XXXX电子技术总复习.pptx
合集下载
电工与电子技术 总复习
（ 1） 静态工作点。 ） 静态工作点。 （ 2） 画出微变等效电路，计算电路的电压放大倍数、 ） 画出微变等效电路，计算电路的电压放大倍数、 输入电阻、输出电阻。 输入电阻、输出电阻。 （ 3） 放大电路输出端开路时的电压放大倍数，并说明 ） 放大电路输出端开路时的电压放大倍数， 负载电阻 RL 对电压放大倍数的影响。 对电压放大倍数的影响。
UOC=－9+12+3=6V
图5
二、计算题： 计算题：
电路与电子技术
1、利用电源的等效变换求图6所示电路的最简模型。 利用电源的等效变换求图6
2、试用结点法求 n1 （作业1-5） 试用结点法求U 作业1
电路与电子技术
电路与电子技术 3、求图示电路中的电流 及3V电压源发出的功率 。 电压源发出的功率P。 、求图示电路中的电流I及 电压源发出的功率 （第1章第 讲例题） 章第4讲例题） 章第 讲例题
电路与电子技术 5、桥式整流电路中，四个二极管承受的最大反向电压 桥式整流电路中， 均为（ 2U2 ）。 均为（ 6、求电路静态工作点方法有（估算法）和（图解法） 。 求电路静态工作点方法有（估算法） 图解法） 7、实践中，通常是调整（偏置）电阻，达到调整静态 实践中，通常是调整（偏置）电阻， 工作点的目的。 工作点的目的。 8、放大电路的静态工作点设置不当，会引起（非线性） 放大电路的静态工作点设置不当，会引起（非线性） 失真。 失真。 9、放大电路中，静态工作点设置太低易产生（截止） 放大电路中，静态工作点设置太低易产生（截止） 失真；设置太高易产生（饱和）失真； 失真；设置太高易产生（饱和）失真；当输入信号很 微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置（偏低）一点。 微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置（偏低）一点。
UOC=－9+12+3=6V
图5
二、计算题： 计算题：
电路与电子技术
1、利用电源的等效变换求图6所示电路的最简模型。 利用电源的等效变换求图6
2、试用结点法求 n1 （作业1-5） 试用结点法求U 作业1
电路与电子技术
电路与电子技术 3、求图示电路中的电流 及3V电压源发出的功率 。 电压源发出的功率P。 、求图示电路中的电流I及 电压源发出的功率 （第1章第 讲例题） 章第4讲例题） 章第 讲例题
电路与电子技术 5、桥式整流电路中，四个二极管承受的最大反向电压 桥式整流电路中， 均为（ 2U2 ）。 均为（ 6、求电路静态工作点方法有（估算法）和（图解法） 。 求电路静态工作点方法有（估算法） 图解法） 7、实践中，通常是调整（偏置）电阻，达到调整静态 实践中，通常是调整（偏置）电阻， 工作点的目的。 工作点的目的。 8、放大电路的静态工作点设置不当，会引起（非线性） 放大电路的静态工作点设置不当，会引起（非线性） 失真。 失真。 9、放大电路中，静态工作点设置太低易产生（截止） 放大电路中，静态工作点设置太低易产生（截止） 失真；设置太高易产生（饱和）失真； 失真；设置太高易产生（饱和）失真；当输入信号很 微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置（偏低）一点。 微弱时，为减小功耗，静态工作点可设置（偏低）一点。
《电子技术基础》复习要点
《电子技术基础》复习要点课程名称：《电子技术基础》适用专业：2018级电气工程及其自动化（业余）辅导教材：《电子技术基础》张志恒主编中国电力出版社复习要点第一章半导体二极管1.本征半导体❑单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅Si和锗Ge。
❑导电能力介于导体和绝缘体之间。
❑特性：光敏、热敏和掺杂特性。
❑本征半导体：纯净的、具有完整晶体结构的半导体。
在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发），产生两种带电性质相反的载流子（空穴和自由电子对），温度越高，本征激发越强。
◆空穴是半导体中的一种等效+q的载流子。
空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶体中空位，使局部显示+q电荷的空位宏观定向运动。
◆在一定的温度下，自由电子和空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为复合。
当热激发和复合相等时，称为载流子处于动态平衡状态。
2．杂质半导体❑在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
◆P型半导体：在本征半导体中掺入微量的3价元素（多子是空穴，少子是电子）。
◆N型半导体：在本征半导体中掺入微量的5价元素（多子是电子，少子是空穴）。
❑杂质半导体的特性◆载流子的浓度：多子浓度决定于杂质浓度，几乎与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。
◆体电阻：通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
