大物上机报告-电子科技大学-滕保华

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电子科技大学高级语言程序设计实验报告二

电子科技大学高级语言程序设计实验报告二

电子科技大学通信与信息工程学院实验报告(实验)课程名称高级语言程序设计电子科技大学教务处制表电子科技大学实验报告学生姓名:学号:指导教师:实验地点:实验时间:一、实验室名称:校公共机房二、实验项目名称:分支及循环结构程序设计三、实验学时:4学时四、实验原理:首先通过阅读案例程序让学生更近一步理解循环及分支语句的具体使用。

通过使用VC2010或VC6 开发环境对案例程序进行编译运行,让学生切身体会循环及分支结构的执行过程,帮助学生培养使用这两种结构的独立编程能力。

其次,通过自己动手编程进一步锻炼学生对分支及循环结构的使用能力,在程序调试过程中锻炼学生的查错、定错以及纠错的能力。

五、实验目的:1.掌握C程序基本调试技巧,特别是查看变量的值和单步调试方法。

2.掌握分支程序设计。

3.掌握三种循环程序设计以及循环的嵌套,循环和分支的嵌套等。

4.掌握循环和分支程序设计方法,能够利用循环和分支结构解决一些简单数学计算问题。

六、实验内容:上机完成以下编程实验,调试运行程序并完成报告。

1.阅读教材3.10节案例2“图书管理系统主界面” (p130),理解该程序的结构以及其中每个语句的作用。

在VC上编辑、调试、运行该程序。

2. 习题3.4(p134)。

3. 习题3.7(p134)4. 习题3.14(p135)5. 编写一个C 程序,用迭代法求x 的值,当最后一项小于1e-6时停止计算。

七、实验器材(设备、元器件):硬件要求:普通pc 机。

软件要求:Windows 7/XP/2003等。

八、实验步骤、实验编程与运行结果:1. 1)编辑的程序2.#include<stdio.h> 3.#include<conio.h> 4.5.void main() 6.{ 7.char ch; 8.9.printf("**********************************************************\n"); 10.printf("**************欢迎进入中文图书馆管理系统!****************\n"); 11.printf("**********************************************************\n"); 12.printf("~~~~~~~~~~~~~~~~~~\t\t\t~~~~~~~~~~~~~~~~~~\n"); 13.14.while(1) 15.{ 16.printf("\t\t 请选择操作类型:\n"); 17.printf("1:<查阅图书>\n"); 18.printf("2:<借阅图书>\n"); 19.printf("3:<管理系统>\n"); 20.printf("4:<还书>\n"); 21.printf("0:<退出>\n"); 22.printf("请输入0--4\n"); 23.24.ch=getch(); 25.12!n n x n +∞==∑26.if(ch == '1')27.{28.printf("----欢迎进入查阅图书系统----\n");29.printf("输入任意键结束!\n");30.getch();31.continue;32.33.}34.else if(ch == '2')35.{36.printf("----欢迎进入借阅图书系统----\n");37.printf("输入任意键结束!\n");38.getch();39.continue;40.}41.else if(ch == '3')42.{43.printf("----欢迎进入管理系统----\n");44.printf("输入任意键结束!\n");45.getch();46.continue;47.}48.else if(ch == '4')49.{50.printf("----欢迎进入还书系统---\n");51.printf("输入任意键结束!\n");52.getch();53.continue;54.}55.else if(ch == '0')56.{57.printf("----欢迎下次使用中文图书管理系统,再见!----\n");58.break;59.}60.else61.{62.printf("输入错误,请输入0--4,请重新输入!\n");63.printf("按任意键重新开始!\n");64.getch();65.}66.}67.}68.2)典型测试数据(输入):11,6,369.3)应输出(上机前自己分析的结果):内容太多,见课本70.上机时遇到的问题:①continue,break理解有误解决办法:通过运行程序加以理解71.实际运行结果:同教材72.1)编辑的程序#include <stdio.h>void main(){int result, data, Operator, invalid;/*result --- the result of computation.data --- the second number in computation.operator --- '+' --> +1'-' --> -1invalid --- 0 --> valid input.1 --> invalid input.