接近开关专用集成电路TLP
TLP521光耦合详解
TLP521-4四路光耦合一、简介TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。
东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。
二、引脚图T LP521－2提供两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供4个孤立的光耦中16引脚三、原理分析1脚：正极 2脚：负极 3脚：发射极 4脚：集电极一般系统中如上图图进行光耦设计（只标明一组，其余组均按此设计）。
光耦的输入端是一个发光二极管，加电阻是为了限制电流，不加电阻容易烧毁。
加二极管（IN4148）主要为了保护光耦。
四、输入输出介绍左图为上拉电阻，此时光敏三极管构成反相放大器，即当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其集电极电流Ic=0，集电极输出TD5=VCC - Ic*R2=VCC- 0*R5=VCC，此时输出TD5为高电平（VCC）。
当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2的电压降VR5=VCC，故使其集电极对地电压=0V，此时输出TD5为低电平（≈0V）。
右图为下拉电阻，即：光敏三极管的集电极接VCC，而发射极接电阻R2，R2下端接地，即构成射极跟随器形式，由发射机输出。
此时输出相位与上1、2相反，即：当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其发射极电流Ie=0，故发射极对地输出电压=0V。
当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2电压=VCC，即发射极对地电压=VCC。
tlp2355原理
tlp2355原理
tlp2355是一种光耦合器件，也被称为光电耦合器。
它通常由
发光二极管（LED）和光敏二极管（光探测器）组成。
其工作原理是
利用LED发出的光信号照射到光敏二极管上，从而实现输入和输出
之间的电气隔离和信号传输。
从LED的角度来看，当LED端施加电压时，LED会发出光信号。
这个光信号经过光耦合器中的隔离层传播到光敏二极管的光敏区域。
光敏二极管的光敏区域会吸收LED发出的光信号，产生电荷载流子，从而在光敏二极管中产生电流或电压信号。
这个电流或电压信号可
以视为光耦合器的输出信号。
从电气隔离的角度来看，光耦合器实现了输入和输出之间的电
气隔离。
这是因为LED和光敏二极管之间的信号传输是通过光信号
而不是直接的电气连接。
这种电气隔离可以带来很多优势，比如可
以防止输入端的电气噪声传播到输出端，提高系统的稳定性和安全性。
总的来说，tlp2355光耦合器的工作原理涉及LED发出光信号，光信号经过隔离层照射到光敏二极管上，光敏二极管产生对应的电
流或电压信号，实现输入和输出之间的电气隔离和信号传输。
这种器件在工业控制、通信设备和医疗器械等领域有着广泛的应用。
tlp293参数
tlp293参数TLP293参数TLP293是一种光耦合器件，它通过光学隔离的方式将输入和输出电路隔离开来，具有高速和高电压隔离的特点。
在许多电子设备中，TLP293被广泛应用于数据传输、电源控制等领域。
TLP293的核心部件是发光二极管和光敏三极管，通过这两个元件的结合，实现了输入电路和输出电路的隔离。
发光二极管将输入电路的电信号转化为光信号，然后光信号经过光敏三极管转化为输出电信号，从而实现了输入和输出之间的隔离。
TLP293具有多种参数，包括输入电流、输出电压、传输速率等。
其中，输入电流是指在输入端流过的电流大小，通常以毫安（mA）为单位进行表示。
输出电压是指在输出端的电压大小，通常以伏特（V）为单位进行表示。
传输速率是指TLP293能够传输数据的速度，通常以兆位每秒（Mbps）为单位进行表示。
TLP293的输入电流一般在几毫安到几十毫安之间，具体取决于不同型号和应用场景的要求。
较小的输入电流可以减小功耗，而较大的输入电流可以提高传输速率。
输出电压的范围也会因为不同的应用而有所不同，一般在几伏特到几十伏特之间。
传输速率一般在几百Mbps到几千Mbps之间，具体取决于光耦合器件的性能和工作环境的要求。
TLP293还具有一些其他的参数，如响应时间、耐压能力等。
