电力二极管与晶闸管(2)

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电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
2.单相调压电路带电阻负载,其导通控制角的移相范围为_0-180O_,随的增大,Uo_降低_,功率因数_降低__。
3.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角<(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
4.根据三相联接形式的不同,三相交流调压电路具有多种形式,TCR属于_支路控制三角形_联结方式,TCR的控制角的移相范围为_90O-180O_,线电流中所含谐波的次数为_6k±1_。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表示900V。
3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_ ;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ _和__ _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。。

电力电子技术试题(二)

电力电子技术试题(二)

电力电子技术 试题(A )注:卷面85分,平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中,将符合每一类别的全部选项添入表中。

(8分)选项:(根据选项填空时,只需写选项的代号,如:A,B,….) A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。

2、判断下列各题的正确性,正确的打“√”,不正确的打“×” 。

(6分) (1) 某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V ,反向重复峰值电压700V ,则该晶闸管的额定电压是700V 。

( )第 1 页 (共 8 页)试 题:电力电子技术 班号: 姓名:(2)对于输入接整流变压器的可控整流电路,变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。

()(3)单相全控桥式变流电路,“阻感——反电势”负载,已知60β= ,2100U V=,50E V=,电路处于可逆变状态。

()3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路,并分析缓冲电路中各元件作用。

(6分)第 2 页(共 8 页)试题:电力电子技术班号:姓名:二、对于三相全控桥式变流电路,在不同的负载形式和控制要求下,回答下列问题。

1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载,并工作于整流方式时的电路图(要标明反电势极性)。

(5分)3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态,V U 1002=,负载中E=47V ,Ω=5R ,当60α= 时,试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流平均值dVT I 。

(5分)第 3 页 (共 8 页)试 题:电力电子技术 班号: 姓名:u u u 2、当该电路工作于整流状态时,设触发角60α= 且负载电流连续,请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。

(5分)i 0三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图(a)所示。

它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。

电力电子技术第2章_习题_答案

电力电子技术第2章_习题_答案

班级姓名学号第2/9章电力电子器件课后复习题第1部分:填空题1. 电力电子器件是直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

2. 主电路是在电气设备或电力系统中,直接承担电能变换或控制任务的电路。

3. 电力电子器件一般工作在开关状态。

4. 电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。

5. 按照器件能够被控制的程度,电力电子器件可分为以下三类:不可控器件、半控型器件和全控型器件。

6.按照驱动电路信号的性质,电力电子器件可分为以下分为两类:电流驱动型和电压驱动型。

7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。

8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。

9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。

其反向恢复时间较长,一般在5μs以上。

10.快恢复二极管简称快速二极管,其反向恢复时间较短,一般在5μs以下。

11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10~40ns之间。

12.晶闸管的基本工作特性可概括为:承受反向电压时,不论是否触发,晶闸管都不会导通;承受正向电压时,仅在门极正确触发情况下,晶闸管才能导通;晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。

要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。

13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。

选用时,一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。

14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。

晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。

对同一晶闸管来说,通常I L约为I H的称为2~4 倍。

15.晶闸管的派生器件有:快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。

16. 普通晶闸管关断时间数百微秒,快速晶闸管数十微秒,高频晶闸管10微秒左右。

第1章--电力晶体管和晶闸管

第1章--电力晶体管和晶闸管
I,对应为0.4V~1.2V共九个组别。 2) 维持电流 IH :使晶闸管维持导通所必需的最小电流
一般为几十到几百毫安,与结温有关,结温越高, 则IH越小
3) 擎住电流 IL:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发 信号后, 能维持导通所需的最小电流。 对同一晶闸管来说,通常IL约为IH的2~4倍。
IG2 > IG1 > IG =0
UBO UA
雪崩 击穿
图1-5 晶闸管的伏安特性 IG2>IG1>IG
16
IA
四、晶闸管的阳极伏安特性
正向 导通
1) 正向特性
URSM URRM -UA
IH
IG2
IG1 IG=0
O
UDRM Ubo +UA
IG=0时,器件两端施加正向电压,正向阻
断状态,只有很小的正向漏电流流过,正向
J1 J2 J3
K
a)
b)
图1-2 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
K G
A c)
11
晶闸管的管耗和散热:
管耗=流过器件的电流×器件两端的电压
管耗将产生热量,使管芯温度升高。如果超 过允许值,将损坏器件,所以必须进行散热 和冷却。
冷却方式:自然冷却(散热片)、风冷(风 扇)、水冷
雪崩 击穿
UDSM
电电压流超急过剧临增界大极,限器即件开正通向。转折电压Ubo,则漏
-IA
图1-5 晶闸管的伏安特性
随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降
IG2>IG1>IG
低。
导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相 仿。
晶闸管本身的压降很小,在1V左右。