*/char c;/**************************************//* *//* Initialization & Input *//* *//**************************************/result = 0;data = 0;Operator = 0;invalid = 0;printf("Please input the equation with the end of ';'.\n");c = getchar();/*************************************//* *//* Processing. *//* *//*************************************/while (c != ';'){if ( (c >= '0') && (c <= '9') ){if (Operator == 0)result = result*10 + c - '0';elsedata = data*10 + c - '0';}else if ( (c == '+') || (c == '-') ){if (Operator != 0){result = result + Operator*data;data = 0;}Operator = (c == '+')? 1: -1;}else{invalid = 1;break;}c = getchar();}result = result + Operator*data;if (invalid)printf("Invalid Input!\n");elseprintf("result = %d\n",result);getchar();getchar();}2)典型数据输入1+2-3+1;1+2-3+1上机时遇到的问题:①运用数组函数敲击回车无法正常停止解决办法:②对题目要求理解有误解决办法:实际运行结果:1 Invalid input73.1)编写的程序74.#include<stdio.h>75.76.void main()77.{78.int i, j, result;79.80./*定义循环变量i*/81.82.printf("Please enter an integer\n");83.scanf("%d",&i);84.if(i <= 5)85.{86.result = 0;87.for(j = 1; j <= i; j++)88.result += j;89.}90.91.else if(i <= 10)92.93./*如果5<i<=10*/94.95.{96.result = 100;97.for(j = i; j >= 1; j--)98.result -= j;99.}100.101.else102.103./*i>10*/104.105.result = i*i;106.printf("%d\n",result);107.}2)典型测试数据(输入):11,6,33)应输出(上机前自己分析的结果):121,79,6上机时遇到的问题:①程序可读性差解决办法:等号前后加空格,适当换行等②缺少适当注释解决办法:添加适当注释实际运行结果:121,79,6108.1)编写的程序109.#include<stdio.h>110.void main()111.{112.int i,j;113.114./*计数用j*/115.116.for(i = 1,j = 0;j <= 10;i++)117.if(i%2 == 0 && i%3 == 0 && i%5 == 0)118.119./*i同时被2,3,5整除*/120.121.{122.printf("%d\t",i);123.j++;124.}125.getchar();126.}127.128.2)典型测试数据(输入):无2)应输出(上机前自己分析的结果):30 60 90 120 150 180 210 240 270 300上机时遇到的问题:①输出结果未分开解决办法:添加\t②输出对话框消失太快解决办法:添加getchar() 实际运行结果:30 60 90 120 150 180 210 240 270 3001)编写的程序129.#include<stdio.h>130.void main()131.132.{133.int n;134.float a, x = 0;135.136.for(a = 2,n = 1;a >= 1e-6;a = 2*a/(n + 1),n++)137.x += a;138.139.printf("%f",x);140.141.getchar();142.}143.144.2)典型测试数据(输入):无3)应输出(上机前自己分析的结果):6.389057上机时遇到的问题:①对FOR循环处理不当解决办法:添加断点实际运行结果:6.3890571)编写的程序2)#include<stdio.h>3)void main()4)5){6)int n;7)float a, x = 0;8)9)for(a = 2,n = 1;a >= 1e-6;a = 2*a/(n + 1),n++)10)x += a;11)12)printf("%f",x);13)14)getchar();15)}2)观察每执行一次循环x,n以及n!值得变化2)典型测试数据(输入):无3)应输出(上机前自己分析的结果):6.389057上机时遇到的问题:① 2010版添加断点后操作不详解决办法:实际运行结果:6.389057九、实验结论:掌握了C程序基本调试技巧,特别是查看变量的值和单步调试方法;分支程序设计三种循环程序设计以及循环的嵌套,循环和分支的嵌套等;循环和分支程序设计方法,利用循环和分支结构解决一些简单数学计算问题。

