1 电力二极管与晶闸管
电力电子器件概述

5. 反向恢复时间trr 6. 浪涌电流IFSM
1.2.4 主要类型
1. 普通二极管——又称整流二极管 1KHZ以下 数千安和数千伏以上
2. 快恢复二极管 5μs以下 3. 肖特二极管
1.3 半控型器件——晶闸管(SCR)
常用晶闸管的结构
螺栓型晶闸管
晶闸管模块
Id
1
2
3
Im
sin td
t
3
4
Im
0.24Im
I
1
2
Im
sin t
2
d
t
0.46Im
3
Kf
I Id
0.46 0.24
1.92
IT ( AV )
100 2
50
Id
1.57 50 1.92
41 A
Im
Id 0.24
41 0.24
171
A
⑵ 维持电流IH 使晶闸管维持通态所必需的最小主电流。 ⑶ 擎住电流IL ⑷ 浪涌电流ITSM
4. 光控晶闸管LTT
⑴又称光触发晶闸 管,是利用一定 波长的光照信号 触发导通的晶闸 管。
⑵光触发保证了主 电路与控制电路 之间的绝缘,且 可避免电磁干扰 的影响。
⑶在高压大功率的 场合占有重要地位。
1.4 典型全控型器件
门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来,电力电子技术进入了一个崭新时代。
不可控器件:电力二极管
半控型器件:晶闸管及其派生器件 全控型器件:功率场效应管、绝缘栅双极性晶体管、
门极可关断晶闸管
⑵ 按照控制信号性质可分为: 电流控制型 电压控制型:控制功率小
电力电子技术试题库-2013答案

电⼒电⼦技术试题库-2013答案电⼒电⼦技术作业题⼀、选择题(每题20分)1.()晶闸管额定电压⼀般取正常⼯作时晶闸管所承受峰电压的( B )。
A. 1~2倍B. 2~3倍C. 3~4倍D. 4~5倍2.()选⽤晶闸管的额定电流时,根据实际最⼤电流计算后⾄少还要乘以( A )。
A. 1.5~2倍B. 2~2.5倍C. 2.5~3倍D. 3~3.5倍3.()晶闸管刚从断态转⼊通态并移除触发信号后,能维持通态所需要的最⼩电流是( B )。
A. 维持电流IHB. 擎住电流ILC. 浪涌电流ITSMD. 最⼩⼯作电流IMIN4.()对同⼀只晶闸管,擎住电流IL约为维持电流IH的( B )。
A. 1~2倍B. 2~4倍C. 3~5倍D. 6~8倍5.( )普通晶闸管的额定电流⽤通态平均电流值标定,⽽双向晶闸管通常⽤在交流电路中,因此其额定电流⽤( D )标定。
A. 平均值B. 最⼤值C. 最⼩值D. 有效值6.( C )晶闸管属于A. 全控型器件B.场效应器件C.半控型器件D.不可控器件7.( )晶闸管可通过门极( C )。
A. 既可控制开通,⼜可控制关断B.不能控制开通,只能控制关断C.只能控制开通,不能控制关断D.开通和关断都不能控制8.()使导通的晶闸管关断只能是( C )。
A. 外加反向电压B.撤除触发电流C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零D. 在门极加反向触发9.()在螺栓式晶闸管上有螺栓的⼀端是( A )。
A. 阴极KB. 阳极AC. 门极KD. 发射极E10. ()晶闸管导通的条件是( A )。
A. 阳极加正向电压,门极有正向脉冲B. 阳极加正向电压,门极有负向脉冲C. 阳极加反向电压,门极有正向脉冲D. 阳极加反向电压,门极有负向脉冲11. ( )可关断晶闸管(GTO)是⼀种( A )结构的半导体器件。
A.四层三端B.五层三端C.三层⼆端D.三层三端12 . ()晶闸管的三个引出电极分别是(A)。
第1章--电力晶体管和晶闸管

一般为几十到几百毫安,与结温有关,结温越高, 则IH越小
3) 擎住电流 IL:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发 信号后, 能维持导通所需的最小电流。 对同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2~4倍。
IG2 > IG1 > IG =0
UBO UA
雪崩 击穿
图1-5 晶闸管的伏安特性 IG2>IG1>IG
16
IA
四、晶闸管的阳极伏安特性
正向 导通
1) 正向特性
URSM URRM -UA
IH
IG2
IG1 IG=0
O
UDRM Ubo +UA
IG=0时,器件两端施加正向电压,正向阻
断状态,只有很小的正向漏电流流过,正向
J1 J2 J3
K
a)
b)
图1-2 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
K G
A c)
11
晶闸管的管耗和散热:
管耗=流过器件的电流×器件两端的电压