◆在半导体中，存在因电场作用产生的载流子漂移电流（与金属导电一致），还才能在因载流子浓度差而产生的扩散电流。
3.PN结❑在具有完整晶格的P型和N型半导体的物理界面附近，形成一个特殊的薄层（PN结）。
❑PN结中存在由N区指向P区的内建电场，阻止结外两区的多子的扩散，有利于少子的漂移。
❑PN结具有单向导电性：正偏导通，反偏截止，是构成半导体器件的核心元件。
◆正偏PN结（P+，N-）：具有随电压指数增大的电流，硅材料约为0.6-0.8V，锗材料约为0.2-0.3V。
◆反偏PN结（P-，N+）：在击穿前，只有很小的反向饱和电流Is。
模拟电子技术基础(复习)PPT课件
3. 通频带 4. 定量计算
9
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖二、设置静态工作点的必要性
为什么放大的对 象是动态信号，却 要晶体管在信号为 零时有合适的直流
动态信号 驮载在静 态之上
电流和极间电压？ 设置合适的静态工
与iC变化 方向相反
作点，首先要解决 失真问题，但Q点几 乎影响着所有的动 态参数！
3
❖复习与考试
模拟电子技术基础
❖三、怎样复习
❖ 重点是基础知识：基本概念、电路、方法 ❖ 识别电路是正确分析电路的基础 ❖ 特别注意基础知识的综合应用，融会贯通。
4
❖第1 章 常用半导体器件（复习）
模拟电子技术基础
问题
❖ 为什么要把半导体材料变成本征半导体？ 再掺杂？如何控制杂质半导体导电性能？
8
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
u放大的对象：变化量 u放大的本质：能量的控制 u放大的特征：功率放大 u放大的基本要求：不失真——放大的前提
1. 放大倍数：输出量与输入量之比
Au u
Au
Uo Ui
Aii
Ai
Io Ii
2. 输入电阻和输出电阻
A ui
U o Ii
A iu
Io U i
12
❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖三、三种接法的比较：空载情况下
接法
Au Ai Ri Ro 频带
共射 大
β 中 大 窄
共集 小于1 1＋β
大 小 中
共基 大
α 小 大 宽
13
第三章 多级放大电路（复习）
§3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级
电子技术基础知识ppt课件
(0.6 0.8) V―――硅管 0.7 V (0.1 0.3) V―――锗管 0.3 V
12
（2）反向特性 反向电压VR＜VRM（反向击穿电压）时，反向电流IR很 小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 VR＞VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的 电压VRM称为反向击穿电压。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。
（1）P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素（3价）所 形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
空
穴
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
2
自由电子
（2）N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素（5价） 所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载 流子为空穴。
1、放大电路的组成及作用 （1）晶体管V。放大元件， 用基极电流iB控制集电 极电流iC。
共发射极基本放大电路
39
（2）直流电源UCC 放大电路的能源； 使晶体管的发射结正偏，集电结反 偏，晶体管处在放大状态，提供电流IB 和IC，UCC一般在几伏到十几伏之间。 （3）基极偏置电阻RB。 为基极提供一个合适的偏置电流IB， 使晶体管有一个合适的工作点， 一般为几十千欧到几百千欧。 共发射极基本放大电路 （4）集电极电阻RC。 将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大， 一般为几千欧。 （5）耦合电容或隔直电容Cl、C2。 用来传递交流信号，起到耦合的作用。同时，又使放大 电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用。为了减小传 递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至 40 几十微法，通常采用电解电容器。
自由电子 空 穴
多数载流子（简称多子）
少数载流子（简称少子）
12
（2）反向特性 反向电压VR＜VRM（反向击穿电压）时，反向电流IR很 小，且近似为常数，称为反向饱和电流。 VR＞VRM时，IR剧增，此现象称为反向电击穿。对应的 电压VRM称为反向击穿电压。 结论：反偏电阻大，存在电击穿现象。
