硅基础知识填空
硅集成电路专业考试基础知识
1.常用的半导体材料为何选择硅（1）硅的丰裕度。
消耗更低的成本；（2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限。
硅1412℃>锗937℃（3）更宽的工作温度。
增加了半导体的应用围和可靠性；（4）氧化硅的自然生成，高质量、稳定的电绝缘材料si,金刚石110面（线）密度最大，111面（线）密度最小2.缺陷：原生缺陷（生长过程）、有害杂质（加工过程）（1）点缺陷：自间隙原子、空位、肖特基缺陷（原原子跑到表面）、弗伦克尔缺陷（原原子进入间隙）、外来原子（替位式、间隙式）（2）线缺陷：位错（刃位错（位错线垂直滑移方向）、螺位错（位错线平行滑移方向）、扩展位错（T增大，位错迁移））（3）面缺陷：层错（分界面上的缺陷，与原子密堆积结构次序错乱有关）（4）体缺陷：杂质沉积析出（5）有害杂质：1）杂质条纹：电活性杂质的条纹状缺陷，造成晶体电阻率的微区不均匀性2）有害杂质(三类)：非金属、金属和重金属非金属：O,C重金属：铁、铜（引入复合中心，减小载流子寿命；易在位错处沉积）金属:Na,K（引入浅能级中心，参与导电；Al引入对N型材料掺杂起补偿作用）3.对衬底材料要求：通过单晶生长过程中的质量控制和后续处理来提高单晶的质量,使之趋于完美。
减少单晶材料缺陷和有害杂质的后续处理方法通常采用吸除技术。
吸除技术主要有物理吸除、溶解度增强吸除和化学吸除。
1）物理：本征，背面损伤，应力，扩散2）溶解度增强：T增加，固溶度增加，杂质运动能力增加，难以沉积3）化学：含氮气体与硅表金属杂质反应，产生挥发性产物缺陷要求，参数均匀性要求，晶片平整度要求4.将籽晶与多晶棒紧粘在一起,利用分段熔融多晶棒,在熔区由籽晶移向多晶另一端的过程中,使多晶转变成单晶体。
1)水平区熔法（布里吉曼法）---GaAs单晶2)悬浮区熔法(FZ)可制备硅、锗、砷化镓等多种半导体单晶材料5.单晶整形：单晶棒存在细径、放肩部分和尾部。
从晶片等径和电阻率均匀性要求出发,必须去掉这些部分,保留等颈部分。
硅胶基础知识
介于两者之间
24KV/mm 较低 硬度低，强度适中，弹性好。
工艺操作 需要加温固化，加温固化一般 放热。需要真空浇注
PU亲水，必须有真空干燥才能得到 比较好的固化物，需要真空浇注，因 此需要真空和干燥设备，操作注意： 气泡
有机硅
固化后多为软性SHORE A
缩合型-50度~200度； 加成型-60度~250度； 耐温胶可达到300~350度； 粘结力差，脱模，修复性好
Part 2.1:缩合型硅胶固化机理
固化原理：湿气固化
CH3 Si O CH3
H
RO SiR3
+
C(CH3)2=N－O
SiR3
H2O Cat
水 副产物 水
CH3 Si O CH3
R-OH
SiR3 +
C(CH3)2=N－O H
水
时间
表干时间及固化深度与空气温度及湿度有关，固化极限深度为10mm
Part 2.2:缩合型硅胶的组成及工艺
催化剂
有机锡
二羧酸二烷基锡，二烷基二芳氧基锡， 二烷基锡双(β-酮酯)，二羧酸亚锡
有机钛
烷基钛酸酯，二烷基锡双(ß-酮酯)配合物， 钛酸二元醇酯β-二酮配合物
胍烃基烷 1,1,3,3-四甲基胍丙基三甲氧基硅烷 氧基硅烷 （脱丙酮型专用催化剂）
稀释剂 MDT型硅油 二甲基硅油 链烷烃混合物 烷基芳香族化合物 α,ω-二甲氧基聚二甲基硅氧烷
组成
催 缩合 交 化 型胶 联 剂 黏剂 剂
工艺
树脂 填料
稀释剂 真空
捏合机 抽真空，150℃ 3h
三辊机