管耗将产生热量,使管芯温度升高。如果超 过允许值,将损坏器件,所以必须进行散热 和冷却。
冷却方式:自然冷却(散热片)、风冷(风 扇)、水冷
雪崩 击穿
UDSM
电电压流超急过剧临增界大极,限器即件开正通向。转折电压Ubo,则漏
-IA
图1-5 晶闸管的伏安特性
随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降
IG2>IG1>IG
低。
导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相 仿。
晶闸管本身的压降很小,在1V左右。
电力二极管和晶闸管

——电气设备或电力系统中,直接承担电能的变 换或控制任务的电路。
2)分类: 电真空器件
(汞弧整流器、闸流管等)
半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅)
3)同处理信息的电子器件相比的一般特征:
处理电功率的能力,一般远大于处理信息的 电子器件。
其处理电功率的能力小至毫瓦级,大至 兆瓦级, 多都远大于处理信息的电子器件。
驱动
路
电路
V2 主电路
电气隔离 电力电子器件在实际应用中的系统组成
3、电力电子器件的分类
按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:
不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就
不需要驱动电路。
半控型器件(Thyristor) ——通过控制信号可以控制其导通而不能控
制其关断。
一、 晶闸管的结构
外形结构: 塑封形
平板形
螺栓形
外形有塑封形、螺栓形和平板形三种封装。
塑封形 —— 额定电流10A以下。 螺栓型 —— 额定电流10~200A。 平板形 —— 额定电流200A以上。
阴极 K
门极 G
晶闸管的外形及电气图形符号
A 阳极
有三个联接端。 螺栓形封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧 密联接且安装方便。 平板形晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。
电力二级管和晶闸管
补充内容:电力电子器件概述 1.1 电力二极管 1.2 晶闸管 1.3 双向晶闸管及其他派生晶闸管 本章小结
电子技术的基础 ——电子器件:晶体管和集成电路 电力电子电路的基础 ——电力电子器件
本章主要内容: 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍电力二极管、晶闸管的工作原理、基本特性、主 要参数、选择和使用中应注意问题。
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介

目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管(Power Diode)在20世纪50年代初期就获得应用,当时也被称为半导体整流器;它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同,都以半导体PN结为基础,实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件,其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。
其反向恢复时间较长,一般在5s以上,其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
《电力电子技术(第2版)》 王立夫、金海明版 第二章 习题答案

4
sin
t)2 d(t)
Im 2
3 1 4 2
0.4767Im
Kf1
I1 Id1
0.4767Im 0.2717Im
1.7545
b)
Id 2
1
4
Im
sin
td (t )
Im
(
2 2
1)
0.5434 I m
I2
1
(Im
sin
t)2 d(t)
4
2Im 2
3 1 4 2
0.6741Im
解: 对ⅠGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表:
器件
优点
缺点
IGBT
开关速度高,开关损耗小,具有 开关速度低于电力 MOSFET,
耐脉冲电流冲击的能力,通态 电压,电流容量不及 GTO
压降较低,输入阻抗高,为电压
驱动,驱动功率小
GTR
耐压高,电流大,开关特性好, 开关速度低,为电流驱动,所需
而普通晶闸管不能?
答:GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两 个晶体管 V1、V2,分别具有共基极电流增益1 和2 ,由普通晶闸管的 分析可得,1 +2 =1 是器件临界导通的条件。1 +2 >1,两个等效晶 体管过饱和而导通;1 +2 <1,不能维持饱和导通而关断。
电力电子技术-电力电子器件的原理与特性

IR
Vo
VS +
-
IZ
DZ
RL
(a)整流
(b)续流
(c)限幅
(d)钳位
图2.6 二极管的整流、续流、限幅、钳位和稳压应用
(e)稳压
本章内容
2.3 晶闸管(SCR)
2. 3 晶闸管
一、名称 ➢晶闸管 (Thyristor) ➢可控硅
(SCR)
二、外形与符号 ➢螺栓式结构 (<200A) ➢平板式结构 (>200A)
• N型半导体: 掺入微量5价元素(磷、锑、鉮等)
自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。 • P型半导体:
掺入微量3价元素(硼、镓、铟等) 空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。
半导体基础知识
器件原理
• PN结(异型半导体接触现象) • (1)扩散运动(多数载流子)
自由电子由 N区 向 P区 空 穴由 P区 向 N区 (2)漂移运动(少数载流子) 与扩散运动相反
三、SCR的工作原理(续)
(2)按晶体管原理可得:
IA
2 I G I CBO1 I CBO2 1 ( 1 2 )
其中: α1、α2分别是晶 体管T1、T2的共基极电 流增益; ICBO1、ICBO2分 别是晶体管T1、T2的共 基极漏电流。
❖双极型器件:有两种载流子参与导电,如二 极管、 晶闸管、GTO、GTR、IGCT、SITH等。
❖复合型器件:由MOSFET与晶体管、晶闸管复 合而成,如IGBT、IPM、MCT等。
➢ 按门极驱动信号的种类(电流、电压)分类: ❖电流控制型器件 如晶闸管、GTO、GTR、 IGCT、SITH等
❖电压控制型器件 如MOSFET、IGBT、IPM、 SIT、MCT等
第1章 晶闸管

有效值与平均值之比称为波形系数Kf则: Kf=I/Id或I= KfId 。 例:设晶闸管承受的电压有效值为220V,流过的电流平 均为157A,波形系数为1.11,考虑安全裕量,求晶 闸管电压、电流定额。 i 解:UN=(2~3)1.414×220 IM =622 ~933V(取800V)
I K f Id I IT ( AV ) = (1.5 2) = (1.5 2) 1.57 1.57 1.11´ 157 0 (取 200 A) = (1.5 2) = 166 222 A 图1-11 1.57
学习重点:
晶闸管的工作原理、基本特性、主要参数以 及选择和使用中应注意的一些问题。
1.1
引言
晶闸管(Thyristor):晶体闸流管,可控硅整流 器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)
1956年美国贝尔实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。
第1章
1.1 引言
晶闸管
1.2 晶闸管的结构与工作原理 1.3 晶闸管的基本特性 1.4 晶闸管的主要参数 1.5 晶闸管的派生器件
1.6 电力二极管(整流二极管)
本章学习内容与重点
本章内容:
介绍晶闸管的工作原理、基本特性、主要参 数以及选择和使用中应注意的一些问题。 介绍电力二极管、晶闸管派生器件的基本特 性和使用中应注意的一些问题。
仿真实验
1.2 晶闸管的结构与工作原理
晶闸管的工作原理
⊕工作原理(从其内部四层结构来 A 分析) P1 ①定性分析 J1 N1 a. UG≤0,IG=0 G J2 P2 UAK<0时,J1,J3反偏,J2正 J 3 偏,反向阻断,晶闸管不导通, N2 解释①。 K UAK>0时,J1,J3正偏,J2反 偏,晶闸管不导通,解释⑤。图1-2 晶闸管的内部结构图
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1)正向特性 a.当IG=0时,如果在器件两端施加正 向电压,则晶闸管处于正向阻断状态, 只有很小的正向漏电流流过。 b.如果正向电压超过临界极限即正向 转折电压Ubo,则漏电流急剧增大,器件 开通。 c.随着门极电流幅值的增大,正向转 折电压降低,晶闸管本身的压降很小, 在1V左右。 d.如果门极电流为零,并且阳极电流 降至接近于零的某一数值IH以下,则晶 闸管又回到正向阻断状态,IH称为维持 电流。
3.肖特基二极管(Schottky Barrier Diode——SBD) 1)属于多子器件 2)优点在于:反向恢复时间很短(10~40ns),正向恢 复过程中也不会有明显的电压过冲;在反向耐压较低的情 况下其正向压降也很小,明显低于快恢复二极管;因此, 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率 高。 3)弱点在于:当所能承受的反向耐压提高时其正向压降 也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下的低压场 合;反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不 能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度。