（1）P型半导体：本征硅(或锗)中掺入少量硼元素（3价）所 形成的半导体，如P型硅。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。
空
穴
多数载流子（简称多子） 少数载流子（简称少子）
2
自由电子
（2）N型半导体：在本征硅(或锗)中掺入少量磷元素（5价） 所形成的半导体，如N型硅。其中，多数载流子为电子，少数载 流子为空穴。
1、放大电路的组成及作用 （1）晶体管V。放大元件， 用基极电流iB控制集电 极电流iC。
共发射极基本放大电路
39
（2）直流电源UCC 放大电路的能源； 使晶体管的发射结正偏，集电结反 偏，晶体管处在放大状态，提供电流IB 和IC，UCC一般在几伏到十几伏之间。 （3）基极偏置电阻RB。 为基极提供一个合适的偏置电流IB， 使晶体管有一个合适的工作点， 一般为几十千欧到几百千欧。 共发射极基本放大电路 （4）集电极电阻RC。 将集电极电流iC的变化转换为电压的变化，以获得电压放大， 一般为几千欧。 （5）耦合电容或隔直电容Cl、C2。 用来传递交流信号，起到耦合的作用。同时，又使放大 电路和信号源及负载间直流相隔离，起隔直作用。为了减小传 递信号的电压损失，Cl、C2应选得足够大，一般为几微法至 40 几十微法，通常采用电解电容器。
自由电子 空 穴
多数载流子（简称多子）
少数载流子（简称少子）
电力电子技术总复习
a) 转移特性 b) 输出特性
1-20
MOSFET的开关速度 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。
开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上， 是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中 需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
电流检测
过电流 继电器
短路器
动作电流 整定值
开关电路
触发电路
电子保护电路
图1-37 过电流保护措施及配置位置
同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后 实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
1-34
断态电压临界上升率du/dt
——电压上升率过大，使结电容充电电流足够大，造成晶闸管误导通 。
通态电流临界上升率di/dt
——电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。
4)、晶闸管的型号
Ｐ—普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可
KP[电流]─[电压/100][通]态平均电压组别
正反向重复峰值电压 通态平均电流
缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，
抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，
减小器件的开关损耗。
关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过 电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的 电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。
双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成 在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家 专门开发的集成驱动电路。
电工电子技术基础知识PPT通用课件
3 0011
8 1000
4 0100
9 1001
2.2.2 逻辑代数及应用
1 逻辑代数及基本运算 2 逻辑代数的运算法则
1 逻辑代数及基本运算
一、逻辑代数（布尔代数Boole Algebra）用来描述 数字电路和数字系统的结构和特性。
逻辑变量取值：0 1 分别代表两种对立的状态
一种状态
另一状态
高电平 真 是 有 低电平 假 非 无
平，则输出F 为低电平；只
R
有输入A、B 全为高电平时，
A
输出F 才为高电平。可见输
F 入与输出呈现与逻辑关系： B
与逻辑关系表达式
F = AB
与逻辑关系逻辑符号：
A
&
F
B
2、 二极管或门
与逻辑关系真值表：
AB F
00 0 01 0 10 0 11 1
A
只要输入A、B中一个为高
____、中间环节三部分组成。 • A．电阻 B．电容 C．电感 D．负载
1.2 正弦交流电的基本知识
1.2.1 正弦量 的三要素
1 频率与周期 2 振幅和有效值 3 相位、初相、相位差
引言
随时间按正弦规律变化的交流电压、电流称为 正弦电压、电流。
正弦量： 正弦电压、电流等物理量统称为正弦量。
对称正弦量特点为： U1 U 2 U 2 0
频率相同、幅值相等、 相位互差120°的三相电压称
u1 u2 u3 0 为对称正弦电压。
三相交流电压出现正幅值（或相应零值)的顺序称为 相序。 在此相序为1-2-3-1称为顺相序。 在电力系统中一般用黄、 绿、红区别1、2、3三相。