交联剂 助剂 催化剂 行星 搅拌机
抽真空
压出机
Part 2.2.1:羟基硅油
硅材料基础知识
导体：导体是很容易导电的物质，电阻率约为10-6-10-8Ωcm,绝缘体：极不容易或根本不导电的一类物质。
半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，目前已知的半导体材料有几百种，适合工业化的重要半导体材料有：硅、锗、砷化镓、硫化镉，电阻率介于10-5-1010Ω（少量固体物质如砷、锑、铋，不具备半导体基本特性，叫做半金属。
冶金级硅（工业硅）：将自然级自然界的SI02矿石冶炼成元素硅的第一步，冶金级硅分为两类：1、供钢铁工业用的工业硅，硅含量约为75%。
2、供制备半导体硅用，硅含量在99.7%-99.9%，它常用作制备半导体级多晶硅的原料。
多晶硅：1、改良西门子法，2、硅烷法，3、粒状硅法。
改良西门子法：多晶硅生产的西门子工艺，在11000C左右德高纯度硅芯上还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。
过程：1、原料硅破碎；2、筛分（80目）——沸腾氯化制成液态的SIHCL3——粗馏提纯——精馏提纯——氢还原——棒状多晶硅——破碎——洁净分装。
硅烷法：原料破碎——筛分——硅烷生成——沉积多晶硅——棒状多晶——破碎、包装。
单晶硅：硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体，不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导体，纯度要求达到99.9999%甚至达到99.9999999%用于制造半导体器件、太阳能电池等。
区域熔炼法：制备高纯度、高阻单晶的方法。
切克劳斯基法（直拉法）：制作大规模集成电路、普通二极管和太阳能电池单晶的使用方法。
硅棒外径滚磨：将单晶滚磨陈完全等径的单晶锭。
硅切片：硅切片是将单晶硅原锭加工成硅圆片的过程（内圆切片机刀口厚度在300-350um，片厚300-400um。
线切机刀口厚度不大于200u，片最薄可达200-250u.）.硅磨片：一般是双面磨，用金刚砂作原料，去除厚度在50-100u，用磨片的方法去除硅片表面的划痕，污渍和图形，提高硅片表面平整度。
用内圆切片机加工的硅片一般都需要进行研磨。
半导体硅材料基础知识.1
微秒是10-6秒）。
所谓非平衡载流子是指当半导体中载流子的产生与复合处于平衡状态时，由于受某种外界条件的作用，如受到光线照射时而新增加的电子——空穴对，这部分新增加的载流子叫作非平衡载流子。
对于P型硅而言：新增加的电子叫作非平衡少数载流子；而新增加的空穴叫作非平衡多数载流子。
对于N型硅而言：新增加的空穴叫作非平衡少数载流子；而新增加的电子叫作非平衡多数载流子。
当光照停止后，这些非平衡载流子并不是立即全部消失，而是逐渐被复合而消失，它们存在的平均时间就叫作非平衡载流子的寿命。
非平衡载流子的寿命长短反映了半导体材料的内在质量，如晶体结构的完整性、所含杂质以及缺陷的多少，因为硅晶体的缺陷和杂质往往是非平衡载流子的复合中心。
少子寿命是一个重要的参数，用于高能粒子探测器的FZ硅的电阻率高达上万Ωcm，少子寿命上千微秒；用于IC工业的CZ硅的电阻率一般在5—30Ωcm范围内，少子寿命值多要求在100μs以上；用于晶体管的CZ硅的电阻率一般在30—100Ωcm，少子寿命也在100μs以上；而用于太阳能电池CZ硅片的电阻率在0.5—6Ωcm，少子寿命应≥10μs。
