探测器、LED、LD等领域有着巨大的发展潜力。
ZnO在应用方面具有很多明显的优势：原料丰富，价格低廉；成膜性能好，外延生长温度低；有商用体单晶，可以进行同质外延；是一种环境友好材料，生物兼容性好等。
四、磁控溅射生长ZnO薄膜溅射（Sputtering）是建立在气体辉光放电的基础上，利用气体辉光过程中产生的正离子与靶材表面原子之间的动量交换，把物质从原材料移向衬底，实现薄膜的沉积。
其中，磁控溅射是一种应用最为广泛和成熟的技术，可以克服通常溅射方法速率低和基片温升过高的弱点，适于大面积薄膜制备。
磁控溅射与IC平面器件工艺具有兼容性，对设备要求不高，生产成本较低。
所谓磁控溅射，就是在二极溅射的基础上附加一个磁场，利用电子在正交电磁场中作螺旋线轨迹运动，进一步提高真空溅射镀膜的效率和质量。
金属靶材为阴极，阳极接地，也可以是正电位，两极间通入工作气体，在此以氩气（Ar）为例，当两极间施加高压时，电极间的Ar发生电离，没有磁场时，就是普通的二极溅射。
电离产生的电子向阳极作加速运动，而Ar+向阴极作加速运动，撞击阴极靶材。
Ar+与靶材原子作动能交换，靶材原子获得的能量大于金属的逸出功时，将离开靶材表面。
当垂直于靶面方向存在一个与电场正交磁场时。
由洛仑兹定理可知，这时靶表面附近的电子运动轨迹发生改变，不再做直线运动，而是螺旋线运动。
实际上它们的运动轨迹是很复杂的，不仅跟电场，磁场的强度和分布有关，而且还跟电子电离时的运动状态有关。
在磁控溅射系统中，一次电子（在等离子体中Ar原子电离出来的电子）有两个特点：其一，运动路径由直线运动变成了螺旋运动，运动路程大大增长，因此，它同Ar原子的碰撞几率明显增加，最终使得Ar原子的离化率大大提高。
其二，某些可能飞向衬底的一次电子由于受磁场影响作而作螺旋运动，与Ar原子碰撞的几率增加，到达衬底表面的电子数量减少，电子能量大幅衰减小，从而对衬底上的薄膜因轰击而损伤的程度也大为降低。
磁控溅射中的放电过程是异常阴极辉光放电，放电产生的等离子体Ar+尽管也受到磁场同样的洛伦兹力，但由于Ar+靠近阴极，且其质量大（1860Me），惯性很大，当Ar+跑向靶面时，受磁场的影响是很小的。
因此，Ar+离子基本上是垂直撞击靶面。
靶材表面原子由于受高能Ar+轰击而被轰出表面。
当溅射的原子到达衬底后，由于粘附力的作用，其中大部分沉积在衬底上形成薄膜。
磁控溅射放电基本上克服了二极溅射的“低速高温”的致命缺点，沉积速率较后者大为提高；同时，它又保持了溅射镀膜的优点，即溅射粒子到达衬底时动能很大，因而粒子在衬底表面的扩散速率相应增大，薄膜生长过程中的阴影效应相应减少。
这样，薄膜中的空隙变得更小、更少，薄膜更致密。
同时，又由于粒子到达衬底时动能很大，与衬底的结合很牢固。
直流溅射中靶材只接收正离子,如果靶材是绝缘材料,阴极表面聚集的大量正离子无法被电子中和使其电位不断上升,阴阳两极电势减小,使溅射不能持续进行。
射频溅射原理:交变电场使得靶材正半周接收电子,负半周接收正离子,相互中和,从而使阴阳两极电位的大小保持稳定,使溅射能够持续进行。
直流溅射以高纯Zn为靶材，通入Ar和O2，溅射出的Zn与O2化合生成ZnO沉积在基板上。
直流溅射比较简单，但也存在些不足，如因电荷积聚，不能直接用ZnO作靶材，用射频溅射解决上述问题，溅射频率一般为13.56MHz。
图3为一种直流反应磁控溅射设备示意图，图4为一种多功能磁控溅射镀膜机示意图。
图3 直流反应磁控溅射系统图4 多功能磁控溅射镀膜机多功能磁控溅射镀膜机设备由沈阳聚智科技有限公司制造，可以采用单靶、双靶或三靶任意轮流组合共溅工作模式，射频直流兼容。
适用于各种单层膜、多层膜及掺杂膜的制备，溅射方向采用由下向上，向心溅射方式。
可以避免微粒物质落到基片上，提高镀膜质量。
溅射用靶材可以是导电材料也可以是绝缘材料。
该设备为一个不锈钢真空室结构，配置600L/S分子泵机组一套，微机型复合真空计1台，质量流量控制显示器1台，2个2英寸的永磁磁控靶，一个直3英寸可镀磁性材料的专用磁控溅射靶，真空室配有可加热衬底从室温到800℃的自旋转带挡板样品台一个，烘烤照明系统一套。
设备主体均为优质不锈钢制造，耐腐蚀、抗污染、漏率小；设备电控部分采用先进的检测和控制系统；设备的基片加热温度、靶头与基片的距离、充入气体的流量、基片架的旋转速度、射频电源的输出功率均实现无级调整；基片加热采用进口金属铠装丝加热，对真空室无污染。
极限真空：5×10-5Pa；冷却水用量：2L/min；设备总功率：7.8KW。
设备操作流程如下：（1）操作设备前，首先检查各种阀门是否全部处于关闭状态。
如不是关闭状态，需重新置于关闭状态。
（2）打开水源，确定各路水路是否畅通、有无渗漏。
如有问题，需及时解决，这是非常重要的。
（3）打开总电源，检查三相指示是否正常，其他电源都应处在关闭状态。
（4）打开复合真空计，检查真空室内是否有真空度，根据真空度的情况分别采用以下两种抽气方式。
