浙大模电1篇2章习题解答
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第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。
（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
（×）（3）线性电路一定是模拟电路。
（√）（4）模拟电路一定是线性电路。
（×）（5）放大器一定是线性电路。
（√）（6）线性电路一定是放大器。
（×）（7）放大器是有源的线性网络。
（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。
（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。
（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。
（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。
（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。
（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。
（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。
（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。
（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。
（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。
（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。
（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。
3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。
浙大模电1篇1章习题解答
第一篇 第1章习题题1.1.1 有一电流控制电流源电路如图题1.1.1所示，图中i sI I β=，50=β，Ω=k R L 2。
当mA I i 1.0=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.1解：负载电阻R L 两端电压为：V k R I R I V L i L S O 1021.050=⨯⨯===β负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.2 有一电压控制电流源电路如图题1.1.2所示，图中i m s V g I =，V mA g m 5=，Ω=k R L 2。
当V V i 0.1=时，试计算L R 两端的电压o V 和功率o P 。
图题1.1.2解：电阻阻端的电压为：V V mA R V g R I V L i m L S O 1021/5=⨯⨯===负载电阻上消耗的功率为：mW R V R I V I P LOL SO S O 5022====题1.1.3 电路如图题1.1.3所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。
设二极管D 的导通压降V D =0.7 V ，求出D 导通时电流I D 的大小。
（1）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 2 k Ω，R 2= 3 k Ω； （2）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1=R 2= 3 k Ω； （3）V CC1= 6 V ，V CC2= 6 V ，R 1= 3 k Ω，R 2= 2 k Ω。
图题1.1.3解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求出流过二极管的电流。
二极管开路后流过R 1和R 2的电流：mA R R V V I CC CC 4.25122121==++=，则二极管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=，由于二极管两端开路电压大于0.7V ，所以二极管导电,导电后，二极管二端压降为0.7V 。
模拟电子技术课后答案(1到9章)最经典的考试题汇总
第一章 习题与思考题◇ 习题 1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 解：二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
◇ 题 1-4已知在图P1-4中，u1=10sin ωt(V)，R L ＝1k Ω，试对应地画出二极管的电流i D 、电压u0的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
解：波形见图。
◇ 习题 1-5欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流I Z 、动态内阻r Z 以及温度系数a u 等各项参数，大一些好还是小一些好？解：动态内阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，即稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻r Z 愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
◇ 习题 1-7 在图P1-7 中，已知电源电压V=10V ，R=200Ω，R L =1 k Ω,稳压管的U Z =6V ，试求： ① 稳压管中的电流I Z =?② 当电流电压V 升高到12V ，I Z 将变为多少？ ③当V 仍为10V ，但R L 改为2 k Ω时，I Z 将变为多少？ 解：① mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1462016200610=-=Ω-Ω-=--=② mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z2463016200612=-=Ω-Ω-=--=③ mA mA mA k VV V R U R U U IL Z Z Z1732026200610=-=Ω-Ω-=--=◇ 习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压仁政值均为6V ，当工作在正向时管压降均为0.7V ，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电路第二章课后习题答案word精品
