扩散原理及技术介绍
扩散工艺知识

第三章 扩散工艺在前面“材料工艺”一章,我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺,那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散.这样的同质高浓度扩散,在晶体管制造中还常用来作欧姆接触,如做在基极电极引出处以降低接触电阻.除了改变杂质浓度,扩散的另一个也是更主要的一个作用,是在硅平面工艺中用来改变导电类型,制造PN 结。
第一节 扩散原理扩散是一种普通的自然现象,有浓度梯度就有扩散。
扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果.在一定温度下杂质原子具有一定的能量,能够克服某种阻力进入半导体,并在其中作缓慢的迁移运动。
一.扩散定义在高温条件下,利用物质从高浓度向低浓度运动的特性,将杂质原子以一定的可控性掺入到半导体中,改变半导体基片或已扩散过的区域的导电类型或表面杂质浓度的半导体制造技术,称为扩散工艺。
二.扩散机构杂质向半导体扩散主要以两种形式进行:1.替位式扩散一定温度下构成晶体的原子围绕着自己的平衡位置不停地运动。
其中总有一些原子振动得较厉害,有足够的能量克服周围原子对它的束缚,跑到其它地方,而在原处留下一个“空位".这时如有杂质原子进来,就会沿着这些空位进行扩散,这叫替位式扩散。
硼(B )、磷(P )、砷(As )等属此种扩散。
2.间隙式扩散构成晶体的原子间往往存在着很大间隙,有些杂质原子进入晶体后,就从这个原子间隙进入到另一个原子间隙,逐次跳跃前进.这种扩散称间隙式扩散.金、铜、银等属此种扩散。
三. 扩散方程扩散运动总是从浓度高处向浓度低处移动。
运动的快慢与温度、浓度梯度等有关。
其运动规律可用扩散方程表示,具体数学表达式为:N D tN 2∇=∂∂ (3—1) 在一维情况下,即为: 22xN D t N ∂∂=∂∂ (3-2) 式中:D 为扩散系数,是描述杂质扩散运动快慢的一种物理量;N 为杂质浓度;t 为扩散时间;x 为扩散到硅中的距离。
四.扩散系数杂质原子扩散的速度同扩散杂质的种类和扩散温度有关.为了定量描述杂质扩散速度,引入扩散系数D 这个物理量,D 越大扩散越快。
环境污染原理及其治理技术

环境污染原理及其治理技术环境污染是指人类活动所导致的大气、水体和土地等环境资源的不可逆转损害。
随着工业化和城市化的快速发展,环境污染问题日益突出,对人类健康和生态平衡造成了巨大威胁。
本文将介绍环境污染的原理以及常用的治理技术。
一、环境污染的原理环境污染主要有三个原理:排放原理、扩散原理和积累原理。
1. 排放原理排放原理是指工业生产、交通运输等活动产生的废气、废水和固体废弃物等被释放到环境中的过程。
工厂的烟囱排放废气、河流中的废水排放、垃圾焚烧产生的废气等都是排放原理的具体表现。
2. 扩散原理扩散原理是指排放到环境中的污染物会通过空气、水体或土壤的流动扩散到周围环境中,从而影响更广阔的范围。
例如,排放到大气中的污染物会随着风的吹动扩散到更远的地区,污染水体中的有害物质会随着水流扩散到更大的范围。
3. 积累原理积累原理是指污染物在环境中会积累和富集,对生态环境和人类健康造成慢性损害。
一些有毒化学物质,如重金属和农药,在环境中难以分解,会逐渐积累在土壤和水体中,进而进入食物链,对生物体产生毒害。
二、环境污染的治理技术为了解决环境污染问题,各国采取了一系列的治理技术,主要包括预防治理、终端治理和资源化利用。
1. 预防治理预防治理是通过控制和限制环境污染物的产生和排放,预防污染问题的发生。
例如,加强工业企业的环境管理,推广清洁生产技术,提高能源利用效率等。
此外,还可以加强环境监测和评估,及时发现和解决潜在的环境风险。
2. 终端治理终端治理是指在废气、废水和固体废弃物等排放口对污染物进行处理和净化,以达到环境排放标准。