电力二极管和晶闸管

电力二极管和晶闸管

——电气设备或电力系统中,直接承担电能的变 换或控制任务的电路。
2)分类: 电真空器件
(汞弧整流器、闸流管等)
半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅)
3)同处理信息的电子器件相比的一般特征:
处理电功率的能力,一般远大于处理信息的 电子器件。
其处理电功率的能力小至毫瓦级,大至 兆瓦级, 多都远大于处理信息的电子器件。
驱动

电路
V2 主电路
电气隔离 电力电子器件在实际应用中的系统组成
3、电力电子器件的分类
按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:
不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就
不需要驱动电路。
半控型器件(Thyristor) ——通过控制信号可以控制其导通而不能控
制其关断。
一、 晶闸管的结构
外形结构: 塑封形
平板形
螺栓形
外形有塑封形、螺栓形和平板形三种封装。
塑封形 —— 额定电流10A以下。 螺栓型 —— 额定电流10~200A。 平板形 —— 额定电流200A以上。
阴极 K
门极 G
晶闸管的外形及电气图形符号
A 阳极
有三个联接端。 螺栓形封装,通常螺栓是其阳极,能与散热器紧 密联接且安装方便。 平板形晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。
电力二级管和晶闸管
补充内容:电力电子器件概述 1.1 电力二极管 1.2 晶闸管 1.3 双向晶闸管及其他派生晶闸管 本章小结
电子技术的基础 ——电子器件:晶体管和集成电路 电力电子电路的基础 ——电力电子器件
本章主要内容: 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍电力二极管、晶闸管的工作原理、基本特性、主 要参数、选择和使用中应注意问题。

第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介

第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介

目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管(Power Diode)在20世纪50年代初期就获得应用,当时也被称为半导体整流器;它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同,都以半导体PN结为基础,实现正向导通、反向截止的功能。

电力二极管是不可控器件,其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。

电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。

9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。

9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。

其反向恢复时间较长,一般在5s以上,其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。

《电力电子技术(第2版)》 王立夫、金海明版 第二章 习题答案

《电力电子技术(第2版)》 王立夫、金海明版 第二章 习题答案
(2)①功率集成电路将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息 电子电路制作在同一芯片上,同一芯片上高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的有效 处理问题,是功率集成电路的主要技术难点。②集成电力电子模块则将电力电子器件与逻辑、 控制、保护、传感、检测、自诊断等所有信息电子电路通过专门设计的引线或导体连接起来 并封装在一起,有效地回避了高低压电路之间的绝缘以及温升和散热问题。
4
sin
t)2 d(t)
Im 2
3 1 4 2
0.4767Im
Kf1
I1 Id1
0.4767Im 0.2717Im
1.7545
b)
Id 2
1
4
Im
sin
td (t )
Im
(
2 2
1)
0.5434 I m
I2
1
(Im
sin
t)2 d(t)
4
2Im 2
3 1 4 2
0.6741Im
解: 对ⅠGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表:
器件
优点
缺点
IGBT
开关速度高,开关损耗小,具有 开关速度低于电力 MOSFET,
耐脉冲电流冲击的能力,通态 电压,电流容量不及 GTO
压降较低,输入阻抗高,为电压
驱动,驱动功率小
GTR
耐压高,电流大,开关特性好, 开关速度低,为电流驱动,所需
而普通晶闸管不能?
答:GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两 个晶体管 V1、V2,分别具有共基极电流增益1 和2 ,由普通晶闸管的 分析可得,1 +2 =1 是器件临界导通的条件。1 +2 >1,两个等效晶 体管过饱和而导通;1 +2 <1,不能维持饱和导通而关断。