方式一，对于真空度≥20Pa的情况，操作方式为：启动机械泵，启动预抽阀，快速打开CF-35旁抽角阀（要全打开），待真空度抽至＜20Pa时，先关闭CF-35旁抽角阀，关闭预抽阀，启动前级阀再打开插板阀（一定要开到位），启动分子泵，抽至所需真空度。
半导体薄膜
汇报人：XX
目录
• 半导体薄膜概述 • 半导体薄膜制备技术 • 半导体薄膜结构与性能 • 半导体薄膜应用实例 • 半导体薄膜材料发展趋势与挑战
01
半导体薄膜概述
定义与特点
定义
半导体薄膜是一种具有半导体性质的薄膜材料，其厚度通常在纳米至微米级别 。这种材料具有介于导体和绝缘体之间的电导率，因此被称为半导体。
。
缺陷对性能的影响
缺陷对半导体薄膜的性能有重要 影响，如影响载流子浓度、迁移
率、光学透过率等。
电子结构与能带
能带结构
01
半导体薄膜的能带结构决定了其电子状态和电子行为。通常包
括价带、导带和禁带三部分。
载流子类型
02
半导体薄膜中的载流子可以是电子或空穴，这取决于其掺杂类
型和浓度。
载流子浓度和迁移率
03
回收利用
建立完善的回收利用体系，对废旧半导体薄膜进行 回收和再利用，降低资源浪费和环境污染。
THANKS
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大面积均匀性控制技术挑战
薄膜沉积技术
如化学气相沉积、物理气相沉积等，需要优化工艺参数，提高薄膜 大面积均匀性。
表面处理技术
如机械抛光、化学抛光等，可以改善基底表面粗糙度，提高薄膜附 着力和均匀性。
薄膜转移技术
如卷对卷技术、激光转移技术等，可以实现大面积薄膜的快速、高效 转移。
提高稳定性及寿命问题探讨
现状
目前，半导体薄膜的制备技术已经非常成熟，包括物理气相沉积、化学气相沉积、溶胶-凝胶法、电化学沉积等 多种方法。同时，半导体薄膜的应用领域也在不断扩展，涉及到电子、光电、生物医学、环境科学等多个领域。
应用领域与前景
应用领域
ZnO薄膜的制备与性能研究
ZnO薄膜的制备与性能研究ZnO是众所周知的一种半导体材料，近年来，它的应用领域不断扩大，包括光电技术、传感器技术、气敏技术、生物技术等领域。
其具有较高的透明度、电阻率、热稳定性和高电子迁移率等优异特性，使得其在各个领域中拥有巨大市场前景。
在这些应用中，ZnO薄膜则是ZnO材料的重要组件之一。
本文主要探讨ZnO 薄膜的制备及其性能研究。
一、ZnO薄膜制备方法1.溶胶-凝胶法ZnO薄膜制备的一种常见方法为溶胶-凝胶法。
该方法主要涉及将预先制备好的ZnO溶胶放置于合适的基底上，然后通过热退火的方式完成ZnO薄膜的制备。
使用该方法，可以获得良好的薄膜质量和较大的薄膜面积，同时可以随意控制薄膜厚度。
2.物理气相沉积法物理气相沉积法是ZnO薄膜制备中最常用的方法之一。
其主要通过采用物理气相沉积设备将高温气体通入反应室，然后将蒸汽通过传输管道沉积在基底上完成ZnO薄膜的制备。
该方法具有制备ZnO晶体中空气杂质较少、晶粒精细等显著的优点。
3.MBE法MBE法是利用分子束外延设备在超高真空环境下生长晶体的方法。
该方法制备的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量。
然而，需要难以实现的极限条件，如超高真空环境和较高的晶体表面温度。
二、ZnO薄膜性能研究1.光电性能ZnO薄膜是光学和电学交叉的半导体薄膜。
关于ZnO薄膜的光学性能，已有许多研究。
例如，有研究人员证实了ZnO条纹薄膜在光学上具有比等宽薄膜更高的透射比，这是由于条纹薄膜的形态依赖性的折射率引起的。
此外，ZnO薄膜具有优越的光电转换性能，可用于太阳能电池、传感器等领域。
2.气敏性能ZnO薄膜的气敏性能是其另一个重要的应用领域，具有广泛的市场前景。
研究表明，ZnO薄膜的气敏性能受到薄膜厚度、沉积温度和掺杂类型等多个因素的影响。
例如，掺杂ZnO薄膜的气敏性能不仅可以提高灵敏度，还可以增加电阻率等方面的特性。
3.化学性质关于ZnO薄膜的化学性质，研究人员通常需要从其表面性质、表面反应等多个方面进行分析。
ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究
山东建筑大学硕士学位论文
关键词：ＺｎＯ薄膜，射频磁控溅射，光波导，Ｘ一射线衍射，ｃ轴取向
山东建筑大学硕士学位论文
Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ ａｎｄ Ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ＺｎＯ Ｆｉｌｍｓ
ＡＢＳＴＲＡＣＴ
Ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ（ＺｎＯ）ｉｓ ａｎ ｉｍｐｏｒｔａｎｔ ＩＩ－ＩＶ ｃｏｍｐｏｕｎｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｗｉｔｈ ａ ｗｉｄｅ ｄｉｒｅｃｔ ｂａｎｄ ｇａｐ ｏｆ ３．３ｅＶ ａｔ ｒｏｏｍ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ａｎｄ ａ ｌａｒｇｅ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ ｂｉｎｄｉｎｇ ｅｎｅｒｙ ｏｆ ６０ｍｅＶ．ＺｎＯ ｆｉｌｍｓ ｈａｖｅ ｍａｎｙ ｒｅａｌｉｚｅｄ ａｎｄ ｐｏｔｅｎｔｉａｌ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ ｉｎ ｍａｎｙ ｆｉｅｌｄｓ， ｓｕｃｈ ａｓ ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｕｓｔｉｃ ｗａｖｅ ｄｅｖｉｃｅｓ，ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｓ，ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒｓ，ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ，ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｄｅｖｉｃｅｓ，ｇａｓ ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ ｐｌａｎａｒ ｏｐｔｉｃａｌ ｗａｖｅｇｕｉｄｅｓ，ｅｔｃ，ｄｕｅ ｔｏ ｔｈｅｉｒ ｅｘｃｅｌｌｅｎｔ ｏｐｔｉｃａｌ ａｎｄ ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ．Ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ，ｗｉｔｈ ｗｉｄｅｓｐｒｅａｄ ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ ｉｎ ｓｈｏｒｔ ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｅｖｉｃｅｓ，
薄膜物理与技术
将气体在电场的作用下离化，形成离子束或等离子体，然后轰击材 料表面，使其原子或分子沉积在基底表面形成薄膜。
化学气相沉积（CVD）
常压化学气相沉积（APCVD）
在常压下，将反应气体在气相中发生化学反应，生成固态物质并沉积在基底表面形成薄膜 。
低压化学气相沉积（LPCVD）
在较低的压力下，将反应气体在气相中发生化学反应，生成固态物质并沉积在基底表面形 成薄膜。
等离子体增强化学气相沉积（PECVD）
利用等离子体激活反应气体，使其发生化学反应，生成固态物质并沉积在基底表面形成薄 膜。
液相外延（LPE）
溶胶-凝胶法
将金属盐溶液通过脱水、聚合 等过程转化为凝胶，然后在一
定条件下转化为薄膜。
化学镀
利用化学反应在基底表面沉积 金属或合金薄膜。
电镀
利用电解原理在基底表面沉积 金属或合金薄膜。
薄膜的特性与性能参数
特性
薄膜具有一些独特的物理和化学特性， 如高表面面积、高纯度、高密度等， 这些特性使得薄膜在电子、光学、磁 学等领域具有广泛的应用前景。
性能参数
评估薄膜性能的参数包括表面粗糙度、 透光性、导电性、硬度等，这些参数 决定了薄膜在不同领域的应用效果。
薄膜的形成与生长机制
形成
薄膜的形成通常是通过物理或化学方法将物质蒸发或溅射到基材表面，然后凝 结或反应形成薄膜。
涉及其他非主要性能的表征，如化学稳定性、热稳定性等。
详细描述
除了光学、力学和电学性能表征外，还有其他一些非主要性能的表征方法，如化学稳定 性表征和热稳定性表征等。这些性能参数对于评估薄膜在不同环境条件下的稳定性和耐 久性具有重要意义，尤其在化学反应容器制造和高温环境应用等领域中具有重要价值。
半导体薄膜制备及光电性能表征
半导体薄膜制备及光电性能表征一、实验简介半导体薄膜实验主要内容：半导体薄膜简介,以ZnO薄膜为例,介绍其性能、生长和应用；磁控溅射生长ZnO薄膜；霍尔效应介绍；ZnO薄膜的性能测试,以Hall测试来表征ZnO薄膜的电学性能;二、半导体薄膜半导体薄膜的基本分类可如下：1Ⅳ族半导体,如Si、Ge、金刚石等,为元素半导体；SiC等,为化合物半导体;2Ⅱ-Ⅵ族半导体,如Zn、Cd与O、S、Se、Te形成的化合物,主要有CdS、ZnSe、ZnO等,为化合物半导体;3Ⅲ-Ⅴ族半导体,如Al、Ca、In与N、P、As等形成的化合物,主要有InP、GaAs、GaN等,为化合物半导等;5有机半导体;体;4复杂化合物半导体,如CuIn,GaSe2在上述半