常见的终端治理技术包括烟气脱硫、废水处理和固体废弃物焚烧等。
3. 资源化利用资源化利用是指将污染物转化为可再利用的资源,减少其对环境的负面影响。
例如,利用废水中的有机物质进行生物发酵产生能源,将废旧塑料进行回收再利用等。
三、环境污染治理的挑战与未来发展方向尽管有各种治理技术的存在,但环境污染治理仍面临许多挑战。
简要说明琼脂扩散技术的原理

简要说明琼脂扩散技术的原理琼脂扩散技术是一种常用的分子生物学实验技术,用于分离和检测蛋白质或核酸的动态扩散行为。
其原理基于琼脂凝胶的特性以及扩散分子的运动与分子量之间的关系。
琼脂凝胶是一种水合胶体,主要由水、多糖或蛋白质组成,呈现为一种半固体凝胶状。
琼脂凝胶中的多糖或蛋白质具有一定的孔隙结构,可以使分子在其中进行扩散。
琼脂凝胶的孔隙大小和凝胶电荷性质可以通过改变凝胶制备条件来调节,以适应不同分子的扩散。
琼脂扩散技术通常使用琼脂凝胶电泳板来进行实验。
首先,将琼脂粉末溶解在缓冲液中,通过加热、搅拌等步骤制备成凝胶溶液。
然后,将凝胶溶液倒入模具中,静置使其凝固。
形成的凝胶板上有一系列凹槽,称为孔槽。
待凝胶固化完成后,将孔槽中填充检测分子样品,如蛋白质或核酸。
接下来,让分子在琼脂凝胶中进行扩散。
扩散过程中,分子会从初始点向外侧扩散。
扩散速率取决于分子的分子量,通常情况下,分子量越小,扩散速度越快。
在扩散过程中,分子会与凝胶中的孔隙发生相互作用,使其速度逐渐减慢。
根据分子的扩散速度,可以计算出其扩散系数,从而了解分子的大小和性质。
为了观察分子的扩散行为,常常在琼脂凝胶上添加染料或显色试剂。
分子扩散到染料或试剂的位置后,会与其发生化学反应,形成显色物或染色产物。
通过观察显色的扩散圈或带状图案,可以确定分子的扩散行为。
琼脂扩散技术广泛应用于生物学研究中,例如蛋白质电泳,通过检测蛋白质的扩散系数来判断蛋白质纯度和分子量;亲和层析,用于研究分子间的相互作用;DNA分子量标准的制备等。
总结来说,琼脂扩散技术利用琼脂凝胶的孔隙结构和分子的扩散行为,通过观察分子的扩散速度和行为来分析和测定分子的大小、形态及其他性质。
该技术简单易行,并且可以在非常规实验室条件下进行,因此被广泛应用于生物科学研究和实验中。
高中生物扩散原理教案全套

高中生物扩散原理教案全套一、教学目标1.了解扩散的定义和原理。
2.掌握扩散在生物学中的应用和意义。
3.了解生物体内扩散的过程及其调节机制。
二、教学重点1.扩散的定义和原理。
2.生物体内扩散的过程及其调节机制。
三、教学难点1.生物体内扩散的调节机制。
2.扩散与浓度梯度的关系。
四、教学准备1.教案、课件。
2.实验设备:玻璃管、葡萄糖溶液、尿素溶液、示波器等。
五、教学内容与步骤1.扩散的定义和原理(15分钟)- 定义:扩散是指物质在混合物中由高浓度向低浓度自发传播的过程。
- 原理:扩散是由于分子无序热运动而引起的。
分子间碰撞会导致物质从高浓度区域向低浓度区域传播,直到达到平衡。
2.扩散在生物学中的应用和意义(15分钟)- 生物体内的氧气、营养物质等都是通过扩散来进行传递和吸收的。
- 生物体内氧气、二氧化碳、水等物质的扩散过程,维持了生物体内的内环境稳定。
3.生物体内扩散的过程及其调节机制(30分钟)- 生物体内扩散的过程通常通过细胞膜进行。
- 细胞膜上的通透蛋白可以选择性地调节物质的进出。
- 细胞膜的扩散速率受到温度、浓度梯度、表面积等因素的影响。
4.实验演示(20分钟)- 利用玻璃管装满葡萄糖溶液和尿素溶液,浸入葡萄糖溶液中,并利用示波器显示葡萄糖和尿素的扩散过程。
- 观察并分析实验结果,探讨扩散速率与浓度梯度的关系。
六、教学总结与评价1.扩散是体内生物活动中重要的传输方式,对维持生物体内环境稳定起着重要的作用。
2.生物体内的扩散过程受到多种因素的影响,了解这些因素有助于我们更好地理解生物体内的运作机理。