第8章功率半导体器件习题答案

第8章功率半导体器件习题答案

第8章功率半导体器件习题答案第1部分:填空题1.针对电力二极管的特性,完成下列题目:1)将正向电流I F开始明显增加所对应的二极管两端的电压定义为门槛电压。

2)与正向电流I F对应的二极管两端的电压定义为正向电压降。

3)承受反向电压时,只有微小而数值恒定的电流流过,该电流定义为反向漏电流。

4)承受很高反向电压而出现击穿时所对应的二极管两端的电压,定义为反向击穿电压。

5)从承受正向电压开始,到二极管完全导通所需要的时间定义为正向恢复时间。

6)在关断时,须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力,进入截止状态,这段时间定义为反向恢复时间。

7)二极管在关断之前有较大的反向电流出现,并伴随有明显的反向电压过冲。

2.针对晶闸管的特性,完成下列题目1)晶闸管的关断时间由两段时间组成,分别是:反向阻断恢复时间和正向阻断恢复时间。

2)将指定的管壳温度和散热条件下,晶闸管允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值定义为通态平均电流,用I T(AV)表示。

I T(AV)是按照电流的发热效应来定义的,使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额,并应留有一定的裕量,该电流对应的有效值为 1.57倍I T(AV)。

3)使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流,用I H表示。

晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流称为擎住电流,用I L表示。

对同一晶闸管来说,通常I L约为I H的2~4倍。

4)在门极断路且结温为额定值时,将允许重复加在器件上的正向峰值电压定义为断态重复峰值电压,用U DRM表示;将允许重复加在器件上的反向峰值电压定义为反向重复峰值电压,用U RRM表示。

通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小(该空选项:较大或较小)的标值作为该器件的额定电压。

选用时,应考虑安全裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。

5)断态电压临界上升率d u/d t是指:在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。

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变频器原理与应用
18
例1-2 现有晶闸管型号为KP50-7,用于某电路中时,流过的电流 波形如图1-9所示,
试求Im允许多大?
图1-9 流过晶闸管的电流波形
解 KP50-7晶闸管允许流过的电流有效值为
IT =1.57 I T(AV)=1.57×50A=78.5A
实际流过该管的电流有效值
I
1 2π
1.门极不触发电压UGD和门极不触发电流IGD 不能使晶闸管从断态转入通态的最大门极电压称为门极不触
发电压UGD,相应的最大电流称为门极不触发电流IGD。 2.门极触发电压UGT和门极触发电流IGT
在室温下,对晶闸管加上6V正向阳极电压时,使器件由断态 转的入门通极态电所压必称须为的门最极小触门发电极压电UG流T。称为门极触发电流IGT,相应 3.门极正向峰值电压UGM、门极正向峰值电流IGM和门极峰值功率 PGM 在晶闸管触发过程中,不致造成门极损坏的最大门极电压、
IT =1.57 I T(AV)
I T(AV)= IT /1.57 由于晶闸管的过载能力差,一般在选用时取(1.5~2)的安全裕量,