一、结构与伏安特性 1. 结构
■电力二极管是以半导体PN结为基础的,实际上是由一个面积
较大的PN结和两端引线以及封装组成的。从外形上看,可 以有螺栓型、平板型等多种封装。
a)
b)
c)
d)
图1-1 电力二极管的结构、符号和外形 a)结构 b)符号 c) 螺旋式外形 d) 平板式外形
2. 伏安特性 电力二极管的阳极和阴极间的电压UAK和流过管 子的电流IA之间的关系称为伏安特性,其伏安特性 曲线如图1-2所示。
晶闸管的外形、 图1-3 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
晶闸管的内部结构和等效电路如图1-3所示。
a) b) 图1-4 晶闸管的内部结构和等效电路 a) 内部结构 b)以互补三极管等效
二、晶闸管的工作原理
晶闸管等效为两个互补连接的 三极管工作分析 IG→IB2↑→IC2(IB1) ↑ →IB2↑ ↑________↓
图1-5 晶闸管的工作原理示意图
导通和关断条件可通过图1 导通和关断条件可通过图1-6所示的实验
图1-6
晶闸管的导通与关断实验电路
三、晶闸管的阳极伏安特性
总结前面介绍的工作原理,可以归纳晶闸管正常工作时的特性如下: 总结前面介绍的工作原理,可以归纳晶闸管正常工作时的特性如下: 当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流, 1)当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导 通。 当晶闸管承受正向电压时, 2)当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导 通。 。 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否存在, 3)晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否存在, 晶闸管都保持道通。 晶闸管都保持道通。 若要使已导通的晶闸管关断, 4)若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过 晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。 以上特点反映到晶闸管的伏安特性上如图1 所示: 以上特点反映到晶闸管的伏安特性上如图1-7所示:
图1-7 晶闸管的伏安特性 IG2 >IG1 >IG
2)反向特性 a.其伏安特性类似二极管的反 向特性。 b.晶闸管处于反向阻断状态时, 只有极小的反向漏电流通过。 c.当反向电压超过一定限度, 到反向击穿电压后,外电路如无 限制措施,则反向漏电流急剧增 大,导致晶闸管发热损坏。
图1-7 晶闸管的伏安特性 IG2>IG1>IG
第二节 晶闸管
一、晶闸管的结构
1.从外形上来看,晶闸管也主 1.从外形上来看, 从外形上来看 要有螺栓型和平板型两种封 要有螺栓型和平板型两种封 螺栓型 装结构 。 2.引出阳极A、阴极K和 引出阳极 2.引出阳极 、阴极 和门极 控制端) 三个联接端 三个联接端。 (控制端)G三个联接端。 3.内部是 内部是PNPN四层半导体结 3.内部是 四层半导体结 构。
第1章 电力二极管与晶闸管
学习目标
1.掌握电力二极管的结构、伏安特性、主要参数、测 试方法和选用方法。 2.了解晶闸管的结构、工作原理及伏安特性 3.掌握晶闸管的导通条件和关断条件。 4.熟练掌握晶闸管的主要参数、测试方法和选用方法。 5.掌握双向晶闸管的结构、主要参数及选用测试方法。
第一节 电力二极管
1.普通二极管(General Purpose Diode) 1)又称整流二极管(Rectifier Diode),多用于开 关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。 2)其反向恢复时间较长,一般在5µs以上。 3)其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。 2. 快恢复二极管(Fast Recovery Diode——FRD) 1)恢复过程很短,特别是反向恢复过程很短(一般在 5µs以下) 。可用于要求很小恢复时间的电路中。 2)从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以 下,甚至达到20~30ns。
2 π ∫0 3
3 × 78.5 当考虑2倍的安全余量时, 当考虑2倍的安全余量时,Im的允许值为 I m = A = 68A 2
五、晶闸管的门极伏安特性及主要参数
