CMOS集成电路设计-拉扎维4差分放大器讲述

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模拟cmos集成电路设计拉扎维第4章差分放大器

模拟cmos集成电路设计拉扎维第4章差分放大器

Rin =
RD + rO
RD
+1
1 + ( g m + g mb )rO ( g m + g mb )rO g m + g mb
R = {[1 + (g + g )r ]R + r } || R 路漫漫其修远兮,
吾将上下而求索
out
m
mb o S
o
D
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
11
上一章
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
5
上一章
二极管接法的MOS 管做负载的共源级
线性度好,输出摆幅小,增益不能太大(否 则摆幅小、带宽小)
Av =
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
(W / L)1 1
(W / L)2 1 +
Av =
n (W / L ) 1 p (W / L ) 2
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
6
上一章
电流源做负载的共源级
增益大
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
Av = m ro1 || ro2
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
7
上一章
深线性区MOS管做负载的共源级
输出摆幅大(可以为VDD)
得到精准的Ron2比较困难;受工艺、温度变 化影响比较大,产生稳定、精确的Vb比较 难
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
=
g mR D
路漫漫其修远兮, 吾将上下而求索
1 + g mR S
西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计
9
上一章
共漏级-源跟随器
Rin大,Rout小,输出摆幅 小,增益有百分之几非线性; PMOS管能消除体效应,提高 线性度,但输出阻抗大,带宽 降低;电压缓冲器、电压平移

模拟cmos集成电路设计拉扎维MOS器件物理基础PPT课件

模拟cmos集成电路设计拉扎维MOS器件物理基础PPT课件
定义从D流 向S为正 PMOS管电流驱动能力比NMOS管差 0.8 m nwell:p=250cm2/V-s, n=550cm2/Vs 0.5 m nwell:p=100cm2/V-s, n=350cm2/V-
第23页/共61页
跨导gm
VGS对IDS的控制能力 IDS对VGS变化的灵敏度
gm ID VGS VDS cons tant
• 直流关系式-I/V特性 • 交流关系式-小信号电路中的参数
第6页/共61页
MOS管简化模型
简化模型——开关 由VG控制的一个开关
第7页/共61页
MOS管的结构
Bulk(body)
源漏在物理结构上是完全对称的,靠什么区分开?
提供载流子的端口为源,收集载流子的端口为漏
最重要的工作区域?
受VG控制的沟道区
• 小信号模型 • 信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算 • 由gm、 gmb、rO等构成低频小信号模型,高频时还需加上 CGS等寄生电容、寄生电阻(接触孔电阻、 导电层电阻等)
沟道电荷的产生
当VG大到一定 程度时,表面势 使电子从源流向 沟道区 VTH定义为表面电 子浓度等于衬底 多子浓度时的VG
第12页/共61页
阈值电压
0 栅与衬底功函数差
COX
OX
TOX
常通过沟道注入把VTH0调节到合适值 工艺确定后,VTH0就固定了,设计者无法改变
第13页/共61页
I/V特性-沟道随VDS的变化
第3页/共61页
掌握器件物理知识的必要性
• 数字电路设计师一般不需要进入器件内部,只把它当开关用即可 • AIC设计师必须进入器件内部,具备器件物理知识
• MOS管是AIC的基本元件 • MOS管的电特性与器件内部的物理机制密切相关,设计时需将两者结

模拟cmos集成电路设计拉扎维第1章绪论

模拟cmos集成电路设计拉扎维第1章绪论

总结词
拉扎维模拟方法在CMOS比较器设计中 具有重要作用,可以预测比较器的性能 和行为。
VS
详细描述
CMOS比较器是模拟集成电路中的关键元 件,用于信号的阈值检测和整形。拉扎维 模拟方法可以准确地模拟CMOS比较器的 静态和动态特性,包括响应时间、失调电 压、比较精度等参数,有助于设计者优化 比较器的性能,提高整个电路的稳定性。
应用实例二:模拟CMOS滤波器设计
总结词
利用拉扎维模拟方法,可以高效地设计和优化CMOS滤波器的性能。
详细描述
CMOS滤波器在通信、音频处理等领域有广泛应用。通过拉扎维模拟方法,可以快速设计和优化 CMOS滤波器的性能,包括频率响应、群延迟、线性相位等参数,从而缩短设计周期并提高滤波器的 性能。
应用实例三:模拟CMOS比较器设计
拉扎维模拟方法的优缺点
优点
拉扎维模拟方法基于物理模型,能够精确模拟CMOS集成电路的性能,对于复杂电路和新型器件具有较高的预测 精度。此外,该方法还支持多物理效应和多尺度模拟,能够模拟电路在不同工艺、温度和电压条件下的性能。
缺点
由于拉扎维模拟方法基于物理模型,因此需要较长的计算时间和较大的计算资源,对于大规模电路的模拟可能会 面临性能瓶颈。此外,该方法需要手动设定电路元件的参数,对于不同工艺和不同设计需求需要进行相应的调整 和优化。
04
拉扎维模拟方法的应用实例
应用实例一:模拟CMOS放大器设计
总结词
通过拉扎维模拟方法,可以有效地模拟CMOS放大器的性能,包括增益、带宽、 噪声等参数。
详细描述
CMOS放大器是模拟集成电路中的基本元件,其性能对于整个电路的性能至关 重要。拉扎维模拟方法可以准确地模拟CMOS放大器的直流和交流特性,包括 增益、带宽、噪声等参数,为设计者提供可靠的参考依据。