I T(AV) = (1.5~2)IT /1.57
变频器原理与应用
17
例1-1 一晶闸管接在220V交流回路中,通过器件的电 流有效值为100A,问选择什么型号的晶闸管?
晶闸管等效为两个互补连接的三极管工作分析
IG→IB2↑→IC2(IB1) ↑ →IB2↑ ↑________↓
图1-6 晶闸管的工作原理示意图
变频器原理与应用
13
四、晶闸管的阳极伏安特性
晶安闸特管性的。阳其极伏与安阴特极性间曲的线电如压图ua1和-7所阳示极。电流ia之间的关系,称为阳极伏
图1-7 晶闸管的伏安特性曲线
第1章 电力二极管与晶闸管
学习目标
1.掌握电力二极管的结构、伏安特性、主要参数、测 试方法和选用方法。
2.了解晶闸管的结构、工作原理及伏安特性 3.掌握晶闸管的导通条件和关断条件。 4.熟练掌握晶闸管的主要参数、测试方法和选用方法。 5.掌握双向晶闸管的结构、主要参数及选用测试方法。
变频器原理与应用
电力二极管使用时必须保证规定的冷却条件,如不 能满足规定的冷却条件,必须降低容量使用。如规 定风冷元件使用在自冷时,只允许用到额定电流的 1/3左右。
变频器原理与应用
7
四、电力二极管的主要类型
1.整流二极管 整流二极管多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。但
其正向电流定额和反向电压定额却很高。
变频器原理与应用
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本章小结
电力二极管也是由PN结组成,加正向电压导通,加反向 电压截止,是一个不可控的单向导通器件。
普通晶闸管内部为PNPN四层结构,向外引出阳极A、阴极K 和门极G三个电极。它的导通条件是:对晶闸管的阳极和阴 极两端加正向电压,同时在它的门极和阴极两端也加适当的 正向电压。关断条件是:使流过晶闸管的阳极电流小于维持 电流。晶闸管的工作原理可用两个互补连接的等效晶体管电 路来分析,当门极注入一定电流时,会形成一个强烈的正反 馈过程,使管子迅速饱和导通。管子导通时,内部等效电路 中的任一只管子的集电极电流即为另一只管子的基极电流, 去除门极触发电流不会影响管子的导通状态,即门极失去控 制作用。
变频器原理与应用
3
2. 伏安特性
电力二极管的阳极和阴极间的电压UAK和流过管子的电流IA 之间的关系称为伏安特性,其伏安特性曲线如图1-2所示。
图1-2 电力二极管的伏安特性
变频器原理与应用
4
二、主要参数
1. 额定正向平均电流IF 在规定的环境温度为40℃和标准散热条件下,元件PN结温度稳定且不超过
变频器原理与应用
27
四、光控晶闸管
光控晶闸管又称光触发晶闸管,是利用一定波长的光照信 号触发导通的晶闸管,其电气图形符号和伏安特性如图1-14 所示。小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子,大功率 光控晶闸管则还带有光缆,光缆上装有作为触发光源的发光 二极管或半导体激光器。
图1-14 光控晶闸管的电气符号和伏安特性
变频器原理与应用
ห้องสมุดไป่ตู้
8
第二节 晶闸管
一、晶闸管的结构 晶效闸电管路是如四图层1(P-3lN所lP示2N。2)三端(阳极A、阴极K、门极G)器件,其内部结构和等
a)
b)
图1-3 晶闸管的内部结构和等效电路
a) 内部结构 b)以互补三极管等效
变频器原理与应用
9
晶闸管的符号及外形
晶闸管的符号及外形如图1-4所示,
管相比,高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额 都不易做高。
变频器原理与应用
26
三、逆导晶闸管
逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯 上的电力集成器件,这种器件不具有承受反向电压的能力, 一旦承受反向电压即开通,其电气图形符号和伏安特性如图 1-13所示。
图1-13 逆导晶闸管的电气符号和伏安特性
最门门极大极触门正发极向脉电峰冲流值不和电应最流超大IG过M瞬和以时门上功极数率峰值分值。别功称率为P门GM极。正使向用峰时值晶电闸压管U的GM、
变频器原理与应用
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七、晶闸管对触发电路的要求
1.触发脉冲应具有足够的功率和一定的宽度; 2.触发脉冲与主电路电源电压必须同步; 3.触发脉冲的移相范围应满足变流装置提出的要求。
变频器原理与应用
14
么么么么方面
Sds绝对是假的
五、晶闸管主要参数
1.额定电压UTn 当门极开路,元件处于额定结温时,根据所测定的正向转折电压UBO和反向