两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究

两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究

两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究王春栋; 滕保华; 程登木; 周飞【期刊名称】《《四川师范大学学报(自然科学版)》》【年(卷),期】2011(034)005【总页数】6页(P684-689)【关键词】铁电薄膜; 相图; 体介质层; 两表面层【作者】王春栋; 滕保华; 程登木; 周飞【作者单位】电子科技大学物理电子学院四川成都610054; 电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054; 南京航空航天大学高新技术研究院江苏南京210016【正文语种】中文【中图分类】BH77.80铁电薄膜材料由于具有压电效应、热释电效应、电光效应、声光效应、光折变效应、非线性光学效应和高介电系数等优良特性,所以近几十年来铁电薄膜及集成铁电器件一直是材料科学工程、电解质物理、微电子与光电子等领域科技人员关注和研究的热点之一.其中Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜由于具有低工作电压、高介电常数、相对大的剩余极化强度和压电常数等特点,成为铁电非易失存储器、微机电系统、热电传感器和场效应晶体管的首选材料.然而由于其显著的疲劳特性及高退火温度容易形成烧绿石相,使人们不断通过各种方法从实验上和理论上进行其改性研究[1].理论上,运用最多的是P.G.de Gennes[2]提出的微观的横场伊辛模型(TFIM)来研究铁电薄膜的性质.该模型假设铁电薄膜是由横场中具有交换相互作用的赝自旋组成.虽然早在1944年L.Onsager[3]就发表了平面正方二维伊辛模型的精确解,然而三维的TIM至今还没有得到精确解.近年来发展了许多近似方法及格林函数法来处理该模型,J.M.Wesselinowa[4-5]运用格林函数系统地研究了铁电薄膜的TIM相图和动力学性质.王春雷等[6]和H.K.Sy[7]运用平均场近似理论研究了铁电薄膜和铁电超晶格相变中的表面效应和尺寸效应.曲保东等[8]研究了铁电薄膜的自然极化特点和介电磁化系数.滕保华等[9]运用高阶退耦合近似格林函数方法研究了各参量对相图的影响.最近从理论上研究了插入层[10]和晶种层[11]对薄膜的影响,发现选择交换相互作用大的而横场参量小的插入层和晶种层能明显提高薄膜的居里温度和极化.本文基于横场伊辛模型,获得了一个适合于研究具有体介质层的任意层数两表面层铁电薄膜相变性质的递归公式.基于该公式讨论具有两层表面层铁电薄膜的体介质层的交换相互作用和横场参量对相图的影响.研究体介质层的交换相互作用参量过渡值和横场参量之间的关系,体介质层的横场参量过渡值和交换相互作用参量之间的关系及两表面层对整个铁电薄膜的影响.1 模型及其理论处理为了简单起见,下面的讨论中将体介质层视为交换相互作用参量比原铁电薄膜(A材料)的交换相互作用参量大、而横场参量比原来小的另外一种铁电材料(B材料).这样具有两个表面层的带有体介质层的铁电薄膜就可以用具有两个表面层的A/B型(两种不同材料结构)简立方格子赝自旋模型来表示(见图1).该系统的哈密顿量[6-12]可写成下列形式其中,Ωi是横场参量,和是格点i处自旋算符沿x和z方向的分量,Jij是第i个和第j个格点位置处的交换相互作用参量只对最近邻的格点求和.如图1所示,ΩA和ΩB分别代表A材料(原铁电薄膜层)和B材料(体介质层)的横场参量;ΩSA为与原铁电薄膜层相接触的两表面层横场参量;ΩSB为与体介质层相接触的两表面层横场参量;JA为材料A的层间和层内的交换相互作用参量;JB是体介质层材料B的层间和层内交换相互作用参量;JSA为与原铁电薄膜层相接触的两表面层的交换相互作用参量;JSB为与体介质层材料B相接触的两表面层的交换相互作用参量.在界面处,A和B材料层的两体交换相互作用参量[13]为横场参量为采用类似于于文献[10]中用的平均场近似理论,并假设同一层的赝自旋具有相同值,则第i层沿z方向的自旋平均值可表示成如下形式当温度接近居里温度时,〈〉将趋于零,对于具有体介质层的两表面层铁电薄膜将有下列线性方程:对于与原铁电薄膜层相接触的两表面层有对于原铁电薄膜层(材料A)有对于体介质层薄膜(材料B)有对于与体介质层接触的两表面层有其中,Si代表基于方程(5)~(13),可得到系数矩阵(14),其中类似于对同种材料组成的n层铁电薄膜[7]的讨论,这一系数矩阵可写成下列递归方程其中并且有A0=1,A-1=0,B0=1,B-1=0,以及基于方程(15),就可讨论任意层数体介质层对带有两个表面层铁电薄膜相变性质的影响.2 计算结果及分析主要运用方程(15)展示体介质层对具有两表面层铁电薄膜的影响.如上面已经提及的,为简单起见,在本文中将体介质层考虑成与原铁电薄膜不同的另一种材料(材料B),通过比较不同的介质层的较大的交换相互作用参量和较小的横场参量对相图的影响,来研究介质层对铁电薄膜相图的影响.本文中相图主要讨论居里温度与表面交换相互作用参量JSB的关系[7,9],同时也列举了居里温度和表面横场参量ΩSB的关系相图[10-12].文中沿用滕保华等[9]的定义,用FPD代表铁电相决定相图,PPD代表顺电相决定相图.为简单起见,本文研究共10层铁电薄膜情形,其中4层表面层,3层介质层(材料B),3层原铁电薄膜层(材料A).数值计算结果展示在图2中.图2展示了体介质层的横场参量对相图的影响,即对不同的ΩB的JSB-TC曲线.从图中可以发现相图敏感地依赖于介质层的横场参量ΩB.图2(a)中当体介质层的横场参量较大时,如图中的ΩB/J=3.542 8时,相图中的铁电区只占很小的一部分,而顺电相占据相图中的大部分面积,这就是顺电相决定相图PPD.而当体介质层的横场参量取较小值,如ΩB/J=2.101 3时,此时情况正好相反,铁电相占据相图大部分面积,而顺电相只占据小部分,这就是铁电相决定相图(FPD).同时还可以发现图2(a)中存在从铁电相向顺电相的过渡区,即图中的ΩB/J=2.833 29所对应的曲线(其曲线上每一点所对应的温度即为居里温度),称该过渡曲线所对应的值为过渡值.从图2中可看到,随着温度增加时,越过该过渡曲线,便由铁电区进入了顺电区,这也就是该相图的过渡特征.同时比较图2(a)、(b)、(c),会发现随着介质层交换相互作用参量的增加(本文中所讨论的介质层的交换相互作用参量值比原铁电薄膜的大),介质层的横场参量的过渡值在增加,同时相图中的铁电区也在增加.这说明介质层的交换相互作用的增大将导致薄膜的居里温度增加.综上所述,说明横场参量是顺电相产生的原因,交换相互作用是铁电相产生的原因.铁电相和顺电相的出现是横场参量和交换相互作用参量相互竞争的结果.