5. 氧化量：指硅材料中氧原子的浓度。
太阳能电池要求硅中氧含量＜5×1018原子个数/cm3。
6. 碳含量：指硅材料中碳原子的浓度。
太阳能电池要求硅中碳含量＜5×1017原子个数/cm3。
7、晶体缺陷另外：对于IC用硅片而言还要求检测：微缺陷种类及其均匀性；电阻率均匀性；氧、碳含量的均匀性；硅片的总厚度变化TTV；硅片的局部平整度LTV等等参数。
一、我公司在采购中常见的几种硅材料1.Cell：称为电池片，常常是电池片厂家外销的产品，它实际是一个单元电池。
2.Wafer：这通常指的是硅片，可能是圆片，也可能是方片。
圆片包括：硅切片，硅磨片、硅抛光片、图形片、污渍片、缺损片。
3.Ingot：常常指的是单晶硅锭，且是圆柱形的硅锭，也有用指多晶硅铸锭的。
硅材料基础知识
基础课件－硅材料基础知识硅材料基础知识主要内容：一、概述二、硅的结构、分类与来源三、硅的物理性质四、硅的化学性质五、硅的物理参数及测量六、硅的应用及注意事项一、概述硅材料的基础知识，课程包括较多，有固体物理、量子力学、半导体物理、半导体化学、半导体器件工艺、半导体材料等方面的知识；内容较多，如半导体电子状态和能级、载流子的发布、导电性、非平衡载流子、P－N结、金属与半导体的接触、表面理论、光电效应、磁电效压阻效应、异质结等。
这里只介绍半导体材料的最基本的内容。
1、材料按导电性能划分，可分为：导体、绝缘体、半导体三类。
导体——容易导电的材料。
如各种金属、石墨等。
一般的，电阻率<0.2Ω·cm 绝缘体——很难导电的材料。
如橡胶、玻璃、背板、EVA、SiO2、Si3N4等。
一般的，电阻率>20000Ω·cm半导体——介于两者之间的材料。
如Si、Ge、GaAs、ZnO等，它具有一些独特的性质。
注：a、金属靠电子导电，溶液靠离子导电，半导体导电靠电子或空穴导电。
b、空穴就是电子的缺少。
2、半导体材料，按组成结构可分为：元素半导体、化合物半导体、非晶半导体、有机半导体。
3、半导体器件对材料的要求：3.1禁带宽度适中（一般0.5～1.5电子伏，硅是1.08）3.2载流子迁移率高（一般1000～5000cm2/V·s）3.3纯度高3.4电阻率要求可靠、均匀（一般0.001～100000 ，硅本征2.3×105）3.5晶体的完整性二、硅的结构、分类与来源1、硅的原子理论1.1元素周期表中，第三周期、第IVA 族元素，原子序数14，原子量28电子排布1S 22S 22P 63S 23P 2 ,化合价为＋4价（＋2价）1.2硅有三种同位素28Si ：92.21％、29Si ：4.70％、30Si ：3.09％、1.3晶体结构：金刚石结构（正四面体），原子间以共价键结合。
多晶硅的基础知识
多晶硅的基础知识重要的半导体材料，化学元素符号Si，[wiki]电子[/wiki]工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和[wiki]机械[/wiki]等性能。
硅是产量最大、应用最广的半导体材料，它的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
在研究和生产中，硅材料与硅器件相互促进。
在第二次世界大战中，开始用硅制作雷达的高频晶体检波器。
所用的硅纯度很低又非单晶体。
1950年制出第一只硅晶体管，提高了人们制备优质硅单晶的兴趣。
1952年用直拉法(CZ)培育硅单晶成功。
1953年又研究出无坩埚区域熔化法(FZ)，既可进行物理提纯又能拉制单晶。
1955年开始采用锌还原四氯化硅法生产纯硅，但不能满足制造晶体管的要求。
