MOSFET选型注意事项及应用实例
MOS管选型
13 降压应用MOSFET的总功耗；
14 热阻。这计算显示，对于升压MOSFET,为了满足最高壳温要求，需要如此大的热沉，各种条件列表给出；
15 升压应用的MOSFET的热沉（散热片）推荐。这一栏给出了与热阻匹配的典型的散热片。注意：这一栏没有经过计算，并且必须使用中被验证；
16 降压应用的MOSFET的热阻；
1 升压应用的MOSFET导通电阻值RDSON，来源于MOSFET数据手册；
2 FET的上升时间，来源于MOSFET数据手册；
3 FET的下降时间，来源于MOSFET数据手册。设计者应该注意到，这个数据表为产品规范书中的上升和下降时间，实际观测到的可能会大两倍，所以，开关时间的损耗可能会大大地小于计算出来的。
其中：。
3． MOSFET在截止状态下的功耗：
PTRON= （ILoad × VDS × Tf ×Fs）/ 2
其中：Tf 是MOSFET的下降时间。
在连续模式开关调节器中，占空比等于 Vout/Vin。
VDS是漏源之间的最大电压，对于非同步转换器，VDS=VIN+VOUT 。对于一个同步转换器，升压MOSFET的VDS=VIN ，降压MOSFET则是VDS=VF 。。其中VF是肖特基势垒的正向压降。
我们现在可以计算MOSFET的温度。器件的结温可表示为TA+（PD × θCA）或
TA+（PD × θSA）。其中，TA 为环境温度，PD是上述1、2、3项的功耗之和，θCA是由管壳到环境的导热系数，QSA则是从热沉到环境的导热系数。这些公式，都是假设从结到管壳的导热系数（~1℃/W）与其他热阻相比是负的。
1 RDSON的值。最低的导通电阻，可以减小损耗，并让系统较好的工作。但是，较低电阻的MOSFET其成本将高于较高电阻器件。
10步法则教你MOSFET选型
10步法则教你MOSFET选型俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。
功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P 型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。
1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。
如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。
需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。
（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。
（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。
2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。
mosfet驱动变压器 选型原则
mosfet驱动变压器选型原则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：我们需要了解MOSFET驱动变压器的基本特性。
MOSFET驱动变压器是一种能够将输入信号转换成高电压输出信号的器件，通常用于驱动功率MOSFET开关。
在选型时，需要考虑的主要特性包括输入电压范围、输出电压范围、输出功率、响应速度、过载能力等。
我们需要考虑MOSFET驱动变压器的工作环境和应用场景。
不同的工作环境和应用场景对MOSFET驱动变压器的要求也不同。
在高温环境下工作的MOSFET驱动变压器需要具有较高的工作温度范围和稳定性；在大功率应用场景下，需要选择功率较大的MOSFET驱动变压器。
我们还需要考虑MOSFET驱动变压器的安全性和可靠性。
选用的MOSFET驱动变压器需要具有较好的过载保护功能，以防止电路受到过大的电流或电压冲击而损坏。
MOSFET驱动变压器的可靠性也是一个非常重要的选型考量因素，只有具有较高可靠性的器件才能够保证电路的稳定运行。
我们还需要考虑MOSFET驱动变压器的封装类型和引脚排列。
不同的封装类型和引脚排列对于电路的设计和布局也有一定的影响，因此在选型时需要根据实际需求选择合适的封装类型和引脚排列。
第二篇示例：MOSFET驱动变压器是一种常用的电路组件，用于实现电力转换和控制功能。
在选择适合的MOSFET驱动器时，需要考虑一系列参数和原则，以确保电路的性能和稳定性。
本文将介绍关于MOSFET驱动变压器选型的原则与注意事项。
选型时需要考虑MOSFET驱动变压器的输入电压范围。
不同应用场景下，输入电压的波动范围会有所不同，因此选择输入电压范围适当的MOSFET驱动器至关重要。
在选型时，需要确保MOSFET驱动器的输入电压范围能够覆盖实际应用中的工作电压范围，以避免出现电路无法正常工作的情况。
输出负载能力也是选择MOSFET驱动变压器的关键因素之一。
根据实际需求和应用场景，需要选择具有足够输出电流和功率的MOSFET驱动器，以确保可以驱动所需的负载，并且在工作过程中能够保持稳定性和可靠性。
mosfet管的选型
mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。
本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。
我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。
MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。
通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。
MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。
在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。
选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。
第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。
这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。
根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。
除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。
其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。
阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。
我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。
导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。
较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。
除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。
这些因素根据实际应用需求和预算来决定。
为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。
这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。
我的MOSFET选型手册
一MOS选型
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
如下图是NMOS开关电路。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
PMOS常用型号：IRFR9024N，NTD25P03L；
二需要注意的参数：
1，开启电压Vth：GS之间的电压只有达到Vth时MOS管才会导通。
2，源极和漏极电流ID：其范围应满足后级电路的需求，不能太小。
3，饱和漏电流IDss：当Vgs=0V时ID的值，越小越好，太大电池耗电。
4，导通电阻Rds：导通后DS间的电阻，越小越好。
5，DS间最大耐压VDSS/Vbr：被控制的电压值不能大于VDSS，否则管子会烧毁。
上表是NTD25P03L在不同条件下导通电阻的值，电压和电流值越大Rds越小。
双路mosfet模块
