WAT-电性参数介绍(WAT-Parameters-introduction)说课讲解
wat测试专业术语-概述说明以及解释
wat测试专业术语-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分是文章的引言部分，用于引入主题并简要介绍文章内容。
在"wat测试专业术语"的概述部分，你可以按照以下内容进行撰写：概述部分：随着信息技术的不断发展，软件测试在软件开发过程中扮演着至关重要的角色。
在软件测试领域，测试人员使用各种测试技术和工具来验证和确认软件的质量，以确保软件能够满足用户的需求和期望。
而其中一种值得关注的测试技术便是WebAssembly测试（wat测试）。
WebAssembly是一种用于在现代网络浏览器中运行高性能代码的开放标准。
它提供了一种新的运行时环境，允许开发者使用多种编程语言编写性能高效的Web应用程序。
然而，由于WebAssembly的特殊性，传统的软件测试方法和技术不能直接应用于WebAssembly代码的测试。
因此，需要深入研究和探索wat测试专业术语，以提供有效的测试方法和策略来保证WebAssembly代码的质量和可靠性。
本文将深入介绍wat测试专业术语，包括Wat代码的编写规范、常用的wat测试工具和框架、wat测试中的常见术语等。
通过对这些专业术语的详细解读和说明，读者将能够更好地理解wat测试的原理和方法，并能够在实际项目中运用它们。
此外，本文还将提供一些实际案例和经验分享，以帮助读者更好地运用wat测试技术来提高软件的质量和性能。
总之，本文旨在为读者提供一个全面的wat测试专业术语指南，并帮助他们更好地了解和掌握这一领域。
读者将通过本文的阅读，能够在实际项目中运用wat测试技术，提高软件的质量和可靠性，同时也能够对软件测试领域有更深入的了解和认识。
1.2 文章结构文章结构可以分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分主要对文章的主题进行概述，并给出文章的目的和结构。
正文部分是文章的核心部分，通过分点说明文章的内容。
结论部分对正文部分的主要观点进行总结，并提出一些结论或建议。
接下来将对文章结构的三个部分进行详细介绍。
WAT-Basic-Introduction
Vg(V)
V G
2
Vt=X-intercept - 0.5*0.05V (for NMOS)
Vth[Vg Id ]0.5V d gm
2. VTLIN_N:
VD=0.05V, VS=VB=0V,VG=0 to 0.8*1.8V,
whereas 1.8V is VDDN
Measure VTLIN_N=VG @ ID=0.1uA*(W/L)
Typical Value:
IOFF_N_10/0.18 = 60 pA
IOFF_P_10/0.18 = -30 pA
IOFF_N3.3_10/0.35 = 60 pA
IOFF_P3.3_10/0.35 = -35 pA
6. BVD_N
VG=VS=VB=0V, VD = 1.8 To 3*VDDN, whereas, VDDN=1.8V or 3.3V,
High
Note: The polarity of PN junction N stands for N-type and should be reverse biased to build up potential Barrier. N-> V(+), P->V(-)
Contact Resistance (Rc_N+, P+, Via)
whereas 1.8V is VDDN
Measure VTSAT_N = VG @ ID=0.1uA*(W/L)
[VD=VDDN, to make sure that the transistor is working at the saturation status]
4. IDSAT_N:
VD=VG=VDDN=1.8V, VS=VB=0, Measure IDSAT_N=ID (then divide by W in some calculation)
《电器的技术参数与安全用电》 说课稿
《电器的技术参数与安全用电》说课稿尊敬的各位评委、老师：大家好！今天我说课的题目是《电器的技术参数与安全用电》。
下面我将从教材分析、学情分析、教学目标、教学重难点、教法与学法、教学过程、板书设计这几个方面来展开我的说课。
一、教材分析本节课选自_____出版社出版的《＿____》教材，是_____章节的重要内容。
教材通过对电器技术参数的介绍，引导学生了解电器的性能和安全使用要求，为后续学习电路知识和实际生活中的用电安全打下基础。
本教材在内容编排上注重知识的系统性和实用性，通过丰富的实例和图表，将抽象的理论知识直观化，有助于学生理解和掌握。
同时，教材还设置了一些思考与讨论的环节，培养学生的思维能力和创新意识。
二、学情分析授课对象为_____年级的学生，他们在之前的学习中已经对电学的基本概念有了一定的了解，但对于电器的技术参数和安全用电的知识还比较陌生。
这个阶段的学生具有较强的好奇心和求知欲，喜欢通过实践活动来获取知识，但他们的抽象思维能力和逻辑推理能力还有待提高。
在教学过程中，我将充分考虑学生的这些特点，采用直观教学法和实践操作法，激发学生的学习兴趣，提高他们的学习效果。
三、教学目标1、知识与技能目标（1）学生能够理解电器常见技术参数的含义，如电压、电流、功率等。
（2）学生能够掌握电器铭牌上技术参数的读取方法，并能根据技术参数选择合适的电器。
（3）学生能够了解安全用电的基本知识，掌握常见的触电事故预防措施和急救方法。
2、过程与方法目标（1）通过对电器技术参数的学习和分析，培养学生的观察能力、分析能力和逻辑思维能力。
（2）通过实际操作和案例分析，培养学生的动手能力和解决实际问题的能力。
3、情感态度与价值观目标（1）让学生认识到安全用电的重要性，增强学生的安全意识和自我保护意识。
（2）培养学生严谨的科学态度和实事求是的精神，激发学生对电学知识的学习兴趣。
四、教学重难点1、教学重点（1）电器常见技术参数的含义和读取方法。
WAT Introduction (Andy)
Grace Semiconductor Manufacturing Corp.