1956年研究成功[wiki]氢[/wiki]还原三氯氢硅法。
对硅中微量杂质又经过一段时间的探索后，氢还原三氯氢硅法成为一种主要的方法。
到1960年，用这种方法进行工业生产已具规模。
硅整流器与硅闸流管的问世促使硅材料的生产一跃而居半导体材料的首位。
60年代硅外延生长单晶技术和硅平面工艺的出现，不但使硅晶体管制造技术趋于成熟，而且促使集成电路迅速发展。
80年代初全世界多晶硅产量已达2500吨。
硅还是有前途的太阳电池材料之一。
用多晶硅制造太阳电池的技术已经成熟；无定形非晶硅膜的研究进展迅速；非晶硅太阳电池开始进入市场。
化学成分硅是元素半导体。
电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。
拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质，以获得所要求的导电类型和电阻率。
重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质，它们的存在会使PN结性能变坏。
硅中碳含量较高，低于1ppm者可认为是低碳单晶。
碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。
硅中氧含量甚高。
氧的存在有益也有害。
直拉硅单晶氧含量在5～40ppm范围内；区熔硅单晶氧含量可低于1ppm硅的性质硅具有优良的半导体电学性质。
禁带宽度适中，为1.21电子伏。
有机硅产品基础知识
02 章节 PART 有机硅的应用 Application of silicone
硅油产品的应用
硅油的定义和特性
硅油是一种不同聚合度链状结构的聚有机硅氧烷。 硅油一般是无色（或淡黄色），无味、无毒、不易挥发 的液体。具有卓越的耐热性、电绝缘性、耐候性、疏水 性、生理惰性和较小的表面张力，此外还具有低的粘温 系数、较高的抗压缩性，有的品种还具有耐辐射性能。
硅油乳液按照硅氧烷种类分类
非活性硅氧烷类
如：聚二甲基硅 氧烷等
活性硅氧烷类
如：聚甲基氢硅 氧烷乳液，羟基
硅油等
改性硅氧烷类
如：环氧改性硅 油、羟基改性硅 油、聚醚改性硅 油氨基改性硅油
纺织
造纸 皮革
化妆 品
作为纤维油剂、消泡剂、染色牢度增进剂、织物功能整理及风格改 进剂、熔融放置剂及缝纫平滑剂。
可作为防粘纸的防黏剂、纸张的防水剂等。在皮革中可作为润滑剂、 防水剂、抛光剂等。常用的是二甲基硅油乳液和氨基改性有机硅乳 液。
黏接剂：硅树脂型粘结剂有纯硅树脂和改性硅 树脂两种，主要起补强耐热作用。
塑料：主要用在耐热、绝缘、阻燃、抗电弧等 有机硅塑料、半导体组件外壳封包塑料等。
不粘涂料：表面能低，防污好，低毒或无毒硬 度高，耐磨好，光伏应用于纺织、印染、造纸 塑料加工等领域的辊筒、模具、管道、食品机 械内壁的防黏涂层，保险刀的防锈增滑涂层等。
国内品牌 之江 新安 星火 中原 硅宝 回天 白云 天山
在国内建筑领域，密封胶 是以国内品牌为主， 在工业领域，国内品牌开 始进入基础工业。
03 章节 PART 有机硅下游发展
有机硅下游-建筑密封胶
优 势
对目标 客户群
熟悉
竞争
人教必修一化学----硅及其化合物基础知识
1硅及其化合物主干知识梳理 一、 硅1、 物理性质: 晶体硅是灰黑色、有金属光泽、硬而脆的固体。
熔沸点很高，硬度也很大。
是良好的半导体材料。
