利用LM331进行频率电压转换

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基于LM331频率电压转换器电路设计

基于LM331频率电压转换器电路设计

基于LM331频率电压转换器电路设计LM331基本上是从国家半导体精密电压频率转换器。

该集成电路具有手像应用模拟到数字的转换,长期一体化,电压频率转换,频率电压转换。

宽动态范围和出色的线性度,使适合上述应用的IC,这里的LM331作为电压转换器转换成一个成比例的电压,这是非常线性的输入频率与输入频率的频率有线。

电压转换的频率达到差分输入频率使用电容C3和电阻R7,和由此产生的脉冲序列喂养的PIN6的IC(阈值)。

在PIN6负由此产生的脉冲序列的边缘,使得内建说明LM331基本上是从国家半导体精密电压频率转换器。

该集成电路具有手像应用模拟到数字的转换,长期一体化,电压频率转换,频率电压转换。

宽动态范围和出色的线性度,使适合上述应用的IC,这里的LM331作为电压转换器转换成一个成比例的电压,这是非常线性的输入频率与输入频率的频率有线。

电压转换的频率达到差分输入频率使用电容C3和电阻R7,和由此产生的脉冲序列喂养的PIN6的IC(阈值)。

在PIN6负由此产生的脉冲序列的边缘,使得内建的比较器电路,触发定时器电路。

在任何时刻,电流流过的电流输出引脚(引脚6)将输入频)的值成正比。

因此,输入频率(FIN)成正比的电压(VOUT)率和定时元件(R1和C1将可在负载电阻R4 。

电路图注意事项该电路可组装在一个VERO板上。

我用15V直流电源电压(+ VS),同时测试电路。

LM331可从5至30V DC之间的任何操作。

R3的值取决于电源电压和方程是R3 =(VS - 2V)/(2毫安)。

根据公式,VS = 15V,R3 = 68K。

输出电压取决于方程,VOUT =((R4)/(R5 + R6))* R1C1 * 2.09V *翅。

壶R6可用于校准电路。

LM331 电压频率(VF)变换电路

LM331  电压频率(VF)变换电路

SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700DLB700DPART NO.BLUE OVAL LAMP LEDMODEL SPECIFICATIONS[Contents]1. Devices --------------------------------------------------2. Outline Dimensions -----------------------------------3. Absolute Maximum Ratings -------------------------4. Electro-Optical Characteristics ----------------------5. Reliability Tests ----------------------------------------6. Characteristic Diagrams ------------------------------7. Bin Code Description ---------------------------------8. Packing --------------------------------------------------9. Soldering Profile ---------------------------------------10. Reference ------------------------------------------------11. Precaution For Use -------------------------------------22345689121314SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D1. DEVICESColor DiffusionSourceLensPart NumberDice SourceColorBlueInGaNDiffused Blue LB700D 2. OUTLINE DEMENSIONSNotes : 1. All dimensions are in millimeters.2. Protruded epoxy is 1.0mm maximum.1.02.5±0.05MIN28.0MIN1.0CATHODEMAX1.0DETAIL+0.2-0.00.50.5±0.055.25±0.23.75±0.17.06±0.1XYSEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D3. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (at T a = 25ºC)mW 125P D Power Dissipation V 5V R Reverse Voltage ºC260 ºC for 10 second 2T SSolder TemperatureºC -30 ~ 85T opr Operating Temperature mA 100I FP 1Forward Peak Pulse CurrentºC -40 ~ 100T stg Storage Temperature mA 30I F DC Forward Current UnitValueSymbolItemNotes : 1. t ≤0.1ms, D = 1/102. 3mm bellow seating planeSEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D4. ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS (at I F = 20mA, T a = 25ºC)nm 476470464λdDominant Wavelength 5--500300V 4.03.6-V F Forward Voltage µA-I RReverse Current (at V R = 5V)Max.Typ.Min.deg.100/502θ½View AngleMcd I VLuminous Intensity 1UnitValueSymbolItemNote : 1. Luminous Intensity Tolerance ±10%SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D5. RELIABILITY TESTS0/221 time 1kV, 1.5k Ω; 100pFESD(Human Body Model)0/50100cyclesT a = -40ºC (30min) ~ 100º(30min)(Transfer time : 5sec, 1Cycle = 1hr)Thermal Shock 0/22100hrsT a = 85ºC, RH = 85%I F = 8mATemperature HumidityOperating0/221000hrs T a = 85ºC, RH = 85%Temperature HumidityStorage 0/221000hrs T a = -40ºC Low TemperatureStorage 0/221000hrs T a = 100ºC High TemperatureStorage 0/220/220/220/22Failures1 time T s = 255 ±5ºC, t = 10sec Resistance to solderingHeat 1000hrs T a = 85ºC, I F = 8mA High TemperatureOperating 1000hrsT a = -30ºC, I F = 20mALow TemperatureOperating 1000hrs T a = RT, I F = 30mA Life Test NoteConditionItem< Judging Criteria For Reliability Tests >LSL 2 X 0.5I VUSL X 2.0I R USL 1X 1.2V F Notes : 1. USL : Upper Standard Level 2. LSL : Lower Standard Level.SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D6. CHARACTERISTIC DIAGRAMSI F = f (V F ),T a = 25ºCI rel = f (θ), T a = 25ºCOff Axis Angle vs. Relative Intensity Forward Voltage vs. Forward Current2.4 2.6 2.83.0 3.2 3.4 3.6110100F o r w a r d C u r r e n t I F [m A ]Forward Voltage V F [V]-100-80-60-40-200204060801000.00.20.40.60.81.0Y XR e l a t i v e L u m i n o u s I n t e n s i t yOff Axis Angle [deg.]-40-20020406080100010203040F o r w a r d C u r r e n t I F [m A ]Ambient Temperature T a [oC]I V = f (I F ),T a = 25ºCI F = f (T a ), T a = 25ºCForward Current vs. Relative Intensity Ambient Temperature vs. Forward Current0510********0.00.40.81.21.6R e l a t i v e L u m i n o u s I n t e n s i t yForward Current I F [mA]SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D-40-200204060801000.50.60.70.80.91.01.11.21.3R e l a t i v e L u m i n u o s I n t e n s i t yAmbient Temperature T a [oC]I V /I V(25C)= f (T A ), I F = 20mA4005006007000.00.51.0R e l a t i v e L u m i n o u s I n t e n s i t yWavelength [nm]I rel = f ( λd), T A = 25ºC, I F = 20mA Wavelength vs. Relative Intensity Ambient Temperature vs. Relative IntensitySEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D7. BIN CODE DESCRIPTION21TForward VoltageColor RanksIntensity BIN CODE800600U450300S 600450T Max.Min.BIN CODE Intensity (mcd) @ I F =20mA 3.23.00 4.03.843.63.42 3.83.63 3.43.21Max.Min.BIN CODE Forward Voltage (V) @ I F =20mA 47647024704641Max.Min.BIN CODE Dominant Wavelength (nm)@ I F =20mASEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D8. PACKING(1) Antistatic poly vinyl bag apply Poly bag:5φLamp Series : 500pcs 3φLamp Series : 500pcs(2) Inner box structureBox : 2 poly bags(3) Outer box structure Box : 27 boxes485.0mm260mm315.0m m70m m170mm97.0m mLX000LXXXXQTY :pcsLOT : 200X.XX.XX XXXSEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTDOOORANK1) Bulk PackingSEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D2) Tapping Outline DimensionsH oPoW 1DoW 2WW oFP0±1.30±2.0φ4.0±0.55.0±0.512.7±0.312.7±0.59.0±0.51.0±0.513.0±0.318.0 +1.0W2DoW1F Wo Po W P Ho *Package Dimensions (unit : mm )-0.5 1 Box contain quantity.* Remark : Ho -users define.∗ 3φLamp Series : 3000pcs * 5φLamp Series : 2000pcsSEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D 3) Forming Outline DimensionsDoPo PH H 1H o WW oW 1FW 2φ4.0±0.55.0±0.512.7±0.312.7±0.59.0±0.51.0±0.513.0±0.318.0 +1.0W1Do WoF WPo H1 *P Ho *W2H *Package Dimensions (unit : mm )-0.5 1 Box contain quantity.