击穿电压URO,由制造厂家规定减去某一数值(通常为1OOV),分别得到正 向不可重复峰值电压UDSM和反向不可重复峰值电压URSM,再各乘以0.9, 即得正向断态重复峰值电压UDRM和反向阻断重复峰值电压URRM。 2.额定电流IT(AV) 晶闸管的额定电流也称为额定通态平均电流,即在环境温度为40℃和规定 的冷却条件下,晶闸管在导通角不小于170°的电阻性负载电路中,当不 超过额定结温且稳定时,所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
a)
b)
c)
图1-4 晶闸管的符号及外形
a) 晶闸管的符号 b)螺栓形晶闸管的外形 c)带有散热器平板式晶闸管的外形
变频器原理与应用
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二、晶闸管的导通与关断条件
导通和关断条件可通过图1-5所示的实验
图1-5 晶闸管的导通与关断实验电路
变频器原理与应用
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二、晶闸管的导通与关断条件
实验结论:
1)晶闸管的导通条件:在晶闸管的阳极和阴极两端 加正向电压,同时在它的门极和阴极两端也加正向 电压,两者缺一不可。
1
第一节 电力二极管
电力二极管是指可以承受高电压大电流 具有较大耗散功率的二极管,在电路中 常作为整流、续流、电压隔离、钳位或 保护元件。
变频器原理与应用
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一、结构与伏安特性 1. 结构
a) b)
c)
d)
图1-1 电力二极管的结构、符号和外形
a)结构 b)符号 c) 螺旋式外形 d) 平板式外形
I T(AV) π2(1I-7T)(RMS) 0.45 I T(RMS)
以此推算,一个100A的双向晶闸管与两个45A的普通晶闸管反并联电流容 量相等。
变频器原理与应用
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3.双向晶闸管的触发方式
双向晶闸管正反两个方向都能导通,门极加正负电压都能触发。主电压 与触发电压相互 配合,可以得到四种触发方式: (1) I+ 触发方式 主极T2为正,T1为负;门极电压G为正,T1为负。 (2) I_ 触发方式 主极T2为正,T1为负;门极电压G为负,T1为正。 (3) Ⅲ+触发方式 主极T2为负,T1为正;门极电压G为正,T1为负。 (4) Ⅲ—触发方式 主极T2为负,T1为正;门极电压G为负,T1为正。 四种触发方式中触发灵敏度不相同,I+ 触发方式灵敏度最高,Ⅲ+触发方 式灵敏度最低,使用时要尽量避开Ⅲ+,常采用的触发方式为I+ 和Ⅲ-。
变频器原理与应用
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第三节 晶闸管派生器件
一、双向晶闸管 1.双向晶闸管的结构与伏安特性曲线
a) b) c)
d)
图1-11 双向晶闸管
a) 双向晶闸管的结构 b) 等效电路 c)符号 d) 伏安特性曲线
变频器原理与应用
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2.双向晶闸管的参数
双向晶闸管的主要参数中只有额定电流与普通晶闸管有所不同,其他参 数定义与普通晶闸管相似。由于双向晶闸管工作在交流电路中,正反向 电流都可以流过,所以它的额定电流不是用平均值,而是用有效值(方均 根值)来表示,定义为:在标准散热条件下,当器件的单向导通角大于 170°时,允许流过器件的最大交流正弦电流的有效值,用IT(RMS)表示。 双向晶闸管有效值电流与普通晶闸管平均值电流之间的换算关系式为
140℃时,所允许长时间连续流过50Hz正弦半波的电流平均值。将此电 流值取规定系列的电流等级,即为元件的额定电流。
2. 反向重复峰值电压URRM 在额定结温条件下,取元件反向伏安特性不重复峰值电压值URSM的80%称
为反向重复峰值电压URRM。将URRM值取规定的电压等级就是该元件的额 定电压。
3. 正向平均电压UF 在规定环境温度+40℃和标准散热条件下,元件通过50Hz正弦半波额定正
向平均电流时,元件阳极和阴极之间的电压的平均值,取规定系列组别 称为正向平均电压UF ,简称管压降,一般在0.45~1V范围内。
变频器原理与应用
5
三、电力二极管的选用
1.选择额定正向平均电流IF 的原则
IF
(1.5
~
2) I DM 1.57
(1-1)
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