2、 化学性质: 与氟气反应: Si+2F 2=SiF 4与氢氟酸反应: Si+4HF=SiF 4↑+2H 2O与强碱溶液反应: Si+2NaOH+H 2O=Na 2SiO 3+2H 2↑与氯气反应加热_: Si+2Cl 2△SiCl 4 与氧气反应加热: Si+O 2△SiO 2 2 、 制 法：高温 SiO 2+2C===Si+2CO ↑ (含杂质的粗硅）高温 Si+2Cl 2==SiCl 4高温 SiCl 4 +2H 2==Si+4HCl ↑ 这样就可得到纯度较高的多晶硅。
二、二氧化硅 1物理性质：熔点高，硬度大，不溶于水。
纯净的SiO 2晶体无色透明的固体。
2化学性质：①酸性氧化物a 、在常温下与强碱反应，生成盐和水。
例如：SiO 2+2NaOH=Na 2SiO 3+H 2Ob 、在高温下与碱性氧化物反应生成盐。
例如：SiO 2+CaO 高温CaSiO 3 ②弱氧化性：高温下被焦炭还原SiO 2+2C △Si+2CO ↑SiO 2+3C △SiC+2CO ↑（焦炭过量）③特殊反应：a 、与HF 反应 ：4HF+ SiO 2= SiF 4↑+2H 2O 氢氟酸是唯一可以与的SiO 2反应的酸。
b 、与Na 2CO 3 和CaCO 3反应：Na 2CO 3+SiO 高温Na 2SiO 3+CO 2↑CaCO 3+SiO 高温CaSiO 3+CO 2↑与CO 的比较2SiO 2是由Si 原子和O 原子以原子个数比为2∶1组成的空间立体网状晶体。
SiO 2晶体与金刚石结构相似，具有高硬度、高熔沸点特征。
（说明：SiO 2晶体结构：不存在单个的SiO 2分子，是由Si 原子和O 原子以2：1组成的空间立体网状晶体。
每个Si 原子与4个O 原子相连，每个O 原子与两个Si 原子相连。
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第四讲无机非金属材料的主角——硅※知识要点一．硅硅在地壳中的含量仅次于，为26.3%。
硅在自然界中以存在，主要为和。
单质硅有和两种。
晶体硅的结构类似金刚石，是带有的色固体。
熔点，硬度。
在常温下化学性质。
晶体硅的导电性介于和之间，是良好的。
硅成为的关键材料，硅也是人类将转化为的常用材料。
硅的化学性质：常温下：单质硅的性质很稳定，只与F2 ,强碱及氢氟酸反应，反应的方程式分别为加热的条件下：单质硅可以与一些非金属反应，如氧气、氢气、氯气等，反应的方程式分别为二．二氧化硅1．二氧化硅（SiO2）：SiO2的熔点，硬度，溶于水。
其的存在形态有和两大类，统称为。
石英晶体是结晶的二氧化硅，石英中无色透明的晶体是，具有彩色带环状或层状的称为。
SiO2的空间构型是。
2．二氧化硅的化学性质很1）氢氟酸是唯一能与SiO2反应的酸：方程式为∴氢氟酸会腐蚀玻璃，可以用来刻蚀玻璃。
思考：能否用玻璃瓶盛装氢氟酸？如不能，应用什么盛装？2）SiO2是一种氧化物，但溶于水，也不能与水反应生成H2SiO3 。
SiO2与碱性氧化物反应生成盐：SiO2+ CaO ——SiO2能和强碱反应：。
∴强碱会腐蚀玻璃，装强碱溶液的试剂瓶应该用塞。
3、工业上利用SiO2可制高纯硅，反应原理用方程式表示是：SiO2 + C ——3．二氧化硅的用途：三．硅酸硅酸是一种溶于水的酸（酸性比碳酸还），不能使指示剂变色。
1、硅酸与碱反应：2、硅酸制备：由于SiO2，故不能和水反应制取硅酸。
硅酸的制备一般可以通过和某些酸反应，例如Na2SiO3 + HCl ——Na2SiO3 + CO2+ H2O ——3、硅酸不稳定：硅胶多孔，吸附水分能力，常用作四．硅酸盐（一般溶于水，化学性质）硅酸钠（Na2SiO3）的水溶液俗称为，可用作、、及等。
