《模拟电子技术基础》平时作业-华南理工大学网络教育
华工网络教育_模拟电子随堂练习(附答案)
第1章常用半导体器件A. C.A. C.A. C.答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A. C.A. C.C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：3.晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。
A. B.C.答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：5.某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( )。
A.截止状态B.放大状态C.饱和状态答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。
《 模拟电子技术 》试卷A-附答案(华南理工大学)
诚信应考,考试作弊将带来严重后果！华南理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A (2011.07.04)1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 闭卷考试；所有题均直接答在试卷纸上；选择题(在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。
每小题2分，共20分) ．二极管D 的正偏电压D 0.62V U =，电流D 1mA I =，其交流电阻d r = ( )。
A ．620ΩB ．13ΩC ．26ΩD ．310Ω．集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( )。
A ．抑制温漂B ．增大放大倍数C ．展宽频带D ．降低输出电阻 ．已知图1所示电路中 V CC ＝12V ，R c ＝3kΩ，静态管压降 CEQ ＝6 V ；输出端负载电阻 R L =3 kΩ，若发现电路输出电( )。
A ．R W 减小 B ．R c 减小C ．V CC 减小D ．R b 减小．用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻 R e ，将使电路的( )。
A ．差模放大倍数增大B ．对共模信号抑制能力增强C ．差模输入电阻增大D ．输出电阻降低．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( )，而低频信号作用时放( ) 。
A ．耦合电容和旁路电容的存在B ．半导体管极间电容和分布电容的存在。
C ．半导体管的非线性特性D ．放大电路的静态工作点不合适图16．欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ( )。
A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈7．欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用( )；将方波电压转换成三角波电压，应选用( )。
A ．积分运算电路B ．微分运算电路C ．反相比例运算电路D ．乘方运算电路8．如图2所示框图，要使由基本放大电路及正反馈网络构成的电路能产生正弦波振荡，其起振条件是( )。
(n 为整数)A. πA F n ϕϕ+=，1=F AB. 2πA F n ϕϕ+=，1>F AC. 2πA F n ϕϕ+=，1=F AD. πA F n ϕϕ+=，1>F A9．若图3所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U CES │， 则最大输出功率 P om ＝( )。
华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案
《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础习题答案
ID
10 - 0.7
10 103
0.93 （mA）
（2）小信号工作情况分析。二极管采用交流小信号模型，等效电路如解图 1.3.6（b）
所示。此电路中只有交流分量，称为交流通路，它反映电路的动态工作情况。
当ui 17V时，D1截止，D2导通，uO 17V 17V ui 18V时，D1导通，D2导通，uO ui ui 18V时，D1导通，D2截止，uO 18V
图略
1.4.1 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V。试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。
中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压 Uo。
1
图 P1.3.1
解：二极管 D1 截止，D2 导通，UO=-2.3V 1.3.2 电路如图 P1.3.2 所示，已知 ui＝10sinω t(v)，试画出 ui 与 uO 的波形。设二极管正向导
通电压可忽略不计。
图 P1.3.2
解：当 ui>0V 时，D 导通，uo =ui；当 ui≤0V 时，D 截止，uo=0V。ui 和 uo 的波形如解图 1.3.2 所示。
模拟电子技术基础习题答案
电子技术课程组 2016.9.15
目录
第 1 章习题及答案 ................................................................................................................... 1 第 2 章习题及答案 ................................................................................................................. 14 第 3 章习题及答案 ................................................................................................................. 36 第 4 章习题及答案 ................................................................................................................. 45 第 5 章习题及答案 ................................................................................................................. 55 第 6 章习题及答案 ................................................................................................................. 70 第 7 章习题及答案 ................................................................................................................. 86 第 8 章习题及答案 ............................................................................................................... 104 第 9 章习题及答案 ............................................................................................................... 117 第 10 章习题及答案 ............................................................................................................. 133 模拟电子技术试卷 1 ............................................................................................................ 146 模拟电子技术试卷 2 ............................................................................................................ 152 模拟电子技术试卷 3 ............................................................................................................ 158