3.通过本节课的学习,希望学生们能够深刻理解扩散原理及其在生物学中的应用,为后续学习打下坚实的基础。
物理冶金原理:5-扩散

Ln Do 斜率 k = Q/R 求出Q
Ln D
1/T
几种典型扩散现象
• 下坡扩散Down-Hill Diffusion : • 上坡扩散 Up-Hill Diffusion:
•Down-Hill Diffusion
DA, DB
Vacancy Mechanism:
Diffusion of Substitutional Solute Atoms
空位机制:置换式溶质原子
(置换式原子的扩散就是空位的反向运动)
空位机制:置换式溶质原子
(置换式原子的扩散就是空位的反向运动)
间隙机制:间隙溶质原子 Interstitial Mechanism:
元素原子自扩散激活能与元素熔点的关系 Q = k . Tm
元素原子自扩散激活能与元素熔点的关系 Q = k . Tm
晶 体 结 构 的 影 响
影响扩散的因素
• 晶体缺陷密度: 空位浓度: 过饱和空位(固溶后不能停留太长时间) 位错及层错密度:是扩散的快速通道 晶界(晶粒尺寸): 纳米材料(表面纳米化-渗氮) 相界:
• 温度足够高:能量起伏、热激活 • 时间足够长:大量原子微观上无规
则跃迁、物质的定向传输 • 存在驱动力(浓度梯度、化学位梯
度、应变能梯度、表面能梯度)
扩散对材料科学与工程的意义
材料合成、制备、加工、使用过程都是控制 扩散的过程:
• 固态相变与热处理过程: • 凝固加工(铸造、焊接、…….) • 成形热加工(热锻、热轧、热挤压, ……) • 高温力学行为及氧化、腐蚀等性能: • 粉末冶金烧结: • 表面化学热处理与表面渗工艺, • 扩散连接, …….
扩散结晶技术原理

扩散结晶技术原理一、扩散原理扩散结晶技术是一种通过控制物质在溶液中的扩散和传递过程,实现晶体生长和制备的技术。
扩散是物质传递的一种重要方式,是指物质在浓度梯度的作用下,从高浓度区域向低浓度区域迁移的过程。
在扩散结晶过程中,溶质在溶液中的扩散是关键步骤之一,溶质的扩散速度决定了晶体生长的速率和形态。
二、结晶原理结晶是指物质从液态或气态转变为固态的过程,这个过程通常伴随着物质分子或离子的重新排列。
结晶过程可以分为成核和生长两个阶段。
成核是指新的晶体核形成的过程,这个过程需要一定的能量和过饱和度;生长是指晶体核逐渐长大的过程,这个过程需要溶质不断向晶体表面扩散并吸附。
三、成核与生长在结晶过程中,成核和生长是两个密切相关的过程。
成核是指新的晶体核形成的阶段,而生长是指晶体核逐渐长大的过程。
在扩散结晶技术中,控制成核和生长的过程对于获得所需的晶体形态和性能至关重要。
可以通过控制溶液的浓度、温度、pH值等参数来调节成核和生长的过程。
四、扩散速度控制在扩散结晶技术中,溶质的扩散速度对晶体生长的速率和形态有着重要的影响。
通过控制扩散速度,可以调控晶体的生长速率和形貌。
通常可以采用搅拌、加热等方法来加速溶质的扩散。
另外,可以通过调节溶液的浓度梯度来控制扩散速度,进而影响晶体的生长速率和形态。
五、结晶形态调控结晶形态是指晶体的大小、形状、晶面结构等特征。
在扩散结晶技术中,通过控制结晶条件可以调控晶体的形态。
例如,通过调节溶液的浓度、温度、pH值等参数可以影响晶体的生长速率和形貌;通过加入不同的添加剂可以影响晶体内部的缺陷结构和晶体表面形貌;通过采用不同的技术手段,如温度梯度法、电场诱导法等可以控制晶体的结晶取向和生长形貌。
这些调控手段有助于制备出具有所需性能和形态的晶体材料,应用于各种领域,如光学、电子、生物医学等。
总的来说,通过扩散结晶技术,我们可以通过调控溶质的扩散速度、结晶条件等参数来制备具有特定性能和形态的晶体材料。
2、半导体工艺原理-扩散

薄层电阻Rs(方块电阻) 表面浓度:扩散层表面的杂质浓度。