所以实验中要选择交换相互作用参量大而横场参量小的介质层来提高整个薄膜的居里温度,改善薄膜的铁电性能.图2中通过比较(a)、(b)、(c)讨论了体介质层的交换相互作用参量对相图的影响.为了更直观的展现其对相图的影响,在图3中,将在同一图中比较体介质层的交换相互作用参量对相图的影响.与图2中所讨论的体介质层的横场参量过渡值相类似,本图中也存在体介质层的交换相互作用参量的过渡值.而与图2中横场参量对相图影响不同的是在本图中可以发现体介质层的交换相互作用越大铁电区越大.这一结论与对通常铁电薄膜的研究相一致[7].观察图4,可发现当介质层的交换相互作用参量增加时,其横场参量的过渡值也在增加.此即表示对于较大的JB/J,需要较大的ΩB/J才能导致从铁电相向顺电相的转变.换言之,增大介质层的交换相互作用参量将增大从铁电相向顺电相转变的难度.另外从图4中还能发现随着JB/J增加,横场参量的过渡值增加速率也在增加. 从图5中也能看到当介质层的横场参量增加时,交换相互作用参量的过渡值也在增加,即对于较大的ΩB/J,只有较大的JB/J才能导致从顺电相向铁电相的转变.而图5的特征与图4的特征不一样,ΩB/J和 JBC/J存在线性关系,其线性关系为JBC/J=0.359ΩB/J+0.049.这说明体介质层的交换相互作用参量对相图的影响要比其横场参量对相图的影响稍大些.在图2、3中研究了体介质层的横场参量和交换相互作用参量对相图的影响,发现横场参量和交换相互作用参量均存在过渡值,并且发现材料的这两个参量并不是互相独立的,而是相互影响相互制约的,故在图5、6中将分别研究体介质层的交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响及介质层的横场参量对其交换相互作用参量的过渡值的影响.在图2~5中研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对相图的影响及对相互之间的过渡值的影响.图6中将研究当体介质层(B材料)和原铁电薄膜(A材料)的交换相互作用参量和横场参量都取确定值(本图中选取体介质层的交换相互作用比原铁电薄膜的大,而横场参量比原铁电薄膜的小的情形)时,与体介质层相接触的表面的交换相互作用对相图ΩSB-TC的影响.从图中发现当JSB/J从0.1增加到0.25时,铁电区将敏感地随之增加,同时也发现当取确定的ΩSB时,表面相互作用JSB/J的增加也将导致整个薄膜居里温度的增加.这一结果与文献[7]对通常铁电薄膜的表面效应的研究相一致.3 结语本文基于横场伊辛模型,运用理论上获得的适合于研究具有体介质层的任意层数两表面层铁电薄膜相变性质的递归公式,讨论了体介质层的加入对整个铁电薄膜相变性质的影响.结果显示,体介质层的交换相互作用参量的增大,能导致相图中铁电区的增加、薄膜的居里温度增大、横场参量过渡值的增大;体介质层的横场参量的增大,能导致相图中铁电区的减小、薄膜居里温度的减小、交换相互作用参量过渡值的增大;而体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.此外,与体介质层接触的表面层对相图和居里温度也有很大的影响.尽管文中所呈现的体介质层效应是定性的,希望能对实验中铁电薄膜性能改性有所理论指导.参考文献[1]王英龙,魏同茹,刘保亭,等.外延PbZr0.4Ti0.6O3薄膜厚度对其铁电性能的影响[J].物理学报,2007,56(5):2931-2936.[2]de Gennes P G.Collective motions of hydrogen bonds[J].Solid State Commun,1963,1(6):132-137.[3]Onsager L.Crystal statistics I:A two-dimensional model with anorder-disorder transition[J].Phys Rev,1944,B65:117-149.[4]Wesselinowa J M.On the theory of thin ferroelectric films[J].Phys Stat Sol(b),2001,223:737-743.[5]Wesselinowa J M.Properties of ferroelectric thin films with a first-order phase transitions[J].Solid State Commun,2002,121(2):89-92. [6]Wang C L,Xin Y,Wang X S,et al.Phase transition properties offerroelectric superlattices with three alternative layers[J].Phys Lett,2000,A268:117-122.[7]Sy H K.Surface effects in an alternating magnetic superlattice[J].Phys Rev,1992,B45(1):4454-4459.[8]Qu Bao-dong,Zhong Wei-lei,Zhang Pei-lin.Phase-transition behavior of the spontaneous polarization and suspeptibility of ferroelectric thin film[J].Phys Rev,1995,B52(2):766-770.[9]Teng B H,Sy H K.Green’s function investigati on of transition properties of the transverse Ising model[J].Phys Rev,2004,B70(10):104115-104120.[10]Wang Chun-dong,Teng Bao-hua,Zhang Xian-jun,et al.Phase transition properties of ferroelectric thin film with one distinct inserting-layer[J].Mod Phys Lett,2008,B22(31):1-13.[11]Wang Chun-dong,Teng Bao-hua,Zhang Xian-jun,etal.Investigation of the seeding-layer effect on a ferroelectric thin film with the transverse Ising model[J].Phys,2009,A388(38):1472-1478. 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电子技术应用实验教程实验报告综合篇(含答案)电子科技大学-大三上