和门极不触发电流I 1.门极不触发电压UGD和门极不触发电流 GD 门极不触发电压 不能使晶闸管从断态转入通态的最大门极电压称为门极 不触发电压U 相应的最大电流称为门极不触发电流I 不触发电压 GD,相应的最大电流称为门极不触发电流 GD。 门极触发电压U 和门极触发电流I 2.门极触发电压 GT和门极触发电流 GT 在室温下,对晶闸管加上6V 正向阳极电压时, 使器件由 在室温下 , 对晶闸管加上 6 正向阳极电压时, 极电流称为门极触发电流I 断态转入通态所必须的最小门 极电流称为门极触发电流 GT, 相应的门极电压称为门极触发电压U 相应的门极电压称为门极触发电压 GT。 门极正向峰值电压U 门极正向峰值电流I 3.门极正向峰值电压 GM、门极正向峰值电流 GM和门极峰值功 率PGM 在晶闸管触发过程中, 在晶闸管触发过程中 , 不致造成门极损坏的最大门极电 压 、 最大门极电流和最大瞬时功率分别称为门极正向峰值电 门极正向峰值电流I 和门极峰值功率P 压 UGM、 门极正向峰值电流 GM 和门极峰值功率 GM 。 使用时 晶闸管的门极触发脉冲不应超过以上数值。 晶闸管的门极触发脉冲不应超过以上数值。
三、电力二极管的选用
1.选择额定正向平均电流IF 的原则
I F = (1.5 ~ 2) I DM 1.57
(1-1)
选用时取相应标准系列值即可。
2.选择额定电压URRM 的原则 2.选择额定电压
URRM =(2~3)UDM
选用时取相应标准系列值。 (1-2)
3. 电力二极管的测试及使用注意事项
由于电力二极管的内部结构为PN结,因此用万用 表的R×100挡测量阳极A和阴极K两端的正、反向 电阻,可以判断电力二极管的好坏。一般电力二极 管的正向电阻在几十欧至几百欧,而反向电阻在几 千欧至几十千欧以上为好的;若正、反向电阻都为 零或都为无穷大,说明电力二极管已经损坏。注意: 严禁用兆欧表测试电力二极管。 电力二极管使用时必须保证规定的冷却条件,如 不能满足规定的冷却条件,必须降低容量使用。如 规定风冷元件使用在自冷时,只允许用到额定电流 的1/3左右。
例1-2 现有晶闸管型号为KP50-7,用于某电路中时,流过的电 现有晶闸管型号为KP50用于某电路中时, KP50 流波形如图1 所示,试求I 允许多大? 流波形如图1-7所示,试求 m允许多大?
图1-7 流过晶闸管的电流波形
解
KP50KP50-7晶闸管允许流过的电流有效值为 50 IT =1.57 I T(AV)=1.57×50A=78.5A A=78 ×50A=78. 2 实际流过该管的电流有效值 I = 1 2 π / 3 I m d (ωt ) = I m
国产普通晶闸管型号的命名
一晶闸管接在220 交流回路中, 220V 例 1-1 一晶闸管接在 220V 交流回路中 , 通过器件的电流 有效值为100 100A 问选择什么型号的晶闸管? 有效值为100A,问选择什么型号的晶闸管? 解 选择晶闸管额定电压 UTn =(2~3) UTM = (2~3)×220V=622~933V =(2 220V=622~933V V=622 按晶闸管参数系列取800 800V 按晶闸管参数系列取800V,即8级。 选择晶闸管的额定电流 IT(AV)=(1.5 ~ 2)IT/1.57=(1.5 ~ 2)×100/1.57 =95 ~ =(1 57=( =(1 100/ 127A 127A 100A 按 晶 闸 管 参 数 系 列 取 100A , 所 以 选 取 晶 闸 管 型 号 KPl00 00KPl00-8E。
四、电力二极管的主要类型
电力二极管在许多电力电子电路中有着广泛的 应用。在后面的章节中我们将会看到,电力二极管 可以在交流-直流变换电路中作为整流元件,也可以 在电感元件的电能需要适当释放的电路中作为续流 元件,还可以在各种变流电路中作为电压隔离、箝 位或保护元件。在应用面介绍几种 常用的电力二极管。
■电力二极管(Power Diode)自20世纪50年代初期就获得 应用,但其结构和原理简单,工作可靠,直到现在电力二 极管仍然大量应用于许多电气设备当中。 ■在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少 的,特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基 二极管,具有不可替代的地位。
整流二极管及模块
4.晶闸管的其他参数 . 在室温和门极断开时, (1)维持电流IH 在室温和门极断开时,器件从较大的通态电流降至维持通 维持电流 最小电流称为维持电流。它一般为几毫安到几百毫安。 态所必需的 最小电流称为维持电流。它一般为几毫安到几百毫安。 擎住电流I 晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号, (2)擎住电流 L 晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号,能使器件保持 导通所需要的最小阳极电流。 导通所需要的最小阳极电流。 断态电压临界上升率du/ 在额定结温和门极开路情况下, (3)断态电压临界上升率 /dt 在额定结温和门极开路情况下,不使器件 从断态到通态转换的阳极电压最大上升率称为断态电压临界上升率。 从断态到通态转换的阳极电压最大上升率称为断态电压临界上升率。 (4)通态电流临界上升率di/dt 在规定条件下,晶闸管在门极触发开通时 通态电流临界上升率d / 在规定条件下, 所能承受不导致损坏的通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率。 所能承受不导致损坏的通态电流最大上升率称为通态电流临界上升率。