∗ 3φLamp Series : 2000pcs* 5φLamp Series : 1500pcs * Remark : H / Ho / H1-users define.SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D 9. SOLDERING PROFILE1) Wave Soldering Conditions / Profile•Preliminary heating to be at 85ºC(120 ºC max)for 20 seconds(60 seconds max).•Soldering heat to be at 235 ºC (260ºC max) for 5 seconds (10 seconds max.)•Soak time above 200 ºC is 5 seconds2) Hand Soldering conditions•Not more than 5 seconds at max. 300ºC, under Soldering iron.024681012141618202224262830323436050100150200250T e m p e r a t u r e [O C ]T im e [s ]PREHEAT 20s (30s Max)85 ºC(100 ºC max)PEAK5s (10s Max)235 ºC(260 ºC Max)Note : In case the soldered products are reused in soldering process, we don’t guarantee the products.SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D 10. PART NUMBERING SYSTEM*8***-******L CB A 76543211) Lamp LED initial2) ColorU: Ultra Violet, B : Blue (460~490nm), C : Cyan (490~510nm)T : True Green (510~540nm), G : Yellow-Green (540~580nm)Y : Yellow (580~600nm) O : Orange (600~620nm) R : Red (620~700nm)W : WhiteM : WarmI : Infrared 3) If the products have 2 or 3chipsGR : Green + Red ( according to wavelength), FL : Full color4) Outline type1 : 3x2(square),2 : 5x2(square),3 : Phi3,5 : Phi 5 ,6 : 3Phi Oval,7 : 5Phi Oval5) Half angle1: ~14O , 2: 15~24O , 3: 25~34O , 4: 35~44O , 5 : 45~54O …0 : more than 100O6) 1st Development according to a chip7) 2nd Development (other material)D : diffused C : colored Z : zener chip attached8) Stand off typeA, B, C : Bin cord description A: IV, B: WD C: VFSEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.<060712> Rev. 0.1LB700D 11. PRECAUTION FOR USE1)In order to avoid the absorption of moisture, it is recommended to store in the dry box (or desiccators) with a desiccant . 2)In case of more than 1 week passed after opening or change color of indicator on desiccant components shall be dried 10-12Hr, at 60±5℃.3)In case of supposed the components is humid, shall be dried dip-solder just before, 12Hr at 80±5℃or 10Hr at 100±5℃.4)Any mechanical force or any excess vibration shall not be accepted to apply during cooling process to normal temp. after soldering.5)Quick cooling shall not be avoid.6)Components shall not be mounted on warped direction of PCB.7)Anti radioactive ray design is not considered for the products listed here in.8)This device should not be used in any type of fluid such as water, oil, organic solvent and etc. When washing is required, IPA should be used.9)When the LEDs are illuminating, operating current should be decided after considering the ambient maximum temperature.10)LEDs must be stored to maintain a clean atmosphere. If the LEDs are stored for 3 monthsor more after being shipped from SSC, a sealed container with a nitrogen atmosphere should be used for storage.11)The LEDs must be soldered within seven days after opening the moisture-proof packing.12)Repack unused products with anti-moisture packing, fold to close any opening and then store in a dry place.13)The appearance and specifications of the product may be modified for improvementwithout notice.。

