第三章石墨层间化合物

控制电极电压、电流的大小可以控制阶结构。电极电压过高
或过低都不利于插层反应的进行，只有在一定的电压范围内， 才能保证反应的发生，此时电压越大，产物阶数越小。在制 各膨胀石墨方面，液相法由于适于大量制各产物、控制成分、 反应速度快等优点，在实际应用中最广泛。
第三节 石墨层间化合物的应用
高导电率材料
第三章 石墨层间化合物
石墨具有层间结构，层面内碳原子以SP2杂化轨道电子形成 共价键，同时各个碳原子又与2pZ轨道电子形成金属键，形 牢固的六角网状平面炭层，碳原子间的键合能为345KJ／mol， 原子间距为0.142nm；而在层与层之间，则以微弱的范德 华力结合，键能为16.7 KJ／mol ，层间距为0.3354nm。 碳层之间的结合力弱，间距较大，导致多种化学物质(原子、 分子、离子和离子团)可以插人层间空隙，形成石墨层间化合物。
希望的阶结构与组成；如Br—GIC、H2SO4—GIC。
缺点： 形成的产物不稳定，如果液相中组分多，还可以形
成不稳定的多元石墨层间化合物。
用液相法合成低硫GIC，通过使用双氧水替代了部分浓硫酸， 得到低硫产品，说明液相物质多元化，可根据具体的要求选择 相应的反应物。
三、电化学法
目前，主要以插入物的溶液，包括有机溶液和无机溶液或 熔融盐为电解质，以石墨为电极形成的电化学体系。一胶将石 墨作为阳极，通过调节电位、电量去控制产物的阶结构，适于 研究插层反应热力学。 该法合成设备简单，合成量大，且产物结构稳定。在石墨 层间化合物合成上，该法不足之处是合成产物的稳定性要比其 他方法差，而且在水溶液中高电流下有副反应发生而很难得到 一阶化合物。 目前，利用电化学法，以FeCl3—HCl，ZnCl2为电解质，已 成功合成了FeCl3一GIC、ZnCl2—GIC，并在KBr的水溶液中，将 溴插入到石墨中，结果石墨质量增加了10％，电阻率下降了30%
除了上述方法外，还有人用爆炸法成功地合 成了Na—GIC，主要是利用了金刚石合成技术。 此外，采用光化学法，即用紫外光照射反应物，也 可以促进氯化物GIC3的形成，目前反应机理还不 清楚，但可以提供一种新的合成路径。
上述几种合成方法各有优缺点，应当根据制备要求选择相应 的方法。目前在研究插层机理方面，电化学法是首选，通过
它适于液相吸附，在液相吸附中它亲油疏，因而它是一种
很有前途的清除水面油污染的环保材料。
医
学
由于石墨层间化合物有对有机、生物大分子的吸附特性，在 生物医学材料上有广泛的应用前景。
清华大学用石墨层间化合物制作医用敷料代替医用纱布，经
300多只小白鼠、大白鼠、脉鼠、家免的动物试验，证明无 毒、无副作用，对创面无刺激、不染黑，并促进愈合。 第一军医大学南方医院伤科等4所医院进行了l14例临床实验， 其效果比传统纱布引流好，有明显的抗感染、抑茵、消炎作用，
将碱土金属和稀土金属等粉末与石墨基体混合后在加压条件 下反应生成M—GIC。采用加压法将锂插入石墨，开辟了一条合
成MGIC的新方法。通过加压法首次将稀土金属Sm、Eu、Tm和
Yb插入石墨层间，开创了稀土石墨层间化合物的合成新途径。 但采用加压法合成M—GICs存在一个问题，即只有当金属的蒸 汽压超过某一阀值时，插入反应才能进行；然而，温度过高， 易引起金属与石墨生成碳化物，发生负反应，所以反应温度 必须调控在一定范围内
密封材料
以硫酸、硝酸和鳞片石墨反应合成的可膨胀石墨，经过 高温膨胀后体积剧烈膨胀，含有许多大孔结构，再经过
机械加压成型可制成柔性石墨，具有耐高温、耐腐蚀、
自润滑特性，而且由于经过自啮合成型，还具有高压缩 回弹性和低应力松弛率等性能，有“密封王”的美称。
这种材料热稳定性好，在空气中的使用温度为400一
石墨层间化合物(简称GICs)是一种利用物理或化学的方法使 非炭质反应物插入石墨层间，与炭素的六角网络平面结合的 同时又保持了石墨层状结构的晶体化合物
石墨层间化合物不仅保持石墨优异的理化性质，而且由于插 人物质与炭层的相互作用而呈现出独特的物理与化学特性， 如高导电性、同位素分离效应、催化效应、密封效应等，因 此受到物理学家、化学学家和材料学家的重视，随之各个 国家都投人了大量的人力和物力进行研究。目前，全世界已 成功地合成出了400多种石墨层间化合物及其衍生物
电池材料
利用石墨层间化合物的插入和分解反应的特点，已经成功地 制成了各种一次和二次电池，特别是二次锂离子电池的成功 开发，已大量地用于市场，二次锂离子电池具有高能量密度、 高工作电压(3.6V)、循环性好、无记忆性、安全及无污染等特
点，主要用于便携式电子产品，如笔记本和手提电话，目前
正在向动金属—GIC、卤化物—GIC的合成常用此法。
优点：
可以控制GICs的阶指数和结构，反应结束后易将产物和反 应物分离。 缺点： 反应装臵复杂，难以进行大量的合成，且反应时间长，反应 温度高，需在真空条件下操作。
二、 液相法