电子技术应用实验教程实验报告综合篇(含答案)电子科技大学-大三上

. .. zyzl . .第一部分 常用电子测量仪器的使用本部分主要涉及实验要用到的三种仪器:数字示波器、信号发生器和稳压电源。

学生在自学了《电子技术应用实验教程 综合篇》(后称教材)第一章内容后,填空完成这部分的内容。

一、学习示波器的应用,填空完成下面的内容示波器能够将电信号转换为可以观察的视觉图形,便于人们观测。

示波器可分为 模拟示波器 和 数字示波器 两大类。

其中, 模拟示波器 以连续方式将被测信号显示出来;而 数字示波器 首先将被测信号抽样和量化,变为二进制信号存储起来,再从存储器中取出信号的离散值,通过算法将离散的被测信号以连续的形式在屏幕上显示出来。

我们使用的是 数字示波器 。

使用双踪示波器,能够同时观测两个时间相关的信号。

信号通过探头从面板上的 通道1 和 通道2 端送入,分别称为CH1和CH2。

在使用示波器时,需要注意以下几点: (1)正确选择触发源和触发方式触发源的选择:如果观测的是单通道信号,就应选择 该信号 作为触发源;如果同时观测两个时间相关的信号,则应选择信号周期 大 (大/小)的通道作为触发源。

(2)正确选择输入耦合方式应根据被观测信号的性质来选择正确的输入耦合方式。

如图1.1所示,输入耦合方式若设为交流(AC ),将阻挡输入信号的直流成分,示波器只显示输入的交流成分;耦合方式设为直流(DC ),输入信号的交流和直流成分都通过,示波器显示输入的实际波形;耦合方式设为接地(GND ),将断开输入信号。

0U1V 5V(A )tU 1V5V 图1.2 被测信号实际波形tU (B )t0U-2V2V (C )DC图1.1 输入耦合开关示意图图1.3 不同输入耦合方式时的波形已知被测信号波形如图1.2所示,则在图1.3中, C 为输入耦合方式为交流(AC )... zyzl . .时的波形, A 为输入耦合方式为直流(DC)时的波形, B 为输入耦合方式为接地(GND)时的波形。

电子科大2012毕业设计课题一览表

电子科大2012毕业设计课题一览表

10 低频大功率限幅器的设计与实现 11 高反压PIN开关驱动器的设计与实现 12 集中参数定向耦合器的设计与实现 13 脉冲调制电源的设计与实现 14 溶胶凝胶制备氧化钒的工艺优化及特性研究 15 太赫兹有机敏感薄膜的制备及表征 16 电子束蒸发制备无机光敏薄膜的研究 17 氧化钒的太赫兹光谱响应研究 18 (t-bt)2Ir(acac)掺杂有机太阳能电池研究 19 基于ITO透明阴极的有机电致发光显示器件研究 20 Alq激子阻挡层在有机太阳能电池中的应用研究 21 金属/匹配层透明阴极在有机电致发光显示器件中的应用研究 22 低功耗锂电池保护芯片的设计 23 锂电池充电管理芯片的设计 24 低噪声非制冷红外焦平面组件的设计 25 流水线ADC的器件级建模研究 26 数字式温度测试电路的研究 27 简易自行车测速、测距仪的设计 28 简易电信号测试电路的研究 29 RF电路的设计与建模 30 脲醛树脂壁材的电子墨水微胶囊的制备及表征 31 明胶-阿拉伯胶壁材的电子墨水微胶囊的制备及表征
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光电楼321室 光电楼321室 光电楼339-6 光电楼339-6 光电楼339-6 逸夫楼211 逸夫楼211
13982203217 13982203217 13881902004 13881902004 13881902004 83201960 83201960 83201960 83201960 83201960 18615762996 18615762996 83201708 83201708 83201708 83201708 83202981 83202981 83202981 83202981 83202981 83207609 83207609 83207609 83207609 13618034834 13618034834 13618034834 13618034834 13618034834 83206899 83206899 13982062362 13982062362 13982062362 83204363 83204363 83204363

电子科技大学计算机操作系统—操作系统实验

电子科技大学计算机操作系统—操作系统实验

附件1操作系统上机实验进程调度实验时间:16 机时实验验收时间:17~18周实验成绩:占总成绩的20%一、实验目的和要求1.目的进程是操作系统最重要的概念之一,进程调度又是操作系统核心的主要内容。