lm331工作原理

lm331工作原理

lm331工作原理LM331是一种广泛应用于电子测量和控制系统中的精密电压频率转换器。

它采用了一个非常简单但非常有效的工作原理来实现频率和电压之间的转换。

本文将介绍LM331的工作原理及其应用。

我们来了解LM331芯片的基本结构。

LM331由一个比较器、一个电压控制振荡器和一个计数器组成。

其中,比较器用于将输入电压与内部参考电压进行比较,并产生一个脉冲信号。

电压控制振荡器则根据比较器的输出调整其输出频率,而计数器则用于计数振荡器输出的脉冲信号。

通过计数器的计数结果,我们可以得到输入电压对应的频率值。

LM331的工作原理可以简单概括为如下几个步骤:1. 输入电压与参考电压比较:LM331的输入端接收到一个待转换的电压信号,该信号与芯片内部的参考电压进行比较。

比较结果将决定振荡器的输出频率。

2. 振荡器输出调整:根据比较器的输出结果,振荡器将调整自身的输出频率。

当输入电压高于参考电压时,振荡器的输出频率增加;反之,当输入电压低于参考电压时,振荡器的输出频率减小。

3. 计数器计数:振荡器输出的脉冲信号经过计数器进行计数。

计数器记录了振荡器输出的脉冲数量,从而反映出输入电压对应的频率。

4. 频率输出:计数器的计数结果可以通过芯片的输出引脚获得。

通过读取输出引脚的电压值,我们可以得到输入电压对应的频率信息。

除了基本的工作原理之外,LM331还具有一些特殊的功能和应用。

其中包括:1. 频率范围可调:LM331可以通过外部电路调整其工作频率范围,从几赫兹到几百千赫兹不等。

这使得LM331非常适用于需要测量或控制不同范围频率的应用。

2. 高精度:由于LM331采用了精密的比较器和振荡器设计,它可以实现非常高的频率和电压转换精度。

这使得LM331在需要高精度测量或控制的系统中得到广泛应用。

3. 低功耗:尽管LM331具有高精度和可调频率范围的特点,但其功耗却非常低。

这使得LM331在需要长时间运行或依靠电池供电的应用中具有优势。

1LM331_LM331工作原理及典型应用

1LM331_LM331工作原理及典型应用

电压-频率变换器LM331LM331是美国NS公司生产的性能价格比较高的集成芯片。

LM331可用作精密的频率电压(F/V)转换器、A/D转换器、线性频率调制解调、长时间积分器以及其他相关的器件。

LM331为双列直插式8脚芯片,其引脚如图3所示。

LM331内部有(1)输入比较电路、(2)定时比较电路、(3)R-S触发电路、(4)复零晶体管、(5)输出驱动管、(6)能隙基准电路、(7)精密电流源电路、(8)电流开关、(9)输出保护点路等部分。

输出管采用集电极开路形式,因此可以通过选择逻辑电流和外接电阻,灵活改变输出脉冲的逻辑电平,从而适应TTL、DTL和CMOS 等不同的逻辑电路。

此外,LM331可采用单/双电源供电,电压范围为4~40V,输出也高达40V。

IR(PIN1)为电流源输出端,在f0(PIN3)输出逻辑低电平时,电流源IR输出对电容CL充电。

引脚2(PIN2)为增益调整,改变RS的值可调节电路转换增益的大小。

f0(PIN3)为频率输出端,为逻辑低电平,脉冲宽度由Rt和Ct决定。

引脚4(PIN4)为电源地。

引脚5(PIN5)为定时比较器正相输入端。

引脚6(PIN6)为输入比较器反相输入端。

引脚7(PIN7)为输入比较器正相输入端。

引脚8(PIN8)为电源正端。

LM331频率电压转换器V/F变换和F/V变换采用集成块LM331,LM331是美国NS公司生产的性能价格比较高的集成芯片,可用作精密频率电压转换器用。

LM331采用了新的温度补偿能隙基准电路,在整个工作温度范围内和低到4.0V电源电压下都有极高的精度。

同时它动态范围宽,可达100dB;线性度好,最大非线性失真小于0.01%,工作频率低到0.1Hz时尚有较好的线性;变换精度高,数字分辨率可达12位;外接电路简单,只需接入几个外部元件就可方便构成V/F或F/V等变换电路,并且容易保证转换精度。

图2是由LM331组成的电压频率变换电路,LM331内部由输入比较器、定时比较器、R-S触发器、输出驱动、复零晶体管、能隙基准电路和电流开关等部分组成。

LM331工作原理

LM331工作原理

LM331工作原理一、LM331内部电路图及各管脚定义图1 LM331内部电路图LM331内部有输入比较电路、定时比较电路、R-S触发电路、复零晶体管、输出驱动管、能隙基准电路、精密电流源电路、电子开关、复位晶体管等部分。