将呈液态的插入物质与石墨混合，进行反应而生成石墨层间 化合物，反应中温度、时间对产物的阶结构有很大影响。 这种方法设备简单，反应速度也快，对大量样品的合成很有 效，而且可以利用改变原始反应物石墨和插入物的比率达到所
4、耐腐蚀：具有化学惰性，除了强氧化剂如王水、硝酸、硫酸 和卤素的一些特定温度外，能适应酸、碱、盐溶液、海水、蒸汽 有机溶剂等大部分介质； 5、优良的热传导性和较小的热膨胀系数，其参数接近通用密封装 臵对偶件材料的同一数量级，在高温、深冷和温度剧变的工况也 能良好的密封； 6、耐放射性：受中子射线、γ射线、α射线、β射线等长期照 射而不发生明显变化；
石墨层间化合物具有广阔的应用前景，目前主要集中在电池材 料、高效催化剂、储氢材料、密封材料、高导电材料等方面。
插入剂：碱金属、卤素、金属卤化物、强氧化性含氧酸
从插入层与石墨层之间的电子授受关系来说，主要分为两大 类：
插入层的电子向石墨层转移．称为施主型插层化合物，
例如：碱金属、碱土金属、稀土金属等形成的插层化 合物； 石墨层的电子向插入层转移，称为受主型插层化合物， 例如：强酸和金属卤化物等形成的插层化合物。
合物，溶剂分子共插层与溶剂分子大小有关。
五、熔融法
直接将石墨与反应物混合，用单热源加热反应而制得石墨层 间化合物。 该法反应速度快，反应系统和过程简单易操作，适于大量合 成。但如何除去反应后附在石墨层间化合物上的反应物，以及获 得阶结构与组成一致的石墨层间化合物是一个值得探索的方面。 用几种插入物混合加热插入石墨形成石墨层间化合物，其原 理就是利用了几种物质混合后共熔点降低，降低了石墨层问化合 物的生成反应温度。
如反应中以FeCl3和A1C13为插层剂，在低温200℃时，首先进 入石墨层间的是A1C13，当A1C13反应到一定程度后，随着反 应温度的升高，A1C13与FeC13发生交换反应，层间A1C13的 含量逐渐减少，而FeCl3的含量逐渐增多，而且在此过程中生 成了FeAlCl6的中间产物。
六 加压法
催 化 剂
由于石墨层间化合物的内表面积非常大，而且具有选择性的
吸附作用，所以可以用做催化剂。
把Fe、Ni、Co等的石墨层间化合物作为催化剂在850－l200℃、
60－90×l05kPa的条件下用于合成金刚石。
环保领域
高温膨化得到的石墨层间化合物，具有丰富的孔结构， 因而有优良的吸附性能，所以在环保有广泛的用途。 石墨层间化合物的孔结构有开放孔和封闭孔两种，孔容 积占98％左右，而且以大孔为主，孔径分布范围1一lO.3nm。
于范德华力间隙中。 施主型GIC中，插入物质失去电子成为正离子，如K—GIC； 受主型GIC，插入物质获得电子成为负离子，如Br—GIC。
四、层间距增大
插入物质进入石墨主体后，在高温下石墨主体体积发生 膨胀，这是由于碳层层间距增大的结果。 插入物质后层间距可以增大数十倍，特别是可膨胀石墨， 由于层间插入物受热汽化产生的膨胀力可以克服层间结合 的分子间力，从而沿c轴方向膨胀了数十倍到数百倍
第一节
石墨层间化合物的结构
一、阶结构
GICs晶体结构特点是外来反应物形成了独立的插入物层，并 在石墨的c轴方向形成超点阵。在垂直于碳层平面的方向上， 插入物质以一定周期占据各个范德华力间隙，形成阶梯结构， n阶结构的周期为n。插入物质进入范德华力间隙后，碳层的 堆垛顺序由原来的ABAB(或BABA)变为AA(或BB)。 阶梯结构的形成与插入物质的种类、组分、合成等有关。
石墨材料本身是一种半金属，空穴和载流子浓度相当，呈中性。 平面上电导率为2.5×l06S／m，沿c轴方向的电导率要小得多。 在石墨层间化合物形成的过程中，插入物的插入使其载流于的 浓度随施主型石墨层间化合物中的传导电于或受主型石墨层间 化合物中的空穴的增加而增大，因此导电性能增强。 由五氟化物制备的石墨层间化合物，其室温电导率达l08S／m， 比金属铜还高。
500℃，作为密封材料使用时温度可达600℃，在水蒸汽 介质中可达650℃。
贮氢材料和同位素分离材料
碱金属石墨层间化合物，如K—GIC，做贮氢材料， 每100g的KC24可贮氢13.71L， 而KC24在氮气的液化温 度附近可吸收大量的氢形成KC24(H2)1.9二阶化合物。 二阶KC24具有与一阶KC8不同的同位素效应。 KC8在 吸附过程中浓缩了H，而KC24浓缩了重氢(D)，具有不 同的同位素分离效应，可用来分离H同位素。 此外，碱土金属Ba—GIC是否也具有贮氢效果仍处 于研究之中。
第二节
石墨层间化合物的制备
常用的石墨层间化合物的制备方法主要有：
双室法、液相法、电化学法、溶剂法、熔融法， 此外还有固体加压法、爆炸法和光化学法等方法。
一 双室法
将待插入物质和石墨分别装入耐热玻璃管两侧，使插入 物加热蒸发产生的蒸汽与石墨反应。 实验中插入物质一侧的温度要高于石墨一侧的温度，以 利于插入物质形成蒸汽，同时防止生成的层间化合物在温
四、 溶剂法