本实习要求学生独立地用高级语言编写和调试一个进程调度程序,模拟各种调度算法。

调度算法可任意选择或自行设计,例如,简单轮转法和优先数法等。

本实验可加深对于进程调度和各种调度算法的理解。

2.要求(1)设计一个有n(n≥8)个进程并行的进程调度程序。

每个进程由一个进程控制块(PCB)表示。

进程控制块通常应包含下述信息:进程名(或序号)、进程优先数、进程需要运行的时间、占用CPU的时间以及进程的状态等(要求包括4种基本状态:运行、就绪、阻塞、完成),PCB块的内容应根据调度算法的不同特点而增删。

(2)调度程序应包含3种或3种以上不同的调度算法,运行时可任意选一种,以利于各种算法的分析比较。

其中至少有一种为综合调度算法,并要求是自己设计的算法。

(3)系统应能直观、准确地动态显示(用动态的表或图)各进程状态和参数的变化情况,便于观察诸进程调度的动态显示过程。

(4)要求完成一个完整的软件系统,用户界面友好,操作简便,可采用菜单选择或图形用户界面(GUI)实现。

说明:在windows 环境下开发,也可用其它工具或软件实现进程调度过程的模拟。

要求画出至少一个综合调度算法的实现流程图。

二、调度算法1.算法本程序可选用来先服务(FCFS)算法、最短CPU运行期优先(SCBF)算法、最高优先权(HPF)算法、时间片轮转(RR)算法及多级反馈队列算法等对多个进程进行调度。

同时注意对自己设计的综合调度算法要认真分析其特点。

每个进程处于运行、就绪、等待、完成四种状态,并假定起始状态都是就绪状态。

为了便于处理,程序中进程的运行时间以时间片为单位计算。

各进程的优先数或轮转时间片数、以及进程需要运行的时间片数,均由伪随机数发生器产生。

进程控制块结构如下图所示:2.算法举例以两种典型算法为例说明实现的算法:⑴优先数法(动态优先数)系统中各进程的初始优先级与进程类型(前台或后台,交互或批处理,计算或I/O)有关。

电子科技大学 大物实验二指导书

电子科技大学 大物实验二指导书

目录目录 02015—2016学年第二学期《大学物理实验II》教学管理细则 (1)2015—2016学年第二学期《大学物理实验II》实验课程表 (4)实验一迈克尔逊干涉仪的调整与使用 (5)实验二分光计的使用和光栅测波长(下课前完成数据处理) (10)实验三波尔共振实验 (16)实验四旋转液体物理特性的研究(下课前完成数据处理) (22)实验五密立根油滴实验——电子电荷的测定 (25)实验六弗兰克—赫兹实验(下课前完成数据处理) (27)实验七声光效应 (30)实验八透镜焦距测量(下课前完成数据处理) (33)实验九光电效应 (37)实验十电势差计测电动势(下课前完成数据处理) (39)实验十一音频信号的光纤传输 (42)实验十二静电场模拟(下课前完成数据处理) (44)实验十三磁阻效应综合实验 (46)实验十四超声声速的测定(下课前完成数据处理) (56)实验十五非平衡电桥与压力传感器特性研究及其应用(下课前完成数据处理) (61)实验十六电子束实验 (66)2015—2016学年第二学期《大学物理实验II》教学管理细则课程基本情况1、《大学物理实验I》和《大学物理实验II》是全校理工科类2年级本科生的必修课,共60.8学时4学分,其中《大学物理实验II》28.8学时2学分,于每学年的第二学期开设。

2、《大学物理实验II》8次实验课组成,平均每次实验3.6学时,最后一个实验为操作考试。

实验教学安排教学班由行政班组成,分单双周班,第2学期第2-17周开课,详见―实验课程表‖。

实验课准备1、课前必须预习并按规定写好预习报告(包括操作考试)。

2、每次实验都应带齐《大学物理实验》教材、实验指导书、实验报告纸、坐标纸、钢笔、绘图铅笔(最好是0.3-0.5mm的自动铅笔)、橡皮、直尺、科学计算器。

实验课考勤和上课纪律1、学生上课不得迟到,迟到者会被老师记录并影响课程成绩。

迟到半小时及以上者不得参加本次实验。

电子科技大学大物上机实验(滕保华)

实验一一.实验名称:范德瓦尔斯方程分析二.实验目的:熟练运用, 对理想气体方程和范德瓦尔斯方程比较分析。

三.实验原理:理想气体物态方程只适用于压强不太大,温度不太低的气体。

但当气体压强比较大,温度比较低即气体分子的数密度n 比较大时,气体分子间的实际间距没有理想气体间距那么大,分子间的相互作用力和分子本身的体积就加以考虑,所以需要找出实际气体的物态方程。

荷兰物理学家范德瓦耳斯改进了气体的状态方程,把分子间的作用力和分子的有限体积放进方程中去。

他论证了,分子间距离较远时,它们间必定存在吸引力,这一作用附加到容器壁施加的压强上去。

他进一步提供论据,假设附加产生的压强反比于气体比容的平方。

还有,由于分子占有体积,它们可利用的空间必须减少,或者说,减少的总体积就正比于分子在相互接触时所占有的体积。

于是一摩尔真实气体的状态方程变成 2V V m m a b RT p --=或 RT b m a p V V m =-+))(2(这简单方程包含两个常数,即a 和b ,对于每一种物质它们可由实验确定。