拉扎维模拟CMOS集成电路设计 前十章全部课件

拉扎维模拟CMOS集成电路设计 前十章全部课件

重邮光电工程学院
同一衬底上的NMOS和PMOS器件
MOS管所有pn结必须反偏: *N-SUB接VDD! *P-SUB接VSS! *阱中MOSFET衬底常接源极S
重邮光电工程学院
MOS器件符号
MOS管等效于一个开关!
重邮光电工程学院
MOS器件的阈值电压VTN(P)
(a)栅压控制的MOSFET (c)反型的开始
nCox
W L
[(VGS
VTH)VDS
)v(x) 1 2
1 VDS2 2
v(x)
]
2
)]vDS 0
重邮光电工程学院
I/V特性的推导(4)
ID
nCox
W L
[(VGS
VTH)VDS
1 VDS2 ] 2
三极管区(线性区)
每条曲线在VDS=VGS-VTH时
取最大值,且大小为:
ID nCox W (VGS VTH )2

t ≈ 50A, C
ox
ox
t ≈ 0.02 m, C
ox ox
6.9 fF/ m 2 1.75fF/ m 2
t ≈ 0.1 m, C 0.35fF/ m 2
ox
ox
重邮光电工程学院
MOS器件电容
模拟集成电路设计绪论 Ch.1# 45
重邮光电工程学院
减小MOS器件电容的版图结构
对于图a:CDB=CSB = WECj + 2(W+E)Cjsw 对于图b: CDB=(W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw CSB=2((W/2)ECj+2((W/2)+E)Cjsw= = WECj +2(W+2E)Cjsw

CMOS 模拟集成电路课件-差分放大器

CMOS 模拟集成电路课件-差分放大器

21
• 6.5.3 采用MOS电流镜负载的差分对
• 大信号分析
– 当vD足够负,M1关断,没有电流流经晶体管M1,因此M3 关断,M4也关断。由于没有电流流经M4,M2和M5都工 作在深线性区,vDS2 ≈ 0,vDS5≈ 0,因此,vOUT ≈ 0;
– 当vIN1变化到与vIN2接近时,M1管导通,使得尾电流源的 电流ID5一部分流经M3,并且使M4开启,vOUT开始上升.
vIN1 (单位V)
vIN,CM=1.5V
vIN,CM=2V
2020/5/6
偏置电流和输出电平受VIN,CM影响!
6
• “差分对”
6.3 基本差分对
ID1+ID2独立于VIN,CM 如果vIN1=vIN2, ID1=ID2=ISS/2, 输出共模电平为VDD-RISS/2
2020/5/6
7
6.3 基本差分对
iD1
ISS 2
4
vD
4ISS
vD2
nCox (W / L)
iD2
ISS 2
4
vD
4ISS
vD2
可以得到最大差分电压范围,
| vD |≤
2ISS
| vD |≤
2
2iD1,2
2VOD1,2
当vIN1=vIN2,
gm
(iD1 iD2 ) vD
vD 0
则差分增益
ISS
2nCox
W L
ISS 2
• 当vD为正时,流经M1管的电流大于流经M2管的电流,vOUT1
将小于vOUT2。对于足够正的vD,所有ISS都流经M1,此时,
2020/5/6
vOUT1 = VDD – RiD1 = VDD – RISS,而vOUT2 = VDD.