导体材料中,Si和Ge的禁带宽度分别是和,此类半导体为窄禁带半导体；ZnO和GaN的禁带宽度均约为,此类半导体为宽禁带半导体;另外,按照能带结构,导带底和价带顶在K空间中是否处在同一位置,还可分为间接带隙和直接带隙半导体,Si、Ge为间接带隙半导体,ZnO、GaN为直接带隙半导体;本实验以ZnO为例介绍半导体材料,ZnO在自然界中以矿物的形式存在,人们在研究应用的过程中,先后制备出了多种形态的ZnO材料,如：粉体、陶瓷体材、体单晶、薄膜和纳米结构等;薄膜材料指的是利用某些生长技术,在衬底或基板上沉积一层很薄的材料,厚度通常在nm或μm量级;三、ZnO半导体薄膜ZnO是一种“古老”而又“新颖”的材料,ZnO很早便作为一种陶瓷结构被广泛应用,而ZnO作为一种半导体材料的研究则始于上世纪80年代;ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,同GaN一样,为直接带隙宽禁带半导体,室温下禁带宽度;ZnO 激子结合能为60meV,是GaN25meV的2倍多,可以实现室温甚至高温的激子复合发光,是一种理想的短波长发光器件材料;ZnO晶体有三种不同的晶体结构;自然条件下,其结晶态是单一稳定的六方纤锌矿Wutzite结构,属六方晶系,图1为不同视角下的结构示意图;分子结构的类型介于离子键和共价键这之间;晶格常数为a=、c=,Zn-O间距为,配位数为4：4;ZnO的分子量为,密度为cm-3,无毒、无臭、无味、无砂性两性氧化物,能溶于酸、碱以及氨水、氯化铵等溶液,不溶于水、醇如乙醇和苯等有机溶剂;熔点为l975oC,加热至1800oC升华而不分解;图2显示了常用的一些半导体材料禁带宽度和晶格常数的关系;在所有的宽禁带半导体中,ZnO与GaN最为接近,有相同的晶体结构、相近的晶格参数和禁带宽度,ZnO与GaN的晶格失配很小~%;ZnO可以与CdO或MgO形成ZnCdO或ZnMgO三元合金;CdO的禁带宽度为,MgO的禁带宽度为,理论上,ZnO和CdO或MgO形成的三元合金体系可以将禁带宽度扩展到~的范围,覆盖了从紫外到可见光的大部分波谱范围;ZnO为极性半导体,存在着诸多的本征缺陷如：Zn间隙Zni和O空位VO等,天然呈n型;ZnO可供选择的施主掺杂元素很多,包括IIIA族元素如B、Al、Ga、In、IIIB族元素如Sc和Y、IVA族元素如Si、Ge和Sn、VIB族元素如Ti和Zr、VB族元素如V和Nb、VI族元素如Mo,他们掺入ZnO取代Zn,提供电子;此外,掺入F、Cl等VII族元素O,提供电子;IIIA族元素Al、Ga、In是最为常用的,特别是Al掺杂ZnOAZO薄膜,10-3~10-4Ωcm量级;图1ZnO晶体原子点阵示意图图2半导体材料禁带宽度和晶格常数的关系相对于n型掺杂,ZnO的p型掺杂困难得多;全世界科学家10余年不懈努力,实验室中实现了较为稳定且低阻的p型ZnO薄膜,但离实用化还有不小的距离ZnO的p型掺杂主要通过以下两个途径：一种是Ⅰ族元素,如Li、Na、K、Au、Ag、Cu等,替代Zn形成浅受主,产生空穴；另一种是Ⅴ族元素,如N替代O形成受主,产生空穴,掺入P、As、Sb等也可以产生空穴;目前研究最多的是N元素掺杂,多元素掺杂技术：N替代-H钝化、施主–受主共掺杂、双受主共掺杂等方法;N替代O受主能级深200meV,空穴激活难；N在ZnO中固溶度低平衡态1013/cm3,掺入难；本征ZnO 中氧空位缺陷密度高,自补偿严重;目前,几乎所有的制膜技术均可用于ZnO薄膜的生长,而且生长温度一般较低,这有利于减低设备成本,抑制固相外扩散,提高薄膜质量,也易于实现掺杂;薄膜生长方法可大致分4种：物理气相沉积PVD、化学气相沉积CVD、液相外延LPE、湿化学方法WCM;物理气相沉积包括很多种方法,如溅射、蒸发、脉冲激光沉积PLD、分子束外延MBE等;化学气相沉积目前常用的为金属有机物化学气相沉积MOCVD,此外,能量增强CVD、超高真空CVD、原子层外延等也属于CVD的范畴;液相外延是一种从过冷饱和溶液中析出固相物质并沉积在单晶衬底上生成单晶薄膜的方法,目前应用较少;湿化学方法有很多种,如溶胶-凝胶、喷雾热分解、液相电沉积等;ZnO是一种多功能氧化物材料,在光电、压电、热电、铁电、铁磁等各个领域都具有优异的性能,在表面声波、太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用;ZnO光泵浦紫外受激辐射的获得和p型掺杂的实现,ZnO薄膜作为一种新型的光电材料,在紫外探测器、LED、LD等领域有着巨大的发展潜力;ZnO在应用方面具有很多明显的优势：原料丰富,价格低廉；成膜性能好,外延生长温度低；有商用体单晶,可以进行同质外延；是一种环境友好材料,生物兼容性好等;四、磁控溅射生长ZnO薄膜溅射Sputtering是建立在气体辉光放电的基础上,利用气体辉光过程中产生的正离子与靶材表面原