扩散层质量参数
方块电阻
方块电阻是标志扩散层质量的另一个重要参数, 一般用R□或Rs表示,单位是Ω/□ 。
2、恒定杂质总量扩散
扩散开始时,表面放入一定量的杂质源,而在以后的扩散
过程中不再有杂质加入。假定扩散开始时硅片表面极薄一层内
单位面积的杂质总量为 QT ,杂质的扩散长度远大于该层厚度,
则杂质的初始分布可取为 函数,扩散方程的初始条件和边界
条件为
0 N (x, t)dx QT
N (,t) 0
2 NS1
D1t1 D2t2
exp
x
2 j
4 D2t2
NB
即可解得
xj 2
D2t2
ln
2 NS1
NB
1
D1t1 D2t2
2
A
D2t2
掺杂分布控制:
3.3 简单理论的修正
前面得出的扩散后的杂质分布是采用理想化假设的结果, 而实际分布与理论分布之间存在着一定的差异,主要有:
1、二维扩散(横向扩散) 实际扩散中,杂质在通过窗口垂直向硅中扩散的同时,也 将在窗口边缘沿表面进行横向扩散。考虑到横向扩散后,要得 到实际的杂质分布,必须求解二维或三维扩散方程。横向扩散 的距离约为纵向扩散距离的 75% ~ 80% 。由于横向扩散的存在, 实际扩散区域大于由掩模版决定的尺寸,此效应将直接影响到 VLSI 的集成度。
2、杂质浓度对扩散系数的影响
前面的讨论假定扩散系数与杂质浓度无关。实际上只有当 杂质浓度比扩散温度下的本征载流子浓度 ni(T) 低时,才可认 为扩散系数与掺杂浓度无关。在高掺杂浓度下各种空位增多, 扩散系数应为各种电荷态空位的扩散系数的总和。
扩散工艺知识

第三章扩散工艺在前面“材料工艺”一章,我们就曾经讲过一种叫“三重扩散”的工艺,那是对衬底而言相同导电类型杂质扩散。
这样的同质高浓度扩散,在晶体管制造中还常用来作欧姆接触,如做在基极电极引出处以降低接触电阻。
除了改变杂质浓度,扩散的另一个也是更主要的一个作用,是在硅平面工艺中用来改变导电类型,制造PN 结。
第一节 扩散原理扩散是一种普通的自然现象,有浓度梯度就有扩散。
扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。
在一定温度下杂质原子具有一定的能量,能够克服某种阻力进入半导体,并在其中作缓称为扩As )t 为扩散时间;x 为扩散到硅中的距离。
四.扩散系数杂质原子扩散的速度同扩散杂质的种类和扩散温度有关。
为了定量描述杂质扩散速度,引入扩散系数D 这个物理量,D 越大扩散越快。
其表达式为:KT Ee D D ∆-=0(3-3)这里:D 0——当温度为无穷大时,D 的表现值,通常为常数;K ——玻尔兹曼常数,其值为8.023×10-5ev/o K ;T ——绝对温度,单位用“o K ”表示;E ∆——有关扩散过程的激活能,实际上就是杂质原子扩散时所必须克服的某种势垒。
扩散系数除与杂质种类、扩散温度有关,还与扩散气氛、衬底晶向、晶格完整性、衬底材料、本体掺杂浓度N B 及扩散杂质的表面浓度N S 等有关。
五.扩散杂质分布在半导体器件制造中,虽然采用的扩散工艺各有不同,但都可以分为一步法扩散和二步法扩散。
二步法扩散分预沉积和再分布两步。
一步法与二步法中的预沉积属恒定表面源扩散。
而二步法中的再扩散属限定表面源扩散。
由于恒定源和限定源扩散两者的边界和初始条件不同,因而扩散方程有不同的解,杂质在硅中的分布状况也就不同。
1.恒定源扩散在恒定源扩散过程中,硅片的表面与浓度始终不变的杂质(气相或固相)相接触,即在整个扩散过程中硅片的表面浓度N S 保持恒定,故称为恒定源扩散。
恒定源扩散的杂质浓度分布的表达式是:t 三个式中的e Dt x 42-为高斯函数,故这种杂质分布也叫高斯分布。
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12
12
∑ ∑ sis j = s2 cosθij = 0
j =1
j =1