R 是普适气体数学。

后来人们称之为范德瓦耳斯方程。

他还导出了b 是分子体积的4 倍。

这个方程不仅能解释安德纽斯的实验结果及J .汤姆生的见解,而且能从常数a 、b 值计算出临界参数。

范德瓦尔斯方程的引出,是从理论分析出发导出气体状态方程的一个典型例子。

范德瓦尔斯方程只不过是用两个常数很粗略地考虑了气体内分子运动的行为,所以还不能精确地表述气体的关系。

但是,它为用理论方法研究状态方程开拓了道路。

特别是它在定性上能反映出物质气—液相变的性质。

按照范德瓦尔斯状态方程在图上作出的定温线称为范德瓦尔斯定温线。

因为该方程可以展开成摩尔体积V m 的三次方程:0)(23=-++-ab a m RT pb m p V V V m 将范德瓦尔斯方程代入式式中T c ,p c 是临界点的温度和压力值,称为物质的临界温度和压力值。

在临界点物质骤然全部地发生气—液相转变,在实验中可以观察到临界乳光现象发生,由此可以测定出临界点参数。

电子科技大学 大学物理 实验报告(利用Mathcad软件)

假定单色平行光垂直照射到光栅上,设光栅的总缝数为 ,光栅常数为 .
先考虑多缝干涉的影响.根据分波阵面获得相干光的方法,此时可认为各缝就是 个间距为 的同相子波波源,它们沿每一方向都发出频率相同,振幅相同的光波,这些光波的叠加形成了多光束干涉.
对于衍射角 ,从上到下,光栅两相邻狭缝发出的光线到达屏上 点时的光程差都是相等的,由图14.4.1可知,这一光程差等于 ,当 满足
指导教师:
日 期: 2012年 6月 15日
电子科技大学
实验报告
实验一:利用Mathcad软件模拟方波信号傅里叶级数展开 P3
实验二:Mathcad软件受迫振动的微分方程作图 P7
实验三:利用Mathcad软件光栅衍射作图P14
电子科技大学
实验报告
实验一
一、实验名称:利用Mathcad软件模拟方波信号傅里叶级数展开
在mathcad中要按crtl+=可打ad中按=可打出
电子科技大学
实验报告
实验三
一、实验名称:光栅衍射作图
二、实验学时:4
三、实验内容和目的:了解光栅衍射原理,利用Mathcad作图
四、实验原理:光栅衍射
五、实验器材(设备、元器件):使用Mathcad。
当级数项越来越多时,图形越来越逼近方波,当级数项趋近于无穷项时,就可以将其视为方波。以上实验直观说明用Fourier级数对方波分析的有效性。
电子科技大学
实验报告
实验二
一、实验名称:利用受迫振动的微分方程作图
二、实验学时:4
三、实验内容和目的:Mathcad的使用方法,受迫振动
四、实验原理:利用受迫振动的微分方程和初始条件,在Mathcad中做出图形

时,通过各缝的光到达屏上 点都是同相而获得干涉相长形成明纹,式14.4.1成为光栅方程,式中 为明纹级数, 对应于中央明纹, 表示各级明纹两侧对称分布.

电子科技大学 计算机 学院 实验报告模板

{
for(j=1;j<=i;j++)
{
if(number(i,j)==1)
{
b[a]=(float)j/(float)i;
a++;
}
}
}
for(i=1;i<a;i++)
for(k=0;k<a-i;k++)
{
if(b[k]>b[k+1])
{
c=b[k];
b[k]=b[k+1];
b[k+1]=c;
}
}
for(i=0;i<a;i++)
除此之外,在进行临界测试时,由于0/1是单独输出的,所以当n=0是程序运行正常,但当n比较大时,由于数组b定义的长度为100,所以产生越界问题,而且当n较小时,数组b不能被完全利用,部分内存被浪费,所以可以改进为动态数组,来避免浪费内存和越界问题。
六.总结及心得体会:相对简单,但是写完程序才发现很多不完善的地方,有待改进。此外,C,C++基础不好,所以写程序比较困难,希望老师能循序渐进地改善我们的编程能力。
n阶法雷序列元素存储到数组b中,然后再利用冒泡排序将所有元素按升阶排列,得到n阶法雷序列
3.算法时间复杂度分析
存储操作的算法时间复杂度为 ,排序操作的算法时间复杂度为 ,所以总的算法时间复杂度为 (效率出奇得低)
4.核心程序
for(i=1;i<=m;i++)
{
for(j=1;j<=i;j++)
{
if(number(i,j)==1)
电子科技大学计算机学院
标准实验报告

电子科技大学通信原理实验实验报告1

电子科技大学通信学院数字信号载波调制实验报告班级学生学号教师任通菊数字信号载波调制实验一、实验目的1、运用MATLAB 软件工具仿真数字信号的载波传输.研究数字信号载波调制ASK 、FSK 、PSK 在不同调制参数下的信号变化及频谱。

