小容量的nand隆重推出
ufs闪存
ufs闪存UFS闪存概述随着信息技术的快速发展，存储技术也在不断进步。
其中，闪存技术作为一种非易失性存储介质，具有高速度、高密度和低功耗等特点，引起了广泛关注。
UFS（Universal Flash Storage）作为一种新兴的存储技术，具备高性能、高可靠性和广泛的应用领域，逐渐取代了传统的eMMC存储技术成为主流。
UFS闪存技术的特点1. 高速度：UFS闪存采用了2个通道以及高速的差分信号传输机制，实现更快的数据传输速度。
相比于eMMC存储技术，UFS闪存的读写速度可提高近4倍，大大提升了设备响应速度。
2. 高密度：UFS闪存支持多层堆叠技术，可以在同样的芯片面积上实现更高的存储容量。
这为移动设备提供了更大的存储空间，以满足用户对大容量媒体文件和应用程序的需求。
3. 低功耗：UFS闪存采用了新型的低功耗架构，将读写操作与控制器的其他部分分离，以降低功耗。
这不仅延长了电池寿命，还使得移动设备能够更好地实现节能。
4. 高可靠性：UFS闪存支持数据报告和写入保护等功能，可以确保数据的可靠性和安全性。
此外，UFS闪存还具备抗震动、抗干扰和抗高温等特性，适应于各种恶劣环境下的使用。
UFS闪存技术的应用1. 移动设备：UFS闪存广泛应用于智能手机、平板电脑和便携式游戏机等移动设备中。
其高速度和高可靠性，使得用户可以更快地下载应用程序、浏览网页和播放高清视频。
2. 数字相机：UFS闪存也被用于数字相机中，提供快速的连拍和高清视频录制功能。
相比于传统的SD卡，UFS闪存可以更好地满足用户对高速数据传输的需求。
3. 汽车电子：随着汽车智能化的发展，UFS闪存在汽车电子领域也有着广泛的应用。
它可以用于存储车载娱乐系统的音乐、视频和地图数据，同时还可以提供快速的系统启动和响应速度。
4. 工业控制：UFS闪存可用于工业控制领域，提供高速的数据存储和传输能力。
它适用于工厂自动化、机器人和物联网等应用场景，能够有效提高设备的响应速度和可靠性。
SanDisk推出全球体积最小的64G SSD固态硬盘
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nand类型分析
SLC、MLC和TLC三者的区别SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAN D Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cel l)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝(To shiba)引发战火，之后三星电子(Samsung Electronics)也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡micro SD或随身碟等。
象是内嵌世纪液体应用、智能型手机(Smartphone)、固态硬碟(SSD)等技术门槛高，对于NAND Flash效能讲求高速且不出错等应用产品，则一定要使用SLC或MLC芯片。
2010年NAND Flash市场的主要成长驱动力是来自于智能型手机和平板计算机，都必须要使用SLC或MLC芯片，因此这两种芯片都处于缺货状态，而TLC芯片却是持续供过于求，且将整个产业的平均价格往下拉，使得市调机构iSuppli在统计2010年第2季全球NAND Flash产值时，出现罕见的市场规模缩小情况发生，从2010年第1季43亿美元下降至41亿美元，减少6.5%。
U盘MP3中使用的SLC、MLC、TLC闪存芯片的区别：SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约ML C 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3 000---10000次擦写寿命TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。
增长迅猛闪迪为中国入门级平板电脑和智能手机市场打造先进存储解决方案
增长迅猛——闪迪为中国入门级平板电脑和智能手机市场打造先进存储解决方案增长迅猛——闪迪为中国入门级平板电脑和智能手机市场打造先进存储解决方案·新型X3（每单元存储三位数据）NAND闪存设备丰富了闪迪的iNAND嵌入式存储产品组合·易于实现的存储解决方案助力制造商向市场快速推出稳定可靠、响应灵敏的平板电脑和智能手机（中国上海，2014年5月27日）–全球领先的闪存存储解决方案供应商闪迪公司（纳斯达克股票代码：SNDK）今日面向中国及其他高速增长市场的入门级平板电脑和智能手机发布一款理想的存储解决方案——iNAND™Standard™嵌入式闪存驱动器(EFD)。
利用最新1Y纳米X3NAND闪存解决方案，原始设备制造商(OEM)可快速推出搭载性能可靠的闪迪存储器的新型入门级数码设备。
闪迪公司移动互联解决方案部高级副总裁兼总经理Drew Henry表示：“中国是当今最活跃的智能手机和平板电脑市场，既需要最先进的高端智能手机，也需要新奇强大但物美价廉的入门级设备。
凭借闪存技术专长，我们针对体量巨大的中国入门级移动设备市场设计出新型iNAND Standard产品。
它是我们与移动系统提供商密切合作的结果，几乎能够即插即用，助力OEM制造商针对中国大众市场快速推出功能强大的入门级智能手机和平板电脑。
”日益增加的数据消费持续推动全世界对更丰富数字体验和更多互连设备的需求，而入门级产品的增长尤为强劲。
2013年，单单中国的在用智能设备（包括平板电脑和智能手机）数量就超过了7亿台2。
从2012年到2013年，闪迪嵌入式闪存在中国的销售额增长了5.7倍。
闪迪在移动生态系统中的牢固关系缩短产品上市时间闪迪与中国乃至全球领先的智能手机与平板电脑制造商、顶尖的处理器制造商和操作系统提供商保持着良好的合作关系，中国福州瑞芯微电子有限公司就是其中之一。
Nand-Flash详述(绝对经典)
NandFlash详述1. 硬件特性：【Flash的硬件实现机制】Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。
这类设备，除了Flash，还有其他比较常见的如硬盘，ROM等，与此相对的，易失性就是断电了，数据就丢失了，比如大家常用的内存，不论是以前的SDRAM，DDR SDRAM，还是现在的DDR2，DDR3等，都是断电后，数据就没了。
Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用用Floating Gate存储数据这一技术了。
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术
nandflash及闪存命名规则大全（三星，海力士，美光等）U盘存储技术nandflash命名规则大全（三星，海力士，美光等）今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.三星的pure nand flash（就是不带其他模块只是nand flash存储芯片）的命名规则如下：1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)1 : SLC 1 Chip XD Card2 : SLC 2 Chip XD Card4 : SLC 4 Chip XD CardA : SLC + Muxed I/ F ChipB : Muxed I/ F ChipD : SLC Dual SME : SLC DUAL (S/ B)F : SLC NormalG : MLC NormalH : MLC QDPJ : Non-Muxed OneNandK : SLC Die StackL : MLC DDPM : MLC DSPN : SLC DSPQ : 4CHIP SMR : SLC 4DIE STACK (S/ B)S : SLC Single SMT : SLC SINGLE (S/ B)U : 2 STACK MSPV : 4 STACK MSPW : SLC 4 Die Stack4~5. Density（注：实际单位应该是bit，而不是Byte）12 : 512M16 : 16M28 : 128M32 : 32M40 : 4M56 : 256M64 : 64M80 : 8M1G : 1G2G : 2G4G : 4G8G : 8GAG : 16GBG : 32GCG : 64GDG : 128G00 : NONE6~7. organization00 : NONE08 : x816 : x168. VccA : 1.65V~3.6VB : 2.7V (2.5V~2.9V)C : 5.0V (4.5V~5.5V)D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)E : 2.3V~3.6VR : 1.8V (1.65V~1.95V)Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)T : 2.4V~3.0VU : 2.7V~3.6VV : 3.3V (3.0V~3.6V)W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V0 : NONE9. Mode0 : Normal1 : Dual nCE & Dual R/ nB4 : Quad nCE & Single R/ nB5 : Quad nCE & Quad R/ nB9 : 1st block OTPA : Mask Option 1L : Low grade10. GenerationM : 1st GenerationA : 2nd GenerationB : 3rd GenerationC : 4th GenerationD : 5th Generation11. "─"12. PackageA : COBB : TBGAC : CHIP BIZD : 63-TBGAE : TSOP1 (Lead-Free, 1217)F : WSOP (Lead-Free)G : FBGAH : TBGA (Lead-Free)I : ULGA (Lead-Free)J : FBGA (Lead-Free)K : TSOP1 (1217)L : LGAM : TLGAN : TLGA2P : TSOP1 (Lead-Free)Q : TSOP2 (Lead-Free)R : TSOP2-RS : SMART MEDIAT : TSOP2U : COB (MMC)V : WSOPW : WAFERY : TSOP113. TempC : CommercialI : IndustrialS : SmartMediaB : SmartMedia BLUE0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exception handling code)3 : Wafer Level 314. Bad BlockA : Apple Bad BlockB : Include Bad BlockD : Daisychain SampleK : Sandisk BinL : 1~5 Bad BlockN : ini. 0 blk, add. 10 blkS : All Good Block0 : NONE (Containing Wafer, CHIP, BIZ, Exceptionhandling code)15. NAND-Reserved0 : Reserved16. Packing Type- Common to all products, except of Mask ROM- Divided into TAPE & REEL(In Mask ROM, divided into TRAY, AMMO Packing Separately)【举例说明】K 9 G A G 0 8 U 0 M - P C B 01 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 5 16 17 18K9GAG08U0M 详细信息如下:1. Memory (K)2. NAND Flash : 93. Small Classification(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,SM : SmartMedia, S/B : Small Block)G : MLC Normal4~5. DensityAG : 16G (Note: 这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB)6. Technology0 : Normal (x8)7. Organization0 : NONE 8 : x88. VccU : 2.7V~3.6V9. Mode0 : Normal10. GenerationM : 1st Generation11. "─"12. PackageP : TSOP1 (Lead-Free)13. TempC : Commercial14. Customer Bad BlockB : Include Bad Block15. Pre-Program Version0 : None整体描述就是：K9GAG08U0M是，三星的MLC Nand Flash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