12
所以,在空位扩散机制和面心立方格子中,下式中第二项为零。
n
n−1 n
∑ ∑ ∑ X
2 i
=
( s1
+
s2
+
+ sn )2 =
s2j + 2
s j sk
j =1
j=1 k = j+1
即 考虑到
n
∑ ( ) X
2 i
=
s1 + s2 +
9
空位机制
某个占有正常格点位置的原子跃迁到近邻的空位上,这个原子就可以说是空 位机制的扩散。空位机制的扩散也要克服一定的势垒。空位机制要求的畸变能并 不大,这种机制目前是在各种离子化合物和氧化物及合金中占有支配地位。
10
环形机制
两个最近邻的原子进行简单的位置交换而进行扩散的机制在1930年提出,由 于这种位置交换可能引起较大的局域畸变,并没有被多数人接受。到1950年, Zener指出,如果3个到4个原子作为一组进行旋转,这样引起的局部畸变将比简单 的两个原子的位置交换要小。人们把这种利用一组原子旋转来进行的扩散称作环 形扩散机制。
+∞ ⎧⎡ 1
−∞ ⎨⎩⎢⎣ 2π
+∞ −∞
ϕ
(ξ
)
cos
λξ
dξ
⎤ ⎥⎦
cos
λ
x
+
⎡ ⎢⎣
1
2π
+∞ −∞
ϕ
(ξ
)
sin
λξ
dξ
⎤ ⎥⎦
sin
λ
x
⎬⎫d ⎭
λ
得
∫ A = 1 +∞ϕ (ξ ) cos λξ dξ
2π −∞
∫ B = 1 +∞ϕ (ξ )sin λξ dξ
2π −∞ 29
代入通解并经过积分换元得
∂x 2
⎟ ⎠
=
0
的通解是
取各种不同值的线性叠加。即
∞
∑ C(x,t) = e−Dλ2t ( Acos λ x + B sin λ x) λ =−∞
由于在无限物体的情况下没有边界条件限制, λ 取值完全任意,所以可用
积分来代替求和。得
∫ C(x,t) = +∞ e−Dλ2t ( Acos λ x + B sin λ x)dλ −∞
28
为了确定A和B的值,我们利用初始条件C(x,0)=ψ(x)
∫ C(x,0) = ϕ ( x) = +∞ e−Dλ2 0 ( Acos λ x + B sin λ x)dλ −∞
∫ ∫ = +∞ Acos λ xdλ + +∞ B sin λ xdλ
−∞
−∞
将上式展开成傅立叶积分的形式:
∫ ∫ ∫ ϕ ( x) =
2 i
=
( s1
+
s2
+
+ sn )2 =
s2j + 2
s j sk
j =1
j=1 k = j+1
上式中,
s
2 j
不可能为零,所以n愈大,
X
2 i
愈大,即
X 2 的大小反映了布朗
运动的强弱。
5
设有 φ1 个原子具有X1的位移量, φ2个原子具有X2的位移量,……则平均平
方位移为:
X
2
=
φ1 X12
∫ ∫ ( ) ( ) C x,t = 1
2π
+∞ϕ ξ
−∞
⎡ ⎢⎣
+∞ −∞
e
−
Dλ
2t
iei
(ξ
−
x
)
λ
d
λ
⎤⎥⎦dξ
引用定积分公式
∫ λ e e d +∞ −Dλ2t i(ξ −x)λ = −∞
π (ξ −x)2 − e 4Dt
Dt
得
∫ C(x,t) = 1
( ) +∞
−(ξ −x)2
ϕ ξ e 4Dt dξ
−
∂ dx
⎛⎜⎝D∂∂Cx ⎞⎟⎠
dxdydz
22
于是得到
∂C ∂t
=
净流入量 dxdydz
=
−
∂ dx
⎛⎜⎝D∂∂Cx ⎞⎟⎠
当扩散系数为常数时有:
∂C ⎛ ∂2C⎞
∂t
=D ⎜ ⎝
∂x 2
⎟ ⎠
或
∂C ∂t
-D
⎛ ⎜ ⎝
∂ 2C⎞
∂x 2
⎟ ⎠
=
0
上式就是一维的扩散方程,又称菲克第二定律。
23
根据实验结果,在一维情况下,扩散强度J(单位时间里通过单位横截面的
原子或分子数)与浓度梯度 ∂C 存在如下关系: ∂X
J = −D ∂C ∂X
式中D为扩散系数,负号表示扩散转移的方向与浓度梯度相反。此方程称为菲克 第一定律。
21
在一维问题中,假设扩散只沿x方向进行,扩散流并不穿过前后和上下四 面,只穿过左右两面,如图所示。