响应时间是指从输入信号到输出信号出现的时间延迟，一般以纳秒（ns）为单位进行表示。
较小的响应时间可以提高数据传输速度，而较大的响应时间则会导致传输速率降低。
耐压能力是指TLP293能够承受的最大电压，一般以千伏特（kV）为单位进行表示。
较高的耐压能力可以提高设备的安全性和可靠性。
除了上述参数外，TLP293还具有一些特殊的功能和特点。
首先，TLP293具有高速的数据传输能力，可以满足高速数据传输的需求。
其次，TLP293具有高电压隔离能力，可以有效地隔离输入和输出电路，提高系统的安全性和稳定性。
此外，TLP293还具有小尺寸、低功耗等优点，适用于各种电子设备中的小型化和低功耗化要求。
常用集成电路名词缩写汇总（第二版）
常⽤集成电路名词缩写汇总（第⼆版）重要说明整个集成电路的设计和⽣产链路很长,相关专有名称很多;本⽂对常见的集成电路相关的名词缩写进⾏了汇总,特别聚焦与集成电路设计领域,意在整理常⽤的数字电路/DC/PT/ICC/DFV/DFT/RTL/ATE相关⽅⾯的知识点,⽅便⼤家快速学习和掌握相关知识,⽅便⼤家查询;同时希望对学⽣将来的培训/⾯试等活动给予最⼤的帮助;⽂章按照字母排序的⽅式进⾏编排,⽅便⼤家查询;本次⽂章内容为第⼆次发布,我们将定期更新,逐步完善;欢迎⼤家提供相关信息⾄xgcl_wei微信号,帮助我们逐步完善内容,⽅便更多的⼈查询和使⽤,感谢您的参与,谢谢!英⽂全称中⽂说明ABV Assertion based verification基于断⾔的验证AES Advanced Encryption Standard⾼级加密标准,是美国政府采⽤的⼀种区块加密标准ADC Analog-to-Digital Converter指模/数转换器或者模数转换器AHB Advanced High Performance Bus⾼级⾼性能总线ALF Advanced Library Format先进（时序）库格式ALU Arithmetic and logic unit算数逻辑单元AMBA Advanced Microcontroller Bus Architecture⾼级微控制器总线体系ANT antenna天线效应AOP Aspect Oriented Programming⾯向⽅⾯编程APB Advanced Peripheral Bus⾼级外部设备总线API Application Programming Interface应⽤程序编程接⼝APR Auto place and route⾃动布局布线ARM Advanced RISC Machines 英国Acorn公司(ARM公司的前⾝)设计的低功耗成本的第⼀款RISC微处理器。
TL-Q5MC1-Z接近开关中文资料
TL-Q5MC1-Z 翔京联合接近开关中文资料 产品图片
Photo 尺寸图
Dimension drawing 特点描述 Feature Description 型号规格 Item Code ◆采用非接触式检测方式,响应
快、频率高
◆逆极性,浪涌,短路,过载保护
◆外壳材料：PBT
◆防护等级IP67（IEC ）
DC2线NO TL-Q5MD1 DC2线NC TL-Q5MD2 NPN NO TL-Q5MC1-Z NPN NC TL-Q5MC2 NPN NO+NC
—— PNP NO
TL-Q5MF1
PNP NC TL-Q5MF2
PNP NO+NC ——
AC 2 线 NO TL-Q5MY1
AC 2 线 NC TL-Q5MY2
电气接线图 Connection diagram 规格参数 Specification
安装方式 埋入式 非埋式 检测距
离
5mm 8m m 10…30VDC 90...250VAC
压 外形规格
17*17*28
输出方式 NPN/PNP NO/NC 开关点偏移 ≤±10% 迟滞范围 1…20% 重复误差 ≤3% 负荷电流 ≤200mA 残留电压 ≤2.5V 消耗电流
≤10mA
保护回路
浪涌,过载,短路,逆极性保护
输出指示
黄色LED
环境温度
-25…70℃
环境湿度 35-95%
开关频
率
800 Hz 500 Hz
防护等级 IP67
外壳材
PBT
料
2米PVC电缆接线方
式。
TL-Q5MD1-Z接近开关