模拟CMOS集成电路设计(毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社) 绪论课件

模拟CMOS集成电路设计(毕查德·拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社) 绪论课件

模拟CMOS集成电路设计教材n模拟CMOS集成电路设计,毕查德.拉扎维著,陈贵灿等译,西安交通大学出版社参考资料n半导体集成电路,朱正涌,清华大学出版杜n CMOS模拟电路设计(英文),P.E.Allen,D.R.Holberg,电子工业出版社n模拟集成电路的分析与设计,P.R.Gray等著,高等教育出版社半导体集成电路发展历史n1947年BELL实验室发明了世界上第一个点接触式晶体管(Ge NPN)半导体集成电路发展历史n1948年BELL 实验室的肖克利发明结型晶体管n1956年肖克利、布拉顿和巴丁一起荣获诺贝尔物理学奖n50年代晶体管得到大发展(材料由Ge→Si)半导体集成电路发展历史n1958年TI公司基尔比发明第一块简单IC。

n在Ge晶片上集成了12个器件。

n基尔比也因此与赫伯特·克勒默和俄罗斯的泽罗斯·阿尔费罗夫一起荣获2000年度诺贝尔物理学奖。

半导体集成电路发展历史n19世纪60年代美国仙童公司的诺依斯开发出用于IC的平面工艺技术,从而推动了IC制造业的大发展。

半导体集成电路发展历史n60年代TTL、ECL出现并得到广泛应用n1966年MOS LSI发明(集成度高,功耗低)n70年代MOS LSI得到大发展(出现集成化微处理器,存储器)n80年代VLSI出现,使IC进入了崭新的阶段。

n90年代ASIC、ULSI和巨大规模集成GSI等代表更高技术水平的IC 不断涌现,并成为IC应用的主流产品。

n21世纪SOC、纳米器件与电路等领域的研究已展开n展望可望突破一些先前认为的IC发展极限,对集成电路IC的涵义也将有新的诠释。

集成电路用半导体工艺,或薄膜、厚膜工艺(或这些工艺的组合),把电路的有源器件、无源元件及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体或绝缘材料基片上,最后封装在一个管壳内,构成一个完整的、具有特定功能的电路、组件、子系统或系统。

模拟集成电路n1967年国际电工委员会(IEC)正式提出模拟集成电路的概念,它包括了除逻辑集成电路以外的所有半导体集成电路。

CMOS集成电路设计拉扎维反馈

CMOS集成电路设计拉扎维反馈
——一个单极点系统的 增益与带宽乘积不随反
馈变化。
可见,3dB带宽增加了βA0倍,但是以增益的减小为代价的
扩展带宽的使用实例
反馈提供了一种增加电路带宽的方法,如果同时要求高的 增益,可以采用多个高带宽放大器级连
电路模型:
2 放大器的种类
一个检测电压的电路必须具有高的输入阻抗(像一个电压表),而一个检测电流信号 的电路必须具有低的输入阻抗(像一个电流表)。
检测和输出 电流信号。
放大器的种类
改进性能的四种放大器:
改变了输出阻抗,或者提高了增益
例題 : 计算图中跨导放大器的增益。
答:
在此情況下的增益被定义为 Gm=Iout/Vin,也就是
Gm

VX Vin

Iout VX
gm1(rO1 || RD ) gm2
3 检测和返回机制
信号的检测和返回
VOUT
1
VIN
1
1 gm1ro1

C2 C1

1 g r m1 o1
C1 C2
, for large gm1ro1
反馈电路的特性
1. 增益灵敏度降低:
一个实例(右边共源级电路):
无反馈时: AV g r m1 o1
由于gm1和 rO1 都随工艺和温度而 变,电路的增益不稳定. 带反馈时: 如果 gm1ro1 >>1,
负反馈会使系统趋于稳定
反馈:闭环传输函数
前馈网络
反馈网络
H(s)
开环传输函数,开环增益
Y(s)/ X(s)
闭环传输函数,闭环增益
G(s)
若与频率无关,可用 反馈系数代替
H(s)× G(s)