子之间的动量交换,把物质从原材料移向衬底,实现薄膜的沉积;其中,磁控溅射是一种应用最为广泛和成熟的技术,可以克服通常溅射方法速率低和基片温升过高的弱点,适于大面积薄膜制备;磁控溅射与IC平面器件工艺具有兼容性,对设备要求不高,生产成本较低;所谓磁控溅射,就是在二极溅射的基础上附加一个磁场,利用电子在正交电磁场中作螺旋线轨迹运动,进一步提高真空溅射镀膜的效率和质量;金属靶材为阴极,阳极接地,也可以是正电位,两极间通入工作气体,在此以氩气Ar为例,当两极间施加高压时,电极间的Ar发生电离,没有磁场时,就是普通的二极溅射;电离产生的电子向阳极作加速运动,而Ar+向阴极作加速运动,撞击阴极靶材;Ar+与靶材原子作动能交换,靶材原子获得的能量大于金属的逸出功时,将离开靶材表面;当垂直于靶面方向存在一个与电场正交磁场时;由洛仑兹定理可知,这时靶表面附近的电子运动轨迹发生改变,不再做直线运动,而是螺旋线运动;实际上它们的运动轨迹是很复杂的,不仅跟电场,磁场的强度和分布有关,而且还跟电子电离时的运动状态有关;在磁控溅射系统中,一次电子在等离子体中Ar原子电离出来的电子有两个特点：其一,运动路径由直线运动变成了螺旋运动,运动路程大大增长,因此,它同Ar 原子的碰撞几率明显增加,最终使得Ar原子的离化率大大提高;其二,某些可能飞向衬底的一次电子由于受磁场影响作而作螺旋运动,与Ar原子碰撞的几率增加,到达衬底表面的电子数量减少,电子能量大幅衰减小,从而对衬底上的薄膜因轰击而损伤的程度也大为降低;磁控溅射中的放电过程是异常阴极辉光放电,放电产生的等离子体Ar+尽管也受到磁场同样的洛伦兹力,但由于Ar+靠近阴极,且其质量大1860Me,惯性很大,当Ar+跑向靶面时,受磁场的影响是很小的;因此,Ar+离子基本上是垂直撞击靶面;靶材表面原子由于受高能Ar+轰击而被轰出表面;当溅射的原子到达衬底后,由于粘附力的作用,其中大部分沉积在衬底上形成薄膜;磁控溅射放电基本上克服了二极溅射的“低速高温”的致命缺点,沉积速率较后者大为提高；同时,它又保持了溅射镀膜的优点,即溅射粒子到达衬底时动能很大,因而粒子在衬底表面的扩散速率相应增大,薄膜生长过程中的阴影效应相应减少;这样,薄膜中的空隙变得更小、更少,薄膜更致密;同时,又由于粒子到达衬底时动能很大,与衬底的结合很牢固;直流溅射中靶材只接收正离子,如果靶材是绝缘材料,阴极表面聚集的大量正离子无法被电子中和使其电位不断上升,阴阳两极电势减小,使溅射不能持续进行;射频溅射原理:交变电场使得靶材正半周接收电子,负半周接收正离子,相互中和,从而使阴阳两极电位的大小保持稳定,使溅射能够持续进行;直流溅射以高纯Zn为靶材,通入Ar和O2,溅射出的Zn与O2化合生成ZnO沉积在基板上;直流溅射比较简单,但也存在些不足,如因电荷积聚,不能直接用ZnO 作靶材,用射频溅射解决上述问题,溅射频率一般为;图3为一种直流反应磁控溅射设备示意图,图4为一种多功能磁控溅射镀膜机示意图;图3直流反应磁控溅射系统图4多功能磁控溅射镀膜机多功能磁控溅射镀膜机设备由沈阳聚智科技有限公司制造,可以采用单靶、双靶或三靶任意轮流组合共溅工作模式,射频直流兼容;适用于各种单层膜、多层膜及掺杂膜的制备,溅射方向采用由下向上,向心溅射方式;可以避免微粒物质落到基片上,提高镀膜质量;溅射用靶材可以是导电材料也可以是绝缘材料;该设备为一个不锈钢真空室结构,配置600L/S分子泵机组一套,微机型复合真空计1台,质量流量控制显示器1台,2个2英寸的永磁磁控靶,一个直3英寸可镀磁性材料的专用磁控溅射靶,真空室配有可加热衬底从室温到800℃的自旋转带挡板样品台一个,烘烤照明系统一套;设备主体均为优质不锈钢制造,耐腐蚀、抗污染、漏率小；设备电控部分采用先进的检测和控制系统；设备的基片加热温度、靶头与基片的距离、充入气体的流量、基片架的旋转速度、射频电源的输出功率均实现无级调整；基片加热采用进口金属铠装丝加热,对真空室无污染;极限真空：5×10-5Pa；冷却水用量：2L/min；设备总功率：;设备操作流程如下：1操作设备前,首先检查各种阀门是否全部处于关闭状态;如不是关闭状态,需重新置于关闭状态;2打开水源,确定各路水路是否畅通、有无渗漏;如有问题,需及时解决,这是非常重要的;3打开总电源,检查三相指示是否正常,其他电源都应处在关闭状态;4打开复合真空计,检查真空室内是否有真空度,根据真空度的情况分别采用以下两种抽气方式;方式一,对于真空度≥20Pa的情况,操作方式为：启动机械泵,启动预抽阀,快速打开CF-35旁抽角阀要全打开,待真空度抽至＜20Pa时,先关闭CF-35旁抽角阀,关闭预抽阀,启动前级阀再打开插板阀一定要开到位,启动分子泵,抽至所需真空度;方式二,对于真空度＜20Pa的情况,操作方式为：启动机械泵,启动前级阀,打开插板阀一定要开到位,如遇开启费力,则应立即通知相关人员检查或修理,千万不可用蛮力开启,启动分子泵电源,抽至所需真空度5真空室抽至所需本底工作真空后一般情况下,真空度应＜5×10-4Pa,此时可缓慢打开真空室的CF-16充气角阀,待真空度稳定后,对需要使用的电源进行预热;打开所需气体的气瓶及进气电磁阀,打开流量控制显示仪,将选择开关置于阀控档,缓慢调节进气流量,配合插板阀控制抽速,将真空度控制在工艺要求的范围内,此时就可以进行正常的溅射镀膜;6关闭设备时,要先关闭溅射电源、样品架加热电源,样品架旋转电源,再关闭气瓶,进气电磁阀及流量显示仪,最后关闭CF-16充气角阀,打开插板阀,将真空度恢复到5×10-4Pa 