硅酸盐的组成大多比较复杂，表示它们的时候可以将其改写成SiO2和相应金属氧化物的形式。
如：Na2SiO3改写成高岭石Ai2(Si2O5)(OH)4改写成五．硅酸盐工业1．玻璃以、、为原料，在下发生复杂的化学、物理变化。
生产过程中涉及的主要反应有，。
所得产品的主要成分是、、。
玻璃是（纯净物或混合物），它固定的熔点，只在一定的温度范围内软化。
2．陶瓷：主要原料。
3．水泥主要原料。
主要成分。
4，金刚砂化学式是。
无机非金属材料的主角—硅可能用到的原子量：H 1 C 12 N 14 O 16 Na 23 Mg 24 Al 27 Si 28 S 32 Cl 35.5 Ca 40 Ag 108第一部分选择题一、选择题(每小题只有一个选项符合题意)1．下列元素在地壳中质量百分比含量由多到少的顺序是A．O、Si、Al、Fe、Ca B．O、Si、Fe、Al、MgC．Si、O、C、Fe、Al D．O、Si、C、Fe、Al2．可以用作半导体材料（如大规模集成电路）的是A．二氧化硅B．粗硅C．高纯硅D．硅酸盐3．二氧化硅属于酸性氧化物，理由是A．Si是非金属元素B．SiO2对应的水化物是可溶性弱酸C．SiO2与强碱反应生成盐和水D．SiO2不能与酸反应4．下列物质中主要成分不是二氧化硅的是A．硅胶B．水晶C．玛瑙D．硅石5．能证明硅酸的酸性弱于碳酸酸性的实验事实是A．CO2溶于水形成碳酸，SiO2难溶于水B．CO2通人可溶性硅酸盐中析出硅酸沉淀C．高温下SiO2与碳酸盐反应生成CO2D．氯化氢通人可溶性碳酸盐溶液中放出气体，通人可溶性硅酸盐溶液中生成沉淀6．NaOH、KOH等强碱性溶液可以贮存在下列哪种试剂瓶中A．具有玻璃塞的细口瓶B．具有玻璃塞的广口瓶C．带滴管的滴瓶D．具有橡胶塞的细口瓶7．下列不属于传统硅酸盐产品的是A．玻璃B．水泥C．光导纤维D陶瓷．8．在无色的强酸性溶液中，能大量共存的是A．Na+、Al3+、NO3—、Cl—B．K+、Na+、Cl—、SiO32—C．Fe2+、K+、SO42—、Cl—D．Na+、HCO3—、K+、NO3—9．下列物质的变化，不能通过一步化学反应完成的是A．CO2→H2CO3B．SiO2→Na2SiO3C．Na2O2→NA2CO3 D．SiO2→H2SiO310．下列不是水玻璃用途的是A．肥皂填料B．木材防火剂C．建筑装饰材料D．纸板黏胶剂11．实验室除去食盐中石英的操作步骤是A．溶解、过滤、蒸发、结晶B．萃取、蒸发C．溶解、蒸发D．溶解、蒸馏12．在SiO2 +3C 高温SiC + 2CO↑反应中，氧化剂和还原剂的质量比为A．36︰30 B．60︰36 C．2︰1 D．1︰213．下列物质中主要成分不是二氧化硅的是（）A．硅胶B．水晶C．玛瑙D．硅石14．NaOH、KOH等碱性溶液可以贮存在下列哪种试剂瓶中（）A．具有玻璃塞的细口瓶B．具有玻璃塞的广口瓶C．带滴管的滴瓶D．具有橡胶塞的细口瓶15．可以用来制取半导体材料（如大规模集成电路）的是（）A．二氧化硅B．粗硅C．高纯硅D．硅酸盐16．下列不是水玻璃用途的是（）A．肥皂填料B．木材防火剂C．纸板黏胶剂D．建筑装饰材料17．下列不属于传统硅酸盐产品的是（）A．玻璃B．水泥C．光导纤维D．陶瓷18、下列表述正确的是①人造刚玉熔点很高，可用作高级耐火材料，主要成分是二氧化硅[来源:]②化学家采用玛瑙研钵摩擦固体反应物进行无溶剂合成，玛瑙的主要成分是硅酸盐③提前建成的三峡大坝使用了大量水泥，水泥是硅酸盐材料[来源:学科网]④夏天到了，游客佩戴由添加氧化亚铜的二氧化硅玻璃制作的变色眼镜来保护眼睛⑤太阳能电池可采用硅材料制作，其应用有利于环保、节能A．