第二章习题与思考题♦题2-1试判断图P2-1中各放大电路有无放大作用，简单说明理由。
EP2-1解：(a) 无放大作用，不符合“发射结正偏，集电结反偏”的外部直流偏置要求；(b) 不能正常放大，三极管发射结没有偏置(正偏) ；(c) 无放大作用，三极管集电结没有偏置(反偏) ；(d) 无放大作用，三极管发射结没有偏置(正偏) ；(e) 有放大作用(电压放大倍数小于1)；(f) 无放大作用，电容C2使输出端对地交流短路，输出交流电压信号为0；(g) 无放大作用，电容C b使三极管基极对地交流短路，输入交流信号无法加至三极管基极;(h) 不能正常放大，场效应管栅源之间无直流偏置；(i) 无放大作用，VGG的极性使场效应管不能形成导电沟道。
本题的意图是掌握放大电路的组成原则和放大原理U1♦题2-2试画出P2-2中各电路的直流通路和交流通路。
设电路中的电容均足够大， 变压器为理想变压器解:-O +v ccRA営&本题的意图是掌握直流通路和交流通路的概念，练习画出各种电路的直流通路和交流通路。
(c)+交紇诵聲十W白浙！SAOO1卩a浦诵踣I交说通路(1 •:)1BQ1CQ♦题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变， 分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的 I BQ 、I CQ 、U CEQ 将增大、减小还是不变。
① 增大Rb;②增大VCC ③增大3。
解：①Rb =■ 1 BQ■ 1 CQ ■ ~ U CEQ② V cc = 1BQ = 1 CQ = UCEQ ( =V CC- R c 1 CQ )不疋I BQ 基本不变本题的意图是理解单管共射放大电路中各种参数变化时对 Q 点的影响♦题2-4在图2.5.2所示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中，假设电路其他参数不变，分别改1BQCQ BQ■I B QUCEQ — V CC - 1 CQ R C1CQ=V cc变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的 I BQ 、 I CQ 、U CEQ 、「be 和| A u|将增大、减小还是不变。
习题解答浙大版集成电路课后答案
第一章 放大电路的动态和频响分析题3.1.1 对于放大电路的性能指标，回答下列问题：(1) 已知某放大电路第一级的电压增益为40dB ，第二级的电压增益为20dB ，总的电压增益为多少dB ？(2) 某放大电路在负载开路时输出电压为4V ，接入3 k Ω的负载电阻后输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻为多少？(3) 为了测量某CE 放大电路的输出电压，是否可以用万用表的电阻档直接去测输出端对地的电阻？解：(1) 60 dB ；(2) 1 k Ω；(3) 不可以。
题3.1.2 一学生用交流电压表测得某放大电路的开路输出电压为4.8V ，接上24 k Ω的负载电阻后测出的电压值为4V 。
已知电压表的内阻为120 k Ω。
求该放大电路的输出电阻R o 和实际的开路输出电压V oo 。
解：由题意列方程组： 420208.4120120=+⋅=+⋅o DD o BB R V R V解得：V 5k 5=Ω=OO o V R ，题3.1.3 在图题3.1.3所示CS 放大电路中，已知静态工作点为V GSQ ＝-0.5V ，I DQ ＝2mA ，V DSQ＝5V ，R s ＝3k Ω。
设电压放大倍数为vA ＝-20，发生截止失真时输出电压的正向幅值为5V ，发生饱和失真时输出电压的负向幅值为3V 。
(1) 当输入信号为v i =0.1sin ωt (V)时，画出g 、d 点的电压波形v G 、v D ，并标出峰、谷电压的大小；(2) 当输入信号为v i =0.3sin ωt (V)时，画出g 、d 点的电压波形v G 、v D ，并标出峰、谷电压的大小。
图题3.1.3解：(1) 当v i =0.1sin ωt (V)时，栅极的静态电压为：V 5.5325.0=⨯+-=+=s DQ GSQ GQ R I V V栅极的瞬态电压为：(V)t 0.1sin 5.5ω+=+=i GQ G v V v漏极的瞬态电压为：(V) sin 211sin 1.0)20(325t t v A R I V v V v V v iv s DQ DSQ o DQ d DQ D ω-=ω⨯-+⨯+=++=+=+=因此，v G 、v D 电压波形如图3.1.3（a ）所示。
模拟电路1习题及解答
8. 稳压二极管电路如图所示，稳压二极管的参数为：UZ＝8V，IZmin＝5mA，
PZM＝240mW，限流电阻R＝390，负载电阻RL＝510，输入电压UI＝17V。
（1）求输出电压Uo及稳压管电流IDZ；
（2）若UI增加20%，RL开路，分析稳压二极管是否安全。
（1）Uo＝8V，IDZ＝7.4mA
5
1. 二极管电路如图所示，设二极管的导通电压UD(on)＝0.7V，试求出各电路 的输出电压Uo。
3kΩ R
3kΩ R
6V
3kΩ R Uo
6V
3kΩ R Uo
6V
Uo
6V
Uo
12V
12V
（a）
（b）
（c）
（d）
（a）二极管导通，输出电压Uo＝6－0.7＝5.3V （b）二极管截止，输出电压Uo＝0 （c）二极管截止，输出电压Uo＝12V （d）二极管导通，输出电压Uo＝6＋0.7＝6.7V
（e）β＝121，α＝0.992， iB＝6μA
16
12. 某双极型晶体管，共射放大倍数β的范围为110≤β≤180。试求对应的共基 放大倍数α的范围。如果基极电流为iB＝50µA，试求集电极电流iC的范围。
iE iC iB
iC iB
iE 1 iB
iC iE
iC 1 iE
1
D
I1
VDD1 4V
I2 R
VDD2
12V
Io RL 1kΩ Uo
R＝1kΩ，二极管截止。I1＝0，I2＝－6mA，Io＝6mA，Uo＝6V R＝5kΩ，二极管导通。I1＝1.56mA，I2＝－1.74mA，Io＝3.3mA，Uo＝3.3V
9
5. 二极管电路如图所示，D1、D2为硅二极管，即二极管的导通电压UD(on)＝ 0.7V，已知ui＝10sinωt (V)，画出输出电压波形。
“模电”第1章习题答案
串联：
+
_ 15V
+
_ 1.4V
+
_ 6.7V
+
_ 9.7V
并ห้องสมุดไป่ตู้：
+ + + _ _
_
6V
（输出稳压值 为小的一个）
0.7V
0.7V
1-10
稳压管电路如图1-29所示。已知稳压管的 稳压值为6V，稳定电流为10mA,额定功耗为 200mW，限流电阻R=500Ω。 1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 2.当UI=20V,RL=100Ω 时,U0=?
