模拟与数字电子电路基础作业答案5
模拟电子技术基础习题解答
模拟电子技术基础(第四版)习题解答(总133页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图34解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
试问：(1)R b =50k 时，U o= (2)若T 临界饱和，则R b =解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==， 2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
数字电子技术基础习题及答案
数字电子技术试卷(1)一．填空（16）1．十进制数123的二进制数是 1111011 ；十六进制数是 7B 。
2．是8421BCD 码，其十进制为 861 。
3．逻辑代数的三种基本运算是 与 ， 或 和 非 。
4．三态门的工作状态是 0 ， 1 ， 高阻 。
5．描述触发器逻辑功能的方法有 真值表，逻辑图，逻辑表达式，卡诺图，波形图 。
6．施密特触发器的主要应用是 波形的整形 。
7．设4位D/A 转换器的满度输出电压位30伏，则输入数字量为1010时的输出模拟电压为 。
8．实现A/D 转换的主要方法有 ， ， 。
三．化简逻辑函数（14）1．用公式法化简--+++=A D DCE BD B A Y ，化为最简与或表达式。
解；D B A Y +=-2．用卡诺图化简∑∑=mdD C B A Y ），，，，（）＋，，，，（84210107653),,,(，化为最简与或表达式。
四．电路如图1所示，要求写出输出函数表达式，并说出其逻辑功能。
（15）解；C B A Y ⊕⊕=， C B A AB C )(1++=，全加器，Y 为和，1C 为进位。
五．触发器电路如图2（a ）,（b ）所示，⑴写出触发器的次态方程； ⑵对应给定波形画出Q 端波形（设初态Q ＝0）(15)解；（1）AQ Q Q n +=-+1，（2）、A Q n =+1六．试用触发器和门电路设计一个同步的五进制计数器。
（15）七．用集成电路定时器555所构成的自激多谐振荡器电路如图3所示，试画出V O ，V C 的工作波形，并求出振荡频率。
（15）数字电子技术试卷(2)二．填空（16）1．十进制数的二进制数是；十六进制数是。
2．逻辑代数中逻辑变量得取值为 0、1 。
3．组合逻辑电路的输出状态只与当前输入有关而与电路原状态无关。
4．三态门的输出有0、1、高阻，三种状态，当多个三态门的输出端连在一根总线上使用时，应注意只能有1个三态门被选通。
5．触发器的基本性质有有两个稳态，在触发信号作用下状态可相互转变，有记忆功能6．单稳态触发器的主要应用是延时。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。
电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟和数字电子电路基础的练习题和答案
练习3.6
已知 R1 2k, R2 1k, i0 3cost mA
确定该网络的戴维南等效电路。 解：先求开路电压，再求戴维南等效电阻，易得
i
+
v
3k
+ –
3 cos t V
-
练习3.11
求电路从接线端看进去的戴维南等效电路。
a 解：(1) 求接线端的开路电压。节点法。 即针对 a 节点求 va 。
NM1 = VOH – VIH = 4.3V – 3.5V = 0.8V
练习5.9
考虑若干逻辑门遵循的静态原则具有下列电压阈值： VIL =1.5V ，VOL = 0.5V ， VIH = 3.5V，VOH = 4.4V 。 (1) 画出一个缓冲器满足上述电压阈值的传递函数。
缓冲器传递函数 vOUT
0
va
12V 6
va 0 3
1A
0
va
6V
故戴维南等效电路为
6V
+ –
2Ω
A
A
解：(2) 叠加法
练习4.5
考虑两个完全相同的半导体二极管，其 v-i 关系为 iD IS evD vTH 1
(1) 求这两个二极管并联连接后的 v-i 关系。
i
+
v
i
解：见图(a)，两个二极管的端电压为同一个电压 v ， 由KCL可得
Req 1 4 2 3 2.5 Req 2 1 2 2 1
Req R 2R R 2R R 2R R R 2R
练习2.2
确定下列电路的 vA 和 vB （用 vS 来表示）。
解：由电路的最外圈回路的 KVL 可得
vS
3vA
2vA
vA
模拟电子技术第五版基础习题与解答
模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中，模拟电子技术一直占据着重要的地位。
它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。
《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材，其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。
首先，让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。
半导体器件是模拟电子技术的基石，理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。
例如，有这样一道习题：“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能？”对于这道题，我们需要明白，纯净的半导体中载流子浓度很低，而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级，从而增加了载流子的浓度，使得导电性能得到改善。