输出管采用集电极开路形式,因此可以通过选择逻辑电流和外接电阻,灵活改变输出脉冲的逻辑电平,从而适应TTL、DTL和CMOS等不同的逻辑电路。

此外,LM331可采用单/双电源供电,电压范围为4,40V,输出也高达40V。

下面就以以电压转换频率为例,介绍各引脚的作用,Ir(PIN1)为电流源输出端,在Fo(PIN3)输出逻辑低电平时,电流源,r输出对电容,L充电。

引脚2(PIN2)为增益调整,改变,,的值可调节电路转换增益的大小。

Fo(PIN3)为频率输出端,为逻辑低电平,脉冲宽度由,t 和,t决定。

引脚4(PIN4)为电源地。

引脚5(PIN5)为定时比较器正相输入端。

引脚6(PIN6)为输入比较器反相输入端。

引脚7(PIN7)为输入比较器正相输入端。

引脚8(PIN8)为电源正端。

二、LM331频率-电压转换工作原理图2 LM331的频率-电压转换原理图HFBR2412由光信号转为电信号,输出低电平到6N137的3脚,此时5V电压通过R14降压后,输入6N137的2脚使发光二极管发光,经片内光通道传到光敏二极管反向偏置的光敏管光照后导通,经电流-电压转换后送到与门的一个输入端,与门的另一个输入为使能端当使能端为高时与门输出高电平,经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。

脉冲信号由6脚输出,输出到C15与R15组成微分电路加到LM331的6脚,6脚使LM331内部输入比较器的反向输入端,7脚通过12V由R16、R19分压后到输入比较器的同向输入端。

当输入脉冲的下降沿到来时,经微分电路R1、C1产生一负尖脉冲叠加到反相输入端的上,当负向尖脉冲大于Vcc/3即4V 时,输入比较器输出高电平使内部的R-S触发器置位,此时电流开关打向右边,电流源通过LM331的1脚对电容C17充电,同时,复零晶体管导通,定时电容C16迅速放电,完成一次充放电过程。

lm331v-f转换电路工作原理

lm331v-f转换电路工作原理

lm331v-f转换电路工作原理
LM331V-F是一款精密电压到频率转换器芯片。

其工作原理是
将输入的电压信号转换为与输入电压成正比的频率输出信号。

具体来说,当输入电压增加时,输出频率也会相应地增加;当输入电压减小时,输出频率也会相应地减小。

LM331V-F可以
实现非常精确的电压到频率的转换,具体的转换关系由芯片内部的电压对比器和计数器电路实现。

在LM331V-F芯片内部,电压对比器将输入电压与参考电压
进行比较,根据比较结果控制计数器电路的计数方向和计数速度。

计数器电路通过计数的增加或减少来改变输出频率。

当输入电压超过参考电压时,计数器开始计数,直到达到设定的计数上限时,输出频率达到最大值。

当输入电压低于参考电压时,计数器开始反向计数,直到达到计数下限时,输出频率达到最小值。

LM331V-F芯片可以通过外部元件配置参考电压和调整计数范围,以满足不同的应用需求。

同时,它还具有内置的线性度和稳定性调整电路,可以进行精确的校准和调节。

总之,LM331V-F是一款实现精确电压到频率转换的芯片,可
以广泛应用于测量、控制和信号处理等领域。

wenjina

wenjina

LM331频率/电压转换实验一、实验目的(1)利用LM331器件实现F/V转换。

(2)用单片机系统设计多个不同的固定频率,用开关来选择。

二、实验内容利用LM331器件实现F/V转换,将一定频率范围的频率信号转换为线性变化的模拟量电压值,并用电压表观察。

三、实验原理(1)LM311器件概述LM331是美国NS公司生产的性能价格比较高的集成芯片,可用作精密频率电压转换器、A/ D转换器、线性频率调制解调、长时间积分器及其他相关器件。