+ sn 2 =
s
2 j
=
ns2
j =1
X 2 = 6Dt
可得到
D = ns2 6t
13
式中 n t
是单位时间内空位跃迁次数,它与空位相邻的可供跃迁的结点数z
以及原子跃迁到邻近空位的跃迁频率v有关,故有:
n = zv t
对于面心格子,z=12,s是跃迁距离,且有 s = 2 a ,a为晶胞参数。这 2
4
平均平方位移
各原子净位移,从统计观点看,由于有正有负,加起来为零。为了表征布 朗运动的强弱,特引入平均平方位移。
平均平方位移的计算方法为:把每个杂质原子净位移的平方加起来再除以 杂质原子总数。表示如下:
X2
=
X
2 1
+
X
2 2
+
N
+
X
2 N
每个杂质原子平方位移和每次跃迁的关系式为:
n
n−1 n
∑ ∑ ∑ X
扩散原理及技术介绍
袁泽锐 2011.01.17
主要内容
扩散的微观规律 扩散的宏观规律 扩散对电性能的影响 扩散对晶体缺陷的影响
2
一、扩散的微观规律
扩散和布朗运动 扩散机制 晶体中的扩散 晶格原子的扩散 影响扩散系数的因素
3
1.1 扩散和布朗运动
布朗运动又称热运动,不仅在气体和液体中有,在固体中也同样存在;在固体 中原子不断地从一个平衡位置跃迁到另一个平衡位置。例如,1223K时碳原子在 γ-Fe中每秒钟要跃迁1010次。
在晶格中原子每次跃迁的距离就是该方向上的原子间距a。一个原子经过多次 跃迁才出现一个净位移,如下图所示。但单位时间内原子跃迁的次数愈多造成较大 净位移的可能性愈大,或者说回到原来位置的可能性愈小。 所以可以认为单位时间内的净位移愈大,表征布朗运动愈 强烈。这种净位移的大小与浓度梯度的存在与否无关。没 有浓度梯度时原子的布朗运动照样存在,只是不出现定向 扩散流。
11
1.3 晶体中的扩散
晶体中原子的扩散涉及到具体的扩散机制以及晶体结构,因此需要对公式 X 2 = 6Dt 做一些修正。
以面心立方晶格的空位机制为例。如右图 所示,晶格中的空位A可能跃迁的有12个方向 矢量,这12个方向矢量是等价的,其跃迁的几 率相等。
对于某特定的跃迁矢量,必定有另一个方 向相反大小相等的跃迁矢量,所以有:
C(x,t) = X ( x)T (t ) = γ e−Dλ2t (α cos λ x + β sin λ x)
令 A = γα , B = γβ
C(x,t) = X ( x)T (t ) = e−Dλ2t ( Acos λ x + B sin λ x)
27
λ 偏微分方程
∂C ∂t
-D
⎛ ⎜ ⎝
∂ 2C⎞
19
二、扩散的宏观规律
扩散方程 在无限物体下扩散方程的通解 限定源扩散方程的解 恒定源扩散方程的解
20
2.1 扩散方程的建立
在较普遍的条件下,出现定向扩散流的条件是在煤质中存在化学位梯度,在 接近理想的情况下,扩散的驱动力是浓度梯度。本部分内容也只讨论以浓度梯度 为推动力的扩散方程。
X ∂T -D ∂2 X T = 0
∂t
∂x2
25
等式两边同时除以DXT得:
∂T ∂2 X ∂t = ∂x2 DT X
令
1 DT
dT dt
= −λ2
1 X
d2X dx2
= −λ2
26
于是,方程一的解为: T=γ e−Dλ2t
方程二的解为: X= (α cos λ x + β sin λ x) 将上述两解代入 C(x,t) = X ( x)T (t ) 得:
2 π Dt −∞
30
∫ C(x,t) = 1
( ) +∞
−(ξ −x)2
ϕ ξ e 4Dt dξ
2 π Dt −∞
上式就是各向同性无限物体扩散方程之通解。利用此式可以求出在t时刻,x为某一
确定值的位置上的杂质浓度。显然这数值必与最初杂质沿x方向的分布 C(x,0) = ϕ ( x) 有关。这里两种若都用x表示容易引起混乱,故一个用 ξ ,一个用x表示。
X
2
=
C
(
x1
,
t
)
dxX
2 1
+
C
(
x2