Trust. Hardwork. Warmth
PIE Andy Woo
May 2002
Testkey :
Testkey
A group of devices which are made in an area . There are several testkeys ( Eg. 7 ) in a die . Each testkey has its own name and contains different devices .
Select wafer Select die Select test key (Module) Select device make connects
So we should make a test plan which does actions above.
Grace Semiconductor Manufacturing Corp.
Wafer Acceptance Test Introduction
Grace Semiconductor Manufacturing Corp.
Trust. Hardwork. Warmth
PIE Andy Woo
May 2002
Content
Brief ideas of WAT
System introduction ( Hardware ) Test Environment ( Software ) Test Structures and Test Method Judgement & Data report
23 24 25 26 47 48 1 2 3 4 5 6
《集成电路制造工艺与及工程应用》第五章课件
PCM01
PCM02
PCM03
PCM04
PCM05
(a) NMOS
(b) PMOS
(c) 薄层电阻 (d) 接触电阻
(e) 电容
4
《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28
WAT测试类型
WAT测试参数可以分为以下八大类： MOS晶体管包括低压NMOS和PMOS，以及中压NMOS和PMOS的参数：
《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28
晶圆接受测试 （WAT）
1. WAT概述 2. MOS参数的测试条件 3. 栅氧化层参数的测试条件 4. 方块电阻的测试条件 5. 接触电阻的测试条件 6. AA&Poly&金属漏电的测试条件 7. 电容的测试条件
1
《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28
1. MOS晶体管是整个芯片的有源器件，它的电性特性是非常重要的，有五个WAT参数监控它们：Vt，Idsat，BVD，Ioff，Isub。
(a) NMOS
(b) PMOS
PAD_G
PAD_G
AD_S
PAD_D
PAD_S
NW
PAD_B
PAD_B
P+
N+
p oly
p+ n+
n+ p+
WAT概述
1. WAT的目的是通过对晶圆产品上特定的测试结构进行WAT参数电性测试，检测晶圆产品是否符合工艺的 规格要求。
2. WAT测试数据有很多方面的用途： a) 第一、作为出货的判断依据，对晶圆产品进行质量检验； b) 第二、数据统计分析工作，通过WAT测试，获取工艺生产线上的信息，检测各个WAT测试参数的波 动问题； c) 第三、监测客户特别要求的器件结构； d) 第四、对客户反馈回来的异常晶圆产品进行分析； e) 第五、代工厂内部随机审查晶圆的可靠性测试（电迁移，栅氧化层的寿命）； f) 第六、为工艺生产线上的工艺实验提取参数信息，通过测试WAT参数进行器件建模。
《集成电路制造工艺与工程应用》第五章课件
《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28
BVD测试条件
测量MOS晶体管击穿电压的基本原理是在晶体管的四端分别加载电压，栅极和衬底之间没有形成电压差 ， 衬底没有形成反型层，晶体管工作在截止区，漏端加载的电压不断增大，量测沟道中漏电流。当漏端上 电压还没有达到击穿电压时，源和漏之间的电流是非常小的，当电压达到击穿电压时，源和漏之间的电流 会突然增大，达到微安级甚至更高。此时加载在漏端的电压就是击穿电压。
G
G
SB
+ -
Vg=Vd=VDD或 者VDDA
+ -
SB
Vg=Vd=-VDD或 者-VDDA
12
《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28
影响晶体管饱和电流的因素
影响晶体管饱和电流的因素包括以下几方面： a) 阱离子注入异常导致； b) N+或者P+离子注入异常； c) LDD离子注入异常； d) 离子注入损伤在退火过程中没有激活； e) AA或多晶硅栅刻蚀后的尺寸异常； f) 栅氧化层的厚度异常。
G
测量 Id
或者VDDA +
+
或者-VDDA +
+
-
-
Vd=0.1V
-
SB
-
SB
Vd=-0.1V
9
《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28
Vtlin测试条件
第二种方式是利用电流常数测量阈值电压，简单认为Id/W=0.1uA/um晶体管开启： 1. 对于NMOS，首先设定Vd=0.1V和Vs=Vb=0V，然后线性扫描Vg 从0V到VDD或者VDDA，测得Vg在