2,研究频移键控的两种解调方式;相干解调与非相干解调。

3、了解高斯白噪声方差对系统的影响。

4、了解伪随机序列的产生,扰码及解扰工作原理。

二、实验原理数字信号载波调制有三种基本的调制方式:幅度键控(ASK ),频移键控(FSK )和相移键控(PSK )。

它们分别是用数字基带信号控制高频载波的参数如振幅、频率和相位,得到数字带通信号。

在接收端运用相干或非相干解调方式,进行解调,还原为原数字基带信号。

在幅度键控中,载波幅度是随着调制信号而变化的。

最简单的形式是载波在 二进制调制信号1或0的控制下通或断,这种二进制幅度键控方式称为通—断键控(00K )。

二进制幅度键控信号的频谱宽度是二进制基带信号的两倍。

在二进制频移键控中,载波频率随着调制信号1或0而变,1对应于载波频率f 1,0对应于载波频率f 2,二进制频移键控己调信号可以看作是两个不同载频的幅度键控已调信号之和。

它的频带宽度是两倍基带信号带宽(B )与21||f f -之和。

在二进制相移键控中,载波的相位随调制信号1或0而改变,通常用相位0°和180°来分别表示1或0,二进制相移键控的功率谱与通一断键控的相同,只是少了一个离散的载频分量。

m 序列是最常用的一种伪随机序列,是由带线性反馈的移位寄存器所产生的序列。

它具有最长周期。

由n 级移位寄存器产生的m 序列,其周期为21,n m -序列有很强的规律性及其伪随机性。

因此,在通信工程上得到广泛应用,在本实验中用于扰码和解扰。

扰码原理是以线性反馈移位寄存器理论作为基础的。

在数字基带信号传输中,将二进制数字信息先作“随机化”处理,变为伪随机序列,从而限制连“0”或连“l ”码的长度,以保证位定时信息恢复的质量,这种“随机化”处理称为“扰码”。

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大学物理上机实验报告
英才实验学院 张义飞 2014000201010
实验一
实验名称
实际气体的范德瓦尔斯方程
实验要求
利用 Mathcad 对范德瓦尔斯方程进行分析
实验过程
1. 范德瓦尔斯方程的一般形式如下: ������
(������ + ������2) (������ − ������) = ������������ 在 Mathcad 中需要对其形式进行如下变换:
{ ������������,������ = sin(������������)3 cos⁡(������������) ������������,������ = cos⁡(������������)
在 Mathcad 中绘制图形如图:
2. 定义如下方程: ������(������, ������) = 3������������2 + 4������������ + 13������ − 2
可以看出,随着温度降低,图像出现了与前两次相同的变化。
实验名称
利用 Mathcad 绘制 3D 图形
实验二
实验要求
1. 利用极坐标方程绘制立体图形 2. 利用二元函数绘制立体图形 3. 莫比乌斯带的绘制
实验过程
1. 定义如下参数: ������������,������ = sin(������������) cos(������������)2
在 Mathcad 中画出如图:
3. 设置如下数据: 得到如图所示的图像: 调整������ = 1,得到:
实验三
实验名称
绘制磁滞回线
实验要求
在 Mathcad 中通过求解方程绘制磁滞回线
实验过程
主要借助微分方程求解来绘制磁滞回线,然后通过不断尝试获得符合条件的初值条件。
给定以下条件:
ω = 0.1, h = 0.6, T = 0.5
2. 探究修正数������对实际气体物态方程的影响。控制变量������变化范围为3.6~3.9。得到下图所 示的图像:
由图可知,当������取值较小时,图像与理想气体方程的������ − ������图像接近,此时气体内部的 分子引力作用较小。随着������变大,曲线出现极值点,并且极值点逐渐降低。
8.31������
������ ∙ 1.031 ∙ 105 ∙ 10−6
������(������, ������, ������, ������) = ������ − ������ ∙ 10−3 −
������2
其中,考虑到各参数的单位要统一,给定初始参数������ = 0.043,������ = 300������。然后使用控 制变量法探究������ − ������图的变化。
3. 探究������对该物态方程的影响。固定������ = 3.2,使������的取值范围为0.025~0.04,图像如下图 所示:
由图可知,随着������减小,图像逐渐出现极值点,并且极值点随着������的值减小而降低。 4. 探究������对物态方程的影响。固定������ = 3.2, ������ = 0.043,改变������的值,得到如下所示图像:
得到如下的图形:
然后修改初始条件并不断调节,使磁滞回线闭合,得到以下结果:
������ = ������. ������, ������(������) = −������. ������������������
������ = ������. ������, ������(������) = −������. ������������������
已知初值条件:
������������(������) ������������
=
−������(������)

+
������(������) ������������������ℎ⁡(
+
ℎ∙ ������
������������������⁡(������������) )
������(0) = −0.963, ������ = ������������������������������������������������(������, 2000,20000000)
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