相序的实际意义：对三相电动机，如果相序反了，就会反转。
模拟电子技术基础-总复习最终版
其中 RP R1 // R2 // R3 // R4
另外，uN
R R Rf
uo，uN
uP
ui1 R1 ui2i1 R2 ui3i2R3
P+ + u
o
R4 i4
uo
RP 1
Rf R
ui1 R1
ui 2 R2
ui3 R3
i3
4、 电路如图所示，各引入那种组态的负反馈？设集成运放 输出电压的最大幅值为±14V，填表。
11
14
5、求解图示电路的运算关系式。
同相求和电路 电压串联负反馈
6、求解图示电路的运算关系式。
R2
R1 ui R3
_
R4
+A1+ uo1
R5
_ +A2+
uo
7、求解图示电路的运算关系式。
电压并联负反馈。 电压放大倍数为：-R2/R1。
（3）交流负反馈是指 。 A．阻容耦合放大电路中所引入的负反馈 B．只有放大交流信号时才有的负反馈 C．在交流通路中存在的负反馈
解：（1）D （2）B （3）C
4、选择合适答案填入空内。
A．电压 B．电流 C．串联 D．并联
（1）为了稳定放大电路的输出电压，应引入 负反馈；
（2）为了稳定放大电路的输出电流，应引入 负反馈；
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 各电路的交流通路如解图P2.2所示。
5.在图示电路中，已知晶体管β，rbe，RB，RC=RL，VCC。
（1）估算电路的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
（2）当考虑信号源内阻为RS时，Aus的数值。
6. 电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。
(完整版)电力电子技术总复习
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。
2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。
3、GTO 的全称是 。
4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路； 斩波电路； --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。
6、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。
7、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。
10、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。
11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。
12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 ， 和 。
13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。
15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括： 和 。
二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ，额定电流500A 的普通型晶闸管。
2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
6、普通晶闸管内部有两个PN 结。
7、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相,或是逆变角太小造成的。
8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U 。
10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
U o U i
U o Ic RL
例1：
RS
E S-+
Ii +
U i -
B Ib RB
Ic C
βIb
rbe
RC
E
+ RL Uo
-
Ib RL
Au
RL rbe
RL RC // RL
负号：输入输出电压的相位相反。
当放大电路输出端开路(RL∞)时
Au
RC
200 26mV
I BQmA
RL↓，Au↓。 Q点下移，IBQ↓，rbe↑ ，Au↓。
反向击穿区，UDZ=UZ
I
反向截止区，UDZ=VI
VZ
正向导通区，UDZ=0.7V
t
O
t
放大电路
晶体三极管放大电路
集成放大电路
放大倍数Au=uo/ui
放大倍数Au=uo/ui
准备工作： 求rbe=200+(1+β)26mV/IEQ 静态分析IEQ
准备工作： 确认集成芯片处线性区。 即电路有深度反馈。
二极管电路—整流；
P+NPN
P-N+
D导通 uo=UREF=3V---水平线
D截止 uo=ui---保留输入波形
①假定D断开何时段导通，何时段截止
ui>3,即Vp>Vn,即D导通， 此区域画水平线uo=3V, 其他区域保留输入波形uo=ui