UZ 6V I0 6mA RL 1k
I Z I I 0 22 mA
10mA 22mA 33mA
稳压管可以正常工作:
U 0 U Z 6V
2.当UI=20V,RL=100Ω 时,U0=? 假设稳压管正常工作，
则 U Z 6V
UZ 6V I0 60 mA RL 100
第1章 课后习题解答
0143
1-8
图1-28所示电路中，ui=10sin100t V， 二极管为理想的。分别画出他们的输出 波形和传输特性曲线，u0=f (ui)。
5
当ui处于正半周且ui<5V： 二极管导通， u0=ui 。 当ui处于正半周且ui>5V： 二极管截止， u0=5V。 当ui处于负半周： 二极管导通，u0=ui。 输出波形和传输特性曲
3.当UI=20V,RL开路时，电路的稳压性能如何？
4.当UI=7V,RL变化时，电路的稳压性能如何？
解：1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 稳压管的最大工作电流: PZM 200 mW I Z max 33mA UZ 6V
浙江大学城市学院模电习题及答案1
诚信应考 考出水平 考出风格浙大城市学院期末试卷课程名称：《模拟电子技术基础》开课单位：信电分院 ；考试形式：闭卷；考试时间： 年 月 日；所需时间：120分钟题 序 第1题 第2题 第3题 第4题 第5题第6题 第7题 第8题 得分总得分参考答案及评分标准 评阅人签名****************************************************************************得分一．填空题（本大题共 5 题，每题 4 分，共 20 分）1．半导体器件中有二种载流子，分别是 自由电子 和 空穴 ；掺杂半导体可分为P 型和N 型两种，其中对于N 型半导体中的多数载流子是 自由电子 ，它由本征半导体掺入 五 价元素形成。
2．双极型晶体管是由两个PN 结紧密排列组成的，它可以分为两种类型，即 NPN 和 PNP 。
双极型晶体管的工作模式可分为放大模式、饱和模式与截止模式，它由晶体管的PN 结偏置决定。
当晶体管工作在放大模式时，要求晶体管的发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。
3．场效应晶体管的转移特性曲线()GS D v i ~如图1-3所示。
试问①号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 N 沟道耗尽型MOSFET ，它对应的开启（阈值）电压()th G S V = -1V 。
②号曲线对应为何种类型的场效应晶体管 P 沟道结型场效应管 ，它对应的电流DSS I = 2mA 。
（注：DSS I 为()off G S G D G S V V V ==且0时的漏极电流）。
4．图1-4为某多级放大电路，其中各级放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗如图中所示，则多级放大器的总增益i o V v v A = = A V1A V2A V3 ，输入阻抗i R = R i1 ，输出阻抗o R = R o3 。
多级放大电路年级：_____________ 专业：_____________________ 班级：_________________ 学号：_______________ 姓名：__________________ …………………………………………………………..装………………….订…………………..线………………………………………………………0 1 1-1 ①2 23 D /图 1-3mAi D /Vv GS /②的通频带总是比组成它的每一级的通频带要 窄 （宽 或 窄）。
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第一篇 第2章习题题 1.2.1 有二个晶体管，一个200=β，A I CEO μ200=；另一个50=β，A I CEO μ10=，其余参数大致相同。
你认为应选用哪个管子较稳定？解： 选β=50，I CEO =10μA 的管子较稳定。
穿透电流大，电流放大系数也大的管子稳定性较差。
题 1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V V X 9=，V V Y 6=，V V Z 7.6=；乙管V V X 9-=，V V Y 6-=，V V Z 2.6-=。
试分析三个电极中，哪个是发射极、基极和集电极？它们分别是NPN 型还是PNP 型，是锗管还是硅管？ 解： 甲管为NPN 型硅管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极； 乙管为PNP 型锗管，其中X 为C 极，Y 为E 极，Z 为B 极。