LM331采用了新的温度补偿能隙基准电路, 在整个工作温度范围内和低到4.0V 电源电压下都有极高的精度。

LM331的动态范围宽, 可达100dB ; 线性度好, 最大非线性失真小于0.01% ,工作频率低到0.1Hz 时尚有较好的线性;变换精度高,数字分辨率可达12位; 外接电路简单,只需接入几个外部元件就可方便构成V/F或F/V等变换电路。

(2)LM331器件管脚图及管脚功能(3)LM331内部功能图LM331的内部电路组成如右图所示由输入比较器、定时比较器、R-S触发器、输出驱动管、复零晶体管、能隙基准电路、精密电流源电路、电流开关、输出保护管等部分组成。

输出驱动管采用集电极开路形式,因而可以通过选择逻辑电流和外接电阻,灵活改变输出脉冲的逻辑电平,以适配TTL、DTL和CMOS 等不同的逻辑电路。

LM331可采用双电源或单电源供电,可工作在4.0~40V之间,输出可高达40V,而且可以防止Vcc短路。

(4)用单片机系统产生不同的方波频率信号用单片机的定时器T0,及其中断来产生固定的频率。

不同的频率由定时器的初值和系统时钟来决定,通过电平开关K1~K8,来选择送入不同的初值,即可产生所需的方波频率信号。

四、实验接线图五、实验步骤P1.0~P1.7接K1~K8,P3.0接Fin,V out接电压表。

未输入频率信号前,调整可调电阻RW1,使V out输出为5V。

运行程序FV.ASM,拨动K1~K8(高电平有效,且同一时间只能有一只电平开关有效),观察电压表的变化。

LM331压频转换课程设计论文

LM331压频转换课程设计论文

课程设计(论文)说明书设计课题:线性电压/频率变换器院(系):电子工程与自动化专业:测控技术与仪器学生姓名:李金鹏学号: 0900820214指导教师:王月娥2012年1月11日摘要设计电压/频率变换电路,可以利用集成芯片LMx31 来实现。

其外部电压通过低通滤波输入芯片,在相应管脚接入充放电电路,在输出管脚便可输出合适的频率。

LMx31 线性度较好,不需要运放便可以实现电压频率转换,而且变换精度高。

利用专业的设计和仿真软件(如Proteus),设计并仿真U/F 变换电路。

关键词:V/F转换器;LM331芯片;高精度;外围电路;线性度;AbstractThis task is to design a line voltage/frequency converter , it mainly constitute by the LM331 chip and its external circuit, realizing the input voltage converted into a certain frequency of the oscillating circuit, it has good linearity and higher conversion precision .Key words:V/F convertor;LM331 chip; High precision; External circuit; Linearity;目录引言 (4)1 设计任务 (4)1.1 任务说明 (4)1.2 任务分析 (4)2 设计方案选择及论证 (5)2.1方案一:采用555定时器组成的压频转换电路 (5)2.2 方案二:直接由LM331及其外围电路构成压频转换器 (6)2.3方案比较和选择 (6)3 电路设计原理、参数计算及测量结果比较 (7)3.1 芯片LM331的介绍 (7)3.2 LM331组成的压频转换器及其工作原理 (8)3.3 protel绘制原理图、器件选择及参数计算 (10)3.4电路仿真 (11)3.5 实际电路板测量与数据整理 (13)3.6 本次课题的结果及结论 (15)4 组装调试 (15)4.1 电路设计的中遇到的问题与解决方法 (15)4.2 实物图 (16)5 课设总结 (16)谢辞 (17)附件一 (18)附件二 (19)附件三 (19)参考文献 (20)引言随着电子技术和计算机技术的迅速发展,集成的电压频率变换电路在电子技术、自动控制、数字仪表、通信设备、调频、锁相和模数变换等许多领域得到广泛的应用。

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. 频率/电压变换器* 一、概述本课题要求熟悉集成频率——电压变换器LM331的主要性能和一种应用;熟练掌握运算放大器基本电路的原理,并掌握它们的设计、测量和调整方法。