NAND-flash详解
NAND flash和NOR flash的区别详解[导读]我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的这二种存储.关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。
这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。
Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。
U盘和MP3里用的就是这种存储器。
相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。
许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。
而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。
NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。
用户不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。
NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。
NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。
NAND 介绍
NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。
NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可 以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就 相应地降低了价格。
由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5ms ，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进 行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时）， 更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必 须权衡以下的各项因素。nand flash
物理构成 折叠
NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area) 16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32*528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096*（32*528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。
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韩国ATO产品-nand flash小容量再生知情的朋友都知道，国际大厂商如三星，hynix，美光等厂商的nand flash 小容量的都已经停产了，目前的情况是，需要告知更多的人，韩国ATO的小容量的NAND flash的推出。
韩国ATO solution，中文名称韩商爱拓，合作与三星，佳能，富士康，通用等公司，ATO的产品主要有：MCP (NAND+DDR2/3，NAND+mobile SDRAM) , 目前这种形式（nand+dd2/3)的MCP产品我们是唯一的一家在做，NAND FLASH我们主要针对三星等大厂即将不做的小容量的进行研发生产，同三星等其他品牌的产品可以兼容。
我司是韩国ATO的一级代理商，可以提供规格书，样品等相关资料，当然我们也有自己的工程师做技术支持。
今天主要介绍一下我们的小容量的NAND FLASH吧。
ATO的nand flash 目前主要以256Mb,512Mb,1Gb为主，相较于高容量产品例如32GB & 64GB，我们的低容量NAND flash主要是用来取代Nor-Flash，主要产品应用于相机、对讲机，手机、LED电视，机顶盒等领域，占总NAND Flash市场约10%。
ATO Solution 自有技术开发设计的SLC 256Mb快闪记忆体(NAND Flash)产品，同时在去年国际积体电路研讨会暨展览会(IIC China)中参展，并将于今年的展会再次跟大家见面。
相对NOR Flash,NAND Flash通常只有在具有技术优越性的国际记忆体大厂才有能力生产。
ATO Solution借由独特性设计技术让产品微型化，大幅提高了ATO产品成本上的竞争力，ATO 256Mb ,512Mb ,1Gb 的
NAND Flash SLC以扩大现有低容量产品线阵容。
凭藉着高品质与价格竞争优势，ATO毫无疑问的脱颖而出，ATO的看好市场的空缺，生产的产品不仅可以替代市场上大厂Samsung、Hynix、ST Micron等停产的容量的NAND,同时为工程师们提供了更多的新思路，可以替代之前使用nor flash的产品。
Nand flash的系列产品如下图片，大家可以参考下。
不过目前的主要以TSOP的封装和位宽*8的为主。
希望通过我的简单介绍，能够让朋友们对我们的代理的ATO产品有更加清晰的认识，若是想了解更多，多多关注我们的产品。
也可以关注以下网址，此网站各产品的信息比较全。
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进行交流，谢谢哦。
有了朋友们的支持和我们代理的高品质与价格竞争优势的ATO产品，我们一定会越来越被市场认可的。