题1.2.3 从图题1.2.3所示各三极管电极上测得的对地电压数据中，分析各管的类型和电路中所处的工作状态。
（1）是锗管还是硅管？ （2）是NPN 型还是PNP 型？（3）是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是烧断还是短路？）[提示：注意在放大区，硅管V V V V E B BE 7.0≈-=，锗管V V BE 3.0≈，且V V V V E C CE 7.0>-=；而处于饱和区时，V V CE 7.0≤。
]图题1.2.3解：该题中的锗管还是硅管，看V BE 是0.7V 还是0.3V ，0.7V 是硅管，0.3V 左右是锗管，也可以看第二个英文字母，如果第二个字母是D 、C 则通常为硅管，如果第二个字母是A 、则为锗管。
第三个英文是高频管还是低频管，还是开关管或是大功率管。
（G 是高频管、K 是开关管、X 是低频管、D 是大功率管），据此有：(a) NPN 硅管，工作在饱和状态； (b) PNP 锗管，工作在放大状态； (c) PNP 锗管，管子的b-e 结已开路； (d) NPN 硅管，工作在放大状态； (e) PNP 锗管，工作在截止状态； (f) PNP 锗管，工作在放大状态； (g) NPN 硅管，工作在放大状态； (h) PNP 硅管，工作在临界饱和状态。
题1.2.4 图题1.2.4所示电路中，设晶体管的50=β，V V BE 7.0=。
（1）试估算开关S 分别接通A 、B 、C 时的B I 、C I 、CE V ，并说明管子处于什么工作状态。
（2）当开关S 置于B 时，若用内阻为10 k Ω的直流电压表分别测量BE V 和CE V ，能否测得实际的数值？试画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？（3）在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态（设临界饱和时的V V CE 7.0=），c R 的值不应小于多少？图题1.2.4解： (1) S 接A 点；143.01007.015≈-=B I mA ，1.7143.050=⨯==B C I I βmA ， 5.2015-=-=C C CE R I V V ，说明管子已经饱和了。
I C 和V CE 应重新计算如下：94.215=-≈CCESC R V I mA, V C E ≈0.3V 。
S 接B 点时：6.285007.015≈-=B I mA ， 43.10286.050=⨯==BC I I βmA ，85.715=-=C C CE R I V V ，管子处于放大状态。
S 接C 点时：发射极反偏，所以，I B ≈0，I C ≈0，V CE =15V ，管子截止。
图1.2.5(2) 不能够测得实际数值。
测V BE 时由于0.7V V 294.01050010'<=+=CC B V V ，会引起三极管截止；测V CE 时集电极的等效电源为V 1010510'=+=CC CC V V ，等效电阻为Ω=ΩΩ= 3.33k //10k k 5'c R ，由图解法可知所测电压值偏小。
(3) R C 不应小于2kΩ。
题1.2.5 在图题1.2.5所示电路中，已知Ω=k R 31，Ω=k R 122，Ω=k R c 5.1，Ω=500e R ，V V CC 20=，3DG4的30=β。
（1）试计算BQ I 、CQ I 和CEQ V ；（2）如果换上一只60=β的同类型管子，估算放大电路是否能工作在放大状态？（3）如果温度由10˚C 升至50˚C ，试说明C V （对地）将如何变化（增加、不变或减少）？图题1.2.5解：(1) I CQ ≈6.39mA ，I BQ ≈0.21mA ，V CEQ ≈7.23V ；(2) 能工作在放大状态；(3) 温度上升，I C 上升，集电极电流增加，集电极电位V C 将减小。
题1.2.6 设图题1.2.6（a ）~（d ）所示电路中的三极管均为硅管，V V CES 3.0=，50=β，试计算标明在各电路中的电压和电流的大小。
图题1.2.6解： (a) 这是一个开关电路，当输入为5V 时，三极管已处于饱和状态，V CE ≈0.3V ；当输入电压为0V 时，三极管处于截止状态，V CE ≈5.7V(b) 根据电路，稳压管击穿后三极管发射极电阻上的压降为6V ，发射极电流为I C ≈I E =6mA ，则二只电阻上就降了12V ，所以管子已处于饱和了。
(c) 电路选用了PNP 管，将基极回路用戴维宁定理定律等效后（求基极开路电压，求基极等效电阻），求出I B 和I C 后，即可求得V CE ＝-4.8V 。
(d) 这是一只复合管形成的电路，可以求得V C ＝-10.8V 。
题1.2.7 绝缘栅场效应管漏极特性曲线如图题1.2.7(a)~(d)所示。
（1）说明图(a)~(d)曲线对应于何种类型的场效应管。