二、技术要求当正弦波信号的频率f i 在200Hz~2kHz 范围内变化时,对应输出的直流电压V i 在1~5V 范围内线形变化;正弦波信号源采用函数波形发生器的输出(见课题二图5-2-3); 采用±12V 电源供电. 三、设计过程 1.方案选择可供选择的方案有两种,它们是: 》○1用通用型运算放大器构成微分器,其输出与输入的正弦信号频率成正比. ○2直接应用F/V 变换器LM331,其输出与输入的脉冲信号重复频率成正比. 因为上述第○2种方案的性能价格比较高,故本课题用LM331实现. LM331的简要工作原理LM331的管脚排列和主要性能见附录LM331既可用作电压――频率转换(VFC ) 可用作频率――电压转换(FVC )LM331用作FVC 时的原理框如图5-1-1所示.R +V CC此时,○1脚是输出端(恒流源输出),○6脚为输入端(输入脉冲链),○7脚接比较电平. 工作过程(结合看图5-1-2所示的波形)如下: ;2/3V CCv ctV 0v CLp-pVCC1st图5-1-2当输入负脉冲到达时,由于○6脚电平低于○7脚电平,所以S=1(高电平),Q =0(低电平)。

此时放电管T 截止,于是C t 由V CC 经R t 充电,其上电压V Ct 按指数规律增大。

与此同时,电流开关S 使恒流源I 与○1脚接通,使C L 充电,V CL 按线性增大(因为是恒流源对C L 充电)。

经过的时间,V Ct 增大到2/3V CC 时,则R 有效(R=1,S=0),Q =0,C t 、C L 再次充电。

然后,又经过的时间返回到C t 、C L 放电。

以后就重复上面的过程,于是在R L 上就得到一个直流电压V o (这与电源的整流滤波原理类似),并且V o 与输入脉冲的重复频率f i 成正比。

C L 的平均充电电流为i ×()×f i C L 的平均放电电流为V o /R L当C L 充放电平均电流平衡时,得 V o =I ×()×f i ×R L式中I 是恒流电流,I=R S式中是LM331内部的基准电压(即2脚上的电压)。

于是得i t t SLo f C R R R 09.2V = "可见,当R S 、R t 、C t 、R L 一定时,V o 正比于f i ,显然,要使V o 与f i 之间的关系保持精确、稳定,则上述元件应选用高精度、高稳定性的。

对于一定的f i ,要使V o 为一定植,可调节R S 的大小。

恒流源电流I 允许在10μA~500μA 范围内调节,故R S 可在190k Ω~ k Ω范围内调节。

一般R S 在10k Ω左右取用。

2.LM331用作FVC 的典型电路LM331用作FVC 的电路如图5-1-3所示。

f ilomA2.02V R CC x -=在此,V CC =12V所以 R x =50k Ω取 R x =51 k Ωi t t SLo f C R R R 09.2V 取 R S = k Ω则 V o =f i ×10 –3V '由此得V o 与f i 在几个特殊 频率上的对应关系如表5-1-1所示。