D导通 uo=UREF=3V---水平线 D截止 uo=ui---保留输入波形
双端放大=单管放大倍数 单端放大=单管放大倍数*0.5
放大电路
共模放大倍数≈0
普通放大电路
差动放大电路
功率放大电路
甲类
基极输入 发射极输出 集电极输出
甲类
双输入端 有选择的放大信号
甲乙类
互补射极输出 侧重放大输出电流
Au<0;ui与uo极性相反
放大两端信号的差值—差模信号 抑制两端信号的和值—共模信号
es+ –
ui –
RB
+ RC RL uO
–
交流通路微变等效电路
ii B ib
+
R+S eS-
ui -
RB
ic C
+
RC RL uO -
E
ii B ib
ic C
交流通路
+ RS
+ ui eS- -
ib
+
RB rbe
RC RL uo
E
微变等效电路
3.电压放大倍数的计算
定义
U i
: Au
Ib rbe
第2周（2）
静态分析（直流通路）---判断该电路是否为放大电路
Q(IB,IC,UCE)IB得交流通路中的rbe（为动态分析做准备）
交流通路晶体管线性化微变等效电路 动态分析Au,ri,ro
线性化的条件：输入为微小变化信号
第2周（1）
静态分析
+
动态分析
第2周（1）
直流通路：UCC单独作用的电路
直流通路(静态分析) 求静态工作点Q
例1： Ii +
RS
B Ib IRB
E
+ S-
U i -
RB
ri
Ic C
βIb
rbe
RC
E
RL
+
U o
ri
U i Ii
U i IRB
Ib
RB // rbe
-
输入电阻衡量放大电路获得外部电压信号的能力。 输入电阻ri大获取的外部电压信号大，
因此，输入电阻ri越大越好。
例3：
Ii B Ib
+
RS
时序逻辑电路图 异步/同步，N进制计数器，画QQQ的波形
第20章 A卷第4题9分
第21章 A卷第8题14分
器件
单极性
双极性
导体
半导体
铜---电子
载流子的种类多；载流子的数量少 N型半导体+P型半导体PN结
硅---电子+空穴
1个PN结 二极管 普通整流
半导体 2个PN结 晶体三极管 电压放大
3个PN结 晶闸管 可控整流
REAuc≈0
噪声 信号
无RE 双出Aud≈A 单出Aud≈A*0.5
功率放大电路---互补输出 乙类：IOM最大，效率最高 有一半波形失真互补输出
PO
I
2 O
RL
I
2 OM
RL
/2
交越失真 死区； 乙类甲乙类
R1，D1，D2甲乙类 效率稍降，消除交越失真
原电路交流通路：只有交流电源ui作用的电路
+UCC
1）去掉直流电源
RB
RC
+C2 对地短路
电压源短接 U=0 电流源断开 I=0
C1 +
RS + + ui
es– –
iB iC + + TuCE + uB–E – RL uo
iE
–
2)去掉电容 交流通路中电容短接
交流通路
+
交流通路(动态分析) RS
求电压放大倍数A、 输入电阻、输出电阻
E
+ S-
U i -
RB
Ic C
βIb
rbe
RC
E
Io
+ RL Uo
-
求ro的步骤：
(1) 断开负载RL
(2) (3)
令外U加 i 电0压或UEoS
0
ro Ib 0 所以 Ic β Ib 0
产生
Io
IRC
roΒιβλιοθήκη Uo IoRC总结
放大电路的输出电阻有两种：
1）输出电压由集电极输出
ro RC
二极管电路的波形输出 三极管放大电路的计算 集成放大电路的计算 三极管及集成放大电路的反馈分析 直流电源输出的计算及波形绘制
模拟电路
第14章
第15章 A卷第6题12分
第16章 A卷第7题8分
第17章 A卷第2题5分
第18、19章 A卷第3题9分 A卷第5题9分
数字电路
组合逻辑电路图 画输出波形，化简逻辑表达式
例2: D2
-012VV 求：UAB
0V
关键：确定D管的实际状态。
D1
-6 V
3k
A
假定D1D2均断开，
+ （最容易分析的二极管状态）
6V
UAB
12V
–B
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， D1随后反向截止。 若忽略管压降，UAB = 0 V
D2 ：（导通）钳位 D1：（截止）隔离
已知输入波形，画输出波形
静态分析
用直流通路估算Q的坐标(IB、IC、UCE )：
（1）电流放大方程： IC β IB
+UCC
RB
RC IC
IB
+
U+B–ETU–CE
（2）输入回路方程:
UCC = IB RB+ UBE
所以
IB
UCC UBE RB
当UBE< 0.1UCC时，
IB
U CC RB
(固定偏置)
（3）输出回路方程： UCC = IC RC+ UCE
差动放大电路---去除温度噪声
2个输入端
如: ui1 =20 mV, ui2 = -8 mV
可分解成: ui1 = 6 mV + 14 mV ui2 = 6 mV － 14 mV
对称性IRE=2ICQ 补偿性UEE=URE
(ui1 + ui2)/2 和值--噪声
ICQ=UEE/2RE
(ui1 - ui2)/2 差值--有用信号
2)输出电压由发射极输出
ro
rbe Rs
1
C B
E
A卷第6题12分
集电极输出---共射极放大电路
饱和区 截止区
交越失真 死区； 乙类甲乙类
失真的放大 NPN管
截止失真 Q点偏低 须RB↓→IB↑
饱和失真 Q点偏高 须RB ↑→IB ↓
双向失真 表明放大达极限 只能AU↓
Au>0;ui与uo极性相同