传感器> 接近传感器> 方型> TL-N / -Q 以丰富的机型支持各种用途特点:信息更新: 2017年12月19日安装简单、可用于高速脉冲发生器、高速旋转控制器等可直接安装金属件（-N型）因为品种丰富、所以最适用于各种限位控制、计数控制等方面（-N型）种类:信息更新: 2017年5月17日本体直流2线式形状检测距离型号动作模式NO NC非屏蔽□175mm TL-Q5MD1 2M *1 *2TL-Q5MD2 2M *1□257mm TL-N7MD1 2M *1TL-N7MD2 2M *1□3012mm TL-N12MD1 2M *1TL-N12MD2 2M *1□4020mm TL-N20MD1 2M *1TL-N20MD2 2M *1*1. 备有防止相互干扰的各种异频型。
型号为TL-N□MD□5、TL-Q5MD□5。
（例：TL-N7MD15）*2. 备有机器人（耐弯曲）导线型。
型号为-R。
（例如：TL-Q5MD1-R 2M）直流3线式/交流2线式形状检测距离输出形式型号动作模式NO NC非屏蔽8×9 2mm直流3线式NPNTL-Q2MC1 2M――□175mmTL-Q5MC1 2M *1 *2TL-Q5MC2 2M 直流3线式PNP TL-Q5MB1 2M――□255mm直流3线式NPN TL-N5ME1 2M *1 *2TL-N5ME2 2M *1交流2线式TL-N5MY1 2M *1TL-N5M Y2 2M *1□3010mm 直流3线式NPN TL-N10ME1 2M *1 *2TL-N10ME2 2M *1直流3线式PNP TL-N10MF1 2M *1――交流2线式TL-N10MY1 2M *1TL-N10MY2 2M *1□4020mm 直流3线式NPN TL-N20ME1 2M *1 *2TL-N20ME2 2M *1交流2线式TL-N20MY1 2M *1TL-N20MY2 2M *1*1. 备有防止相互干扰的各种异频型。
用于ESD分析的传输线脉冲(TLP)测试--元件级
2015.01.23版
Wei Huang, Jerry Tichenor
Web: Email: info@ Tel: (+1) 573-202-6411 Fax: (+1) 877-641-9358 Address: 4000 Enterprise Drive, Suite 103, Rolla, MO, 65401
我们为何关注ESD？
有物理损伤, 但功能正常- ESD造成的IC损伤
Picture 6
ESD浪涌造成的过电压。IC仍然能工作，但已经接近 彻底损坏。
6
我们为何关注ESD？
硬件故障 - ESD造成的IC损伤
Picture 7
电气过应力(Electrostatic Over Stress - EOS)损坏
Semtech uClamp0541Z 数据表
ESDEMC TLP 测试结果
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什么是TLP测试？
什么是TLP测试？
• 超快TLP测试: TVS二极管的开启特性 （脉冲开始的几个纳秒）
DUT电阻-时间-脉冲电压瀑布图
6V TLP脉冲
DUT电阻值上限取决于绘图 目的
20
什么是TLP测试？
标准TLP的典型应用
• 带电人体接触受试设备(DUT) • ANSI/ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2010 • 对地测试电压4000V, 电流< 3A (也可用8000V ) • 皮肤放电(IEC 61000-4-2标准是手持金属放电)
Picture 9
对地放电，上升时间(tr) – 2 to 10ns
几种用于IGBT驱动的集成芯片
几种用于IGBT驱动的集成芯片2. 1 TLP250（TOSHIBA公司生产）在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。
同时，这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT实现过流保护等功能。
因此在这种逆变器中，对IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低。
这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250，夏普公司生产的PC923等等。
这里主要针对TLP250做一介绍。
TLP250包含一个GaAlAs光发射二极管和一个集成光探测器，8脚双列封装结构。
适合于IGBT或电力MOSFET栅极驱动电路。