拉扎维带隙基准模拟cmos集成电路设计

拉扎维带隙基准模拟cmos集成电路设计

华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 17
第18页/共29页
Bandgap Ref Ch. 11 # 18
PTAT电流的产生
第19页/共29页
P TAT 电 流 的 产 生
华大微电子:模拟集成电路原理
第20页/共29页
VREF
VBE3
R2 R1
VT
ln n
Bandgap Ref Ch. 11 # 19
第4页/共29页
与电源无关的偏置
如何产生IREF?
I out
VDD R1 1 g m1
W W
L1 L2
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 4
第5页/共29页
与电源无关的偏置
华大微电子:模拟集成电路原理
2Iout
nCOX W
L
N
VTH 1
2I out nCOX K W
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 10
第11页/共29页
与温度无关的偏置
华大微电子:模拟集成电路原理
Vout
VBE2
VT
ln n1
R2 R3
Bandgap Ref Ch. 11 # 11
第12页/共29页
与温度无关的偏置
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 12
第27页/共29页
实例分析
华大微电子:模拟集成电路原理
Bandgap Ref Ch. 11 # 27
第28页/共29页
感谢您的观看。
华大微电子:模拟集成电路原理
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共漏级-源跟随器
源跟随器输入输出特性呈现显著的非线性。为了缓解这一问题, 可以用一个电流源代替电阻。电流源由工作在饱和区的NMOS管 来实现。电路如下图:
Rout
1 g m g mb
共栅级 • 共栅级
– Rin大,Rout小,增益高
Vout ( g m g mb ) rO 1 RD Vin rO ( g m g mb ) rO RS RS RD
V01- V02
V01
V02
极性相反的两路受干 扰小信号, 差动输出 时干扰消除了!
用差分放大器消除时钟噪声
• 对称差动时钟大信号通过寄生电容耦合 到小信号的噪声因极性相反而相互抵消
差动工作还有什么优点?
差分放大器的优点
电源噪声对单端电路产生的干扰 差动信号的优点: 1. 能有效抑制共模噪声。 VX- Vy
差动放大器 Ch.4 # 33
基本差分对的定量分析(4)
β 4ISS 2 4. 因: ΔID = ΔVin -ΔVin 2 β
静态时△Vin =0, Gm为:
M1、M2的等效跨导Gm为:
ISS G m = βISS = 2β( ) 2
ΔID 2ISS -βΔVin Gm = = ΔVin 4ISS 2 -ΔVin β
– 线性度好,输出摆幅小,增益不能太大(否 则摆幅小、带宽小)
(W / L)1 1 Av ( W / L)2 1
n (W / L)1 Av p (W / L) 2
电流源做负载的共源级 • 电流源做负载的共源级
– 增益大
Av gm ro1 || ro2
带源极负反馈的共源级 • 带源极负反馈的共源级
2
β 4ISS 2 ΔID = ΔVin -ΔVin 2 β
这是个重要公式, 可 由此得出以下结论:
1. 静态时, △Vin=0, ∴ △ID=0, 即ID1= ID2= ISS/2 2. △ID只有在△Vin很小时, 才与△Vin近视成正比 ΔID
ΔV βISS
in
差动放大器 Ch.4 # 31
这是CG放大器
利用小信号等 效电路,可求得:
VRL1
g m1R L1 = Vin 1+ g m1R L1 g m1R L1 = Vin = Vin 1+ g m1R L1
VT = lim VRL1
R L1 →∞
差分对的小信号特性(2)
差分对的小信号特性(3)
gmR D VX = A VX Vin1 = Vin1 2 gmR D VY = A VX VT = Vin1 2 (VX-VY ) |Vin1=∆Vin=-gmRD ∆Vin
2
同单级共源放大器的增益
G m = βISS = 2β( ISS ) 2
漏极电流和Gm随输入电压变化曲线
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
差分对的小信号特性(1)
RD1=RD2=RD gm1=gm2=gm
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,先求VX
1 1 RS = = g m2 g m
β 2ID 2 ID = (VGS - VTN ) VGS = + VTN 2 β
ΔVin = VGS1 - VGS2
ΔVin
2
2ID1 2ID2 = β β
两边平方, 且考 虑到ID1+ ID2= ISS
2ISS 4 β 2 2 = ID1ID2 4ID1ID2 =(ISS - ΔVin ) β β 2
M1和M2线性
Ι ISS SS + Vb VinCM VDD R D + VTN β 2 1(2)
共模输入电压与输出摆幅
M1饱和要求: VX ≥ VinCM - VTN
X Y
上式表明, 输入共模电平越大,Vx 越大, 允许输出的输出摆幅就 越小。幸运的是, 因运放通常需 至少两级放大才能获得实际可 使用的放大倍数, 因此对前级的 摆幅要求大大降低。