《集成电路制造工艺与工程应用》讲义 2018/09/28
电性能参数介绍
操作过程中使用 工具的污染 操作中污染 擦拭片等
检查并测试刻蚀机 刻蚀效果
椭偏移到厂后定量 测试膜厚折射率
烧结炉工艺稳定性 外围设备稳定性监控
方阻均匀性 方阻范围控制
DI水污染
卫生环境污染
开路电压 低
材料本体
工艺因素
硅片电阻率高
硅片质量较差 少子寿命低
硅片厚度厚
制绒表面 损伤层未完全
去除
扩散PN结 质量较差 扩散炉管 洁净度差
Rs = dU/(Isc1-Isc2)
Rs 是該段 線斜率
Pmax △I
△V
Impp
Pmpp
•欧姆特性和二极管特性
温度
I/A
光强
I/A 温度升高
光强降低
U/V
U/V
• 正常测试温度为25±2℃，随着温度的升高，开路电压急剧降低，短路电流略微增 大，整体转换效率降低
• 正常光强为1000±50W/M2，随着光强的降低，开路电压略微降低，短路电流急剧 下降，整体转换效率降低
串阻Rs组成
测试中的串联电阻主要由以下几个方面组成：
1.材料体电阻（可以认为电阻率为ρ的均匀掺杂半导体） 2.正面电极金属栅线体电阻 3.正面扩散层电阻 4.背面电极金属层电阻 5.正背面金属半导体接触电阻 6.外部因素影响，如探针和片子的接触等
烧结的关键就是欧姆接触电阻，也就是金属浆料与半导体材料接触处的电阻。 可以这样考虑，上述1.2.3.4项电阻属于固定电阻，也就是基本电阻；
PE钝化效果 较差
扩散钝化效果 较差
网印背电场 效果较差
Rsh小 暗电流大
Isc低
原材料因素
工艺因素
原材料杂质含量高 少子寿命低
WATPCM参数CPK控制要点！
WATPCM参数CPK控制要点！前面我们讲了SPC的精髓，对于任意一个可以记录数据的项目我们都可以建立SPC监控，但是我们并不会面面俱到，对于有些非常次要的参数，我们也不一定要去监控它，我们所选择监控的项目，一般来说都是对工艺制程稳定性控制有着至关重要作用的项目。
如果你是从一个全新项目开始的，那么恭喜你，你将学习到非常多的东西，从design rule到bias table，从线宽控制到膜厚测量，从关键工序的条件到关键工序的window check，甚至于有些关键工序的好坏直接决定这CP的好坏，从WAT/ PCM结构设置，到WAT/PCM测试，直到WAT/PCM项目spec与目标值得match，甚至良率与其中某些参数的相关性可能你都有机会做出来，经过这么一整套的开发过程，你将对整个工艺的开发过程有一个非常全面的认识，哪些地方应该重点考虑，哪些地方应该做window check等等，最终完成工艺开发，再整合出一个供客户参考的PDK文件，有的时候是先开发平台，后加入客户，有的时候是客户跟工艺平台一起走，后者会更快的使工艺得到验证，前者可能会使工艺平台做得更完整，然后客户根据这个平台再来设计电路，更有的放矢，两者各有优缺点，一个趋向于速度，一个趋向于标准化，可以拉更多的客户进来，不管是哪一种，最终除了CP测试外，很大程度上数据是否满足要求都会落在WAT/ PCM参数是否满足要求这一硬性指标上，满足了WAT/PCM的要求之后，还需要数据的支撑，就是所谓的从工程品向小批量生产的过渡，工艺的稳定性如何在这个阶段可以初步得到验证，一旦小批量生产的WAT/PCM参数以及最终CP和FT都没有问题，则可以进入量产阶段，进入这个阶段意味着所有该验证的都已经完成，所有要window check的地方也都做好了，除非工艺波动，否则WAT/PCM 参数将保持长期稳定了，但是，这种只是理想的状况，实际工艺过程中会因为各种各样的问题导致WAT/PCM参数shift，甚至OOC/OOS，因此，PIE的很大一部分工作是监控WAT/PCM参数的长期trend，确保当出现shift时及时发现导致WAT/PCM参数shift的原因，并提出改进方案，以及防堵措施。
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Test site and Test line location
TST1 TST7
TST3 TST8 TST9
TST5
(in=13206.24614.8) (out=13326.24734. 8) TST2
TST4
TST6
(0.0)
frame=120x120
3
Device Categorization
Device Part:
1) Gm (Vth,Current Gain) 2) Idsat (Asym) 3) Ioff 4) Swing 5) Gamma factor 6) BKV 7) Isub 8) Leff,Rext,Weff 9) Field Device test 10) Capacitance
Pad1
Spacing:(P1,P2,M1,M2,M3) Pad2
Width:(P1,P2,M1,M2,M3)
6
Process Part:
(2) Continuity (Open)
Continuity 的值可反映出Metal,Poly 1 or Poly 2 CD 的控制能力！一般来说，此项参数 要与Spacing要同时来看，如此才能判定 Layer的status是否正常！
WAT-电性参数介绍(WATParameters-introduction)
Why WAT?