时,关闭插板阀;如要取样片,可在确认真空室内温度不高于100℃时打开放气阀,最好能通过放气阀充入干燥氮气;待真空室内为1个大气压时,关闭放气阀,启动升降机构;取出被镀样品,最好能同时装上新样品,启动升降机构,落下真空室上盖,再按步骤“4”方式一操作,将真空度抽至5×10-4Pa,关闭CF-150插板阀,关闭分子泵电源,关闭前级电磁阀,待分子泵示数为0时,关闭机械泵,关闭总电源开关;15分钟后,关闭水源;五、Hall 效应介绍将载流导体板放在磁场中,使磁场方向垂直于电流方向,在导体板两侧ab 之间就会出现横向电势差U;这种现象是霍尔首先发现的,因此,称之为霍尔效应,导体板两侧形成的电势差U 称为霍尔电压;图5所示为Hall 效应的原理图,样品尺寸为1×b×d；外磁场方向沿Z 轴方向,大小为B Z ；电场沿X 轴方向,大小为I X ；则样品沿Y 轴方向的两个断面会有电势差V H ,大小为： V V =V V V V V V V其中,R H 为Hall 系数;V V =V V V V V V V 对于实际半导体而言,通常都同时存在空穴和电子两种载流子,理论计算可得出,V V =1V VV V 2−n V V 2(VV V +VV V )2 其中,p 和n 为空穴和电子浓度,μp 和μn 为空穴和电子迁移率;若空穴可以忽略,则p=0；若电子可以忽略,则n=0.利用霍尔效应,可以测定半导体材料的导电类型、载流子浓度、迁移率和电阻率；还可以制备霍尔器件;图5霍尔效应示意图图6Hall 测试电极制备示意图六、Hall 测试试验中使用的设备为BI0-RADHL5000型Hall 测试仪,可以测试半导体材料的导电类型、载流子浓度、方块电阻、电阻率、载流子迁移率、霍尔系数等;可使用范德堡样品或条形、桥型样品;对于半导体薄膜如ZnO 薄膜,样品要求：形状为方形,边长6mm~12mm 为宜；衬底必须绝缘,无裂纹和空洞,否则无法进行霍尔测试;电极要求：样品必须与金属探针Pt 形成良好的欧姆接触,在样品的四个角上焊上In 电极,如图6所示,之后冷却一段时间以避免由于焊接电极时热激发引起载流子的变化,从而对Hall 测试结构造成影响;Hall 测试是否可靠,判断依据如下：（1）接触探针与样品形成欧姆接触,I-V曲线为线性,且不同探针对间的接触电阻相当,至少在同一个数量级;（2） Sym因子和Factor因子的最佳数值均为1,但是一般情况下由于样品的不均匀以及电极的不对称性会造成这两个因子的数值偏离1,如果这两个数值偏离较大,将会造成测试结果不准确,通常Sym要求小于,Factor大于;（3） 2-4和1-3探针点的平均Hall电压这两个数值的符号、大小很重要;对一般的材料来说,要求两者为同好且大小相差不能超过5%；对于补偿型的化合物半导体材料,如果本证为n型,p型样品会存在空穴和电子两种载流子,根据半导体物理,Hall测试过程中在“高温”下会出现两者为异号的情况;连续多次测量,由于温度效应会使测量不准确;七、实验结果与讨论本实验测试结果见附页,其中电阻率Rs=×104ohm/sq,迁移率RHs=C,载流子浓度Ns=×1013/cm2;根据V V=V V V,其中I=μA、V=-20mV、B=、d=μm,计算得到V V V V=×10-3;霍尔系数RH由于迁移率和霍尔系数都是负值,即导电载流子主要是带负电的电子,所以此ZnO薄膜样品的导电类型为n型;从I-V曲线可以看出,曲线为一条过原点的直线,并且不同探针之间的接触电阻相差不大,说明接触探针与样品之间形成了良好的欧姆接触;Sym因子大约为,Factor因子大约为,在通常测试要求的范围内;1-4探针点之间的平均Hall电压为×10-5,2-3探针点之间的平均Hall电压为×10-5;思考题：直流和射频磁控溅射原理及用途磁控溅射原理直流原理：直流溅射构造简单,靶材作为阴极,基片及其固定架为阳极,被电离的氩离子在电场作用下加速轰击靶材,溅射出的靶材原子沉积到基片表面,生长成薄膜;射频溅射原理:交变电场使得靶材正半周接收电子,负半周接收正离子,相互中和,从而使阴阳两极电位的大小保持稳定,使溅射能够持续进行;用途：直流磁控溅射只能使用金属靶材,射频溅射由于高频的场效应可以使靶材的应用扩展到非金属材料,比如陶瓷材料等等。
半导体制备dgo-strip