2020年华南理工模拟电子技术基础随堂练习
参考答案：A. B. C. D. 参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D.参考答案：9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。
A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通，D2截止D. D1截止，D2导通答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。
A. 正向导通B.反向截止C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：A. 电流正常B.电流过大使管子烧坏C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：12.(单选题)12. 电路如图1-4所示，二极管是硅管，死区电压是0.7V，电路中的U0值是（）。
A. 20.7VB.19.3VC. 10VD. -10.7V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：13.(单选题)13.电路如图1-5所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S断开时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 6.7VC. 6VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）14.(单选题)14.电路如图1-6所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S闭合时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 12VC. 6.7VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：15.(单选题)15.电路如图1-7所示，设二极管均为理想元件，当输入电压时，输出电压最大值是( )。
A. 15VB.10VC. 5VD. -5V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：16.(单选题)答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：参考答案：A. B. C. D.参考答案：答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：20.(单选题)20.电路如图1-10所示，其中限流电阻R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。
华工网络教育模拟电子随堂练习和答案
第1章常用半导体器件A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：Cui=10sin tVA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：D稳定电压与相应电流稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：C是指A. B. D. 参考答案：BA. B.C.A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：B约A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：C.A. B. D. 参考答案：AA.6VB.0VC.0.6VD.5.3VA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A确定电压放大倍数A. B. D.参考答案：C管子的值太小电路电源电压太高偏置电阻太小偏置电阻太大A. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B第二级的基极电流随之而改变(..)第二级的静态电流不改变但要改变A. B. C. D.参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D.参考答案：DA. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：D.时的输出电压A. B. D.参考答案：DA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CB.A. B. D.参考答案：C若将源极旁路电容去掉A. B. C. D.参考答案：B约几十微法大于 C.小得多A. B. D.参考答案：C等于A. C.A. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D.参考答案：C.A. B. C.A. B. D.参考答案：D一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为.A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C反馈电压反馈电压反馈电压A. B. D.参考答案：C一个正弦波振荡器的反馈系数.开环电压放大倍数必须等于A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C答题： A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：AA. B. C. D.参考答案：B..消耗的功率为A. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D.参考答案：A.弦信号A. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A≤0.2sin出A.12sin V C.A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：B静态时电容两端的电压等于A. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B设变压器副边电压有效值为.输出电流平均值为。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
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2020年下半年度模拟电子技术基础作业
1．集成运算放大器的基本组成有哪几个部分？并详细介绍各部功能及主要作用。
答：由输入级、中间级、输出级三部分组成。
作用如下： 输入级：采用差分放大电路以消除零点漂移和抑制干扰。
中间级：一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益。
输出级：一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。
2.测得放大电路中两个三极管中的两个电极的电流如图1
试求：
①另外一个电极电流的大小，并确定各电极的管脚。
②判断是NPN 型管还是PNP 型管。
③估算β值。
解：根据三极管电流关系I E = I C +I B ，I E >I C >>I B I E ≈I C ；确定①脚是基极；②脚是发射极， ③脚是集电极
I E
= I C +I B
=1.86+0.03=1.89mA 发射极电流方向是流出。
根据管脚电流与方向确定NPN 型管
Β= I C / I B =1.86/0.03=61
图1 三极管管脚示意图
3电路如图2所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件， (1)将其正确连接成
RC 桥式振荡电路。
（2）已知电路参数R=7.5K Ω，C 1=C 2=0.02μF,R 2=50 K Ω,估算振荡频率。
（3）已知电路参数R 2=50 K Ω,为保证电路起振，电阻R 1如何选取？
解：5与7相连，3与1相连，4与2 相连，可组成RC 桥式振荡电路。
如图所示：
（2）f o =2πRC =2×3.14×7.5×103×0.02×10−6=1
0.942×10−3≈1.06KHz
（3）根据RC 桥式振荡电路的起振条件
R 2>2R 1 50>2R 1 25KΩ>R 1
图2 振荡器电路图。