Debug the Process Error. Monitor Process Window. Check Design Rule. Control the Process Parameters(SPC). Reliability Characterization. Device Modeling for Circuit Design. Develop next Generation.
C3
PAA PAA外框P+IM,P-IM
M1 Poly1 NW外框PFIM
8
Process Part:
(4)Sheet（薄层电阻 Rs）
Define：因厚度测量不易，故Define之
σ =1/ρ=nqμ
R=V/I=ρ(L/WT)=(ρ/T)x(L/W)
Rs= ρ/T=Rx(W/L)
PS：σ(Conductivity 传导系数)；ρ(Resistivity 电阻率)； μ(mobility 迁移率)；
M1 0.465
M2
P1P2
1.25
M2
10
Process Part:
(6) Kelvin Structure for Resistance
Define：以Force Current then Sense Voltage drop的方式,测量低阻值的导线或Contact 的四端电阻测量法！
PS：一般来说在Req>50的结构中, Force I=0.01uA and Voltage lim=10V!(Req=L/W)
Active Device
MOSFET(N/P),Field Transistor,BJT,Diode
Passive Device
Resistor,Capacitors
Design rules
Isolation,lines(Spacing,Continuity) contact,extension
Resistor
15um
Pad1
Pad2Βιβλιοθήκη Pad3Pad41um
70um 2um(W)
70um
1000
L
11
Process Part:
(7) Integrity(Gate-Oxide-Integrity)
• Diffusion regions
N+,N-,P+,N-Well,PWell,Deep-NW
• Thin films
P1,P2,M1,M2,M3
• Contact:
C3 to N+/P+,Via C3 to P1,P2
4
WAT Parameter Review
Process Part:
1) Spacing (Bridge,short) 2) Continuity (Open) 3) Isolation 4) Sheet Rs 5) Contact Rc 6) Kelvin Structure for Resistance 7) Integrity (Inter layer dielectric) 8) Extension rule check 9) CD measurement 10) Junction leakage
Pad1
Spacing:(P1,P2,M1,M2,M3) Pad2
Width:(P1,P2,M1,M2,M3)
7
Process Part:
(3) Isolation
Define：验证在 Process中，两不同层之间的隔绝能力！ PS：此Pattern要注意,若oxidation quality 太差,亦会影响到P1/C3是否short的误判 Isolation example：P1/C3, P2/C3, P1/P2, M1/M2…
n(concentration 浓度)；T(thickness 厚度)；
C3 NAA PW
M1 N+IMP N-IMP
NAA
PW
C3
M1
Poly2 Poly1
9
Process Part:
(5) Contact（接触电阻）Rc
Define：利用Chain的结构,将contact的阻值以Pattern design的方式模拟出实际的
contact Rc大小！
PS：(1) Rc Normalize 后的大小，往往会失真，故当个数过多时，不建议Normalize！
(2) 以pattern design而言,有垫其它layer（如右下) 的Structure在CMP的process
中已失去参考价值了！
1.15
M2 M2
M2 Via M2
5
Process Part:
(1) Spacing (Bridge,short)
Define：验证在Process中，同层/同层之间的隔绝能力! Measurement method： Force 1uA电流到导线上，假若线路中有short，则测量出的电压值就偏低(<7volt.需注 意此 Structure之 bottom layer可垫其它layers, 以模拟不同topography下Photo.&Etching 的能力！