半导体制备dgo-strip随着半导体技术的不断发展，各种新型半导体材料的研究和制备也成为了研究热点之一。
dgo-strip作为一种半导体材料，在光电子器件和光学器件领域有着广泛的应用前景。
本文将介绍关于dgo-strip的相关知识，以及其制备过程、特性和应用前景。
一、dgo-strip的概念dgo-strip，即离子辅助（Ion-Assisted）的金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）薄膜制备技术，是一种新型的半导体材料。
该材料具有优异的光电特性和热学性能，因此在光电子器件和光学器件领域具有广泛的应用前景。
二、dgo-strip的制备过程1. 前体材料选择：选择高纯度的金属有机化合物作为前体材料，通常使用铝、镓、氮等元素的有机化合物。
2. 气相沉积过程：将前体材料输送至反应器中，与载气混合后在衬底表面发生化学反应，生成dgo-strip薄膜。
3. 离子辅助技术：通过对反应物料进行离子辅助处理，可以调控薄膜的成分和结构，得到具有优异性能的dgo-strip薄膜。
三、dgo-strip的特性1. 光电特性：dgo-strip具有优异的光电特性，具有较高的载流子迁移率和较窄的能隙，适用于制备高性能的光电子器件。
2. 结构特性：dgo-strip的晶格结构稳定，具有优异的热学性能，适用于制备高温工作的器件。
3. 应变特性：dgo-strip在外界应变下依然具有稳定的性能，适用于高应变环境下的器件制备。
四、dgo-strip的应用前景1. 光电子器件：dgo-strip可以作为高性能探测器和传感器的基底材料，广泛应用于光学通信、光学成像和光电子测量等领域。
2. 光学器件：dgo-strip具有良好的光学性能，可以作为光学透镜、滤光片等光学器件的基底材料，应用于激光器、显微镜等光学系统中。
3. 热电器件：dgo-strip具有优异的热学性能和稳定的应变特性，可以应用于高温高应变环境下的电子器件制备，具有广阔的市场前景。
纳米结构有机半导体薄膜材料及其在光电器件中的应用研究
纳米结构有机半导体薄膜材料及其在光电器件中的应用研究随着半导体技术的快速发展，纳米结构有机半导体薄膜材料在光电器件中的应用逐渐升温。
作为一种新型的半导体材料，纳米结构有机半导体薄膜材料具有许多独特的性质，如可塑性、可溶性、低成本等优点，这使得其在柔性电子学、有机太阳能电池、有机场效应晶体管以及光电探测器等领域有着广泛的应用价值。
一、纳米结构有机半导体薄膜材料的制备方法纳米结构有机半导体薄膜材料通常采用溶液法制备，其制备流程主要包括材料的选择、溶液的制备、薄膜的沉积以及后处理等步骤。
目前，可用的制备方法主要有旋涂法、喷涂法、印刷法、场致生长法、自组装法等。
其中，旋涂法是最常用的一种方法，其制备流程简单，成本低，适用于大面积的薄膜制备。
二、纳米结构有机半导体薄膜材料在光电器件中的应用1. 有机太阳能电池有机太阳能电池是一种新型的光伏器件，通过光伏效应将光能转化为电能。
目前，用于太阳能电池的纳米结构有机半导体薄膜材料主要包括聚合物、配合物和低分子有机化合物等。
其中，聚合物太阳能电池具有高效率、低成本等优点，已经成为研究的热点。
2. 有机场效应晶体管有机场效应晶体管是一种新型的电子器件，其主要应用于液晶显示屏、RFID 等领域。
纳米结构有机半导体薄膜材料通过旋涂等制备方法可以制备出高质量的薄膜，为有机场效应晶体管的制备提供了可靠的材料基础。
3. 光电探测器光电探测器是一种常见的光电器件，其主要用于光通信、光电传感等领域。
纳米结构有机半导体薄膜材料由于其好的光电性能，在光电探测器中也有着广泛的应用。
三、结语纳米结构有机半导体薄膜材料是一种新型的材料，由于其可塑性、可溶性等优势，在光电器件中有着广泛的应用前景。
未来，随着制备方法的不断改进以及技术的不断创新，纳米结构有机半导体薄膜材料必将得到更广泛的应用。
BiVO4薄膜的制备及其光电化学性能的研究的开题报告
BiVO4薄膜的制备及其光电化学性能的研究的开题
报告
一、研究背景：
随着环境污染和能源危机的日益加剧，研究可持续的清洁能源和环境治理技术变得越来越重要。
光电化学水分解技术是一种研究热点，在这项技术中，利用半导体材料吸收太阳光能，产生电子和空穴，将水分子分解成氢气和氧气。
而BiVO4作为一种非常有前途的氧化物半导体材料，它的导带位置与氧气发生了强烈的相互作用，可以很好的促进氧气发生电化学反应，具有很高的光电化学性能，被广泛应用于光催化和电化学水分解领域。
本研究旨在通过制备BiVO4薄膜并研究其光电化学性能，探索其在可持续能源和环境治理方面的应用。
二、研究内容：
1.利用化学沉淀法和溶胶-凝胶法制备出BiVO4薄膜，并通过扫描电镜、X射线衍射仪和X射线光电子能谱等手段对薄膜结构和物理化学性质进行表征。