（2）根据图中曲线粗略地估计：开启电压T V 、夹断电压P V 和饱和漏极电流DSS I 或DO I 的数值。
图题1.2.7解：该题应该注意V T 、V P 、I DSS 、I DO 的定义。
（V T 使NMOS 管形成导电沟道所需的电压、V P 耗尽型使漏极电路为0时的栅源电压、I DSS 耗尽型管子VGS 电压为0时的漏极电流、2倍V T 电压时的漏极电流）。
图(a)：增强型N 沟道MOS 管，V GS(th)≈3V ，I DO ≈3mA ； 图(b )：增强型P 沟道MOS 管，V GS(th)≈-2V ，I DO ≈2mA ； 图(c)：耗尽型型P 沟道MOS 管，V GS(off)≈2V ，I DSS ≈2mA ； 图(d)：耗尽型型N 沟道MOS 管，V GS(off)≈-3V ，I DSS ≈3mA 。
题1.2.8 场效应管的漏极特性曲线同图题1.2.7(a)~(d)所示。
分别画出各种管子对应的转移特性曲线()GS D v f i =。
解： 在漏极特性曲线上，取某一V DS 下作一直线，该直线与每条输出特性的交点决定了V GS 和I D 的大小，如此逐点作出，连接成曲线，就是该管子的转移特性了，针对4种特性曲线的转移特性分别如图1.3.2所示。
图1.3.2题1.2.9 图题1.2.9所示为场效应管的转移特性曲线。
试问： （1）DSS I 、P V 值为多大？（2）根据给定曲线，估算当mA i D 5.1=和mA i D 9.3=时，m g 约为多少？ （3）根据m g 的定义：GS Dm v d i d g =，计算V v G S 1-=和V v G S 3-=时相对应的m g 值。
解： (1) I DSS =5.5mA ，V GS(off)=-5V ；(2) I D =1.5mA 时，g m ≈0.88ms ，I D =3.9mA 时，g m ≈1.76ms ； (3) v GS =-1V 时，g m ≈0.88ms ，v GS =-3V 时，g m ≈1.76ms 。
图题1.2.9题1.2.10 由晶体管特性图示仪测得场效应管T 1和T 2各具有图题1.2.10(a)和(b)所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并粗略估计V P 或V T 值，以及V v DS 5=时的I DSS 或I DO 值。
解： 图(a)：耗尽型PMOS 管，V GS(off)=3V ；当V DS =5V 时，I DSS =2mA ；图(b)：增强型PMOS 管，V GS(th)=-4V ；当V DS =5V 时，I DO ≈1.8mA 。
题1.2.11 某MOS 场效应管的漏极特性如图题1.2.11所示。
试画出V v DS 9=时的转移特性曲线，并定性分析跨导m g 与D i 的关系。
解： 在V DS =9V 处作一垂直线，与各V GS 下的输出特性曲线相交，各交点决定了V GS 和I D ，从而逐点描绘转移特性曲线，如图1.3.5所示。
从转移特性曲线的某一点作切线，可得g m 的大小。
图题1.2.10图题1.2.11图1.3.5题 1.2.12 由P 沟道结型场效应管组成的电路和它的漏极特性曲线示于图题1.2.12(a)、(b)中。
在V V I 10-=，Ω=k R 10，Ω=k R d 5，GS V 分别为0 V 、1 V 、2 V 、3 V 时，求电路输出V O 值各为多少？图题1.2.12解： 当V I = 10V ，R=10k Ω，R d =5k Ω时，场效应管工作在可变电阻区上。
当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，R DS 分别为0.83k Ω、1k Ω、1.25k Ω、1.67k Ω。
而输出电压为I d DS dDS O V R R R R R V +++=所以当V GS =0V 、1V 、2V 、3V 时，相应的输出电压分别为3.68V 、3.75V 、3.84V 、4.0V 。
题1.2.13 总结各种类型FET 的偏置条件：（1）说明场效应管处于可变电阻区、恒流区（放大区）和截止区的主要特征（指DS v 、GS v 和D i ）。
（2）为保证工作于放大区，DS v 和GS v 的极性应如何设置？[在题表1.2.13(a)和题表1.2.13(b)中打“√”]。
解：(1) 可变电阻区：场效应管的沟道尚未预夹断，V DS ＜V GS-V GS(th)，I D 随V DS 增加而较快增加。
恒流区：场效应管的导电沟道被预夹断，V DS ＞V GS -V GS(th)，V GS ＞V GS(th)，I D 基本不随V DS 增加而增大。
截止区：场效应管的沟道被完全夹断，V GS ＜V GS(th)，I D =0，V DS =V DD 。
(注：指增强型NMOS 管，其它类型只要注意电源极性，同样可以给出)。