①②③B．②④C．③④⑤D．③⑤19、下表中，对陈述I、Ⅱ的正确性及两者间是否具有因果关系的判断都正确的是20、钢筋混凝土强度大，常常用来建造高楼大厦、桥梁涵洞、高速公路等，在现代社会中发挥着举足轻重的作用，下面是钢筋混凝土的主要成分的是（）A．水泥、沙子和钢筋B．水泥、沙子、碎石和钢筋C．水泥、碎石和钢筋D．水泥、沙子和碎石二、选择题（每小题有一个或两个选项符合题意）21、构成地壳基本骨架的非金属元素的是（）A．Al B．O C．Si D．C22．能证明硅酸的酸性弱于碳酸酸性的实验事实是A．CO2溶于水形成碳酸，SiO2难溶于水B．CO2通入可溶性硅酸盐中析出硅酸沉淀C．高温下SiO2与碳酸盐反应生成CO2[来源:学科网]D．氯化氢通入可溶性碳酸盐溶液中放出气体，通入可溶性硅酸盐溶液中生成沉淀23．下列物质中，能够与NaOH溶液反应的是（）A．碳酸钠B．硅酸钠C．二氧化硅D．氢氧化铝24．下列物质的变化，不能通过一步化学反应完成的是（）A．CO2→H2CO3B．SiO2→Na2SiO3C．Na2O2→Na2CO3D．SiO2→H2SiO325．某无色溶液中加入过量盐酸有沉淀产生，过滤后向滤液中加入过量氨水又有沉淀产生，下列溶液中符合此条件的是（）A．Ag+、Al3+、K+ B．SiO32-、AlO2-、K+C．Ag+、Cu2+、Na+ D．Ag+、Ba2+、Na+26．下列离子方程式，正确的是（）A．澄清石灰水中通入过量二氧化碳：Ca2+ +2OH- +CO2 ===CaCO3↓+H2OB．碳酸钠溶液中加入二氧化硅：CO32- +SiO2==SiO32-+CO2↑C．二氧化硅与烧碱溶液反应：SiO2 +2O H- === SiO32-+H2O↑D．硅酸与烧碱溶液中和：H2SiO3+2OH- === SiO32-+2H2O[来源:Z_xx_]27．现代建筑的门窗框架常用电解加工成的古铜色硬铝制造。
取硬铝样品进行如下实验（每一步试剂均过量），由此可以推知硬铝的组成为（）A．Al、Cu、Mg、Si、Mn B．Al、Mg、Si、Zn [来源:]C．Al、Fe、C、Cu D．Al、Si、Zn、Na28．在SiO2+3C SiC+2CO↑反应中，氧化剂和还原剂的质量比为（）A．36∶30 B．60∶36 C．2∶1 D．1∶2第二部分非选择题29、（本题12分）晶体硅是一种重要的非金属材料。
制备纯硅的主要步骤如下：①高温下用碳还原二氧化硅制得粗硅300℃②粗硅与干燥ＨＣｌ气体反应制得ＳｉＨＣｌ3：Ｓｉ＋3ＨＣｌＳｉＨＣｌ3＋Ｈ2③ＳｉＨＣｌ3与过量Ｈ2在1000～1100℃反应制得纯硅已知ＳｉＨＣｌ3能与Ｈ2Ｏ强烈反应，在空气中易自燃。
请回答下列问题：（1）第①步制备粗硅的化学反应方程式为。
（2）粗硅与ＨＣｌ反应完全后，经冷凝得到的ＳｉＨＣｌ3（沸点33.0℃）中含有少量ＳｉＣｌ4（沸点57.6℃）和ＨＣｌ（沸点－84.7℃），提纯ＳｉＨＣｌ3采用的方法为：。
（3）用ＳｉＨＣｌ3与过量Ｈ2反应制备纯硅的装置如下（热源及夹持装置略去）：①装置Ｂ中的试剂是，装置Ｃ中的烧瓶需要加热，其目的是：。
②反应一段时间后，装置Ｄ中观察到的现象是，装置Ｄ不能采用普通玻璃管的原因是，装置Ｄ中发生反应的化学方程式为。
③为保证制备纯硅实验的成功，操作的关键是检查实验装置的气密性，控制好反应温度以及。
④为鉴定产品硅中是否含微量铁单质，将试样用稀盐酸溶解，取上层清液后需再加入的试剂（填写字母代号）是ａ碘水ｂ氯水ｃＮａＯＨ溶液ｄＫＳＣＮ溶液ｅＮａ2ＳＯ3溶液。