2.利用光电化学方法研究BiVO4薄膜的光吸收性能和光电流响应特性，并对其进行电化学阻抗谱、线性扫描伏安和循环伏安等测试，探索其在光催化和电化学水分解方面的应用。
三、研究意义：
1.研究BiVO4薄膜的制备及其光电化学性能，有助于深入了解其物理化学性质和光电化学机制，为其应用于光催化和电化学水分解等领域提供技术支持。
2.本研究将有助于推动清洁能源和环境治理技术的发展，为实现可持续发展做出贡献。
四、研究方法：
1.化学沉淀法和溶胶-凝胶法制备BiVO4薄膜。
2.利用扫描电镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱、光电化学方法、电化学阻抗谱、线性扫描伏安和循环伏安等手段对薄膜结构和光电化学
性能进行表征和测试。
3.分析实验结果，探索BiVO4薄膜在光催化和电化学水分解领域的
应用。
IGZO薄膜晶体管的制备及其光电特性的研究
科学技术创新2021.10编号 短路电流(A)开路电压(V)效率(%) 填充因子(%)Ａ 0.272 2.712 28.45 84.39 Ｂ0.2732.72129.1885.70表2样品电性能参数3结论采用了两种国产光刻胶进行了工艺优化实验，观测分析了两种光刻胶的表面、截面特性，证明两种光刻胶均可以优化到较好的显影图形。
光刻图形进一步制备了金属栅线，并进行了牢固度实验，发现A 光刻胶制备的电池栅线发生了脱落现象，而B 光刻胶制备的电池栅线未发生脱落。
证明B 光刻胶的可靠性比A 光刻胶要好。
通过电致发光实验，我们发现A 电池表面存在阴影，而B 电池表面不存在阴影。
这说明A 电池发生电极脱落现象的原因是栅线与太阳电池基体未形成良好的接触。
进一步的电性能测试发现，A 电池的串联电阻比B 电池更大，验证了我们的分析。
综合分析得知，B 光刻胶工艺优于A 光刻胶工艺，更适合用于空间用太阳电池的栅线制备。
参考文献[1]铁剑锐,李晓东,孙希鹏.高效超薄空间用三结砷化镓太阳电池研制[J].电源技术,2018,42(08):86-88.[2]陈光红,于映,罗仲梓等.AZ5214E 反转光刻胶的性能研究及其在剥离工艺中的应用[J].功能材料,2005(03):113-115+122.[3]李雯,谭智敏,薛昕,等.紫外线厚胶光刻技术研究及应用[J].微纳电子技术,2003(08):151-153.IGZO 薄膜晶体管的制备及其光电特性的研究刘璐高晓红孟冰付钰孙玉轩王森刘羽飞胡顶旺(吉林建筑大学电气与计算机学院,吉林长春130000)众所周知，薄膜晶体管（TFT ）在平板显示（FPDs ）领域充当着重要的角色，尤其是有源矩阵液晶显示器件（AMLCD ）和有源矩阵有机发光二极管显示器件（AMOLED ）中[1]。
TFT 作为一种重要的开关器件，其性能的高低在很大程度上受到其半导体沟道层的影响。
与其它沟道层材料相比，氧化物沟道层可以在较低的工艺温度实现更均匀更平整的薄膜、更高的迁移率和更低的开启电压。
关于毕业设计初期检查的通知-电子科技大学光电学院
专家：汪平河(组长)、张利勋、王智勇老师时间：6月9日（周二）上午8:30，下午1:30地点：全天二教101教室学生名单：要求：1、每位同学务必于答辩前三天前将论文（纸质版）提交到答辩组长处，由组长指定论文评阅教师。
不按期提交论文，影响答辩的同学，后果自负。
2、答辩专家联系方式：汪平河：光电楼416室；张利勋：光电楼325；王智勇：逸夫楼5313、请该组同学准备答辩PPT。
4、每个学生答辩时间20分钟，其中学生论文报告时间10分钟，回答问题时间10分钟。
专家：郭小伟（组长）、杨春平、张行至老师时间：6月9日（周二）上午8:30，下午2:30地点：上午二教203教室，下午二教201教室学生名单：要求：1、每位同学务必于答辩前三天前将论文（纸质版）提交到答辩组长处，由组长指定论文评阅教师。
不按期提交论文，影响答辩的同学，后果自负。
2、答辩专家联系方式：郭小伟：光电楼416室；杨春平：逸夫楼509；张行至：光电楼4293、请该组同学准备答辩PPT。
4、每个学生答辩时间20分钟，其中学生论文报告时间10分钟，回答问题时间10分钟。
专家：岳慧敏（组长）、陆荣国、肖峻老师时间：6月12日（周五）上午9:00，下午2:30地点：全天二教103教室学生名单：要求：1、每位同学务必于答辩前三天前将论文（纸质版）提交到答辩组长处，由组长指定论文评阅教师。
不按期提交论文，影响答辩的同学，后果自负。
2、答辩专家联系方式：岳慧敏：光电楼317室；陆荣国：光电楼227；肖峻：逸夫楼5033、请该组同学准备答辩PPT。
4、每个学生答辩时间20分钟，其中学生论文报告时间10分钟，回答问题时间10分钟。
专家：陈文彬（组长）、陈晓西、兰长勇老师时间：6月11日（周四）上午8:30，下午2:30地点：上午二教206教室，下午二教207教室学生名单：要求：1、每位同学务必于答辩前三天前将论文（纸质版）提交到答辩组长处，由组长指定论文评阅教师。