gmR D gmR D A VX = =1+ g m R S 2
这是带负反馈电 阻RS的CS放大器
gmR D VX = A 性(2)
差分对的小信号特性(2)
利用叠加定理 ,先考虑Vin1的 作用,再求VY
1 1 RT = = g m1 g m
VT=Vin RL1 求开路电压VT
基本差分对的定量分析(3)
3. 为求得最大差模输入电压,假定△Vinmax时,M1上通过的电 流恰好为ISS,M2刚好截至,即VGS2=VTN,此时有:
2ISS VGS1 = + VTN β
ΔVinmax
2ISS = VGS1 - VGS2 = β
基本差分对的定量分析(3)
3. 为求得最大差模输入电压,假定△Vinmax时,M1上通过的电 流恰好为ISS,M2刚好截至,即VGS2=VTN,此时有:
不足:输出摆幅受 一定影响
Rout [1 ( g m2 g mb 2 )rO 2 ]rO1 rO 2
第四章 差分放大器
4.1 单端与差动的工作方式
差动工作比单端工作有什么优点?
共模电平
• 单端信号的参考电位为一固定电位(常为地电位)
• 差动信号定义为两个结点电位之差, 且这两个结点 的电位相对于某一固定电位大小相等,极性相反。在 差动信号中, 中心固定电位称为“共模”(CM)电平
定义: 差模输入电压vID = v1 - v2 共模输入电压vIC = (v1 +v2 )/2 v1 = vIC + vID/2 v2= vIC - vID/2
用差分放大器消除时钟噪声
差动工作与单端工作相比, 一个 重要优势在于它对环境噪声具有
更强的抗干扰能力!! 单端工作时时钟大 信号通过寄生电容 干扰放大的小信号
RD rO RD 1 Rin 1 ( g m g mb )rO ( g m g mb )rO g m g mb
Rout {[1 (gm gmb )ro ] RS ro }|| RD
共源共栅级
• 共源共栅级
– Rout大,高增益,屏蔽特性好
Av gm1Rout
Vin1和Vin2是差动相位信号
• 当Vin1和Vin2存在很大的 共模干扰
• 各自的直流电平设置的 不好时, 随着共模电平 VinCM变化, M1 和M2的 偏置电流会变化
简单差动电路
共模电平VinCM变化, M1 和 M2的偏置电流会变化, 导致 跨导和输出共模电平变化 跨导变化会改变小信号增益, 输出共模电平偏离会降低最 大允许输出摆幅, 导致输出端 出现严重失真 应使M1 和M2偏置电流受输 入共模电平的影响尽可能小
输入共模电平对输出的影响
如何减小输入共模电平变化的影响呢?
4.2 基本差动对
Vin1-Vin2 足够负, M1截止, M2导通 Vin1-Vin2 相差不大 时 , M1 和 M2均导通 Vin1-Vin2 足够正, M1导通, M2截止
4.2 基本差动对
Vin1=Vin2 时,小信号增益(即斜率)最大
第四章 差分放大器
差动放大器 Ch.4 # 1
说明
– 知识结构基本完整,有一些“设计”经验后,才能够 对这门课有更好的认识 – 通过对运放的学习,运用和理解前面所学的知识
小信号等效电路
• 很多同学不会画 • 有些先修知识要靠大家课下抽时间去补
MOS管的小信号 模型是基础
MOS管的低频小信 号等效电路
基本差分对的共模特性—Vin,CM
当VP≤Vb-VTN时, M3 工作在线性区,等效 于一个小电阻
VinCMmin
为保证M1和M2饱和, VinCMmin=?, VinCMmax =?
基本差分对的共模输入范围
ISS β = 1( 2)(VinCM - VP - VTN )2 2 2 ISS VinCM = + VP + VTN β 1 ( 2)
基本差分对的共模特性—Vin,CM
• Vin,CM=0, M1,M2截止,Id3=0,Vout1= Vout2=Vdd
• Vin,CM↑Vin,CM> Vth时M1,M2饱和导通, M3等效为电阻, • Vin,CM足够大,M3饱和: Vin,CM≥VGS1+(VGS3-VTH3) • Vin,CM继续变大, M1,M2进入线性区 : Vin,CM≥Vout1+VTH=VDD-RDISS/2+VTH
2ISS 2ISS VGS1 = + VTN ΔVinmax = VGS1 - VGS2 = β β
同理,M1恰好截至,M2上通过的电流恰好为ISS时,此时有:
ΔVinmax
2ISS =β
故允许输入的最大差模电压范围△VID为:
2ISS (这就是电路能处理信号的最大差模电压。) ΔVID = β
例: 若两级运放AI=100, AII=400(即AV=92dB), 假定输出 V0=±10V, 则第二级的输入电压范围(也即第一级的输出 电压摆幅)仅需为: ±10V/400= ±25mV。第一级的小信号 输入范围仅为: ±25mV/100 =250μ V。
基本差分对的定量分析(1)
在左图的电阻负载基本差动对中, 记: △Vin=Vin1-Vin2, 且1= 2= =μ nCOX(W/L) ,假定M1和M2均工作在饱和区,ISS为理想 恒流源,则由平方律关系有:
(M3饱和要求) ISS
VinCMmin
ISS ≥ + Vb β 1(2)
(M1饱和要求)
VX = VDD
ISS R D ≥ VinCM - VTN 2
VinCMmax ≤ VDD
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