表5-1-1 Vo 和fi 的 关系图5-1-3中f i 是经过微分电路470pF 和10 k Ω加到○6脚上的。

○6脚上要求的触发电压是脉冲,所以图5-1-3中的f i 应是方波。

整机方框图和整机电路图 整机方框图如图5-1-4所示。

参考电压V R图5-1-40=1~5V函数波形发生器输出的正弦波比较器变换成方波。

方波经F/V 变换器变换成直流电压。

直流正电压经反相器变成负电压,再与参考电压V R 通过反相加法器得到符合技术要求的V o 。

整机电路如5-1-5所示。

)EE图5-1-5反相器和反相加法器的设计计算函数波形发生器,比较器电路的设计计算分别见课题二 和有关实验。

以上介绍了F/V 变换器,下面介绍反相器和反相加法器。

○1反相器 反相器的电路如图5-1-6所示。

100k+V CCV o1V i1图5-1-6因为都是直接耦合,为减小失调电压对输出电压的影响,所以运算放大器采用低失调运放OP07。

由于LM331的负载电阻R L =100k Ω(见图5-1-3),所以反相器的输入电阻应为100 k Ω,因而取R L =100。

反相器的A u =-1,所以 ;R 4=R L =100 k Ω平衡电阻R 5=R L //R 4=50 k Ω 取 R 5=51 k Ω。

○2反相加法器 用反相加法器是因为它便于调整—--可以独立调节两个信号源的输出电压而不会相互影响,电路如图5-1-7所示。

V o3V oV R图5-1-7R 9103o 610o V R RV R R V --= 已知V o3= -V o2= -f i ×10-3V ∵R 9103i 610o V R R10f R R V -⨯=- 技术要求f i =200Hz 时,V o =1V f i =2000Hz 时,V o =5V · 即V )450f95(450f 250V i i o +=+=(2)对照⑴式和⑵式,可见应有 V 95V R R R 910=-若取R 10=R 9=20 k Ω,则V R = -95V 450f10f R R i 3i 610=⨯-∴R 6=9k Ω,用两个18 k Ω电阻并联获得。

平衡电阻R 11≈R 11//R 6//R 9= k Ω。

参考电压V R 可用电阻网络从-12V 电源电压分压获取,如图5-1-8所示。

10kV RR 81k图5-1-895)R //R (R R R //R V 9872W 98R =++=若取 R 8=1k Ω,则R 8//R 9= k Ω R w2+R 7= k Ω ,取 R 7= 15 k ΩR w2用10 k Ω电位器。

图5-1-5中的 C 2、C 3、C 4、C 5均为滤波电容,以防止自激和输出直流电压上产生毛刺,电容值均为10μF/16V 。

○2反相加法器另一种设计方法如图5-1-9所示。

V o3V oV R图5-1-9设f i =200Hz 时为V o3,要求V o1=1V ,则f i =2000Hz 时为10V o3要求V o =5V)R RV R R V (V 910R 6103o o +-==+-)R RV R R V (910R 6103o 1 (1)=+-)R RV R R V (910R 6103o 5 (2)(1)-(2):94R R V 4R R V 96103o 6103o -=→-= (3)(1)⨯10-(2):95R R V 5R R V 9910R 910R-=→=- (4),由⑷,若取V R = -1V ,则95R R 910=,取定一个电阻就可确定另一个。

即 若取V 95V R -=,则R 10=R 9,取定R 10、R 9。

知道R 10,则由⑶根据V o3大小,可确定R 6。

设V i3= ,则920R R 610=, 从而得106R 209R =。

四、测量和调整观察图5-1-5中有关点的波形。

可在200Hz~2kHz 内的任一频率上观察。

V i1应为直流电平≈0,幅度≈的正弦波。

V o1应为单极性的正方波,幅度≈V CC 。

(V i2应为直流电平≈V CC 的正负脉冲。

V o2应为正直流电压,V o3应为负直流电压,V O 应为正直流电压。

测量图5-1-5中有关点的直流电压首先要保证频率计,电压表完好,即保证测得的频率、电压数值正确。

将函数波形发生器的输出信号频率f i 调到200Hz 。

此时 V o2=。

否则调整R w1。

V o3= 。

否则调整R 4。

V R 应= -5/9V 。

否则调整R w2。

V o 应=1V 。

否则分别检查V R 、V o3产生的输入。

V R 产生的输出-应为VR 。

否则调整R 9。

V o3产生的输出应为-4/9V ,否则调整R 6。

|固定电阻的调整可用一个接近要求值的电阻和一个小阻值的电阻串联来实现。

根据5-1-2中的频率点,测出对应的V o2、V o3、V R、V o,应基本符合表5-1-2中的值。

i画出观察到的有关点的信号波形;根据表5-1-2中给定的频率点自行列表,填入个频率点上直流电压的理论值和实际测量值。

对测量值与计算值误差较大的项进行分析。

写出实验中曾出现过的故障现象、原因分析及解决方法。

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