双路MOSFET模块背景介绍在电子设备中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）广泛应用于功率开关、电压放大和电源驱动等电路中。
双路MOSFET模块是一种集成了两个MOSFET的电路模块，可用于控制双通道电路的开关与驱动。
本文将详细介绍双路MOSFET模块的原理、应用和选型等内容。
一、双路MOSFET模块的原理双路MOSFET模块由两个MOSFET及其相关电路组成。
MOSFET是一种三端器件，包括源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。
栅极电压的变化可以控制源极和漏极之间的电流流动。
而双路MOSFET模块则是通过两个MOSFET的协同工作来实现控制的双通道电路。
1. 单个MOSFET的工作原理单个MOSFET的工作原理可以简要概括为以下几个步骤： 1. 当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET处于截止状态，漏极和源极之间没有电流流动。
2. 当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET处于放大状态，漏极和源极之间的电流可以被调控。
3. 当栅极电压进一步增加时，MOSFET可能会进入饱和状态，此时漏极与源极之间的电流受栅极电压的变化影响较小。
2. 双路MOSFET模块的工作原理双路MOSFET模块将两个MOSFET并联，形成一个双通道的开关与驱动电路。
通过对两个MOSFET栅极电压的调节，可以实现对双通道电路的精确控制。
在使用双路MOSFET模块时，根据需要将栅极电压调整到适当的水平，使MOSFET处于合适的工作区域。
当栅极电压低于阈值电压时，两个MOSFET都处于关闭状态，双通道电路断开。
当栅极电压高于阈值电压时，两个MOSFET都处于打开状态，双通道电路接通。
通过调整栅极电压的大小，可以控制双通道电路的导通与断开，实现对电路的精确控制。
二、双路MOSFET模块的应用双路MOSFET模块可应用于多种场景，以下是几个典型的应用案例。
1. 电源开关双路MOSFET模块可以作为电源开关，在电路中实现对电源的控制。
MOS管选型指南
MOS管选型指南MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率开关器件。
其结构简单，能够在低电压下工作，并具有高开关速度和低开关损耗等优点。
因此，MOSFET广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。
在选择MOSFET时，需要考虑以下几个方面：1.电压与电流要求：首先，需要确定所需工作电压和电流范围。
根据应用的不同，MOSFET的电压和电流要求可能有所不同。
例如，电力电子领域通常需要承受较高的电压和电流，而通信设备领域则可能对电压和电流有较严格的限制。
2.耗散功率：MOSFET的耗散功率也是选择的重要考虑因素之一、当MOSFET处于导通状态时，其内部会产生一定的功耗，这会导致器件发热。
当功耗过大时，需要采取散热措施或选择功耗较低的器件。
3.开关速度：开关速度是指MOSFET从导通到截止（或相反）的时间。
一般来说，开关速度较快的MOSFET能够更快地响应控制信号，实现高频开关。
对于一些高频开关电路，如无线通信设备中的射频开关，开关速度要求较高。
4.RDS(ON)：RDS(ON)是MOSFET的导通电阻。
导通电阻越小，MOSFET的开关损耗就越小，并且能够更好地导通高电流。
因此，在选择MOSFET 时，需要根据应用的要求选择合适的RDS(ON)。
5.均衡特性：MOSFET的均衡特性是指在不同工况下，如温度、电压和电流等，其关键参数是否保持稳定。
一些高可靠性应用，如航空航天和军事领域，对器件的均衡特性要求较高。
6.可靠性：MOSFET的可靠性与其设计、制造和封装质量有关。
在选择MOSFET时，建议选择来自知名厂商的产品，并确保符合行业标准和认证要求。
此外，了解厂商的质量控制和售后服务也是必要的。
7.价格和供应链：价格和供应链也是考虑因素之一、选择合理的价格范围，并确保能够获得稳定的供应，以避免因材料短缺或停产等问题导致生产或维修困难。
总之，选型MOSFET需要综合考虑电压和电流要求、耗散功率、开关速度、RDS(ON)、均衡特性、可靠性、价格和供应链等因素。
mosfet 选型注意事项
mosfet 选型注意事项
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，选型时需要考虑以下几个注意事项：
1. 额定电压（Vds）：根据实际工作电压要求选择合适的MOSFET。
额定电压应略大于实际工作电压，以确保稳定性和可靠性。
2. 最大漏极电流（Id）：根据应用中的最大负载电流需求选择MOSFET。
确保所选器件的最大漏极电流能够满足工作条件下的要求。
3. 开关速度（开关时间和关断时间）：开关速度与开关特性有关，一般由电荷注入和排除时间决定。
根据应用的频率和需求，选择合适的开关速度。
高频应用通常需要更快的开关速度。
4. 导通电阻（Rds(on)）：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻，直接影响功耗和效率。
较低的导通电阻意味着更小的功耗和更高的效率，因此选择较低的导通电阻更为理想。
5. 耐压能力：MOSFET的耐压能力决定了其在高压环境下的可靠性和稳定性。
根据实际工作电压需求选择合适的耐压能力。
6. 温度特性：MOSFET在高温环境下会产生热量，因此需要考虑器件的温度特性以及散热措施。
确保所选MOSFET
具有良好的温度特性，并能够在实际工作条件下稳定工作。
7. 附加特性：根据应用需求，可能还需要考虑其他附加特性，如阻尼比、静态工作点等。
根据具体应用场景，选择适合的附加特性。
最后，为了确保选型准确，建议参考器件的数据手册和规格书，以获得更详细和专业的信息。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
MOSFET选型注意事项及应用实例
MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。
在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。
当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。
导通时，电流可经开关从漏极流向源极。
漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。
必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。
当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。
虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。
作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。
1）沟道的选择。
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。
在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。
在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。
通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。
2）电压和电流的选择。
额定电压越大，器件的成本就越高。
根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。
这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。
就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。
设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。
在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。
脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。
一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
3）计算导通损耗。
MOSFET器件的功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变。