再比如，“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。
”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电，P 型半导体中主要是空穴导电，并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。
在二极管这一章节，也有不少具有代表性的习题。
“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性，并解释其原因。
”在解答这道题时，我们要知道在正向偏置时，二极管的 PN 结变薄，电阻减小，电流容易通过；而在反向偏置时，PN 结变厚，电阻增大，只有极小的反向饱和电流。
还有“利用二极管的单向导电性，设计一个简单的整流电路，并计算其输出电压和电流。
”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中，通过计算来确定电路的性能参数。
三极管是模拟电子技术中的核心器件，相关的习题更是复杂多样。
“阐述三极管的放大作用原理，以及如何判断三极管的工作状态。
”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理，知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。
判断工作状态时，需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系，以及各极之间的电压来确定。
又如“设计一个共射极放大电路，计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
习题册参考答案-《数字电路基础(第二版)习题册》-A05-3097.docx
课题一组合逻辑电路任务 1 逻辑门电路的识别和应用一、填空题1.与逻辑； Y=A ·B2.或逻辑； Y=A+B3.非逻辑； Y=4.与运算；或运算；非运算5.低电平6.输入电压 Vi ；输出电压 Vo7. 3.6V；0.3V8.输出端并；外接电阻 R；线与；线与；电平9.高电平；低电平；高阻态10.CMOS11.非门；非门二、选择题1. A2. C3. C4. D5. C6. A7. B8. B9. B10.A11.B12.B13.A三、简答题1. Y1：Y2：2.真值表逻辑函数式Y=ABC 3.真值表逻辑表达式Y1=ABY2=Y3= A+B逻辑符号4.5.任务 2 组合逻辑电路的分析和设计一、填空题1.高电平；低电平2.输入逻辑变量的各种可能取值；相应的函数值排列在一起3.逻辑变量；与；或；非4.两输入信号；异或门电路5.代数；卡诺图6.A+B+C ；A；A7.（ 1） n； n；（2）原变量；反变量；一；一8.与或式； 1； 09.组合逻辑电路；组合电路；时序逻辑电路；时序电路10.该时刻的输入信号；先前的状态二、选择题1. D2. C3. C4. A5. A三、判断题1.×2.√3.√4.√5.×6.√7.×四、简答题1.略2.（ 1） Y=A+ B（2）Y=AB + A B(3)Y=ABC+A + B +C+D=A + B +C+D3. (1)Y=A B C+ABC+ABC+ABC= A C+AC(2) Y= A CD+A B D + D+ACDAB(3)Y=C+ AB+AB4.状态表逻辑功能：相同出1，不同出 0逻辑图5.（ a）逻辑函数式Y=AB+ A B真值表逻辑功能：相同出1，不同出 0（b）逻辑函数式 Y=AB+BC+AC真值表逻辑功能：少数服从多数电路，即三人表决器。
6.Y=A ABC +B ABC +C ABC判不一致电路，输入不同，输出为1,；输入相同，输出为0。
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截止日期：2015-5-25
要求：写出步骤，独立完成
内容：第八章、第十章
1．课本第八章练习8.2。（20分）
提示：参考例8.1。
参考解答：iDS=K/2*(VGS-VT)2=K/2*(VDS-VT)2
ids=K/2*2*(VDS-VT)*vds=K(VDS-VT)*vds
2．课本第八章练习Байду номын сангаас.6。（20分）
提示：参考8.2.2和8.2.4节，图8.19。
参考解答：vO=VS-RL*K/2*(VGS-VT)2=VS-RL*K/2*(v1-VT)2
在v1=V1时的小信号模型如下：
所以：1）ro=RL;
2)RTH=RL,UTH=-RL*K(V1-VT)*vi
3)ri=
3．课本第八章问题8.2的a, b, c三小题。（20分）
V2=R2*iR2=R2*iC=R2*C*dVC/dt=2000*3*10-6*6*(-e-1000t/9*(-1000/9))=4e-1000t/9
5．课本第十章练习10.24。假设RC时间常量的值很小。
提示：参考10.7。
vout=ids*R=RK(VIN-VOUT-VT)*vin;vout/vin=RK(VIN-VOUT-VT)
4．课本第十章练习10.16。
提示：参考10.1.3小节。
参考解答：iR1=iR2=iC；v2=R2*iR2；
V1=(R1+R2)*iC+VC=(R1+R2)*C*dVC/dt+VC；
VC=V1(1-e-t/((R1+R2)*C))=6(1-e-t/0.009)=6(1-e-1000t/9)
提示：
参考解答：iDS=K/2*(VGS-VT)2;vIN=VGS+vOUT; VGS=vIN-vOUT
iDS=K/2*(VGS-VT)2=K/2*(vIN-vOUT-VT)2
ids=K/2*2*(VIN-VOUT-VT)=K(VIN-VOUT-VT)*vin；所以gm=K(VIN-VOUT-VT)