图2为TLP250的内部结构简图，表1给出了其工作时的真值表。
TLP250的典型特征如下：1）输入阈值电流（IF）：5 mA（最大）；2）电源电流（ICC）：11 mA（最大）；3）电源电压（VCC）：10～35 V；4）输出电流（IO）：± 0.5 A（最小）；5）开关时间（tPLH /tPHL）：0.5 μ s（最大）；6）隔离电压：2500 Vpms（最小）。
表2给出了TLP250的开关特性，表3给出了TLP250的推荐工作条件。
注：使用TLP250时应在管脚8和5间连接一个0.1 μ F的陶瓷电容来稳定高增益线性放大器的工作，提供的旁路作用失效会损坏开关性能，电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。
图3和图4给出了TLP250的两种典型的应用电路。
在图4中，TR1和TR2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的关系，例如，电源电压为24V时，TR1和TR2的Icmax≥ 24/Rg。
图5给出了TLP250驱动IGBT时，1 200 V/200 A的IGBT上电流的实验波形（50 A/10 μ s）。
可以看出，由于TLP250不具备过流保护功能，当IGBT过流时，通过控制信号关断IGBT，IGBT中电流的下降很陡，且有一个反向的冲击。
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接近开关专用集成电路TLP0161 北京富世鸿电子科技有限公司
•与法国汤姆逊TDA0161直接互换，外围元件少，灵敏度高
~ 35VDC
•工作电压：+4V
•电流损耗：< 0.8 mA
•输出电流：> 10 mA
~ 70℃
•工作温度：-30℃
TLP0161集成电路由金属检测体构成，用于检测电流在高频涡流的流失。
通过外部LC调谐电路作为高频振荡器和放大电路组成接近开关，利用导电金属物体在接近能产生电磁场的振荡感应头时，使物体内部产生涡流，这个涡流反作用于接近开关，使接近开关振荡能力衰减，内部电路的参数发生变化，由此识别有无金属物体接近使输出信号翻转。
在3脚与7脚之间集成电路就像一个负阻值，相当于连接在2脚与4脚之间的外部电阻R1，当损耗电阻Rp的调谐电流小于R1时振荡器停止，则1与6脚输入电流Icc < 1mA。
绕在铁氧体磁罐上的线圈L1产生电涡流，检测损耗电阻Rp额定功率的损耗。
引出脚说明（8脚P-DIP或FPQ贴片封装）
管脚号名称
Pin 1电源端
Pin 2调整电阻端
Pin 3探测头外接点
Pin 4调整电阻端
Pin 5高频滤波电容端
Pin 6输出端
Pin 7探测头外接点
Pin 8过渡时间调整电容端
参数符号测试条件最小值典型值最大值单位
电源电压Vcc 3.7535V
反向电压限制Ic=-100mA-1V
输出电流(金属远距离时)Icc 3.75~35V1mA
输出电流(金属接近时)Icc 3.75~35V8mA
最高振荡频率fmax10MHz
注：如果电路用在大于3MHz频率下使用，推荐在7脚和6脚端连接一个100PF的电容器。
典型应用
驱动小于10mA的电路：
驱动较大时的电路：
控测距离f L1C1R1C2C3
单位mm KHzµH PF KΩPF
22650301205~30K4710P左右
5425300470根据用户
需要调整470根据用户
需要调整
1050216047003300以上数据被检测物为铸铁，厚度为4mm，大小为以瓷罐直径为边长的正方体。
瓷罐直径根据探测距离决定，一般为探测距离2倍。
R1为调整距离用电阻，可根据探测距离的需要调整电阻的大小。
注：因各厂家瓷罐参数都有一些差距，在调整时根据瓷罐参数的不同，还应有所改变。
TLP0161
检测距离
mm 磁罐直径
mm
线圈检测体
A3（mm）
电阻电容（PF）回差
（mm）线径mm匝数R1（KΩ）C1C2C3
290.127012x12x2 6.84704700 290.126012x12x28.13903900 4140.158518×18×18.5150010000 5140.168018×18×19.1K150010000 15260.456045×45×15K330015000
外型尺寸（8脚P-DIP封装或FPQ贴片封装）
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